CC BY
16ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY
УДК 538.911
Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии
1 12 1 Е.М. Соколов , С.Д. Федотов ' , В.Н. Стаценко ,
С.П. Тимошенков2, А.В. Емельянов2
1 АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва)
2
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Study on Silicon on Sapphire Structural Properties in Process of Hybrid-Chloride Gas-Phase Epitaxy
E.M. Sokolov1, S.D. Fedotov1'2, V.N. Statsenko1, S.P. Timoshenkov2, A.V. Emelyanov2
1Epiel JSC, Moscow
National Research University of Electronic Technology, Moscow
Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). Проведен рештеноструктурный анализ слоев КНС. Переходная область кремний-сапфир исследована методом фотоЭДС. Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски - Крастанова. Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30-60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более.
Ключевые слова: кремний на сапфире; газофазная эпитаксия; гетероэпитак-
сия.
The surface of silicon on sapphire (SOS) epitaxial layers have been investigated by the atomic-force and UV scattering methods. The X-Ray-structural analysis of SOS has been performed. The transient area silicon-sapphire has been studied by photo-EMF method. The problem of accumulating the silicon
© Е.М. Соколов, С.Д. Федотов, В.Н. Стаценко, С.П. Тимошенков, А.В. Емельянов, 2016
synthesis secondary products has been considered and experimentally confirmed. It has been found that the addition of the chlorides containing reagents into the epitaxy process permits to exclude the influence of these products on the growing layer and, also, to modify the surface microrelief. The studies on the SOS surface and layers structure have enabled to determine that the growth of films is realized according to the Stranski-Krastanov mechanism. It has been shown that the combined method contained in the preliminary growing of the SOS layer of 30-60 nm thickness from pure SiH4 and further layer growing with the ratio of gas components consumptions 2SiH4:1SiC14 is a more preferable method of manufacturing SOS with the layer thickness from 300 nm and more.
Keywords: silicon on sapphire; chemical vapor deposition; heteroepitaxy.
Введение. Гетероэпитаксиальные слои (ГЭС) кремния на сапфире (КНС) известны уже более 50 лет [1] и до сих пор остаются востребованными среди различных технологий изготовления структур кремния на изоляторе (КНИ). Элементы интегральных схем (ИС) на структурах КНС отличаются малыми потерями мощности, повышенным быстродействием, малым энергопотреблением и более высокой собственной частотой по сравнению с аналогами на объемном кремнии. По сравнению с аналогичными ИС на КНИ устройства на КНС могут функционировать в условиях высоких температур, давлений и радиационного излучения, а также имеют более высокую степень интеграции элементов. На сегодняшний день структуры КНС в основном применяются как основа радиационно стойких СБИС, предназначенных для атомной отрасли, космического и военного применения, а также для широкого перечня высокочастотных устройств [2].
Влияние электрофизических свойств КНС на работу элементов ИС. Электрические свойства структур КНС в основном зависят от структурных характеристик ГЭС: напряжений в кристаллической решетке кремния, вызванных различием коэффициентов термического расширения кремния и сапфира, ориентационной неоднородности ГЭС и дефектного переходного слоя вблизи интерфейса кремний-сапфир [3]. Кристаллическую структуру кремния относят к кубической гранецентрированной решетке пространственной группы Fm3d с параметром ячейки a = 5,43 А. Сапфир имеет гексагональный тип кристаллической решетки пространственной группы R3c с параметрами ячейки a = 4,754 А и c = 12,982 А. Это приводит к рассогласованию решеток кремния и сапфира от 6 до 12 % в различных ориентациях [4]. Вследствие наличия упругих напряжений в решетке ГЭС могут наблюдаться такие явления, как ячеистая структура слоя, образование примесных центров вокруг дислокаций и дефектов упаковки, нелинейный профиль легирования по толщине слоя. Все это изменяет заданную топологию элементов ИС, что может привести к смещению областей пространственного заряда и некорректной работе приборов [5].
Область слоя вблизи интерфейса Si-Al2O3 оказывает существенное влияние на характеристики приборов на КНС. Такая область может представлять собой слой толщиной 30-60 нм, состоящий из фаз различного состава, мозаичных монокристаллов и поликристаллов кремния и содержащий большое количество структурных дефектов (дислокаций несоответствия, двойников, дефектов упаковки) [6]. Состояние приграничной области Si-Al2O3 определяет наличие глубоких энергетических уровней, образованных высокой плотностью поверхностных состояний интерфейса Si-Al2O3, которые нарушают работу ИС на КНС и приводят к уменьшению подвижности носителей заряда в каналах МОП-транзисторов, увеличению токов утечки и сдвигу порогового напряжения [7].
Микрошероховатость поверхности ГЭС также оказывает существенное влияние на параметры приборов на КНС. Так, при формировании МОП-транзисторов на КНС толщина переходного слоя кремний-подзатворный диэлектрик в большей степени характеризующая радиационную стойкость прибора, находится в прямой зависимости от величины параметра среднеквадратичной шероховатости поверхности Rq эпитаксиального слоя. Пробой подзатворного диэлектрика транзистора может произойти вследствие возрастания напряженности электрического поля, образованного носителями заряда, которые аккумулированы на выступах шероховатости переходного слоя Si-SiO2. Помимо этого после проведения термических операций формирования приборных областей (окисление слоя, разгонка легирующей примеси после имплантации и т.п.) загрязняющие примеси различного рода, сконцентрированные на выступах и впадинах микрорельефа поверхности, могут образовывать химические связи с элементами формируемых технологических слоев. Впоследствии это приведет к увеличению токов утечки транзисторов и энергопотребления схемы в целом. Таким образом, при изготовлении структур КНС производители должны стремиться к формированию поверхности ГЭС с наименьшим параметром Rq [8].
Особенности эпитаксии КНС. Газофазная эпитаксия (ГФЭ) является доминирующей технологией промышленного изготовления структур КНС с толщиной слоя кремния 300-600 нм [9, 10]. Распространенные хлорсодержащие реагенты, такие как SiCl4 или SiHCl3, в гетероэпитаксии КНС в чистом виде не используются из-за активного реакционного взаимодействия продуктов распада этих соединений с поверхностью сапфира [10]:
Т>11ПП
ЯС1 4 + н2 Т — С > ян хС1, Т +ыа Т,
Т —1100 °С
Л1203 + 2НС1 + 2Н2 < т — С > 2А1С1Т +3Н20 Т .
Синтез кремния в основном проводят с помощью реакции пиролитического разложения моносилана (SiH4) [11]. Гидридный метод эпитаксии КНС заключается в осаждении SiH4 на подложку сапфира, нагретую до температуры 900-1000 °С, в атмосфере сухого водорода или инертного газа. Использование SiH4 позволяет получить высокую плотность зародышевых островков кремния на начальной стадии роста при относительно низкой температуре осаждения, что уменьшает автолегирование растущего слоя и позволяет сформировать более совершенный переходный слой Si-Al2O3 минимальной толщины. Однако применение гидридного метода приводит к быстрому зарастанию внутренних поверхностей кварцевого реактора вследствие образования продуктов побочных реакций (полисиланов), сопровождающих пиролиз SiH4 [12]. Полисиланы, конденсируясь на холодной стенке реактора, кристаллизируются с образованием твердых кремнийсодержащих частиц, которые способны переноситься конвекционным потоком в объем растущего слоя КНС, ухудшая тем самым его кристаллографические характеристики:
900-1000 °С | хг ^ о-и * Я1Н4->Я1 Ф+Н2 I +Я1Н х I ,
ЯН4 + ЯНх 900-1000 °С >(-ЯН2 -ЯН2 -ЯН2 .
Решить данную проблему позволяет гидридно-хлоридный метод. Суть метода -в одновременной подаче моносилана и хлоридов кремния ^С14 или SiHCl3) в реактор, в результате чего подавляется образование полисиланов на внутренних поверхностях эпитаксиального реактора [13]. Однако метод не исключает влияния молекул хлоридов
на поверхность сапфира, а также не позволяет достичь высокой плотности зародышевых островков на начальной стадии роста и их кристаллографической однородности [14].
Альтернативой рассмотренным методам может служить их комбинация [15]. В этом случае формирование переходного слоя кремний-сапфир происходит из чистого моносилана, а по достижении толщины слоя порядка 100-200 нм в реактор подают дополнительный поток галогеноводорода (например, HCl или HBr). В результате удается совместить высокую плотность зародышей на начальной стадии роста, быстрое образования первого кремниевого монослоя и доращивание основного объема ГЭС при наличии молекул галогенов. Тем не менее корректное использование галогеноводородов возможно только при определенных соотношениях объемных расходов газовых компонентов, например SiH4 и HCl, парогазовой смеси (ПГС): примерно 3 SiH4 : 1 HCl. Так, при увеличении расхода HCl (выше 1 SiH4 : 2 HCl) уменьшается скорость роста за счет интенсивного травления эпитаксиального слоя, а поверхность сапфира, не закрытая кремнием (обратная поверхность и фаска), эрозирует. Это приводит к увеличению автолегирования ГЭС летучими хлоридами алюминия из подложки и увеличению структурных дефектов в приграничной области Si-Al2O3.
В литературе указывается, что добавление хлоридов в процесс ГФЭ КНС позволяет улучшить характеристики ГЭС. Однако конкретное сопоставление методов при изготовлении изделий одного типа еще не проводилось. Кроме того, для адекватного сравнения параметров качества ГЭС необходимо изготовить опытные образцы структур КНС одного номинала по всем перечисленным методам при схожих условиях на одном и том же эпи-таксиальном оборудовании, что довольно сложно осуществить технически.
Эксперимент, результаты и их обсуждение. Определение наиболее применимого метода ГФЭ осуществлялось путем сравнения известных методов по изменению качества гетероэпитаксиальных структур КНС. Структуры получали в течение одного рабочего цикла, состоящего из пяти процессов изготовления. При этом вместо метода, описанного в работе [15], использовалась его модификация - комбинированный метод, разработанный инженерами АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва, г. Зеленоград). Метод включает подачу SiH4 в эпитаксиальный реактор и наращивание эпитаксиального слоя кремния толщиной 30-60 нм, добавление в ПГС потока SiCl4 одновременно с потоком моносилана в объемном соотношении расходов примерно 2 SiH4 : 1 SiCl4 и доращивание эпи-таксиального слоя кремния необходимой толщины.
Гетероэпитаксиальные слои КНС осаждались по гидридному, гидридно-хлоридному и комбинированному методам на лейкосапфировые подложки диаметром 100 мм и ориентацией [1012] с помощью вертикального эпитаксиального реактора PE2061 фирмы LPE (Италия). Подложки помещались в камеру реактора на графитовый подложкодержатель, покрытый слоем карбида кремния и маскированный высокоом-ным поликремнием. Перед осаждением проводился отжиг сапфировых подложек в водороде при температуре ~1200 °С в целях удаления влаги с поверхности пластин и релаксации механических напряжений. По каждому методу ГФЭ проводился один рабочий цикл, состоящий из пяти опытных процессов изготовления структур КНС толщиной 600 нм. После каждого рабочего цикла выполнялись процесс травления внутренних поверхностей реактора с помощью хлороводорода и повторное маскирование подложкодержателя поликремнием для исключения влияния эффектов одного метода на результаты последующего. Структуры КНС толщиной 100 и 300 нм изготовлены по трем методам ГФЭ с аналогичной обработкой реактора хлороводородом. Расчетное удельное сопротивление ГЭС составляло 2,5-10 Омсм, легирующая при-
месь - фосфин (и-тип). В качестве рабочей атмосферы использовался осушенный водород (содержание воды < 5 ppb). В реакторе поддерживалось слабое разряжение (не более 10 мбар). Температура осаждения контролировалась цифровым оптическим пирометром. Оптимальная скорость роста для гидридного метода составила 400 нм/мин, для гидридно-хлоридного и комбинированного - 450 нм/мин. Температура осаждения варьировалась в диапазоне 950-1000 °С.
На полученных структурах контролировались толщина эпитаксиального слоя с помощью ИК-фурье-спектроскопии отражения (ФСМ1201, ООО «Инфраспек», г. Санкт-Петербург), удельное сопротивление четырехзондовым методом (ResMap 178, «CDE» Inc., США), светорассеяние от поверхности кремниевого слоя с помощью метода УФ-рассеяния (прибор «Рефлекс 375», ООО «Рефлекс Лайт», г. Москва, г. Зеленоград), микрошероховатость поверхности атомно-силовым микроскопом (C3M Solver Pro, ЗАО «НТ-МДТ», г. Москва, г. Зеленоград) и электрофизические параметры переходного слоя кремний-сапфир методом фотоЭДС (ЕРИПП, ЗАО «Телеком-СТВ», г. Москва, г. Зеленоград). Также проведен рентгеноструктурный анализ в лаборатории радиационных методов технологии и анализа МИЭТ (X-Ray-Minilab, ООО «Институт рентгеновской оптики», г. Москва).
Неразрушающий рефлексометрический метод УФ-рассеяния с помощью прибора «Рефлекс 375» позволяет экспрессно определять оптические свойства поверхности ГЭС КНС. Данный метод можно использовать как экспрессный аналог атомно-силовой микроскопии (АСМ) [16]. При сканировании всей площади поверхности ГЭС зондирующим излучением с определенной площадью светового пятна для сравнения более корректно воспользоваться параметром среднеквадратичной шероховатости Rq [17]. Согласно современным требованиям к структурам КНС толщиной 300 и 600 нм, допустимое значение УФ-рассеяния для структур КНС толщиной 600 и 300 нм составляет 0,75 и 1 ppm соответственно.
Сущность метода фотоЭДС заключается в облучении участка переходного слоя Si-Al2O3 световыми импульсами с длиной волны 430 нм сквозь сапфировую подложку, регистрации сигнала поверхностной фотоЭДС с помощью бесконтактного емкостного электрода и аналитическом обсчете формы импульсного сигнала при различных интен-сивностях облучения. По электрофизическим параметрам переходного слоя кремний-сапфир можно определить качество переходного слоя вблизи интерфейса кремний-сапфир [18]. Совместные исследования производителей эпитаксиальных структур и изготовителей радиационно стойких ИС на КНС позволили установить максимально допустимое значение показателя фотоЭДС, равное 450 мВ [19].
Измерения толщины эпитаксиальных слоев по девяти точкам на каждой структуре показали отклонение значений номинальной толщины по площади, равное ±8 %. Удельное сопротивление слоев КНС составило 8-12 Омсм с разбросом по площади ±10 %.
Обнаружено, что в течение рабочего цикла изготовления структур КНС толщиной 600 нм, состоящего из пяти процессов, показатель УФ-рассеяния и среднеквадратичная шероховатость на структурах, изготовленных гидридным методом, растут, гидридно-хлоридным методом - растут незначительно, комбинированным методом - практически не изменяются (рис.1,а). Показатель фотоЭДС (рис.1,в), характеризующий качество переходного слоя приграничной области Si-Al2O3, повышается с увеличением числа проведенных процессов в цикле для гидридного и гидридно-хлоридного методов, а для комбинированного метода имеет слабую тенденцию к уменьшению.
Небольшое увеличение Яд и УФ-рассеяния, а также значительное увеличение показателя фотоЭДС для гидридно-хлоридного метода в течение рабочего цикла можно объяснить выделением газообразных продуктов реакции взаимодействия сапфира и хлорида при его одновременной подаче с моносиланом. Очевидно, что данные продукты оказывают существенное воздействие на начальную стадию эпитаксиального роста. Более высокий уровень показателя фотоЭДС для комбинированного метода, скорее всего, связан с более высокой температурой эпитаксиального роста, характерной для данного метода.
Найденные зависимости подтверждают наличие и аккумуляцию полисиланов в рабочей среде эпитаксиального процесса, а также их влияние как на основной объем растущего слоя, так и на переходную область Б1-Л1203 при реализации гидридного метода. По всей видимости, добавление хлоридов в ПГС позволяет подавить аккумуляцию по-лисиланов в течение рабочего цикла на внутренних поверхностях реактора.
Микрошероховатость поверхности структур КНС, изготовленных по гидридному методу, повышается с ростом толщины слоя (рис.1,б) одновременно с развитием микроморфологии. Поверхность слоя КНС толщиной 100 нм состоит в основном из островков округлой формы. Для слоя 300 нм наблюдается увеличение плотности островков, а слой 600 нм имеет более организованную структуру со средним размером островка ~0,5 мкм (рис.2,а). Наблюдаемое развитие микроморфологии одновременно с увеличением микрошероховатости поверхности согласуется с результатами работы [20], в которой аналогичные слои КНС выращивали гидридным методом. Показатель Яд находился в диапазоне 19-40 нм при росте толщины 120-600 нм, в то время как данный эксперимент показал повышение Яд от 0,65 до 2,45 нм при росте толщины от 100 до 600 нм.
Похожие зависимости прослеживаются для поверхностей ГЭС, изготовленных с помощью гидридно-хлоридного и комбинированного методов. Микроморфология данных слоев отличается более организованной структурой с явно выраженным пирамидальным зерном, начиная с толщины слоя 300 нм и более. Эпитаксиальные слои толщиной 600 нм, полученные гидридно-хлоридным методом, состояли из островков размером ~0,8 мкм, комбинированным методом ~1,1 мкм, среднеквадратичная шероховатость не превышала 0,88 нм (рис.2,б,в). Вероятно, добавление хлоридов в ПГС позволяет модифицировать поверхность растущего кремниевого слоя путем подтравливания участков с наибольшей удельной поверхностной энергией. Такие участки обычно содержат мелкие кремниевые островки и дефектные области, состоящие из дефектов упаковки и дислокаций. В результате травления плотность крупных островков значительно повышается, улучшается микрошероховатость и текстура поверхности.
Результаты рентгеноструктурного анализа слоев КНС толщиной 600 нм (рис.3,а) показали, что для образцов, полученных гидридным методом, фиксируется незначительное уширение кривой качания при увеличении числа процессов в рабочем цикле. В целом полученные слои имеют высокое структурное совершенство: среднее значение полной ширины на полувысоте кривых качания (FWHM) для структур КНС, изготовленных гидридным методом, составило 0,30°, гидридно-хлоридным - 0,33° и комбинированным - 0,31°. Для слоев КНС толщиной 100 и 300 нм значения FWHM находятся в диапазоне 0,7-0,75° и 0,5-0,57° соответственно (рис.3,б, рис.4). Определено, что добавление хлоридов кремния в процесс ГФЭ КНС незначительно влияет на структурное совершенство получаемых слоев.
Рис.3. Кривые качания симметричного дифракционного отражения Si(400) для структур КНС, изготовленных различными методами, толщиной 600 нм (а)
и 100 нм (б)
Наблюдаемое уменьшение величины FWHM с ростом толщины кремниевого слоя для каждого метода ГФЭ (см. рис.4) согласуется с зависимостью, полученной в работе [20], и указывает на псевдоморфный характер роста слоев КНС. Проведенные на ряде образцов дифрактометрические измерения показали, что для всех выращенных структур КНС фиксируются деформации сжатия, сумма главных латеральных напряжений имеет порядок -2 ГПа.
Заключение. АСМ-исследование поверхности и рентгеноструктурный анализ кристаллической структуры эпитаксиаль-ных слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски - Крастанова. Из этого следует, что возможным путем дальнейшего улучшения качества слоев КНС может быть коррекция условий начальной стадии эпитаксиального роста.
Комбинированный метод является наиболее применимым методом ГФЭ КНС, так как позволяет улучшать характеристики поверхности получаемых слоев путем воздействия хлоридов кремния на растущий слой и подавления молекул полисиланов. При этом исключается взаимодействие активных ионов хлора с поверхностью сапфировой подложки. С помощью данного метода можно изготавливать структуры КНС с толщиной слоя 300 нм и более, полностью соответствующие требованиям современной твердотельной микроэлектроники.
Авторы выражают благодарность Н.Н. Герасименко и Д.И. Смирнову за проведение рентгеноструктурного анализа тонких слоев и помощь в интерпретации результатов.
Рис.4. Зависимость значения полной ширины на полувысоте кривых качания (FWHM) от толщины слоя КНС
Литература
1. Manasevit H.M., Simpson W.I. Single-crystal silicon on a sapphire substrate // J. Appl. Phys. - 1964. -Vol. 35. - P. 1349-1351.
2. Advanced thin-film silicon on sapphire technology: microwave circuit applications / R.A. Johnson, P.R. Houssey, C.E. Chang et al. // IEEE Trans Electron Dev. - 1998. - Vol. 45. - N. 5. - P. 1047-1054.
3. Cristoloveanu S. Physical and technical problems of SOI structures and devices. - Netherlands: Springer, 1995. - 290 p.
4. Synchrotron X-ray study of the electron density in a-Al2O3 / E.N. Maslen, V.A. Streltsov, N.R. Streltsova et al. // Acta Crystallogr. - 1993. - Vol. 49. - P. 6. - P. 973-980.
5. Relationship between crystallinity and electronic properties of silicon on sapphire / L. Jastrzebski, M.T. Duffy, J.F. Corboy et al. // J. of Crystal Growth. - 1982. - Vol. 58. - P. 37-43.
6. Pramanik A., Liu M., Zhang L.C. Production, characterization and application of silicon on sapphire wafers // Key Eng. Mater. - 2010. - Vol. 443. - P. 567-572.
7. Deep states in silicon on sapphire by transient-current spectroscopy / T. Sadoh, A. Matsushita, Y.-Q. Zhang et al. // J. Appl. Phys. - 1997. - Vol. 82. - N. 10. - P. 5262-5264.
8. Козлов Ю.Ф., Зотов В.В. Структуры КНС: технология, свойства, методы контроля, применение. -М.: МГИЭТ, 2004. - 137 с.
9. Characterization of the silicon-sapphire interface / J. Trilhe, J. Borel, J.P. Duchemin et al. // J. of Crystal Growth. - 1978. - Vol. 45. - P. 439-445.
10. Cullen G.W. The preparation and properties of chemically vapor deposited silicon on sapphire and spinel // J. of Crystal Growth. - 1971. - Vol. 9. - P. 107-125.
11. Manasevit H.M., Erdmann F.M., Thorsen A.C. The preparation and properties of (111) Si films grown on sapphire by the SiH-H process // J. Electrochem. Soc. - 1976. - Vol. 123. - Iss. 1. - P. 52-57.
12. Орлов Л.К., Ивин С.В. Вакуумная гидридная эпитаксия кремния: кинетика пиролиза моносилана на ростовой поверхности // ФТП. - 2011. - Т. 45. - Вып. 4. - С. 566-575.
13. William G.H. Improved method for producing semiconductor grade silicon // EP 0045600 A1, EU, №19810303402 1982. - Bul. 82/6.
14. Liaw H.M. Epitaxial silicon technology // Academic press Inc. - 1986. - Vol. 7. - N. 8. - P. 56-67.
15. Druminski M., Schlotterer H. The combination of two growth methods for the epitaxial deposition of silicon films on insulating substrates // J. of Crystal Growth. - 1972. - Vol. 17. - P. 249-253.
16. Игнатов А.Ю., Постолов В.С., Сабельникова М.М. Оптические методы контроля параметров гетероэпитаксиального слоя кремния структур КНС // Химия твердого тела и современные микро- и на-нотехнологии: тез. докл. VI Междунар. конф. (Кисловодск - Ставрополь, 17-22 сент. 2006 г.). - СевКав-ГТУ, 2006. - 510 с.
17. Миронченко В.И. Способ бесконтактного измерения параметров шероховатости поверхности // Пат. 2380655C1, РФ, № 2008139239/28. - 2010. - Бюл. № 3
18. Применение методики поверхностной фотоЭДС для контроля качества кремниевых эпитакси-альных слоев на сапфире / А. Ф. Яремчук, А.В. Старков, А.В. Заикин и др. // Изв. вузов. Электроника. -2013. - № 5(103). - С. 14-19.
19. Соколов Е.М., Федотов С.Д., Чумак В.Д., Романов А.А. Возможности контроля кристаллографического интерфейса кремний-сапфир с помощью метода поверхностной фотоЭДС: сб. ст. Междунар. науч.-практической конф. «Вопросы технических наук: новые подходы в решении актуальных проблем» (Казань, 8 июня 2015 г.). - Н. Новгород: ООО «Ареал», 2015. - Вып. № 2. - С. 9-14.
20. Large thickness-dependent improvement of crystallographic texture of CVD silicon films on r-sapphire / M. Moyzykh, S.Samoilenkov, V. Amelichev et al. // J. of Crystal Growth. - 2013. - Vol. 383. - P. 145-150.
Статья поступила 22 декабря 2015 г.
Соколов Евгений Макарович - ведущий научный сотрудник АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва). Область научных интересов: полупроводниковое материаловедение, в частности технологии создания структур различного типа на основе кремния и его соединений для изготовления приборов и интегральных схем.
Федотов Сергей Дмитриевич - инженер-исследователь АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва), аспирант кафедры микроэлектроники (МЭ) МИЭТ. Область научных интересов: гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках, создание структур кремний на изоляторе, в частности гетероэпитаксиальных структур кремний на сапфире для изготовления радиационно стойких схем, СВЧ-приборов и тензометрических датчиков. E-mail: [email protected]
Стаценко Владимир Николаевич - генеральный директор АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва). Область научных интересов: проведение эпитаксиальных процессов, авто- и гетероэпитаксия полупроводниковых соединений, в том числе соединений «полупроводник на изоляторе», быстрые термические процессы.
Тимошенков Сергей Петрович - доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой МЭ МИЭТ. Область научных интересов: физико-химические процессы сращивания и формирования многослойных, сложнопрофильных структур для микроэлектроники и микросистемной техники, формирование структур КНИ, разработка технологии изготовления и сборки чувствительных элементов МЭМС.
Емельянов Алексей Владимирович - младший научный сотрудник Научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология» МИЭТ. Область научных интересов: органическая электроника, атомно-силовая микроскопия, одномолекулярная электроника.
