CC BY
10ИНТЕГРАЛЬНЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА INTEGRATED RADIOELECTRONIC DEVICES
Научная статья УДК 621.391.63:681.7.068 doi:10.24151/1561-5405-2023-28-3-360-367 EDN: QRSPON
Исследование плоского угла зрения кремниевых фотоумножителей
И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина
Белорусская государственная академия связи, г. Минск, Беларусь o.kochergina@bsac.by
Аннотация. В настоящее время для регистрации оптического излучения, как правило, применяются многоэлементные лавинные фотоприемники -кремниевые фотоумножители (Si-ФЭУ). Однако не все характеристики данных фотоприемников изучены. Так, не исследованы зависимости плоского угла зрения Si-ФЭУ от напряжения питания и длины волны оптического излучения. В работе в качестве объектов исследования использованы Si-ФЭУ КОФ5-1035, Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Установлено, что увеличение перенапряжения приводит к росту плоского угла зрения. Определено, что плоский угол зрения Si-ФЭУ имеет максимальное значение при длине волны оптического излучения X = 470 нм и в диапазоне длин волн X = 380...750 нм изменяется не более чем на 11 %. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе Si-ФЭУ, при реализации технологии Li-Fi.
Ключевые слова: плоский угол зрения, кремниевый фотоумножитель, чувствительность
Для цитирования: Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В. Исследование плоского угла зрения кремниевых фотоумножителей // Изв. вузов. Электроника. 2023. Т. 28. № 3. С. 360-367. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-3-360-367. -EDN: QRSPON.
© И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина, 2023
Original article
Investigation of the flat viewing angle of silicon photomultipliers
I. R. Gulakov, A. O. Zenevich, O. V. Kochergina
Belarusian State Academy of Communications, Minsk, Belarus o.kochergina@bsac.by
Abstract. Currently, multi-element avalanche photodetectors - silicon photomultipliers (SiPM) - are often used to detect optical radiation. However, not all characteristics of these photodetectors are studied. So, the dependences of the flat viewing angle of SiPM on the supply voltage and wavelength of optical radiation are not investigated. In this work, silicon photomultipliers KOF5-1035 (RB), Ketek RM 3325, and ON Semi FC 30035 (Germany) were used as objects of study. It is found that an increase in the overvoltage results in an increase in the flat viewing angle. It has been determined that the flat viewing angle of the SiPM has a maximum value at an optical radiation wavelength X = 470 nm and in the X = 380...750 nm wavelength range it changes by no more than 11 %. The results obtained may find application, for example, in the development and design of instruments and devices for optical radiation detection based on SiPM, in the implementation of Li-Fi technology and other optical systems.
Keywords, flat viewing angle, silicon photomultiplier, sensitivity
For citation: Gulakov I. R., Zenevich A. O., Kochergina O. V. Investigation of the flat viewing angle of silicon photomultipliers. Proc. Univ. Electronics, 2023, vol. 28, no. 3, pp. 360-367. https,//doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-3-360-367. - EDN: QRSPON.
Введение. Технология Li-Fi [1-3], использующая передачу данных с помощью оптического излучения видимого диапазона, обеспечивает высокую скорость передачи информации [4, 5]. Перспективными для реализации технологии Li-Fi являются матричные лавинные фотоприемники - кремниевые фотоумножители (Si-ФЭУ), работающие в режиме Гейгера - Мюллера [6-8]. Si-ФЭУ имеют ряд преимуществ перед другими типами фотоприемников, используемых для реализации технологии Li-Fi. Так, по сравнению с электровакуумными фотоэлектронными умножителями они более компактны, имеют меньшее напряжение питания, хорошую механическую прочность и высокую чувствительность в видимой области спектра, по сравнению с одноэлементными лавинными фотоприемниками Si-ФЭУ характеризуются высоким коэффициентом усиления и большими площадями фоточувствительной поверхности.
Одна из наиболее важных характеристик фотоприемника при реализации технологии Li-Fi - плоский угол зрения р. Согласно [9] это угол в нормальной к фоточувствительной поверхности плоскости фотоприемника между направлениями падения параллельного пучка оптического излучения, при котором напряжение или ток фотосигнала фотоприемника уменьшается до заданного уровня. Особенность данной характеристики в том, что при реализации технологии Li-Fi используются оптическое излучение, попадающее от источника на фотоприемник нормально к его фоточувствительной по-
верхности, и излучение, отраженное или диффузно рассеянное. В связи с этим для реализации технологии Li-Fi следует выбирать фотоприемники с большим плоским углом зрения. Однако значения угла ß Si-ФЭУ не определены для рабочего напряжения, не установлена его зависимость от напряжения питания и длины волны регистрируемого оптического излучения.
Цель настоящей статьи - определение плоского угла зрения ß для рабочего напряжения Si-ФЭУ и установление зависимости от напряжения питания и длины волны регистрируемого оптического излучения.
Экспериментальная установка и методика измерений. В качестве объектов исследований выбраны серийно выпускаемые Si-ФЭУ КОФ5-1035 (Беларусь), Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035 (Германия). На рис. 1 представлена структурная схема экспериментальной установки для проведения исследований.
Рис. 1. Структурная схема экспериментальной установки: И - источник оптического излучения; Н - набор нейтральных светофильтров; З - полупрозрачное зеркало; Д - дозиметр оптического излучения; О - диафрагма; С - оптическая система; Ф - кремниевый фотоумножитель; А - амперметр; Б - блок питания; В - вольтметр;
Rn - сопротивление нагрузки Fig. 1. Block diagram of the experimental setup: И - source of optical radiation; Н - set of neutral light filters; З - translucent mirror; Д - optical radiation dosimeter; О - diaphragm; С - optical system; Ф - silicon photomultiplier; А - ammeter; Б - power supply;
В - voltmeter; Rн - load resistance
Экспериментальная установка функционирует следующим образом. Пучок оптического излучения от источника постоянной интенсивности поступает на полупрозрачное зеркало через набор нейтральных светофильтров. В качестве источника оптического излучения использован набор светодиодов с длинами волн излучения в диапазоне 380-750 нм, что соответствует видимому спектру оптического излучения. Такой диапазон спектра излучения источника выбран в связи с его использованием для передачи данных в технологии Li-Fi. Набор нейтральных светофильтров позволяет ослаблять интенсивность оптического излучения в диапазоне 10-5-10-10 Вт/см2. Полупрозрачное зеркало разделяет оптическое излучение на два пучка одинаковой интенсивности. Один из пучков поступает на дозиметр оптического излучения марки ЛД-07, другой - через диафрагму в оптическую систему, позволяющую направлять пучок излучения под разными углами а относительно нормальной плоскости к фоточувствительной поверхности Si-ФЭУ. Угол а изменяется от 90 до -90°. Система формирует такой диаметр пучка
оптического излучения, при котором пятно оптического излучения полностью покрывает квадратные фоточувствительные поверхности исследуемых Si-ФЭУ.
Геометрия расположения Si-ФЭУ в эксперименте такова, что расстояние l от выхода оптической системы до его фоточувствительной поверхности удовлетворяет условию All < 0,01, где А - длина стороны квадрата фоточувствительной поверхности [10]. Постоянное напряжение питания на Si-ФЭУ подается от блока питания, который изменяет напряжение, приложенное к Si-ФЭУ. Для ограничения тока, протекающего через Si-ФЭУ, подключено сопротивление нагрузки = 1 кОм. Для измерения тока используется амперметр. Напряжение питания ип, приложенное к Si-ФЭУ, определяется вольтметром. При закрытой диафрагме амперметр регистрирует темновой ток /т. При открытой диафрагме амперметр измеряет общий ток I, определяемый суммой темнового тока 1т и фототока Тф. Фототок определяется как разность между общим и темновым токами: 1ф = I - Тт.
Поскольку исследуемые Si-ФЭУ имеют различные напряжения пробоя ипр, то для сравнения их характеристик использовано перенапряжение AU = ип - ипр. Исследования проводили в диапазоне перенапряжений от - 0,5 до 1,0 В. Для больших значений перенапряжений наблюдалось значительное увеличение темнового тока, что могло привести к тепловому пробою Si-ФЭУ. При меньших значениях перенапряжения коэффициент умножения Si-ФЭУ приблизительно равен единице. Напряжение пробоя определяли по ВАХ Si-ФЭУ при закрытой диафрагме по методике, описанной в работе [11]. Для каждого перенапряжения из исследуемого интервала подбирали интенсивность оптического излучения J, соответствующая динамическому диапазону Si-ФЭУ перенапряжения. Фототок зависит от интенсивности оптического излучения и чувствительности S Si-ФЭУ, определяемой по формуле S = Тф/J. При измерении угла ß интенсивность оптического излучения оставалась постоянной.
Определяли зависимость фототока от угла падения а оптического излучения на фоточувствительную поверхность. По полученным данным вычисляли диаграмму направленности - зависимость S от а. Угол ß определяется как сумма двух углов |ß1| и |ß2|, лежащих в нормальной плоскости к фоточувствительной поверхности Si-ФЭУ и отложенных соответственно с правой и левой сторон от оси, проведенной под углом а = 0° к такой плоскости. Углы |ß1| и |ß2| соответствуют направлению пучков оптического излучения, при которых чувствительность становится равной нулю. Все измерения проводили при комнатной температуре (T = 293 К). При измерении угла ß выполнены требования по расходимости оптического пучка и погрешности измерений согласно [10].
Результаты измерений и их обсуждение. На рис. 2 представлены диаграммы направленности для AU = 0 В и длины волны X = 470 нм. При таком перенапряжении отношение сигнал l шум исследуемых фотоприемников имеет максимальное значение [12, 13], поэтому напряжение пробоя считается рабочим напряжением для исследуемых Si-ФЭУ. Выбранная длина волны соответствует максимуму спектральной чувствительности исследуемых Si-ФЭУ [14]. Для других длин волн диаграммы имеют аналогичный вид.
Как видно из рис. 2, максимальное значение чувствительности наблюдается при а = 0° для всех исследуемых Si-ФЭУ. Так, S = 1,2-104; 5,5-104; 7,8-104 А/Вт для Si-ФЭУ КОФ5-1035, ON Semi FC 30035 и Ketek РМ 3325 соответственно. При построении диаграмм чувствительности нормированы на максимальное значение Smax для соответствующих Si-ФЭУ. Отметим, что полученные значения чувствительности симметричны справа и слева относительно оси, проведенной под углом а = 0°. При значениях а = ± 60° чувствительность Si-ФЭУ К0Ф5-1035 уменьшается до 0,62Smax. При изменениях угла а от 60 до 90° и от - 60 до - 90° чувствительность К0Ф5-1035 уменьшается
Рис. 2. Диаграмма направленности Si-ФЭУ: а - КОФ5-1035; б - ON Semi FC 30035;
в - Ketek РМ 3325 Fig. 2. Silicon photomultiplier radiation pattern: a - КОФ5-1035; b - Ketek РМ 3325; с - ON Semi FC 30035
до нуля (рис. 2, а). Для Si-ФЭУ ON Semi FC 30035 при а = ± 80° чувствительность уменьшается до 0,82Smax, а при изменениях угла а от 80 до 90° и от - 80 до - 90° чувствительность уменьшается до нуля (рис. 2, б). Для Si-ФЭУ Ketek РМ 3325 при а = ± 800 чувствительность уменьшается до 0,80^max, а при изменениях угла а от 80 до 90° и от - 80 до - 90° чувствительность уменьшается до нуля (рис. 2, в).
Угол ß для исследуемых Si-ФЭУ при AU = 0 В и длине волны регистрируемого оптического излучения X = 470 нм имеет следующие значения: 160° для Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035, 120° для КОФ5-1035. Различие в значениях угла ß связано с тем, что для их изготовления использованы материалы с разными показателями преломления на границе воздух - фоточувствительная поверхность. Поэтому оптическое излучение, падающее на фоточувствительную поверхность под разными углами а, имеет разные значения коэффициента френелевского отражения. Угол ß зависит от конструкции корпуса Si-ФЭУ. Отметим, что конструкции корпусов Si-ФЭУ Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035 аналогичны, поэтому фотоприемники имеют одинаковые углы ß. Конструкция корпуса К0Ф5-1035 существенно отличается от конструкции корпусов других исследуемых Si-ФЭУ, поэтому значение угла ß для данных Si-ФЭУ другое.
Установлено, что значение угла ß зависит от перенапряжения для всех исследуемых Si-ФЭУ. Такие зависимости для длины волны оптического излучения X = 470 нм представлены на рис. 3. Для других длин волн данные зависимости имеют аналогичные вид и поведение. Из рис. 3 видно, что увеличение перенапряжения от - 0,5 до 0 В приводит к росту угла ß, а зависимость угла ß от перенапряжения практически пропорциональная и характеризуется коэффициентом Aß/AUn, где Aß - изменение плоского угла зрения при изменении перенапряжения AUп. Коэффициент пропорциональности для всех зависимостей одинаковый и равен Aß/AUn = 80,0 градус/В. Дальнейшее увеличение перенапряжения практически не приводит к изменению угла ß. Зависимость угла ß от перенапряжения обусловлена тем, что чувствительность исследуемых Si-ФЭУ зави-
Рис. 3. Зависимость плоского угла зрения р от перенапряжения AU: 1 - Ketek РМ 3325;
2 - ON Semi FC 30035; 3 - КОФ5-1035 Fig. 3. The dependence of the flat viewing angle р on the magnitude of the overvoltage AU: 1 - Ketek РМ 3325; 2 - ON Semi FC 30035;
3 - К0Ф5-1035
сит от перенапряжения [14]. При увеличении перенапряжения повышается чувствительность Si-ФЭУ. Повышение чувствительности приводит к тому, что для углов а часть оптического пучка излучения, не отраженная от фоточувствительной поверхности, а поглощенная в фотоприемнике, не регистрируется при небольших перенапряжениях. При повышении AU она начинает регистрироваться. Для AU > 0 В регистрируется все поглощенное в фотоприемнике оптическое излучение.
Для исследуемого диапазона перенапряжения при AU = - 0,5 В угол ß = 80; 120; 120° для КОФ5-1035, Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035 соответственно; при AU = 1 В угол ß = 130, 170 и 170° для К0Ф5-1035, Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035 соответственно. Угол ß рассматриваемых Si-ФЭУ в исследуемом диапазоне перенапряжений для всех длин волн оптического излучения изменяется примерно на 35 % для всех исследуемых фотоприемников.
На рис. 4 представлены зависимости угла ß от длины волны оптического излучения X при AU = 0 В. Для других значений перенапряжений данные зависимости имеют аналогичный вид. Как видно из рисунка, зависимость угла ß от длины волны оптического излучения незначительная.
Максимальное значение угол ß принимает при длине волны X = 470 нм, минимальное -при X = 750 нм. Относительное отклонение значения угла ß от среднего значения для Si-ФЭУ Ketek РМ 3325 составило 3 %, ON Semi FC 30035 - 5 %, К0Ф5-1035 - 4 %. Отклонение, по всей видимости, связано с зависимостями чувствительности и показателя преломления на границе воздух - фоточувствительная поверхность для исследуемых Si-ФЭУ от длины волны оптического излучения.
Заключение. Результаты проведенного исследования показали, что для рабочего напряжения питания и длины волны оптического излучения X = 470 нм наибольший плоский угол зрения ß имеют Si-ФЭУ Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035, а наименьший -К0Ф5-1035. Определено, что при изменении длины волны оптического излучения в диапазоне 380-750 нм плоский угол зрения ß изменяется для всех исследуемых Si-ФЭУ.
Установлено, что увеличение перенапряжения приводит к росту плоского угла зрения ß. Сильная зависимость изменения плоского угла зрения от перенапряжения наблюдается в диапазоне перенапряжений от -0,5 до 0 В и слабая - от 0 до 1 В, что обусловлено характером зависимости чувствительности от напряжения питания исследуемых фотоприемников.
Рис. 4. Зависимость плоского угла зрения ß от длины волны оптического излучения X: 1 - Ketek РМ 3325; 2 - ON Semi FC 30035;
3 - КОФ5-1035 Fig. 4. The dependence of the flat viewing angle ß on the wavelength of optical radiation X: 1 - Ketek РМ 3325; 2 - ON Semi FC 30035;
3 - К0Ф5-1035
Литература
1. Arya V., Priya P., Omanakuttan R., Baby S. LiFi: The future technology in wireless communication // International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering. 2015. Vol. 4. Iss. 4. P. 2340-2343.
2. Sarkar A., Agarwal S., Nath A. Li-Fi technology: Data transmission through visible light // International Journal of Advance Research in Computer Science and Management Studies. 2015. Vol. 3. Iss. 6. P. 1-12.
3. Макаренко В. Технология LI-FI как альтернатива WI-FI // ЭКиС. 2020. № 1 (229). С. 46-51.
4. Исследование пропускной способности оптического канала с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя / В. Б. Залесский, И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич и др. // Изв. вузов. Электроника. 2021. Т. 27. № 1. С. 50-58. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-50-58
5. Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В. Исследование пропускной способности оптического канала связи с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя в условиях фоновой засветки // Прикладная физика. 2022. № 1. С. 28-33. https://doi.org/10.51368/1996-0948-2022-1-28-33
6. A comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / Н. T. van Dam, S. Seifert, R. Vinke et al. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254-2266. https://doi.org/10.1109/TNS.2010.2053048
7. Modi M. N., Daie K., Turner G. C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon photomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. Iss. 24. Р. 35830-35841. https://doi.org/10.1364/0E.27.035830
8. Кремниевый фотоэлектронный умножитель: новые возможности / С. Клемин, Ю. Кузнецов, Л. Филатов и др. // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2007. № 8 (82). С. 80-86. EDN MXFDPF.
9. ГОСТ Р 59605-2021. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. М.: Рос. ин-т стандартизации, 2021. IV, 41 с.
10. ГОСТ Р 59607-2021. Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерений фотоэлектрических параметров и определения характеристик. М.: Рос. ин-т стандартизации, 2021. IV, 53 с.
11. Гулаков И. Р., Зеневич А. О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: ВГКС, 2012. 276 с.
12. Работа кремниевых фотоэлектронных умножителей со структурой p+-p-n+ в режиме однокван-товой регистрации / М. А. Асаёнок, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина и др. // Весщ Нацыянальнай акадэми навук Беларуси Серыя фiзiка-тэхнiчных навук. 2020. Т. 65. № 3. С. 348-355. https://doi.org/10.29235/1561-8358-2020-65-3-349-356
13. Silicon photomultipliers signal-to-noise ratio in the continuous wave regime / G. Adamo, A. Parisi, S. Stivala et al. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2014. Vol. 20. Iss. 6. P. 284-290. https://doi.org/10.1109/JSTQE.2014.2346489
14. Гулаков И. Р., Зеневич А. О., Кочергина О. В. Спектральные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Успехи прикладной физики. 2021. Т. 9. № 2. С. 164-171. EDN FWZGRZ.
Статья поступила в редакцию 09.01.2023 г.; одобрена после рецензирования 23.01.2023 г.;
принята к публикации 30.03.2023 г.
Информация об авторах
Гулаков Иван Романович - доктор технических наук, профессор кафедры математики и физики Белорусской государственной академии связи (Беларусь, 220114, г. Минск, ул. Ф. Скорины, 8, стр. 2), gulakov@bsu.by
Зеневич Андрей Олегович - доктор технических наук, профессор, ректор Белорусской государственной академии связи (Беларусь, 220114, г. Минск, ул. Ф. Скорины, 8, стр. 2), a.zenevich@bsac.by
Кочергина Ольга Викторовна - аспирант кафедры математики и физики Белорусской государственной академии связи (Беларусь, 220114, г. Минск, ул. Ф. Скорины, 8, стр. 2), o.kochergina@bsac.by
References
1. Arya V., Priya P., Omanakuttan R., Baby S. LiFi: The future technology in wireless communication. International Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation Engineering, 2015, vol. 4, iss. 4, pp. 2340-2343.
2. Sarkar A., Agarwal S., Nath A. Li-Fi technology: Data transmission through visible light. International Journal of Advance Research in Computer Science and Management Studies, 2015, vol. 3, iss. 6, pp. 1-12.
3. Makarenko V. LI-FI technology as an alternative to WI-FI. EKiS = Electronic Components and Systems, 2020, no. 1 (229), pp. 46-51. (In Russian).
4. Zalessky V. B., Gulakov I. R., Zenevich A. O., Kochergina O. V., Tsymbal V. S. Investigation of the optical communication channel throughput with an information receiver in the form of a silicon photomultiplier. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2021, vol. 27, no. 1, pp. 50-58. (In Russian). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-50-58
5. Gulakov I. R., Zenevich A. O., Kochergina O. V. Investigation of the optical communication channel throughput of an information receiver in the form of a silicon photomultiplier tube under conditions of background illumination. Prikladnaya fizika = Applied Physics, 2022, no. 1, pp. 28-33. (In Russian). https://doi.org/10.51368/1996-0948-2022-1-28-33
6. Van Dam H. T., Seifert S., Vinke R., Dendooven P., Lohner H., Beekman F. J., Schaart D. R. A comprehensive model of the response of silicon photomultipliers. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2010, vol. 57, no. 4, pp. 2254-2266. https://doi.org/10.1109/TNS.2010.2053048
7. Modi M. N., Daie K., Turner G. C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon photomultipliers. Optics Express, 2019, vol. 27, iss. 24, pp. 35830-35841. https://doi.org/10.1364/OE.27.035830
8. Clemin S., Kuznetsov J., Filatov L., Budjan P., Dolgoshein B., Ilyin A., Popova E. Silicon photoelectronic multiplier. New opportunity. Elektronika: Nauka, tekhnologiya, biznes = Electronics: Science, Technology, Business, 2007, no. 8 (82), pp. 80-86. (In Russian). EDN MXFDPF.
9. GOST R 59605-2021. Optics and photonics. Semiconducting photoelectric detectors. Photoelectric and photoreceiving devices. Terms and definitions. Moscow, Ros. in-t standartizatsii Publ., 2021. iv, 41 p. (In Russian).
10. GOST R 59607-2021. Optics and photonics. Semiconducting photoetectric detectors. Photoelectric and photoreceiving devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics. Moscow, Ros. in-t standartizatsii Publ., 2021. iv, 53 p. (In Russian).
11. Gulakov I. R., Zenevich A. O. Photoreceivers of quantum systems. Minsk, VGKS Publ., 2012. 276 p. (In Russian).
12. Asayonak M. A., Zenevich A. O., Kacharhina V. V., Novikov Ya. V., Saroka S. A. Operation of silicon photoelectronic multipliers with the structure p+-p-n+ in the single quantum registration mode. Vyestsi Na-tsyyanal'nay akademii navuk Byelarusi. Syeryya fizika-tekhnichnykh navuk = Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series, 2020, vol. 65, no. 3, pp. 348-355. (In Russian). https://doi.org/10.29235/1561-8358-2020-65-3-349-356
13. Adamo G., Parisi A., Stivala S., Tomasino A., Agrô D., Curcio L., Giaconia G. C., Busacca A., Fallica G. Silicon photomultipliers signal-to-noise ratio in the continuous wave regime. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2014, vol. 20, iss. 6, pp. 284-290. https://doi.org/10.1109/JSTQE.2014.2346489
14. Gulakov I. R., Zenevich A. O., Kochergina O. V. Investigation of the spectral characteristics of silicon photomultiplier tubes. Uspekhi prikladnoy fiziki = Advances in Applied Physics, 2021, vol. 9, no. 2, pp. 164-171. (In Russian). EDN FWZGRZ.
The article was submitted 09.01.2023; approved after reviewing 23.01.2023;
accepted for publication 30.03.2023.
Information about the authors Ivan R. Gulakov - Dr. Sci. (Eng.), Prof. of the Mathematics and Physics Department, Belarusian State Academy of Communications (Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8, bld. 2), gulakov@bsu.by
Andrey O. Zenevich - Dr. Sci. (Eng.), Prof., Rector, Belarusian State Academy of Communications (Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8, bld. 2), a.zenevich@bsac.by
Olga V. Kochergina - PhD student of the Mathematics and Physics Department, Belarusian State Academy of Communications (Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8, bld. 2), o.kochergina@bsac.by
