CC BY
10
15. Starostin N.V., Balashov V.V. Ispol'zovanie gipergrafovoy modeli dlya gibkoy trassirovki soedineniy spetsializirovannykh bol'shikh integral'nykh skhem [Use of hypergraphic model for flexible tracing of connections of specialized large integrated circuits], Matematicheskoe modelirovanie i optimal'noe upravlenie. Vestnik Nizhegorodskogo universiteta [Mathematical modeling and optimal control. Bulletin ofNizhny Novgorod University], 2007, No. 6, pp. 134-139.
16. Muntyan E.R. Realizatsiya nechetkoy modeli vzaimodeystviya ob"ektov slozhnykh tekhnicheskikh sistem na osnove grafov [Realization of fuzzy model of objects interaction inside a complex technical systems based on graphs], Programmnye produkty i sistemy [Software & Systems], 2019, Vol. 32, No. 3, pp. 411-418. DOI: 10.15827/0236-235X.127.411-418.
17. Berge C. Hypergraphs: combinatorics of finite sets. North-Holland, 1989, 255 p.
18. Zykov A.A. Gipergrafy [Hypergraphs], Uspekhi matematicheskikh nauk [Successes of mathematical Sciences], 1974, Vol. 29, No. 6, pp. 89-154.
19. Sergeev N.E., Muntyan E.R. Interpretatsiya sotsial'nykh otnosheniy v gipergrafovykh modelyakh [Interpretation of social relations in hypergraph models], Tr. Kongressa po intellektual'nym sistemam i informatsionnym tekhnologiyam «IS&IT'18». Nauchnoe izdanie v 3-kh t. T. 2 [Proc. of Int. Conf. on Intelligent Systems and Information Technologies «IS&IT18». Scientific publication in 3 vol. Vol. 2]. Taganrog: Izd-vo Stupina S.A., 2018, pp. 79-87.
20. Kolodenkova A.E. and Muntyan E.R. Researches of Interaction of Actors with Use Fuzzy Hypergraph and Cognitive Modeling, 2018 XIV Int. Scientific-Technical Conf. on Actual Problems of Electronics Instrument Engineering (APEIE): IEEE, 2018, pp. 127-131. DOI: 10.1109/APEIE.2018.8545550.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н., профессор Я.Е. Ромм.
Сергеев Николай Евгеньевич - Южный федеральный университет; е-mail: nesergeev@sfedu.ru; 347928, г. Таганрог, пер. Некрасовский, 44; тел.: 88634371656; кафедра вычислительной техники; д.т.н., профессор.
Костюк Андрей Иванович - е-mail: aikostyk@sfedu.ru; тел.: 8(8634)371608; кафедра вычислительной техники; к.т.н., доцент.
Мунтян Евгения Ростиславна - е-mail: ermuntyan@sfedu.ru; тел.: 8(8634)371608; кафедра вычислительной техники; доцент.
Самойлов Алексей Николаевич - е-mail: asamoilov@sfedu.ru; тел.: 88634371656; кафедра вычислительной техники; к.т.н.; зав. кафедрой вычислительной техники.
Sergeev Nikolai Evgenievich - Southern Federal University; е-mail: nesergeev@sfedu.ru; 44, Nekrasovskiy, Taganrog, 347928, Russia; phone: +78634371656; the department of computer science; doct. of eng. sc.; professor.
Kostyuk Andrey Ivanovich - е-mail: aikostyk@sfedu.ru; phone: +78634371608; the department of computer science; cand. of eng. sc.; associate professor.
Muntyan Evgenia Rostislavna - е-mail: ermuntyan@sfedu.ru; phone: +78634371608; the department of computer science; associate professor.
Samoylov Alexey Nikolaevich - е-mail: asamoilov@sfedu.ru; phone: +78634371656; the department of computer science; cand. of eng. sc.; head of computer science department.
УДК 621.382.3 DOI 10.23683/2311-3103-2019-5-175-183
П.Г. Грицаенко
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ВАРИАНТ ДЛЯ СБИС НА ОСНОВЕ ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВОЙ ЛОГИКИ
В настоящее время КМОП - основной элементный базис при производстве СБИС. Объемы производства СБИС на КМОП растут. Тем не менее, при всех преимуществах КМОП-элементной базы у нее есть существенный недостаток - тонкий подзатворный окисел, снижающий процент выхода и надежность СБИС на основе КМОП. В работе рас-
сматривается топологический вариант структуры инжекционно-полевой логики, который лишен недостатка КМОП - тонкого подзатворного окисла - и, кроме того, позволяет при использовании одинаковых топологических норм увеличить плотность компоновки более чем в два раза по сравнению с КМОП-структурой приблизительно одинаковой потребляемой мощности. Типовая ячейка инжекционно-полевой структуры включает в себя нормально закрытый полевой транзистор, имеющий кольцевую геометрию затвора со стоком в центре, и биполярный р-п-р-транзистор горизонтальной конструкции, называемый инжектором. В отличие от кольцевой геометрии типовой ИПЛ-структуры в предлагаемом варианте применяется линейная топология: в промежутках между затворами прямоугольной формы размещаются стоки, являющиеся выходами многовходовых схем ИЛИ-НЕ. Логические схемы при применении данной топологической структуры могут быть построены в базисе ИЛИ-НЕ. В работе на основе аналитической двумерной модели рассчитываются характеристики предлагаемой инжекционно-полевой структуры: зависимость сопротивления канала и ширины объемного заряда затвора в открытом состоянии от приложенного напряжения, получены значения для логических нуля и единицы инвертора. Предлагаемый конструктивно-технологический вариант ИПЛ-структуры может быть рекомендован для создания СБИС с более высокой, по сравнению с КМОП СБИС, надежностью и степенью интеграции.
Инжекционно-полевая логика; интегральная инжекционная логика; плотность компоновки; потребляемая мощность; аналитическая модель; сопротивление канала.
P.G. Gritsaenko
STRUCTURAL-TECHNOLOGICAL VERSION FOR VLSI BASED ON INJECTION FIELD LOGIC
Currently, CMOS is the main element basis in the production of VLSI. VLSI production volumes at CMOS are growing. However, with all the advantages of CMOS-element base, it has a significant drawback-a thin sub-gate oxide, which reduces the percentage of yield and reliability of VLSI based on CMOS. The paper considers a topological variant of the structure of injection-field logic, which is devoid of the disadvantage of CMOS - thin oxide - and, in addition, allows to increase the density of the layout when using the same topological norms more than two times compared to CMOS-structure of approximately the same power consumption. A typical cell of an injection-field structure includes a normally closedfield-effect transistor having an annular gate geometry with a drain in the center, and a bipolar p-n-p transistor of a horizontal design called an injector. In contrast to the ring geometry of the typical IPL structure, the proposed version uses a linear topology: in the gaps between rectangular gates there are drains that are the outputs of multi-input OR-NOT circuits. Logical schemes in the application of this topological structure can be built in the basis OR-NOT. On the basis of the analytical two-dimensional model calculates the injection-field structure: the dependence of the channel resistance and the width of the space charge of the gate in the open state of the applied voltage, the obtained values for the logical zero and one inverter. The proposed structural and technological version of the IPL-structure can be recommended for the creation of VLSI with higher reliability and degree of integration in comparison with CMOS VLSI.
Injection-field logic; integral injection logic; layout density; power consumption; analytical model; channel resistance.
Введение. Инжекционно-полевая логика (ИПЛ) [1-6], [7, с. 69-77] была актуальным направлением создания БИС в 90-е годы, являясь альтернативой интегральной инжекционной логике (И2Л) [8-14]. Проблемы создания функционально-интегрированных элементов, к которым относятся ИПЛ и И2Л, освещались в [15, 16]. Тем не менее, неоспоримые преимущества создания больших и сверхбольших интегральных схем на основе МОП и КМОП-транзисторов отодвинули данные элементные базисы на второй план.
Постановка задачи. Попытки возродить базис ИПЛ с использованием современных технологий имеются в наше время [17]. Основанием для этого является простота конструкции, сравнимый с КМОП уровень быстродействия. Кроме того, в работе [18] показано, что ИПЛ могут иметь очень низкий, порядка нескольких пиковатт, уровень энергопотребления.
Эквивалентная схема и сечение ячейки ИПЛ приведены на рис. 1.
Рис. 1. Эквивалентная схема и сечение ячейки ИПЛ
В ячейку входит биполярный p-n-p-транзистор горизонтальной конструкции и вертикальный полевой транзистор, имеющий кольцевую топологию затвора со стоком в центре. Истоком полевого транзистора и одновременно базой p-n-p-транзистора является подложка.
При подаче прямого смещения на эмиттерный переход p-n-p-транзистора, называемый инжектором, его коллекторный переход, являющийся одновременно затвором полевого транзистора, смещается в прямом направлении. Геометрические параметры полевого транзистора подобраны таким образом, что при нулевом напряжении на его затворе канал перекрыт объемным зарядом кольцевого p-n-перехода затвора, и ток между стоком и истоком протекать не может. При подаче прямого смещения на затвор, что обычно является не характерным режимом работы полевого транзистора, объемный заряд p-n-перехода сужается, и полевой транзистор открывается с возможностью протекания тока между его стоком и истоком.
Данная конструкция сравнима с КМОП элементным базисом по площади, занимаемой на кристалле, уступает ему по мощности и быстродействию и поэтому оказалась не востребованной при создании БИС.
При создании логических схем в базисе ИЛИ-НЕ стоки нескольких ИПЛ-структур объединяются, а их затворы являются входами. Топология логической схемы 2ИЛИ-НЕ на основе ИПЛ-структур приведена на рис. 2. Размеры на данном и последующих рисунках приведены для топологических норм 60 нм.
Рис. 2. Топология схемы 2ИЛИ-НЕ на ИПЛ-структурах с кольцевыми затворами
Формулировка задачи. В данной работе предлагается видоизмененная топология ИПЛ-структуры для построения логических интегральных схем. Данную конструкцию будем называть ИПЛ-структурой с линейными затворами. Топология логической схемы 2ИЛИ-НЕ, выполненная на ИПЛ-структурах с линейными затворами, приведена на рис. 3.
Г
т
А
А-А
Рис. 3. Топология схемы 2ИЛИ-НЕ на ИПЛ-структурах с линейными затворами
Как видно из рисунка, в предлагаемой конструкции для создания двухвходовой логической схемы 2ИЛИ-НЕ не требуются кольцевые затворы для каждой из структур, а их объединенный сток, являющийся одновременно выходом схемы, расположен в промежутке между линейными затворами, являющимися входами. При тех же топологических нормах площадь, занимаемая на кристалле схемой 2ИЛИ-НЕ на основе ИПЛ-структуры с линейными затворами, примерно в два раза меньше по сравнению площадью, занимаемой такой же схемой на основе типовой структуры.
Математическая модель. В данной работе на основе методов расчета характеристик ИПЛ структуры, рассматриваемых автором в [19, 20], предлагается уточненная математическая модель ИПЛ-структуры.
Описание процессов в ИПЛ-структуре с линейными затворами согласно данной модели может быть выполнено в 2-мерном приближении. Для определения сопротивления полевого транзистора в открытом состоянии используется модель, приведенная на рис. 4.
Рис. 4. Модель полевого транзистора с вертикальным каналом
Сопротивление Ях вертикального канала может быть найдено из следующих соотношений.
йх р * йх
(№х = р-
Р_
2z'
Vi -М2
* arcsin
Z* (уо - л/й2 - X2)
R -М dx
2 Ь -slR2 - X2 \
1 +м 2 К
2 1 + М 1 -М + 4 К2)
71 Н 2+Д
(1)
где М = R/y0, K = R/H; p - удельное сопротивление подложки.
В формуле (1) предполагается, что при подаче на затвор напряжения в прямом направлении любой величины ширина объемного заряда р-п-перехода становится равной нулю.
Из геометрических соображений:
2 * £ * £д * (А<рк - ипр)
\Nn NJ'
у0 = ^(Д + 1п0)2 - х2, где /и0 - ширина объемного заряда (модель резкого р-п-перехода);
^пО
\
где е - относительная диэлектрическая проницаемость кремния; е0 = 8,85*10-12 Ф/м - диэлектрическая постоянная; Афк ~ 0,6 В - контактная разность потенциалов р-п-перехода; ипр - напряжение на прямо-смещенном р-п-переходе; Nа, N¡1 - концентрация акцепторной и донорной примеси соответственно. Концентрация примеси в области затвора гораздо больше концентрации примеси подложки п-типа, то есть: Ыа>> при этом:
1-nCl —
2 * £ * £0 * (А<рк ~ Unp)
N
Результаты расчета. Параметры топологии, входящие в расчетные формулы, следующие:
N = 1,8* 1017 см-3; у0 = 120 нм; R = 60 нм; Н = 15 нм; z = 130 нм; х0 = 60 нм.
При этом расчетные значения параметров следующие:
М = 0,5; 1п0 = 9,74 * 10-6 * (0,6-ипр)0,5.
При данных геометрических параметрах величина прямого смещения р-п-перехода затвора, при которой начинается размыкание объемных зарядов, может быть найдена из следующих соображений:
у0 = R + 1п0.
После подстановки выражения для 1п0 и преобразований получим:
UnP = 0,6 -
(Уо-Д)
(8,59 * Ю-6)
= 0,11 В.
Зависимости сопротивления канала Ях и ширины объемного заряда р-п-перехода затвора 1п0 от приложенного прямого напряжения ипр приведены на рис. 5.
Значения сопротивления Ях получены по формуле (1) с учетом того, что эффективный радиус затвора в канале равен Я+ 1п0.
Рис. 5. Зависимости сопротивления канала Ях и ширины объемного заряда р-п-перехода затвора полевого транзистора 1п0 от приложенного прямого
напряжения иПР
Ток инжектора 1И в зависимости от напряжения на инжекторе иИ равен:
1я = 1о* (е^ - 1)- (2)
где 10 = 10-13 А - типовое значение теплового тока р-п-перехода; фТ = 0,025 В -температурный потенциал.
Ток затвора полевого транзистора при этом равен:
^ЗПТ = 1ц* а>
где а ~ 0,5 - типовое значение коэффициента передачи р-п- р-транзистора.
Напряжение логической единицы в данных логических элементах примерно равно напряжению питания.
Напряжение логического нуля при ии = 0,3 В может быть найдено из следующих соотношений:
♦ ток инжектора по формуле (2) равен 16 нА, соответственно ток затвора полевого транзистора составляет 8 нА;
♦ при этом токе с учетом сопротивления канала напряжение логического нуля составляет 12 мкВ.
Выполнено сравнение логической схемы 2ИЛИ-НЕ на основе структуры с линейными затворами с такой же схемой, построенной на основе КМОП-структур. Топология схемы 2ИЛИ-НЕ, построенной на КМОП-транзисторах, представлена на рис. 6.
Необходимо отметить, что топологии схемы 2ИЛИ-НЕ на структурах с линейными затворами и представленной для сравнения с ней топологии схемы 2ИЛИ-НЕ на КМОП-транзисторах выполнены с применением технологии самосовмещения, обеспечивающей максимальную плотность компоновки.
Заключение. Сравнивая рисунки 3 и 6, можно видеть, что СБИС, выполненные на основе ИПЛ с линейными затворами, имеют выигрыш по плотности компоновки более чем в два раза по сравнению с элементным базисом на основе КМОП-транзисторов.
С учетом этого, ИПЛ-элементный базис как альтернативный может быть рекомендован для создания СБИС, сравнимых по потребляемой мощности и быстродействию с КМОП-базисом, и превосходящих КМОП-базис по степени интеграции и выходу годных.
Рис. 6. Топология схемы 2ИЛИ-НЕ на КМОП-транзисторах
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЕ ССЫЛКИ
1. Nishizawa J., Wilamowski B. Static Induction Logic - a Simple Structure with very Low Switching Energy and very High Packing Density // Jap. J. Appl. Phys. - 1977. - Vol. 16.
- P. 151-154.
2. Nishizawa J. SIT Integrated Circuits // Proc. of SRI Conference on Semiconductors, Chapter 6, Handotai Kenkyu (Semiconductor Electronics). Vol. 15. Chap. 6 (Kogyo-Chosakai, 1978).
3. Баранов Л.И. О коэффициенте усиления полевого транзистора со смещением затвора в прямом направлении // Радиотехника и электроника. - 1975. - Т. 20, № 6. - С. 1323-1325.
4. Баталов Б.В, Кремлев В.Я., Дьяконов В.М. Моделирование работы полевого транзистора как элемента инжекционно-полевой логики // Микроэлектроника. - 1979. Т. 8. - Вып. 1.
- С. 34-43.
5. Дьяконов В.М., Кремлев В.Я. Моделирование элементов инжекционно-полевых логических микросхем // Электронная промышленность. - 1979. - Вып. 4 (76). - С. 286-288.
6. Инжекционно-полевая структура для логических интегральных схем: Авт. свидетельство № 764567 (СССР). - Опубл. в Бюлл. № 34, 1980.
7. Кремлев В.Я. Статические характеристики элементов СБИС инжекционно-полевой логики // В сб. «Технология, проектирование и надежность интегральных полупроводниковых схем». - М.: МИЭТ, 1988. - C. 122.
8. Аваев Н.А., Дулин В.Н., Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. - М.: Сов.радио, 1977. - 248 с.
9. Баринов В.В., Кремлев В.Я., Мошкин В.И., Орликовский А.А. Интегральные схемы с инжекционным питанием // Зарубежная электронная техника. - 1973. - № 19. - С. 3.
10. Кремлев В.Я., Мошкин В.И. Функционально-интегрированные элементы БИС // Электронная промышленность. - 1976. - № 5. - С. 50-61.
11. Инжекционный логический вентиль: Авт. свидетельство № 597094 (СССР). - Опубл. в Бюлл. № 9, 1978.
12. Грицаенко П.Г., Коноплев Б.Г. Обобщенная модель совмещенных транзисторных структур // Известия СКНЦ ВШ. Серия «Технические науки». - 1980. - № 2. - С. 5-9.
13. Способ изготовления инжекционных логических интегральных схем: Авт. свидетельство № 708862 (СССР). - Опубл. в Бюлл. № 1, 1980.
14. Шагурин И.И., Петросянц К.О. Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики. - М.: Радио и связь. - 1984. - 231 с.
15. Кремлев В.Я., Грицаенко П.Г. Исследование структуры на взаимодополняющих биполярных транзисторах // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1988. - № 3.
16. Гарицын А.Г., Грицаенко П.Г., Левин А.Ю., Тарасов А.О. Полевой транзистор с самосовмещенным вертикальным каналом // Электронная техника. Серия 2 «Полупроводниковые приборы». - 1981. - Вып. 6 (148).
17. Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. Кафедра РЭС. Реферат на тему: «Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика». - Минск, 2009.
18. Кремлев В.Я. Грицаенко П.Г. Достижение пиковаттной мощности в инжекционно-полевой логике // Известия ВУЗов СССР. Радиоэлектроника. -1981. - Т. XXIV. № 8. - С. 96-97.
19. Грицаенко П.Г. Метод расчета характеристик инжекционно-полевой структуры // Тезисы докладов IX Всесоюзной науч.-техн. конф. по микроэлектронике. - Казань. - 1980. - С. 12.
20. Грицаенко П.Г., Кремлев В.Я., Гадков С.М. Исследование статических параметров ИПЛ-инвертора. Деп. в межведомств. рефер. Сб. «Техника, технология и экономика». - Серия ЭР. - № 27. - Таганрог, 1981. - 5 с.
REFERENCES
1. Nishizawa J., Wilamowski B. Static Induction Logic - a Simple Structure with very Low Switching Energy and very High Packing Density, Jap. J. Appl. Phys., 1977, Vol. 16, pp. 151-154.
2. Nishizawa J. SIT Integrated Circuits, Proc. of SRI Conference on Semiconductors, Chapter 6, Handotai Kenkyu (SemiconductorElectronics). Vol. 15. Chap. 6 (Kogyo-Chosakai, 1978).
3. Baranov L.I. O koeffitsiente usileniya polevogo tranzistora so smeshcheniem zatvora v pryamom napravlenii [On the gain factor of the field transistor with forward shift of the gate], Radiotekhnika i elektronika [Radio engineering and electronics], 1975, Vol. 20, No. 6, pp. 1323-1325.
4. Batalov B.V., Kremlev V.Ya., D'yakonov V.M. Modelirovanie raboty polevogo tranzistora kak elementa inzhektsionno-polevoy logiki [Simulation of field transistor operation as an element of injection-field logic],Mikroelektronika [Microelectronics], 1979, Vol. 8, Issue 1, pp. 34-43.
5. D'yakonov V.M., Kremlev V.Ya. Modelirovanie elementov inzhektsionno-polevykh logicheskikh mikroskhem [Modeling of Elements of Injection Field Logic Chips], Elektronnayapromyshlennost' [Electronic Industry], 1979, Issue 4 (76), pp. 286-288.
6. Inzhektsionno-polevaya struktura dlya logicheskikh integral'nykh skhem [Injection field structure for logic integrated circuits], Avtorskoe svidetel'stvo [Author's certificate] № 764567 (USSR). Published in Bulletin № 34, 1980.
7. Kremlev V.Y. Staticheskie kharakteristiki elementov SBIS inzhektsionno-polevoy logiki [Static characteristics of VLSI elements of injection-field logic], Tekhnologiya, proektirovanie i nadezhnost' integral'nykh poluprovodnikovykh skhem [Technology, design and reliability of integrated semiconductor circuits]. Moscow: MIET, 1988m pp. 122.
8. Avayev N.A., Dulin V.N., Naumov Yu.E. Bol'shie integral'nye skhemy s inzhektsionnym pitaniem [Large injection-powered integrated circuits]. Moscow: Sov. radio, 1977, 248 p.
9. Barinov V.V., Kremlev V.Yu., Moshkin V.I., Orlikovsky A.A. Integral'nye skhemy s inzhektsionnym pitaniem [Integrated circuits with injection power supply],Zarubezhnaya elektronnaya tekhnika [Foreign electronic equipment], 1973, No. 19, pp 3.
10. Kremlev V.Yu., Moshkin V.I. Funktsional'no-integrirovannye elementy BIS [Functionally integrated elements of LSI], Elektronnaya promyshlennost' [Electronic industry], 1976, No. 5, pp. 50-61.
11. Inzhektsionnyy logicheskiy ventil' [Injection logic valve]: Avtorskoe svidetel'stvo [Author 's certificate] No. 597094 (USSR). Published in Bulletin № 9, 1978.
12. Gritzaenko P.G., Konoplev B.G. Obobshchennaya model' sovmeshchennykh tranzistornykh struktur [Generalized Model of Combined Transistor Structures], News of SKNC VSH. Seriya Tekhnicheskie nauki [Seri Technical Sciences], 1980, No. 2, pp. 5-9.
13. Sposob izgotovleniya inzhekcionnykh logicheskikh integral'nykh skhem [Method of Manufacturing Injection Logic Integrated Circuits], Avtorskoe svidetel'stvo [Author 's certificate] № 708862 (USSR). Published in Bulletin No. 1, 1980.
14. Shagurin I.I., Petrosyants K.O. Proektirovanie tsifrovykh mikroskhem na elementakh inzhekcionnoy logiki [Design of digital chips on elements of injection logic]. Moscow: Radio i svyaz', 1984, 231 p.
15. Kremlev V.Yu., GritsaenkoP.G. Issledovanie struktury na vzaimodopolnyayushchikh bipolyarnykh tranzistorakh [Study of the structure of complementary bipolar transistors], Izvestiya VUZov. Radioelektronika. [Proceedings of the Universities. Radioelectronics], 1988, No. 3.
16. Garitsyn A.G., Gritsaenko P.G., Levin A.Ya., Tarasov A.O. Polevoy tranzistor s samosovmeshchennym vertikal'nym kanalom [Field-effect transistor with self-displaced vertical channel], Elektronnaya tekhnika. Seriya 2 "Poluprovodnikovyepribory". [Electron Technics. Series 2 "Semiconductor devices"], 1981, Vol. 6 (148).
17. Konstruktivno-tekhnologicheskie varianty ispolneniya bipolyarnogo i polevogo tranzistorov v odnom kristalle. Inzhektsionno-polevaya logika. [Design and technological variants of bipolar and field-effect transistors in one crystal. Injection-field logic], Belorusskiy gosudarstvennyy universitet informatiki i radioelektroniki. Kafedra RES [Belarusian state University of Informatics and Radioelectronics. Department of RES]. Referat na temu: «Konstruktivno-tekhnologicheskie varianty ispolneniya bipolyarnogo i polevogo tranzistorov v odnom kristalle. Inzhekcionno-polevaya logika» [Summary on the topic: "Design and technological variants of bipolar and field-effect transistors in one crystal. Injection-field logic"]. Minsk, 2009.
18. Kremlev V.Y. Gritsaenko P.G. Dostizhenie pikovattnoy moshchnosti v inzhektsionno-polevoy logike [Achievement of peak power in injection-field logic], Izvestiya VUZov SSSR Radioelektronika [News of Higher Educational USSR. Radioelectronics], 1981, Vol. XXIV, No. 8, pp. 96-97.
19. Gritzaenko P.G. Metod rascheta kharakteristik inzhektsionno-polevoy struktury [Method of Calculation of Characteristics of Injection-Field Structure], Tezisy dokladov IX Vsesoyuznoy nauchno-tekhnicheskoy konferentsii po mikroelektronike [Theses of Reports of the IX AllUnion Scientific and Technical Conference on Microelectronics]. Kazan, 1980, pp. 12.
20. Gritzaenko P.G., Kremlev V.Ya., Gadkov S.M. Issledovanie staticheskikh parametrov IPL-invertora [Study of static parameters of IPL inverter], Deposited in the interagency abstract collection Technique, «Technology and Economics». Series ER. No. 27. Taganrog, 1981, 5 p.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н. А.В. Ковалев.
Грицаенко Павел Григорьевич - Южный федеральный университет; e-mail: dsp@sfedu.ru;
347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2; тел.: 88634393075; к.т.н.; с.н.с.; главный специалист
научно конструкторского бюро цифровой обработки сигналов.
Gritzaenko Pavel Gregory - Southern Federal University; e-mail: dsp@sfedu.ru; 2, Shevchenko
street, Taganrog, 347922, Russia; phone: +78634393075; cand. of eng. sc. senior researcher; chief
specialist of the scientific design bureau of digital signal processing.
