МЕТОДИКИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ В СЛОЯХ ОБЛАСТЕЙ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА Текст научной статьи по специальности «Физика»

Научная статья

УДК 621.382:539.216.2

ао1:10.24151/1561-5405-2023-28-2-232-243

Методики определения концентрации и подвижности в слоях областей пространственного заряда

В. П. Карамышев

Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

Volodya-Arz@yandex.ru

Аннотация. Для исследования и контроля технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов измеряются вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики областей пространственного заряда в тонких слоях полупроводника. Непосредственное определение профилей распределения концентрации и подвижности носителей заряда по измеренным вольт-фарадным и вольт-сименсным характеристикам является актуальной задачей. В работе предложены простые оперативные методики обработки вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик в областях пространственного заряда в тонких слоях полупроводника с целью получения профилей распределения концентрации и подвижности носителей заряда. В частности, рассмотрено определение профилей концентрации основных носителей полупроводника, подвижности основных носителей полупроводника на структурах с проводящей подложкой, подвижности основных носителей полупроводника на структурах с изолирующей подложкой. Показано, что методики обработки вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик полупроводниковых структур типа диода Шоттки, несимметричного ^-«-перехода и МДП-структур могут использоваться для контроля технологических процессов и при разбраковке готовых приборов.

Ключевые слова: вольт-фарадные характеристики, вольт-сименсные характеристики, профиль распределения концентрации и подвижности, тонкие слои полупроводника

Для цитирования: Карамышев В. П. Методики определения концентрации и подвижности в слоях областей пространственного заряда // Изв. вузов. Электроника. 2023. Т. 28. № 2. С. 232-243. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-2-232-243

© В. П. Карамышев, 2023

Original article

Methods for determining the concentration and mobility in the layers of the space charge regions

V. P. Karamyshev

National Research University of Electronic Techology, Moscow, Russia Volodya-Arz@yandex.ru

Abstract. The capacitance-voltage (C-V) and volt-siemens (G-V) characteristics in space charge regions (SCR) in thin semiconductor layers are measured for process monitoring and study in semiconductor devices manufacturing. Direct determination of concentration profiles and carrier mobility by measured C-V and G-V characteristics is a critical task. In this work, simple operational methods for processing C-V and G-V characteristics in SCR in thin semiconductor layers, aiming at obtaining concentration and mobility distribution profiles of charge carriers, are proposed. In particular, the determination of the concentration profile of the majority carriers of the semiconductor, the determination of the mobility profile of the main semiconductor carriers on structures with a conductive substrate, and the determination of the mobility profile of the main semiconductor carriers on structures with an insulating substrate, are considered. It has been demonstrated that the methods for processing C-V and G-V characteristics of semiconductor structures such as a Schottky diode, asymmetric p-n junction and MIS structures can be used for technological processes monitoring and when sorting finished devices.

Keywords: capacitance-voltage characteristics, volt-siemens characteristics, concentration and mobility distribution profile, thin semiconductor layer

For citation: Karamyshev V. P. Methods for determining the concentration and mobility in the layers of the space charge regions. Proc. Univ. Electronics, 2023, vol. 28, no. 2, pp. 232-243. https://doi.org/ 10.24151/1561-5405-2023-28-2-232-243

Введение. Измерение вольт-фарадных (C-V) и вольт-сименсных (G-V) характеристик областей пространственного заряда (ОПЗ) в тонких слоях полупроводника используется для исследования и контроля технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов. Ведущие фирмы контрольно-измерительного оборудования выпускают измерительные установки с целью контроля указанных характеристик [1-6]. Как правило, при определении C-V- и G-V-характеристик задается распределение носителей и решается уравнение для электрического поля. Далее полученные C-V-и G-V-характеристики сравниваются с экспериментальными [7-11].

В настоящей работе проводится непосредственное определение по измеренным C-V- и G-V-характеристикам профилей распределения концентрации и подвижности носителей заряда [12-14].

Профиль концентрации основных носителей в ОПЗ. Пусть приповерхностная область полупроводника находится в режиме обеднения основными носителями тока. Постоянное поле, приложенное к поверхности полупроводника, экранируется только ионизированными атомами примеси (для определенности - донорной). Пространственный заряд имеется только внутри области от поверхности до xd. На расстояниях, пре-

вышающих Х& объем полупроводника квазинейтрален. Вкладом поверхностных состояний пренебрегаем. На рис. 1 приведен поперечный разрез полупроводниковой структуры.

ОПЗ\

Ч ! + + + + + + + + i > k t xd r

•

/ 1

*о

Объем полупроводника

Рис. 1. Поперечный разрез полупроводниковой структуры Fig. 1. Cross section of semiconductor structure

В рассматриваемом случае второй интеграл уравнения Пуассона может быть записан в виде

У5

q

J dx J N(x),

880фТ x=xd x -xd

(1)

где ys - поверхностный потенциал, выраженный в единицах теплового потенциала; q - элементарный заряд; 8 - относительная диэлектрическая постоянная полупроводника; 8о - абсолютная диэлектрическая постоянная вакуума; фт = kT/q, V = qTyS; V - напряжение смещения; N(x) - распределение донорной примеси.

При увеличении обедняющего поверхностного потенциала по абсолютной величине от ys до ys + Ays область обеднения расширяется на величину Axd и из выражения (1) следует:

tys =--— [ - N ( Xd +01 AXd ) Xd AXd - N (xd +02 AXd - N ( Xd +63 Л Xd )Л 2Xd ],

л2 x

880 Фг

где 0i, 02 , 0з - некоторые числа из интервала от 0 до 1.

Переходя к пределу при Ays ^ 0 и отбрасывая в предыдущем выражении члены,

2

содержащие Axd , получаем

q

dys __

dx^ 88 q ф^

N(Xd)Xd.

(2)

Пространственный заряд (space charge) слоя обеднения равен:

xd

QS c = q { n (x) dx.

x=0

При расширении слоя ОПЗ на Дх^ заряд слоя обеднения возрастает на величину

Л&.с = ^ (х +04 ^ ,

где 0 < 04 < 1.

Тогда при Дха

^ 0

dx.

=qN (x_).

(3)

Дифференциальная емкость слоя обеднения, равная

1

5. С 1 '

Фг

может быть получена из выражений (2) и (3) в виде

ее

С „ =

x

(4)

Исключая из формулы (2) глубину обеднения ха с помощью (4), получаем выражение для концентрации:

n(xd )sN(x_ ) = -2Фт

Я еео

d {Cs,c) -_ys

2

qss0 S2

d (C)-dV

(5)

где п - концентрация основных носителей, тождественно равная концентрации легирующей примеси на границе ОПЗ с квазинейтральным объемом в точке х¿:

ггп

x_ =

C,c (V)

S.

(6)

Здесь Сц. с = С(У)/£ - емкость на единицу площади электрода; £ - площадь электрода. Выражение (6) определяет положение границы ОПЗ х^.

Более точные вычисления с учетом наличия в ОПЗ основных носителей дают следующие выражения для емкости и концентрации основных носителей [1]:

С = SS

1-e

,ys

s . c 1/

xd [e - ys -1]12

n(xd )о.н =-

2 Фт q ss0

d (Cs.c)-

dys

=n

(1- es )3

01 + 2 yseys - e ys "

(7)

(8)

Отличия выражений (7) и (8) от выражений (4) и (5) заметны только для малых значений поверхностного потенциала уз порядка (1-2). Наибольшее различие в концентрации по н достигается при уз = 0 и составляет 300 % по н = 3п0, где п0 вычисляется согласно выражению (5).

Профиль подвижности основных носителей для полупроводниковых структур с проводящей подложкой. На рис. 2 приведена условная эквивалентная схема полупроводниковой структуры с барьером Шоттки на проводящей подложке. Емкость ОПЗ С и сопротивление подложки Я соединены последовательно. Рассмотрим элемент сопротивления объема подложки Я:

1 y=h R =1 Jp _У ,

S y=0

где к - толщина слоя подложки; р - удельное сопротивление в объеме подложки.

1

Рис. 2. Поперечный разрез полупроводниковой структуры с проводящей подложкой Fig. 2. Cross section of semiconductor structure with a conductive substrate

При изменении h на дифференциально малую величину Ah меняется сопротивление R:

-, y = h + Лй

R +dR=- J р dy.

y = 0

Последнее выражение можно представить в виде

y = h л y = h + Лй

Y y =h y y =h +

R +dR=^ J P dy+^ J P dy

s r. S ,

y = 0 y = h

или для малых приращений Ah:

R + dR = R+-

Лй

Sq ^(h+0M) n(h+0 Ah)

где ц - подвижность основных носителей; 0 < 0 < 1 - некоторое число. Перейдем к пределу для малых дифференциалов Дк:

dR

1

dh S q ^(h) n(h) Из последнего уравнения следует выражение для подвижности:

^ ( h) =

1

Sqn(h)|(dR/dh )| ' здесь h (или Xd) определяется с помощью выражения (6).

(9)

Заменим в формуле (9) с помощью (6) производную по глубине И (или хй) на производную по напряжению смещения V:

С

дх, = 8 е„ S-dV.

д 0 дУ

Выражение для подвижности, эквивалентное (9), имеет вид

(10)

ss0 dC - " dR' -i

qn dV _ dV _

Профиль подвижности основных носителей для полупроводниковых структур с изолирующей подложкой. Рассмотрим распределенную схему планарного диода Шоттки на изолирующей подложке. Измерения проводятся в последовательной эквивалентной схеме замещения. Переменный измерительный сигнал и втекает со стороны верхнего полевого электрода, растекается по дифференциально малым участкам емкостей верхнего электрода йС и втекает в проводящую область полупроводника. Переменный измерительный сигнал растекается по дифференциально малым участкам слоя с сопротивлением йЯ.

Все дифференциально малые токи А/ собираются шиной тока I и в результате вытекают из полупроводниковой структуры. Структура находится под обедняющим постоянным напряжением V, приложенным к металлическому электроду, к которому приложено переменное напряжение измерительного малого сигнала и. Обратное сопротивление необедненной части слоя полупроводника равно:

Р = q

m

J ^ndy.

(11)

Дифференциально малая часть емкости ОПЗ под электродом равна:

I дх

dC=s s„

m

где I - глубина электрода; т - толщина ОПЗ.

Дифференциально малое сопротивление проводящей части слоя равно:

dR = р

dx

Т

Изменения тока и напряжения переменного сигнала можно записать в виде

= фТ (ио - и)7'ш дС,

*

фт ди =-1 (х) дх,

(12) (13)

где и0 - переменный потенциал верхнего измерительного электрода; ] - мнимая единица; ю - круговая частота переменного измерительного сигнала.

Из уравнений (12) и (13) получаем выражения для производных:

dI . ss0ш /

~т=J —— Фг U - U (x)], dx m

(14)

w

ИТ Т *

Фт^и = --Р- 1(х) . (15)

ах I

Введем характеристическую длину втекания переменного сигнала п:

ц2 , ^ ■ (16)

880ш/ р ц т

Для получения уравнений, содержащих только по одной переменной - либо I, либо и, выполним следующие преобразования. Дифференцируем уравнения (14) и (15) по координате х. Перейдем от х к безразмерной координате х = х/ц. В результате получим два дифференциальных уравнения второго порядка:

а21

—Т - ]1(х) = 0, (17)

а X

а 2и

—Т- j [и(х)-и0] = 0.

а X

Решение для тока имеет вид

I(х) = С1 еах + С2 е-ах . (18)

Вычисляя из формулы (18) первую и вторую производные и подставляя их в (17), получаем для а:

а21(X) - jI(X) = 0.

Отсюда следуют выражения а2 = у, или а = .

Ток I в начале координат равен нулю. Тогда С2 = -С1. Выражение для тока (17) приобретает вид

I(х) = С1( еах- е-ах ) . (19)

Используем формулу (19) и следующее из него выражение для производной и подставим его в (14). В результате имеем

*

Фт [ио-и(X)] = рц 4] Сх (е^ + е~х*). (20)

jl

Для мнимой единицы имеют место соотношения

^Ф-]^-^1-] (21)

]] 42 42

Подставим (21) в формулу (20) и получим выражение для напряжения в точке Ха:

* 1 — ' . . Фт [и0 - и(А)] = ^ С ( еА^ + е А^), (22)

где А = Ха/ц.

Формулы (19) для тока и (22) для напряжения позволяют записать выражение для полного комплексного сопротивления в точке Х£

2(Л)-Фг [Ц -и(А)] I (А)

или

7(А) = (1-1)ДА), (23)

И 2

(еА4! + е - А4!)

здесь Б( А) = ——=-¡=Д.

д ( ) (е^ - е-^)

Вместо координаты А введем безразмерную координату В: В = А/ . Используем для корня из мнимой единицы = (1 + у)/>/2. Запишем выражение для дроби Б, входящей в формулу (23):

е'В ев + е-]В е~В

ДВ) =~^в--ВТГ. (24)

ее- е 1 е

Выполним следующие преобразования выражения (24). Для экспонент от комплексного показателя воспользуемся формулами Эйлера, далее избавимся от комплексных слагаемых в знаменателе и применим формулы для двойного угла. В результате выражение (24) принимает вид

8Ь(2В) -18'п(2В)

еЬ(2В) -1008(2 В)

Выражение для комплексного сопротивления 2 (23) после разделения на действительную и мнимую части принимает вид

Л ___/оолТ1

(25)

Z(A)= -Р-^ sh(2i?)-sin(2B) | 1 ( ) /^2 ch(2B) - cos(2B) J

И 2

* lp ^

sh(2B )+sin(2B )

Из формулы (25) следуют выражения для эквивалентных последовательных сопротивления и емкости всей структуры:

= р!2 8"(2В>-8'"<2В) , (26)

/л/2 оЬ(2В) - ооб (2В)

С(А) = сЦгЩ- 008(2В). (27)

юр*л §Ь(2В)+б'П(2В)

Рассмотрим два предельных случая: малые длины ХА и большие длины ХА по отношению к характеристической длине втекания переменного тока п.

При малых длинах электрода Ха << п. Воспользуемся разложениями в ряды для экспонент, гиперболических и обычных синусов и косинусов. Вместо формул (26) и (27) получаем

R(XA ) = 1 р* Xa , (28)

Ca =8 80 ¡-Xa . (29)

m

В выражении (28) отношение Xa/1 соответствует количеству квадратов площади электрода структуры, а в выражении (29) lXA/m - площадь электрода, деленная на глубину ОПЗ.

Определим профиль подвижности основных носителей для полупроводниковых структур с изолирующей подложкой. При смещении границы обеднения m (рис. 3) удельное сопротивление слоя подложки р* меняется. Для изменения Ар*-1 из формулы (11)следует

m+Am m

Ар*4 = q | ^ndy-q J^ndy . (30)

W W

Выражение (30) может быть представлено в виде

m+Am

Ар*-1 = q J pndy = q^(m + 0Am) n(m + 0Am)Am .

m

Перейдем к пределу Am ^ 0 и получим выражение для производной:

. *-1

-=q ^(m) n(m) . (31)

dm

Рис. 3. Поперечный разрез полупроводниковой структуры с изолирующей подложкой Fig. 3. Cross section of a semiconductor structure with an insulating substrate

Выразим обратное слоевое сопротивление из выражения для сопротивления структуры (28) и продифференцируем его по глубине т:

d р*-1 1 XAd (R( XA ))-1

dm 3 l

dm

(32)

Из формул (31) и (32) получаем выражение для подвижности при малых длинах электрода ХА:

й ( Я( ХА ))-1

^(m)=1 Xa

1

3 l qn(m)

dm

(33)

Используя формулу (10), заменим в (33) производную по глубине т на производную по напряжению смещения У. Получаем эквивалентный вид выражения для подвижности:

1 d (R - >) " dC -1" -1

312 qn ss0 dV dV

(34)

При больших длинах электрода X >> П. В этом случае гиперболические синусы и косинусы превосходят по модулю обычные синусы и косинусы. Выражение для дроби (24) приобретает вид

бЬ(2 В) - Бш(2 В)

_2 B

ch(2B) - cos(2 B) в2 B

Вместо выражений (26) и (27) можно записать

*

Р Л

=1.

R(Xa ) = С(Xa ) = ss0

i>/2' лЛ/2

m

(35)

(36)

Выражения (35) и (36) показывают, что при больших длинах электрода вклад в емкость и сопротивление дают только области под электродом протяженностью п.

Заключение. В результате проведенной работы получены выражения для профиля концентрации основных носителей полупроводника (5); профиля подвижности основных носителей полупроводника на структурах с проводящей подложкой (9); профиля подвижности основных носителей полупроводника на структурах с изолирующей подложкой (33), (34).

Полученные выражения можно использовать при обработке экспериментальных С-У- и С-У-характеристик.

Литература

1. Анализаторы параметров полупроводниковых приборов: Измерение IV-CV c использованием модулей MFCMU и SCUU анализатора B1500A // Америт [Электронный ресурс]. 08.06.2021. URL: http://www.amerit.nnov.ru/uploads/lib/Keysight_catalog_2021.pdf (дата обращения: 01.02.2023).

2. Keysight B1500A: Анализатор полупроводниковых приборов // Америт [Электронный ресурс]. 03.08.2014. URL: http://www.amerit.nnov.ru/uploads/lib/K5991-2443RURU_Анализатор%20 полупроводниковых%20приборов.pdf (дата обращения: 01.02.2023).

3. Keysight: Измерители RLC E4980A, E4980AL, E4990A // КТМ [Электронный ресурс]. URL: https://kiptm.ru/produktsiya/keysight-produktsiya/keysight-izmeriteli-rlc (дата обращения: 01.02.2023).

4. Параметрический анализатор Keithley 4200A-SCS // Tektronix [Электронный ресурс]. URL: https://www.tek.com/ru/products/keithley/4200a-scs-parameter-analyzer (дата обращения: 26.11.2022).

5. LCR-78110G - измеритель параметров RLC цифровой // Электронприбор [Электронный ресурс]. URL: https://www.electronpribor.ru/catalog/53/lcr-78110g.htm (дата обращения: 26.11.2022).

6. Измеритель иммитанса Е7-20 // МНИПИ [Электронный ресурс]. URL: http://mnipi.com/catalog/ izmeriteli-immitansa-rlc/izmeritel-immitansa-e7-20.html (дата обращения: 03.02.2023).

7. Бахвалова С. А., Спиридонов А. Б., Фастовец А. А., Серегин В. В. Моделирование МДП-варикапа с переносом заряда в программной среде ADS // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 2. С. 183-188. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-2-183-188

8. Мельник Н. Н., Трегулов В. В., Рыбин Н. Б., Иванов А. И. Особенности строения приповерхностной области полупроводниковой структуры, сформированной металл-стимулированным травлением монокристаллического кремния // Краткие сообщения по физике ФИАН. 2019. № 10. С. 39-45.

9. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C-V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC НЕМТ // К. Л. Енишерлова, Ю. В. Колковский, Е. А. Боброва и др. // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47-55. https://doi.org/10.1134/S0544126919010046

10. Литвинов В. Г., Литвинова В. С. Исследование вольт-фарадной характеристики точечного барьерного контакта металл-полупроводник // Вестник РГРТУ. 2020. № 73. С. 129-138. https://doi.org/ 10.21667/1995-4565-2020-73-129-138

11. Гончаров В. Е., Никонов А. В., Ильясов А. К., Арич О. Д. Определение толщины эпитаксиаль-ных слоев гетеропары AlGaAs/GaAs методом электрохимического вольт-фарадного профилирования // Прикладная физика. 2019. № 3. С. 61-66.

12. Мурылева И. В., Пашинцев Ю. И., Карамышев В. П. Определение профиля концентрации основных носителей полупроводника в ОПЗ по вольт-фарадной характеристике // Микроэлектроника. 1980. Т. 9. Вып. 3. С. 236-240.

13. Карамышев В. П., Лаврищев В. П., Мурылева И. В., Панасенко П. В. Методика определения профилей распределения концентрации и подвижности носителей в проводящем слое полупроводника, расположенном на полуизолирующей подложке // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 1. С. 9-14.

14. Карамышев В. П. Научно-технический отчет по НИР «Разработка универсальной тестовой ячейки для межоперационного контроля изготовления СВЧ ИС». М.: НИИМП, 1989.

Статья поступила в редакцию 18.11.2022 г.; одобрена после рецензирования 21.11.2022 г.;

принята к публикации 06.02.2023 г.

Информация об авторе

Карамышев Владимир Петрович - кандидат физико-математических наук, ведущий инженер Научно-исследовательской лаборатории функциональной электроники на новых принципах Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), Volodya-Arz@yandex.ru

References

1. Semiconductor device parameter analyzers: IV-CV measurement with MFCMU and SCUU modules of the B1500A analyzer. Amerit. 08.06.2021. (In Russian). Available at: http://www.amerit.nnov.ru/ uploads/lib/Keysight_catalog_2021 .pdf (accessed: 01.02.2023).

2. Keysight B1500A: Semiconductor device analyzer. Amerit. 03.08.2014. (In Russian). Available at: http://www.amerit.nnov.ru/uploads/lib/K5991-2443RURU_Анализатор%20полупроводниковых%20 приборов.pdf (accessed: 01.02.2023).

3. Keysight: RLC meters E4980A, E4980AL, E4990A. KTM. (In Russian). Available at: https://kiptm.ru/ produktsiya/keysight-produktsiya/keysight-izmeriteli-rlc (accessed: 01.02.2023).

4. Parametric analyzer Keithley 4200A-SCS. Tektronix. (In Russian). Available at: https://www.tek.com/ ru/products/keithley/4200a-scs-parameter-analyzer (accessed: 26.11.2022).

5. LCR-78110G - digital RLC tester. Elektronpribor. (In Russian). Available at: https://www.electronpribor.ru/catalog/53/lcr-78110g.htm (accessed: 26.11.2022).

6. Immittance meter E7-20. MNIPI. (In Russian). Available at: http://mnipi.com/catalog/izmeriteli-immitansa-rlc/izmeritel-immitansa-e7-20.html (accessed: 03.02.2023).

7. Bahvalova S. A., Spiridonov A. B., Fastovets A. A., Seregin V. V. MIS varicap with charge transfer modeling in the ADS program environment. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2020, vol. 25, iss. 2, pp. 183-188. (In Russian). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-2-183-188

8. Melnik N. N., Tregulov V. V., Rybin N. B., Ivanov A. I. Features of the surface region of the semiconductor structure formed by metal-assisted chemical etching of single-crystal silicon. Bull. Lebedev Phys. Inst., 2019, vol. 46, iss. 10, pp. 324-327. https://doi.org/10.3103/S1068335619100063

9. Enisherlova K. L., Kolkovskii Yu. V., Bobrova E. A., Temper E. M., Kapilin S. A. The effect of defects with deep levels on the C-V characteristics of high-power AlGaN/GaN/SiC HEMTs. Russ. Microelectron., 2019, vol. 48, iss. 1, pp. 28-36. https://doi.org/10.1134/S1063739719010049

10. Litvinov V. G., Litvinova V. S. Studying the capacitance-voltage characteristics of metal-semiconductor point barrier contact. Vestnik RGRTU = Vestnik of RSREU, 2020, no. 73, pp. 129-138. (In Russian). https://doi.org/10.21667/1995-4565-2020-73-129-138

11. Goncharov V. E., Nikonov A. V., Ilyasov A. K., Arich O. D. Estimation of AlGaAs/GaAs epitaxial structures thickness by means of electrochemical capacitance-voltage profiling. Prikladnaya fizika, 2019, no. 3, pp. 61-66. (In Russian).

12. Muryleva I. V., Pashintsev Yu. I., Karamyshev V. P. Determination of the concentration profile of the majority carriers of a semiconductor in the SCR using volt-farad characteristic. Mikroelektronika = Microelectronics, 1980, vol. 9, iss. 3, pp. 236-240. (In Russian).

13. Karamyshev V. P., Lavrishchev V. P., Muryleva I. V., Panasenko P. V. Procedures for determining the distribution profiles of the concentration and mobility of carriers in a conducting layer of a semiconductor located on a semi-insulating substrate. Mikroelektronika = Microelectronics, 1989, vol. 18, iss. 1, pp. 9-14. (In Russian).

14. Karamyshev V.P. (scientific director), Scientific and technical report on research "Development of a universal test cell for interoperational control manufacture of microwave IS", NIIMP, Moscow, 1989

The article was submitted 18.11.2022; approved after reviewing 21.11.2022;

accepted for publication 06.02.2023.

Information about the author

Vladimir P. Karamyshev - Cand. Sci. (Phys.-Math.), Leading Engineer of the Research Laboratory of Functional Electronics Based on New Principles, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Volodya-Arz@yandex.ru

Информация для читателей журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»

Полные тексты статей журнала с 2007 по 2022 гг. доступны на сайтах Научной электронной библиотеки: www.elibrary.ru и журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»: http://ivuz-e.ru