CC BY
0КВАНТОВАЯ ДИНАМИКА ЯН-ТЕЛЛЕРОВСКИХ КОМПЛЕКСОВ В КРИСТАЛЛЕ ФТОРИДА БАРИЯ, ДОПИРОВАННОГО ИОНАМИ МЕДИ
Сарычев М. Н.1, Офицерова Н. Ю.1, Жевстовских И. В.1'2, Уланов В. А.3, Суриков В. Т.4, Аверкиев Н. С.5, Гудков В.В.1
1Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия, m.n.sarychev@urfu.ru 2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия,
zhevstovskikh@imp.uran.ru 3Казанский государственный энергетический университет, Казань, Россия,
ulvlad@inbox.ru
4Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, Россия,
surikov@ihim.uran.ru 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,
averkiev.les@mail.ioffe.ru
Результаты измерений в интервале 4-130 К температурных зависимостей комплексных модулей упругости в монокристалле BaF2, допированном ионами меди, выявили аномалии, аналогичные тем, что наблюдались в кристалле в CaF2:Cu [ 1 ] для действительной и мнимой частей модуля упругости с44, типичные для
Т Д (е + ) задачи эффекта Яна-Теллера в случае орторомбических или тригональ-
ных глобальных минимумов адиабатического потенциала. Однако в BaF2:Cu эти аномалии оказались намного меньше, чем в CaF2:Cu, при сопоставимых концентрациях примесей меди (2.9x1019 и 7.1*1019 см-3, соответственно). Мы объясняем это тем, что существенно меньше ионов меди, изовалентно замещают ионы Ba2+ в матрице BaF2. Температурная зависимость мнимой части модуля с44, измеренная на частоте 52.5 МГц, показана на рисунке (кривая 1). Моделирование этой зависимости (кривая 2) с учетом трех механизмов релаксации: термической активации, одно-фононном и двухфононном туннелиро-вании через потенциальные барьеры, разделяющие глобальные минимумы адиабатического потенциала ян-теллеровских комплексов показали, что эти механизмы являются эффективными и в этом кристалле. Таким образом, как и в кристаллах со структурой флюорита, CaF2:3d, (3й: Сг2+, С^+, №2+), Б^Сг^ и CdF2:Cr2+ (см. [2] и ссылки в этой статье), низкотемпературная динамика ян-теллеровских комплексов определяется квантовыми процессами. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (базовая часть государственного задания, проект № ББи2-2023-0013) и в рамках государственного задания по теме "Электрон" № 122021000039-4.
Литература
1. Сарычев М.Н., Хоссени У.А.Л., Жевстовских и др. // ЖЭТФ. - 2022. - № 4(10). С. - 509521.
2. Сарычев М.Н., Офицерова Н.Ю., Жевстовских и др. // ЖЭТФ. - 2024. - № 2. С. - 226232.
