CC BY
26ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И МАРШРУТЫ TECHNOLOGICAL PROCESSES AND ROUTES
УДК 621.357.7 DOI: 10.24151/1561-5405-2019-24-5-459-468
Исследование процесса электроосаждения сплава олово - свинец с высоким содержанием свинца
А.В. Любимов1, А.Г. Борисов2, Е.П. Корчагин2, А.И. Козлитин3, Н.Г. Осипенкова2
1НПП «Оптические и электронные комплексы и системы»,
г. Москва, Россия
2
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
ФГУП «Научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф.В. Лукина», г. Москва, Россия
opteks2008@yandex.ru
В процессе изготовления многокристальных модулей на основе бескорпусных ИС с матричным расположением контактных площадок в связи с большим количеством последовательно проводимых операций пайки температура плавления припоя на первой операции должна быть не ниже 270 °С. При большом количестве контактных площадок малых геометрических размеров и значительном расстоянии между ними формирование слоя припоя заданной толщины возможно в основном только электроосаждением. В работе приведены результаты исследования процесса электроосаждения сплава олово - свинец с высоким содержанием свинца (более 80 % по массе) для формирования слоя припоя с температурой плавления более 270 °С, предназначенного для монтажа кристаллов с матричным расположением контактных площадок в технологии изготовления много-кристалльных модулей. Предложен состав фторборатного электролита, обеспечивающий получение заданного химического состава сплава. Установлена зависимость химического состава сплава от плотности тока при его формировании. Определено значение оптимальной плотности тока, равное
(1-1,2) А/дм2. При такой плотности тока формируются плотные мелкозернистые слои с температурой плавления около 290-295 °С.
Ключевые слова: сплав олово - свинец; электроосаждение; фторборатный электролит
Для цитирования: Исследование процесса электроосаждения сплава олово - свинец с высоким содержанием свинца / А.В. Любимов, А.Г. Борисов, Е.П. Корчагин и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2019. - Т. 24. - № 5. - С. 459-468. DOI: 10.24151/1561-5405-2019-24-5-459-468
© А.В. Любимов, А.Г. Борисов, Е.П. Корчагин, А.И. Козлитин, Н.Г. Осипенкова, 2019
Study of the Process of Cathodic Electrodeposition of High-Lead Tin-Lead Alloy
• 1 * 2 * 2 A.V. Lyubimov , A.G. Borisov , E.P. Korchagin ,
A.I. Kozlitin3, N.G. Osipenkova2
1Research and Production Enterprise «Optic and Electronic Complexes
and Systems», Moscow, Russia
2
National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia
FSUE F.V.Lukin Physical Problems Research Institute, Moscow, Russia
opteks2008@yandex.ru
Abstract. In manufacturing of multichip modules based on die ICs, the first-step soldering temperature shall not be higher than 270 °С owing to a large number of successive steps. Besides, due to a large number of contact pads of small geometric size and their short spacings the solder layer of the required thickness can generally be formed on them by electrodeposition only. The paper contains the findings of the research into the process of electrodeposition of a tin-lead alloy characterized by a high lead content (of more than 80 % by mass), run to form a layer of a solder characterized by a melting temperature of more than 270 °С and intended for mounting die chips in the multichip module technology. The formula of a fluoroborate electrolyte delivering the specified chemical composition of the alloy has been proposed, and the relationship existing between the chemical composition of the alloy and current density during alloy formation has been found. The optimum current density has been determined, which is equal to (1-1.2) А/dm2. This current density produces dense finegrained layers characterized by a surface melting temperature of about 290295 °С.
Keywords: tin-lead alloy; electrodeposition; fluoroborate electrolyte
For citation: Lyubimov A.V., Borisov A.G., Korchagin Ye.P., Kozlitin A.I., Osipenkova N.G. Study of the process of cathodic electrodeposition of high-lead tin-head alloy. Proc. Univ. Electronics, 2019, vol. 24, no. 5, pp. 459-468. DOI: 10.24151/1561-5405-2019-24-5-459-468
Введение. Технология современной микроэлектроники обеспечивает получение СБИС с размерами топологических элементов порядка 10 нм. При этом основным методом сборки радиоэлектронной аппаратуры является монтаж корпусной элементной базы на печатные платы, что означает принципиальный отказ от достижений субмикронной технологии. Применение микрокорпусов в сочетании с техникой поверхностного монтажа позволяет несколько уменьшить проблему дезинтеграции при сборке [1, 2]. Однако, по мере того как увеличивается быстродействие СБИС и растет число их выводов, ужесточаются требования к массогабаритным показателям и эксплуатационной надежности, уменьшается уровень допустимых помех при одновременном уменьшении стоимости аппаратуры. Поэтому актуальным становится вопрос о необходимости разработки новых подходов к технологии сборки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
Перспективным направлением развития технологии сборки радиоэлектронной аппаратуры представляется разработка многокристальных микромодулей с использованием бескорпусной элементной базы. Данное направление интенсивно развивается как в зарубежных, так и в отечественных исследованиях [1, 3-5]. Кристаллы СБИС помещаются на коммутационную плату на максимально близком расстоянии друг от друга, что сводит к минимуму длину коммутационных соединений и тем самым уменьшает паразитные емкости, индуктивности, переходные сопротивления и, как следствие, повышает помехозащищенность и скорость обработки сигналов.
По мере увеличения степени интеграции и функциональных возможностей СБИС растет и число выводов. При числе выводов свыше 300 расположение их по периферии кристалла становится проблематичным. Поэтому расширяется номенклатура СБИС, контактные площадки которых располагаются в виде матрицы по всей площади кристалла. Такие кристаллы могут монтироваться на поверхность коммутационной платы только методом пайки по технологии flip-chip. Коммутационная плата устанавливается в корпус многокристального модуля, который монтируется в состав РЭА методом пайки [6, 7].
Таким образом, в технологии изготовления многокристальных модулей с использованием современной элементной базы и последующего их монтажа в аппаратуру операция пайки может последовательно использоваться минимум 2-4 раза.
Стандартным припоем для монтажа компонентов на коммутационную плату является ПОС-61, температура плавления которого составляет 183-189 °С. При этом пайку обычно ведут при более высокой температуре (190-200 °С). При использовании бессвинцовых припоев температура пайки компонентов оказывается еще выше. Например, температура пайки припоем SAC305 (сплав SnAg3Cu0,5) составляет от 218 до 220 °С. Поэтому при изготовлении многокристальных модулей на основе бескорпусных ИС с матричным расположением контактных площадок температура плавления припоя на первой операции пайки должна быть не ниже 270 °С. Кроме того, в изделиях специального применения использование оловянных припоев, не содержащих свинца, не допускается из-за возможного образования дендритов в процессе эксплуатации изделия и возникновения вследствие этого короткого замыкания между контактными площадками [8, 9]. При этом при большом количестве контактных площадок малых геометрических размеров формирование слоя припоя заданной толщины на них возможно в основном только гальваническим осаждением [10].
Исходя из диаграммы состояний системы олово - свинец [5], заявленным требованиям удовлетворяют сплавы, содержащие в своем составе более 80 % свинца.
Цель настоящей работы - исследование электроосаждения сплава олово - свинец с высоким содержанием свинца (более 80 %) и температурой плавления 270-290 °С.
Оборудование и реактивы. В настоящее время известен ряд электролитов для электроосаждения сплава олово - свинец: метансульфатный [9, 11], фенолсульфоно-вый, сульфаматный, пирофосфатный и фторборатный [12]. Широкое применение в электронной технике и технологии печатных плат получил фторборатный электролит [13, 14], так как он достаточно прост в приготовлении и корректировании и обеспечивает получение высококачественных и мелкокристаллических покрытий в широком интервале содержания компонентов сплава. Поэтому в работе за основу взят фторборат-ный электролит [15], который предназначен для гальванического осаждения ПОС-61. Аналогичный по составу электролит рассматривается в [14]. Для получения сплава олово - свинец с содержанием 90 % свинца по массе состав электролита пересчитан.
Данный сплав по содержанию основных компонентов соответствует припою марки ПОС-10, имеющему температуру плавления от 275 до 302 °С. Состав электролита приведен в таблице.
Состав электролита для гальванического осаждения сплава олово - свинец с содержанием свинца 90 % по массе
Composition of electrolyte to electrodeposit tin - lead alloy containing 90 % Sn by mass
Компонент электролита Pb(BF4)2 Sn(BF4)2 HBF4 H3BO3 Мездровый клей Гидрохинон
Количество 0,129 моль/л 0,027 моль/л 0,60 моль/л 0,543 моль/л 4,0 г/л 0,009 моль/л
Для приготовления раствора электролита применялись 65 %-ный по массе раствор тетрафторбората свинца, 30 %-ный по массе раствор тетрафторбората олова, 40 %-ный по массе раствор тетрафторбористой кислоты. Борная кислота, мездровый клей и гидрохинон использовались в сухом виде. Все реактивы были марки «ч».
При электроосаждении металлов состав анода не всегда соответствует составу получаемого слоя металла [10, 12, 16]. Это обусловлено тем, что теоретически возможны процессы пассивации сложного по химическому составу анода при растворении одного из компонентов (олова или свинца). Это ведет к разной скорости растворения компонентов анода. В связи с этим возникает необходимость исследования анодов как с избытком свинца (аноды из чистого свинца), так и с его недостатком (аноды эвтектического состава). Предварительные исследования показали, что при использовании чисто свинцового анода электролит достаточно быстро обедняется оловом, что приводит к существенному увеличению содержания свинца в осажденном слое. Применение анода, состав которого соответствует эвтектике на диаграмме состояния [5], наоборот, приводит к увеличению содержания в электролите олова, что, соответственно, сопровождается повышением со временем содержания олова в сплаве (приблизительно на 3 % после 3 ч электролиза). Химический состав осажденного при одних и тех же условиях слоя достаточно хорошо воспроизводился от образца к образцу при использовании анода, изготовленного из сплава олово - свинец с 90 %-ным по массе содержанием свинца. Поэтому в дальнейшем в работе использовался анод именно такого состава.
Гальваническое осаждение проводилось на полоску фольгированного медью поли-имида. Перед началом процесса поверхность меди декапировалась в 10 %-ном растворе серной кислоты марки «хч» по стандартной технологии.
Процесс гальванического осаждения проводился на установке PGG 10/3-B, в состав которой входят три гальванические ванны объемом по 3 л. Установка обеспечивает возможность перемешивания электролита в процессе работы, его нагрева и контроля температуры.
Электрохимическое осаждение сплава осуществлялось как в потенциостатическом, так и в гальваностатическом режимах. При проведении исследований в качестве электрода сравнения использовался насыщенный хлоридсеребряный электрод. Толщина и шероховатость сформированного слоя измерялись с помощью микроскопа Contour GT-K 3D Optical Microscope. Морфология и химический состав поверхности изучались на растровом электронном микроскопе CAMSCAN-S4 с приставкой энергодисперсионного спектрометра Inca Energy 350. Все измерения проводились при ускоряющем напряжении 20 кэВ. Пример EDX-спектра одного из образцов приведен на рис.1.
Рис. 1. EDX-спектр слоя сплава олово - свинец с содержанием свинца 88,2 % по массе Fig. 1. EDX spectrum of layer of tin - lead alloy containing 88.2 % lead by mass
Результаты и обсуждение. Для определения оптимальных параметров процесса электрохимического осаждения сплава заданного состава проведен теоретический расчет зависимости содержания олова в осадке от плотности тока на катоде. Расчет базируется на законе электролиза Фарадея в формулировке для гальваностатического режима:
Mit
m =-,
zF
где m - масса осажденного на электроде вещества; M - молярная масса; I - ток электролиза; t - время электролиза; z - заряд иона; F - постоянная Фарадея. Также используется уравнение Гейровского - Ильковича:
E = En + — ln ^,
1/2 zF I
где E - потенциал электрода; Ei/2 - потенциал полуволны; R - газовая постоянная; T - температура, К; !пр - предельный ток.
При электрохимическом осаждении металлов на электрод потенциал полуволны связан со стандартным электродным потенциалом E соотношением
E1/2 = E0 +—ln -, 12 nF 2
где C - концентрация электроактивного иона в электролите.
Для рассматриваемого электролита Ei/2(Pb2+/Pb) = -204 мВ, Ei/2(Sn2+/Sn) = -196 мВ. Предельный ток, согласно уравнению Гейровского - Ильковича, пропорционален концентрации электроактивного иона. Отметим, что коэффициент пропорциональности зависит от параметров среды и самого иона. В силу схожести свойств ионов олова и свинца коэффициент пропорциональности для них в расчетах принимался одинаковым. Массовая доля олова в осадке рассчитывалась по формуле
m (Sn)
ш =
m (Sn) + m (Pb)
При этом в соответствии с экспериментальными данными в [16] выход по току для обоих металлов считается одинаковым и равен 100%. Перенапряжение выделения олова и свинца из известных электролитов составляет 5-6 мВ [17]. Поэтому в первом приближении можно считать перенапряжение выделения этих металлов одинаковым.
Исходя из данных предположений, рассчитана зависимость содержания олова в осажденном слое от плотности тока в режиме гальваностатического осаждения (рис.2). При этом наблюдается значительное расхождение между теоретическими и экспериментальными результатами, особенно в области малых значений плотности тока. По результатам расчетов при различных величинах разности перенапряжений выделения свинца и олова оптимальный результат получен при 5 мВ. Следует отметить, что в рассматриваемом случае содержание олова в гальваническом осадке с увеличением плотности тока уменьшается в отличие от результатов, полученных в работе [14].
30 -
5
0 0,5 1 1,5 2 2,5
Плотность тока, А/дм^
Рис.2. Зависимость содержания олова в слое от плотности тока в режиме гальваностатического осаждения: -•-•- расчет при одинаковом перенапряжении выделения
олова и свинца; - расчет при превышении перенапряжения выделения свинца
по сравнению с оловом на 5 мВ; • - экспериментальные точки Fig.2. Electrodeposited tin content versus current density during cathodic electrodeposition:
-•-•- the curve plotted for the same overpotentials of tin and lead;-the curve plotted for the
lead overpotential exceeding the tin overpotential by 5 mV; • - test points
Дальнейшие исследования показали, что при увеличении плотности тока увеличивается шероховатость поверхности полученного слоя (рис.3). Слой становится рыхлым и сравнительно легко осыпается с поверхности.
На рис.4 приведена морфология поверхности образцов при разной плотности тока. Изображения получены на растровом электронном микроскопе CAMSCAN - S4 при увеличении 300х.
Видно, что при большой плотности тока структура поверхности становится неоднородной, появляются крупные кристаллиты (рис.4), которые, вероятно, слабо связаны с основным объемом металла и поэтому легко осыпаются. Таким образом, оптимальной является плотность тока в диапазоне 1-1,5 А/дм2.
Рис. 3. Зависимость шероховатости слоя гальванического осадка олово - свинец
от плотности тока (время осаждения 15 мин) Fig.3. Thickness versus roughness for tin-lead smut coats formed at various current densities (deposition time 15 min)
Рис.4. РЭМ-изображения морфологии поверхности слоев олово - свинец, полученные при плотности тока 0,5 А/дм2 (а) и 2 А/дм2 (б) (300х) Fig.4. Morphologies of tin-lead coats formed at various current densities. the image has been obtained by means of the camscan - s4 scanning electron microscope at 300х magnification: а - current density of 0.5 А/dm2; b - current density of 2 A/dm2
Нагревание в вакууме образцов, осажденных при плотности тока (1,2 ± 0,1) А/дм в течение 15 мин, показало, что оплавление слоя происходит при температуре 293-295 °С, что соответствует предъявляемым к осадку требованиям.
Заключение. Для проведения процесса электрохимического осаждения сплава олово - свинец, содержащего не менее 90% по массе свинца, оптимальным химическим составом являются аноды из сплава олово - свинец того же состава. Оптимальная плотность тока, при которой формируются плотные мелкозернистые слои с температу-
о
рой плавления от 290 до 300 °С, равна 1-1,5 А/дм .
Литература
1. Медведев А. Современные компоновки микросхем // Компоненты и технологии. - 2007. -№ 2 (67). - С. 152-156.
2. Спирин В.Г. Проблемы создания микросборок высокой плотности упаковки // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 8 (157). - С. 17-20.
3. Wafer level packaging of a tape flip-chip chip scale packages / G. Hotchkiss, G. Amador, D. Edwards et al. // Microelectronics Reliability. - 2001. - Vol. 41. - Iss. 5. - P. 705-713.
4. Грушевский А.М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей: учеб. пособие. -М.: МИЭТ, 2003. - 140 с.
5. Медведев А.М. Сборка и монтаж электронных устройств. - М.: Техносфера, 2007. - 256 с.
6. Конструктивно-технологические особенности flip-chip монтажа кристаллов в производстве высо-коинтегрированных 2,5D и 3D микросборок / В.Н. Сидоренко, Д.В. Вертянов, Ю.Г. Долговых и др. // Наноиндустрия. - 2018. - № 5 (82). - С. 203-210.
7. Стоянов А.А., Побединский В.В., Рогозин Н.В., Рембеза С.И. Особенности монтажа кристаллов с использованием технологии «flip-chip» при сборке 3D БИС // Периодический научный сборник по материалам XVIII Междунар. науч.-практ. конф. «Современные тенденции развития науки и технологий» (г. Белгород, 30 сентября 2016 г.). - Белгород: Агентство перспективных научных исследований, 2016. -№ 9-1. - С. 62-64.
8. Медведев А., Шкундина С. Иммерсионное олово. Прошлое и будущее // Технологии в электронной промышленности. - 2010. - №3. - С. 22-27.
9. ГОСТ Р 56427-2015. Пайка электронных модулей радиоэлектронных средств. Автоматизированный смешанный и поверхностный монтаж с применением бессвинцовой и традиционной технологий. Технические требования к выполнению технологических операций. - М.: Стандартинформ, 2015. - 31 с.
10. Modern eletroplating / Ed. by Mordechay Schlesinger, Milan Paunovic. - 5th Edition. - New Jersey: John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, 2010. - XIII. - 729 p.
11. Данилов Ф.И., Васильева Е.А., Бутырина Т.Е., Проценко В. С. Электроосаждение сплава свинец - олово из метансульфатного электролита в присутствии добавок органических ПАВ // Физикохимия поверхности и защита материалов. - 2010. - Т. 46. - № 6. - С. 627-633.
12. Пурин Б.А., Цера В.А., Озола Э.А., Витиня И.А. Комплексные электролиты в гальванотехнике. -Рига: Лиесма, 1978. - 267 с.
13. Байрачный Б. И., Трубникова Л. В., Майзелис А. А. Электроосаждение сплава олово - свинец из борфтористоводородного электролита без поверхностно-активных веществ // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2003. - № 3 (3). - С. 31-37.
14. Медведев А. Печатные платы. Гальваническое осаждение металлорезистов // Технологии в электронной промышленности. - 2013. - № 5(65). - С. 34-37.
15. ГОСТ 23770-79. Платы печатные. Типовые технологические процессы химической и гальванической металлизации. - М.: Изд-во стандартов, 1995. - 35 с.
16. Вячеславов П.М. Электролитическое осаждение сплавов. - 5-е изд., перераб. и доп. - Л.: Машиностроение, 1986. - 112 с.
17. Ваграмян А. Т., Жамаргорцянц М.А. Электроосаждение металлов и ингибирующая адсорбция. -М.: Наука, 1969. - 199 с.
Поступила в редакцию 08.02.2019 г.; после доработки 27.03.2019 г.; принята к публикации 18.06.2019 г.
Любимов Андрей Викторович - генеральный директор ЗАО «НПП «ОПТЭКС», (Россия, 124460, г. Москва, г. Зеленоград, ул. Конструктора Гуськова, 6-1), opteks2008@yandex.ru
Борисов Александр Григорьевич - кандидат технических наук, доцент Института перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, 1), borisov_a.g@mail.ru
Корчагин Егор Павлович - студент Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), eg.ad2013@yandex.ru
Козлитин Алексей Иванович - кандидат физико-математических наук, руководитель Центра высоких технологий ФГУП «Научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф.В. Лукина» (Россия, 124460, г. Москва, г. Зеленоград, Георгиевский пр-т, 5), acozlitin@yandex.ru
Осипенкова Наталья Геннадиевна - кандидат технических наук, доцент Института перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), osipenkova@mail.ru
References
1. Medvedev A. Modern integrated circuit configurations. Komponenty i tekhnologii = Components and Technologies, 2007, no. 2. (In Russian).
2. Spirin V.G. Problems of building of high-density microassemblies. The Nano- and Mikrosistemnaya Tekhnika = Nano- and Microsystem Technology, 2013, no. 8 (157), pp. 17-20. (In Russian).
3. Hotchkiss G., Amador G., Edwards D., Hundt P., Stark L., Stierman R., Heinen G. Wafer level packaging of a tape flip-chip chip scale packages. Microelectronics reliability, 2001, vol. 41, iss. 5, pp. 705-713.
4. Grushevskiy А.М. Assembly and wiring of multiple-chip modules: Learning aid. Moscow, MIET Publ., 2003. 140 p. (In Russian).
5. Medvedev А.М. Assembly and wiring of electronic devices. Moscow, Tekhnosfera Publ., 2007, 256 pp. (In Russian).
6. Sidorenko V.N., Vertyanov D.V., Dolgovykh Yu.G., Kovalev А.А., Zmeyev S.V., Timoshenkov S.P. Engineering peculiarities of flip-chip mounting in manufacture of high-integration 2.5D and 3D microassemblies. Nanoindustriya = Nanoindustry, 2018, no. 5 (82), pp. 203-210. (In Russian).
7. Stoyanov А.А., Pobedinskiy V.V., Rogozin N.V., Rembeza S.I. Peciliarities of flip-chip mounting in assembly of 3D large-scale integrated circuits. Present-day trends in development of science and technologies, 2016, no. 9-1, pp. 62-64. (In Russian).
8. Medvedev A., Shkundina S. Immersion tin. Past and future. Tekhnologii v elektronnoy promyshlennosti = Electronic Industry Technologies, 2010, no. 3, pp. 22-27. (In Russian).
9. GOST R 56427-2015. Soldering of electronic modules of radio-electronic means. Automated mixed and surface mounting using lead-free and conventional technologies. Technical requirements for the implementation of technological operations. Moscow, Standartinform Publ., 2015. 31 p. (In Russian).
10. Modern electroplating. Ed. by Mordechay Schlesinger, Milan Paunovic. 5th Edition. New Jersey, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, 2010, XIII. 729 pp.
11. Danilov F.I., Vassilyeva Ye.A., Butyrina T.Ye., Protsenko V.S. Electrodeposition of lead-tin alloy from methane-sulphate electrolyte in the presence of organic surfactant additives. Fizikokhimiya poverkhnosti i zashchita materialov = Surface Physicochemistry and Material Protection, 2010, vol. 46, no. 6, pp. 627-633. (In Russian).
12. Purin B.A., Tsera V.A., Ozola E.A., Vitinya I.A. Complex electrolytes in electroplating. Riga, Liesma Publ., 1978. 267 p. (In Russian).
13. Bairachniy B.I., Trubnikova L.V., Maizelis A.A. Electrodeposition of tin-lead alloy from hydrofluoroboric electrolyte in the absence of surfactants. Vostochno-Evropeyskiy zhurnal peredovykh tekhnologiy = East European Journal of Advanced Technologies, 2003, no. 3 (3), pp. 31-37. (In Russian).
14. Medvedev А. Printed Circuit Boards. Cathodic Electrodeposition of Metalloresists. Tekhnologii v elektronnoy promyshlennosti = Electronic Industry Technologies, 2013, no. 5, pp. 34-37. (In Russian).
15. GOST 23770-79. Printed circuit boards. Standard processes of chemical and galvanic metallization., Moscow, Izdatel'stvo Standartov Publ., 1995. 35 p. (In Russian).
16. Vyacheslavov P.M. Electrolytic deposition of alloys. The 5th Revised and Enlarged Edition. Leningrad, Mashinostroyeniye Publ., 1986. 112 p. (In Russian).
17. Vagramyan A.T., Zhamargortsyants М.А. Metal electrodeposition and inhibitory adsorption. Moscow, Nauka Publ., 1969. 199 p. (In Russian).
Received 08.02.2019; Revised 27.03.2019; Accepted 18.06.2019. Information about the authors:
Andrey V. Lyubimov - General Director of the Research and Production Enterprise «Optic and Electronic Complexes and Systems» (Russia, 124460, Moscow, Zelenograd, Konstruktor Guskov st., 6), opteks2008@yandex.ru
Alexandr G. Borisov - Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Advanced Materials and Technologies, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), borisov_a.g@mail.ru
Egor P. Korchagin - Student of the National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), eg.ad2013@yandex.ru
Alexey I. Kozlitin - Cand. Sci. (Phys.-Math.), Head of the High-Technology Center, FSUE F.V. Lukin Physical Problems Research Institute (124460, Moscow, Zelenograd, Georgiyevskiy ave., 5), acozlitin@yandex.ru
Natalia G. Osipenkova - Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Advanced Materials and Technologies, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), osipenkova@mail.ru
