CC BY
20
в. і
Рис. 1. а) Зависимость добавки фототока ДІҐ, вызванной постоянным МП от его индукции. Ь) Зависимость добавки фототока ЛИ-, вызванной постоянным МП от его индукции: 1 - в присутствии микроволнового МП (V = 9,5 ГГц): 2 - в отсутствие микроволнового МП. Пунктирными линиями показаны гауссовы кривые
ное значение В, значения g-фактора 2,195 и 2,097). Эго дает основание считать, что парамагнитный резонанс возникает в электронно-дырочных парах, спиновое состояние которых влияет на диссоциацию или рекомбинацию носителей заряда, что, в свою очередь, приводит к чувствительности электрооптических свойств монокристаллов Сю к слабому МП.
ЛИТЕРАТУРА
1. Frankcvich E.L, Tribel М.М., Sokolik I-А., Pristupa A.I. II Phys. stat sol. (a). 1978. V. 87. P. 373.
2. Hayashi H.. Sakaguchi Y., Abe H. II Physica. 1990. V 164.P.217
3. Frankcvich E.L, Pristupa AJ„ Lesin V.I. П Chemical physics letters 1977. V. 47. № 2. P. 304.
4. ChcviUeR.A.. Halos NJ. //Phys Rev 1992 V В 45 № 8. P 4548
5 Осипьян Ю.А.. Головин Ю.И., Лопатин Д. П., Моргунов Р.Б.. Нико-
лаев Р.Н.. Шмурак С.З. И ФТТ 1999. V. 41 № 11 P. 1926.
БЛАГОДАРНОСТИ: Работа выполнена в рамках проекта «Фуллерены и атомные кластеры» (грант № 2008) и Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 00-02-16094).
КИНЕТИКА РАЗВИТИЯ МАКРОТРЕЩИН В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ © Ю.И. Тялнн, Т.Н. Плужннковл, АВ. Чнванов, В.А. Федоров
Проблема торможения трещин и управления их движением сложна прежде всего с физической и с технической точек зрения. Речь идет о микросекундном временном интервале и огромных скоростях распространения трещин. Распространение таких трещин связано с разрушением конструкций. Для предотвращения разрушения нужно знать скоростные характеристики трещин и особенности разрушения конструкций.
Цель работа: определение кинетических характеристик развития и схлопывания магистральных трещин, распространяющихся в кристалле.
Исследования проводились на монокристаллах №С1 и №. Использовалась установка, в основе которой лежит сверхскоростной фоторегистратор СФР-1. Скол осуществлялся электрогидроударом с энергией =50 мДж по плоскости (100). Использовали симметричный и асимметричный сколы. В последнем случае разрушение происходит с образованием бокового откола, сопровождающегося залечиванием магистральных трещин.
Скорость магистральной трещины при асимметричном сколе без образования бокового откола достигает для кристаллов ШР 492 ± 54 м/с, для КС1 705 ± 18 м/с, а с зарождением бокового откола 307 ± 66 м/с и 618 ± 40 м/с, соответственно. Скорость распространения трещины бокового откола сопоставима со скоростью схлопывания этой трещины и достигает 60 ± 4 м/с. Скорость видимого закрытия магистральной трещины для кристаллов 1Л1Г 314 ± 47 м/с и КС1 278 ± 69 м/с. Определенные скорости развитая трещин позволяют оценигь
общее время их раскрытия, что влияет на состояние поверхностей. Установлено, что воздух проникает только и приповерхностные зоны полости трещины. Глубина проникновения воздуха внутрь трещины намного меньше размера самог о кристалла. Определено время раскрытия трещины при ее обратимом движении в кристалле, составляющее 10-15 мкс. За это время поверхности трещины не успевают загрязниться атмосферным воздухом и, оставаясь ювенильными, легко схватывшотся, восстанавливая сплошность кристалла. Сохранение ювенильности поверхностей определяет качество залечивания.
Установлено, что при симметричном движении магистральной трещины скорость роста достигает для кристаллов 1лР 582 ±117 м/с, для К.С1 850 ± 333,3 м/с. Скорость залечивания магистральной трещины для кристаллов УР 398 ± 9 м/с, для КС1 732 ± 134 м/с.
Таким образом, скорость развития симметричных трещин выше скорости роста асимметричных. При асимметричном развитии трещиш.1 происходит боковой откол, и энергия перераспределяется между магистральной трещиной и трещиной бокового откола. На скоростные характеристики влияет и геометрия движения трещины При движении трещины происходит изгиб ее берегов и разворот берегов относительно друг друга па малый угол. Колебание берегов трещины сближает а томные плоскости до межатомного расстояния, что и приводит к самопроизвольному восстановлению сплошности.
