CC BY
31УДК 621.383.292:546.28
DOI: 10.24151/1561-5405-2021-26-1-30-39
Исследование динамического диапазона кремниевых фотоэлектронных умножителей
А.О. Зеневич, О.В. Кочергина
Белорусская государственная академия связи, г. Минск, Беларусь o.kochergina@bsac. by
Для детектирования оптического излучения малой интенсивности все чаще используются многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители». Однако не все характеристики этих фотоприемников достаточно хорошо изучены, например отсутствуют сведения о влиянии напряжения питания на динамический диапазон. В работе для изучения динамического диапазона в качестве объектов исследования использованы опытные образцы кремниевых фотоэлектронных умножителей с p+-p-n+-структурой производства ОАО «Интеграл» (Беларусь), а также серийно выпускаемые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Определено, что рост напряжения питания ведет к уменьшению критической и пороговой интенсивностей. Показано, что зависимость динамического диапазона от напряжения питания имеет максимум. В фотоприемных устройствах на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей для обеспечения максимального динамического диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.
Ключевые слова: кремниевый фотоэлектронный умножитель; динамический диапазон; критическая интенсивность; пороговая интенсивность
Для цитирования: Зеневич А.О., Кочергина О.В. Исследование динамического диапазона кремниевых фотоэлектронных умножителей // Изв. вузов. Электроника. 2021. Т. 26. № 1. С. 30-39. DOI: 10.24151/1561-5405-2021-26-1-30-39
© А.О. Зеневич, О.В. Кочергина, 2021
Investigation of Dynamic Range of Silicon Photoelectronic Multiplyers
A.O. Zenevich, O. V. Kochergina
Belarusian State Academy of Communications, Minsk, Belarus o.kochergina@bsac.by
Abstract. For detecting the low-intensity optical radiation the silicon photoelectronic multiplyers are used more often. However, not all characteristics of these photoelectronic multiplyers have been thoroughly studied. So, there is no information about the influence of supply voltage on the value of the dynamic range. In the work as the study objects, the test specimens Si-PEM with a p+-p-n+ structure, produced by JSC Integral (Republik of Belarus), have been used, as well as the serially produced silicon photomultiplyers Ketek PM 3325 and ON Semi FC 30035. It has been found that an increase in the supply voltage leads to the critical decrease. It has been discovered that an increase an in the supply voltage leads to a decreased value of the threshold intensity. It has been proved that the dependence of the dynamic range on the supply voltage has a maximum. To ensure the maximum dynamic range of registration in the photo-detector devices based on the Si-photomultiplier tubes, it is necessary to select the photo-detector supply voltage, corresponding to this maximum. The results obtained in this article can be applied in the development and design of the devices for recording the optical radiation based on silicon photomultiplier tubes.
Keywords. dynamic range; silicon photomultiplier tube; critical intensity; threshold intensity
For citation. Zenevich A.O., Kochergina O.V. Investigation of dynamic range of silicon photoelectronic multiplyers. Proc. Univ. Electronics, 2021, vol. 26, no. 1, pp. 30-39. DOI. 10.24151/1561-5405-2021-26-1-30-39
Введение. В настоящее время для детектирования оптического излучения малой интенсивности наиболее часто применяются электровакуумные фотоэлектронные умножители и лавинные фотоприемники [1, 2]. Среди них наиболее перспективны многоэлементные лавинные фотоприемники, которые получили название «кремниевые фотоэлектронные умножители» (Si-ФЭУ). Это связано с тем, что Si-ФЭУ по сравнению с электровакуумными фотоэлектронными умножителями характеризуются достаточно низким напряжением питания, высокой чувствительностью в видимой и ближней инфракрасной области спектра, высокой механической прочностью. Отличительными особенностями Si-ФЭУ от других типов лавинных фотоприемников являются большая площадь фоточувствительной поверхности и достаточно высокий коэффициент усиления фототока. Структура Si-ФЭУ представляет собой матрицу из p-n-переходов, подключенных параллельно друг другу и имеющих одну общую нагрузку [2]. Каждый p-n-переход матрицы - это лавинный фотодиод. Одной из наиболее важных характеристик лавинного фотоприемника является динамический диапазон [3]. Однако, несмотря на большое количество публикаций по исследованию характеристик Si-ФЭУ [4-6], сведения о влиянии на динамический диапазон такого фактора, как напряжение питания, отсутствуют.
Цель настоящей работы - исследование зависимости динамического диапазона Si-ФЭУ от напряжения питания.
Методика исследования. В качестве объектов исследования использовались опытные образцы Si-ФЭУ с p+-p-n+-структурой производства ОАО «Интеграл» (Беларусь), а также серийно выпускаемые Si-ФЭУ Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. На рис.1 показана структурная схема экспериментальной установки для выполнения исследований.
Рис.1. Структурная схема экспериментальной установки: И1, И2 - источники постоянного напряжения; С - светодиод; Н - набор нейтральных светофильтров; Д - диафрагма; А - амперметр; В - вольтметр; R - резистор нагрузки; СК - светонепроницаемая камера; ИИ - устройство
измерения интенсивности оптического излучения; ДОИ - делитель оптического излучения Fig.1. Structural diagram of the experimental setup: И1, И2 - constant radiations source; С - light-emitting diode; Н - set of light filters; Д - diaphragm; А - ammeter; В - voltmeters; R - load resistor; СК - light-proof camera; ИИ - device for measuring the intensity of optical radiation; ДОИ - the divisor
of optical radiation
В качестве источника оптического излучения используется светодиод, питание которого осуществляется источником постоянного напряжения И1. Длина волны оптического излучения составляет 650 нм. Оптическое излучение ослабляется набором нейтральных светофильтров, затем подается через диафрагму и делитель оптического излучения (ДОИ) на Si-ФЭУ. С помощью набора нейтральных светофильтров обеспечивается изменение интенсивности оптического излучения от 10-10 до 10-5 Вт/см2. ДОИ разделяет оптический сигнал на два таким образом, что 50 % интенсивности его излучения поступает на вход измерителя интенсивности и 50 % подается на Si-ФЭУ. Для исключения фоновой засветки фотоприемника в светонепроницаемую камеру помещены следующие элементы экспериментальной установки: светодиод, набор нейтральных светофильтров, диафрагма, ДОИ, измеритель интенсивности и Si-ФЭУ. Источник питания И2 подает на Si-ФЭУ постоянное напряжение Uu, которое контролируется вольтметром. Под воздействием оптического излучения в Si-ФЭУ формируется фототок, из-мерямый амперметром. Последовательно с Si-ФЭУ подсоединен нагрузочный резистор. Если диафрагма закрыта, то амперметр регистрирует темновой ток /т, протекающий через Si-ФЭУ в отсутствие оптического излучения [7]. Если диафрагма открыта, то амперметр регистрирует общий ток I, т.е. состоящий из темнового тока и фототока [7].
Значение фототока Тф находилось как разность общего фототока и темнового тока: Тф = I - Тт.
Согласно работе [3] при измерении динамического диапазона устанавливается начальное значение интенсивности оптического излучения У, при котором фототок в два раза превышает темновой ток. Определяются соответствующие значения интенсивности излучения и фототока. Процедура увеличения интенсивности оптического излучения на фиксированное значение и регистрации соответствующего значения интенсивности и фототока повторяется циклически. Число таких циклов равно десяти. По полученным данным строится энергетическая характеристика фототока Тф = /(У) для определения значения критической интенсивности излучения Укрит, при которой отклонение фототока от линейного закона зависимости Тф = /(У) составляет 20 % [3].
Для интенсивностей оптического излучения, соответствующих участку энергетической характеристики Si-ФЭУ, на котором выполняется линейный закон, отношение сигнал/шум (С/Ш) определяется выражением
I - Л.
С/Ш = ■
2 elFMB + 4*П>
Я
где е - заряд электрона; Г - шум-фактор; М - коэффициент усиления общего тока; В - полоса пропускания фотоприемника; к - константа Больцмана; Т - температура; Я - сопротивление нагрузки.
Шум-фактор для Si-ФЭУ определяется выражением
F = {М2 > / М2,
где <М2> - среднее значение квадрата коэффициента усиления общего тока М = Т/То; I, Т0 - соответственно общий ток, протекающий через Si-ФЭУ при напряжении питания ипит > 5 В и ипит = 5 В. Отметим, что при ипит = 5 В коэффициент усиления общего тока и фототока для исследуемых Si-ФЭУ считался равным единице [4].
Полоса пропускания фотоприемника оценивается на основании выражения
В = 1/(2пКС),
где С - собственная емкость фотоприемника [4].
Сопротивление нагрузки Я определяется исходя из эквивалентной схемы, представленной в [8]:
я = яс ян/(я + я),
где Яс - собственное сопротивление фотоприемника, определяемое по ВАХ; Ян - сопротивление резистора нагрузки Si-ФЭУ. Минимальная интенсивность излучения (пороговая интенсивность, Упор), которую можно зарегистрировать Si-ФЭУ, вычисляется по формуле
У = (1)
пор С/Ш, ( )
где У1 - среднее квадратическое значение интенсивности излучения; С/Ш - отношение сигнал/шум, соответствующее У1 [3].
Динамический диапазон Б определяется согласно работе [3]:
У
^ _ крит
3пор
Исследования проводятся при температуре окружающей среды 293 К.
Напряжение пробоя Uпр Si-ФЭУ определяется по ВАХ на основании методики, описанной в работе [2]. Поскольку исследуемые Si-ФЭУ имеют разные напряжения пробоя, то для сравнения их характеристик применяется величина перенапряжения, определяемая следующим образом: AU = Un - ипр. Исследования проводятся в диапазоне перенапряжений AU = -1,5 ... 1,0 В. Данный диапазон обусловлен тем, что при меньших значениях перенапряжения значения критической и пороговой интенсивностей, динамического диапазона и чувствительности изменяются незначительно. При больших значениях перенапряжений наблюдается значительное увеличение темновых токов, что приводит к росту уровня шума, а также к тепловому пробою Si-ФЭУ.
Результаты и их обсуждение. Оценка напряжения пробоя показала следующее: Цпр = 27,0; 24,7; 37,5 В для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно.
На рис.2 представлены энергетические характеристики фототока для трех исследуемых Si-ФЭУ при AU = 1,0 В и X = 650 нм. Для других перенапряжений вид этих зависимостей аналогичный. Как видно из рисунка, выборки имеют линейные участки, в диапазоне которых оцениваются значения S = А/ф/AJ, характеризующие фоточувствительность изделий (А/ф, AJ - изменения фототока и интенсивности).
/ф,><10-6А
0 1 2 3 4 5 J, 10"6 Вт/см2
Рис.2. Зависимость фототока /ф от интенсивности засветки J для трех типов фотоприемников: 1 - ON Semi FC 30035; 2 - Кетек РМ 3325; 3 - Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» Fig.2. Dependence of the photocurrent /ф on the intensity of illumination J for three Si-PEM:
1 - ON Semi FC 30035; 2 - Кетек РМ 3325; 3 - Si-PEM OJSC «Integral»
Критическая интенсивность для случая, представленного на рис.2, равна: /крит = 1,5; 0,5; 3,5 мкВт/см2 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. Для Si-ФЭУ с большей фоточувствительностью значение критической интенсивности меньше по сравнению с Si-ФЭУ с меньшей фоточувствительностью. Наличие насыщения фототока на зависимостях /ф = f(J) при интенсивно-стях оптического излучения, больших /крит, вызвано экранировкой неосновными носителями электрического поля в области пространственного заряда (ОПЗ) ^-n-перехода и понижением коэффициента усиления. Так, для AU = 0,5 В и J = 0,3 мкВт/см (значение меньше критического) коэффициент усиления общего тока составил: М = 1,2103; 2,0 104; 3,6103 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. При J = 4,0 мкВт/см2 (значение больше критическо-
3 3 3
го) коэффициент усиления общего тока составил: М = 0,3 10 ; 2,8 10 ; 2,3 10 для Кетек
РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл». Таким образом, чем больше значение J отличается от /крит, тем значительнее уменьшение М.
Увеличение перенапряжения в диапазоне AU = -1,5 ... 1,0 В приводит к уменьшению значения критической интенсивности для всех исследуемых фотоумножителей (рис.3,а). Такое поведение зависимостей критического значения интенсивности от перенапряжения обусловлено увеличением фоточувствительности и коэффициента усиления общего тока Si-ФЭУ. Все это приводит к тому, что при меньших перенапряжениях сформировать количество неосновных носителей заряда в ОПЗ p-n-переходов, которое значимо уменьшают там напряженность электрического поля, удается при более высоких значениях интенсивности оптического излучения, чем для больших AU. Так, для AU = -1,5 В коэффициент усиления общего тока и чувствительность к интенсивности оптического излучения имеют следующие значения: М = 9; 3; 22 и S = 2,20; 0,05; 0,60 Асм2/Вт для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. Напротив, при AU = 1,0 В эти же величины принимали следующие значения: М = 4,2103; 4,0104; 11,5 103 и S = 267,0; 680,0; 128,0 Асм2/Вт для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно.
Во всем диапазоне перенапряжений критические значения интенсивности имеют более высокие значения для Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» по сравнению с другими Si-ФЭУ. Это связано с тем, что Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» имеют меньшую фоточувствительность к интенсивности оптического излучения, а также меньший коэффициент усиления фототока при всех перенапряжениях по сравнению с Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035.
В интервале перенапряжений AU = -1,5 ... 0,5 В фоточувствительность к интенсивности оптического излучения и коэффициент усиления общего тока Кетек РМ 3325 превосходят ON Semi FC 30035. Поэтому в этом интервале критические значения интенсивности имеют более высокие значения для Кетек РМ 3325, чем для ON Semi FC 30035. При AU > 0,5 В ON Semi FC 30035 характеризуются большими значениями чувствительности к интенсивности оптического излучения и коэффициента усиления общего тока, чем Кетек РМ 3325 М. В связи с этим при таких перенапряжениях критические значения интенсивности для ON Semi FC 30035 превосходят значения Кетек РМ 3325.
Наиболее сильная зависимость между критическим значением интенсивности и перенапряжением наблюдается для интервала перенапряжений AU = -0,5 ... 0,5 В (см. рис.3,а). Для оценки данной зависимости используется отношение изменения критической интенсивности Л/крит к изменению приложенного к Si-ФЭУ напряжения питания AUott. Так, в рассматриваемом интервале перенапряжений AJ^^/AUn^ = 7,7; 10,4; 8,5 мкВт/(см2В) для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. Для других интервалов перенапряжений AJ^i/AUum принимает меньшие значения. Так, в диапазоне AU = -1,5 ... -0,5 В значения AJ^r/AU^ = 2,0; 1,0; 1,0 мкВт/(см2В) для ON Semi FC 30035; Кетек РМ 3325; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. В диапазоне AU = 0,5 ... 1,0 В значения AJкрит/AUпит = 3,0; 3,0; 1,0 мкВт/(см2В) для ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл»; Кетек РМ 3325 соответственно. Поэтому для обеспечения постоянства значения критического значения интенсивности в интервале перенапряжений AU = -0,5 ... 0,5 В необходимо предъявлять более высокие требования к стабильности напряжения питания Si-ФЭУ. Отметим, что большее значение AJpm/AUnm среди исследуемых Si-ФЭУ имеют фотоприемники ON Semi FC 30035, а наименьшее - Кетек РМ 3325.
1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 AU, В
а
1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 AU, В
б
D
1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 AU, В
в
Рис.3. Зависимости критической интенсивности J^^ (а), пороговой интенсивности J^ (б), динамического диапазона D (в) от перенапряжения AU для трех типов фотоприемников:
1 - ON Semi FC 30035; 2 - Кетек РМ 3325; 3 - Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» Fig.3. Dependences of the critical intensity J^ (а), threshold intensity J^ (b), dynamic range D (c) on the overvoltage value for three Si-PEM: 1 - ON Semi FC 30035; 2 - Кетек РМ 3325;
3 - Si-PEM OJSC «Integral»
Определение шум-фактора F для всех исследуемых Si-ФЭУ показало постоянство его значения для всего указанного интервала перенапряжений (~1,0). Полоса пропускания B не изменяется в указанном интервале перенапряжений и остается практически одинаковой для всех исследуемых Si-ФЭУ (B « 1,6 МГц).
Пороговая интенсивность J^ определяется по формуле (1), при этом среднее квад-ратическое значение интенсивности излучения J1 = 0,5 Jkf®t. При таких значениях J1 отклонение фототока от линейного закона зависимости 1ф = f(J) не превышает 5 %.
На рис.3,6 представлены зависимости пороговой интенсивности от величины перенапряжения. Наименьшие значения пороговой интенсивности для всех исследуемых Si-ФЭУ получены при AU = 1,0 В: J^ = 0,9; 0,8; 3,5 нВт/см2 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно.
Уменьшение пороговой интенсивности с увеличением перенапряжения связано с ростом фоточувствительности и коэффициента усиления фототока [9, 10]. Все это увеличивает значение отношения сигнал/шум и, как следствие, приводит к уменьшению пороговой интенсивности. Значения отношения сигнал/шум, соответствующие полученным значениям интенсивности J = 1,0• 10 6 Вт/см2 при AU = -1,5 В, равны: С/Ш = 64; 16; 29 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. При такой же интенсивности и AU = 1,0 В: С/Ш = 1168; 1282; 301 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно.
Наиболее сильная зависимость между пороговой интенсивностью и перенапряжением наблюдается для интервала перенапряжений AU = -1,5 ... 0,0 В (см. рис.3,б). Для оценки данной зависимости используется отношение изменения пороговой интенсивности AJucf, к изменению приложенного к Si-ФЭУ напряжения питания AUпит. Так, в рассматриваемом интервале перенапряжений AJ^/AUm^ = 8,7; 36,9; 18,1 нВт/(см2В) для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. Для интервала перенапряжений AU = 0,0 ... 1,0 В значения Л/пор/^ипит = = 1,6; 7,8; 4,2 нВт/(см2В) для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно. Поэтому для обеспечения постоянства значения J^ в интервале перенапряжений AU = -1,5 ... 0,0 В необходимо предъявлять более высокие требования к стабильности напряжения питания Si-ФЭУ. Отметим, что большее значение AJirof/AUuOT среди исследуемых Si-ФЭУ имеют фотоприемники ON Semi FC 30035, а наименьшее - Кетек РМ 3325.
На рис.3,в представлены зависимости динамического диапазона от перенапряжения. Все зависимости имеют максимум. Положения максимумов соответствуют напряжению пробоя (т.е. AU = 0,0 В) и коррелируют с функциональными зависимостями, представленными на рис.3,а,б. Значения максимумов для исследуемых Si-ФЭУ имеют следующие значения: D = 2400; 1200; 1700 для Кетек РМ 3325; ON Semi FC 30035; Si-ФЭУ производства ОАО «Интеграл» соответственно.
Заключение. Исследования показали, что функциональные зависимости базовых параметров кремниевых фотоэлектронных умножителей имеют общие закономерности. В частности, рост перенапряжения ведет к уменьшению критической интенсивности и наиболее сильная зависимость критической интенсивности от перенапряжения наблюдается для AU = -0,1 ... 0,5 В. Поэтому при напряжениях питания Si-ФЭУ, соответствующих этому интервалу перенапряжений, необходимо обеспечивать более высокую его стабилизацию по сравнению с другими значениями перенапряжений. Увеличение перенапряжения приводит к уменьшению значения пороговой интенсивности. Наименьшее значение пороговой интенсивности 0,8 нВт/см имеют фотоприемники ON Semi FC 30035 при перенапряжении 1,0 В.
Зависимость динамического диапазона от перенапряжения имеет максимум, который для всех типов исследуемых Si-ФЭУ приходится на AU = 0,0 В. При создании фотоприемных устройств на основе Si-ФЭУ для обеспечения максимального динами-
ческого диапазона регистрации необходимо выбирать напряжения питания фотоприемника, соответствующие этому максимуму. Наибольшее значение динамического диапазона показали изделия Кетек РМ 3325.
Литература
1. Stagliano M., Abegaob L., Chierici A., d'Erricoa F. Silicon photomultiplier current and prospective applications in biological and radiological photonics // EPH - International Journal of Science and Engineering. 2018. Vol. 4. No. 10. P. 10-29.
2. Гулаков И.Р., Зеневич А.О. Фотоприемники квантовых систем. Минск: УО ВГКС, 2012. 276 с.
3. ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик. М.: Изд-во стандартов, 1988. 64 с.
4. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О., Новиков Е.В., Сорока С.А. Влияние параметров оптического излучения на амплитудные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей // Вес. Нац. акад. на-вук Беларуси Сер. фiз.-тэхн. навук. 2020. Т. 65. № 1. С. 104-109.
5. Comprehensive model of the response of silicon photomultipliers / H.T. van Dam, S. Seifert, R. Vinke et al. // Transactions on Nuclear Science. 2010. Vol. 57. No. 4. P. 2254-2266.
6. Modi M.N., Daie K., Turner G.C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon photomultipliers // Optics Express. 2019. Vol. 27. No. 24/25. Р. 35830-35841.
7. ГОСТ-21934-83. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1988. 37 с.
8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 кн. Кн. 2 / пер. с англ. 2-е изд. перераб. и доп. М.: Мир, 1984. 456 с.
9. Асаёнок, М.А., Зеневич А.О. Исследование характеристик кремниевых фотоэлектронных умножителей // Прикладная физика. 2018. № 6. С. 49-53.
10. Асаёнок М.А., Горбадей О.Ю., Зеневич А.О. Коэффициент усиления кремниевого фотоэлектронного умножителя с низким напряжением питания // Проблемы инфокоммуникаций. 2017. №2(6). С. 82-86
Поступила в редакцию 01.10.2020 г.; после доработки 01.10.2020 г.; принята к публикации 24.11.2020 г.
Зеневич Андрей Олегович - доктор технических наук, профессор, ректор Белорусской государственной академии связи (Беларусь, 220114, г. Минск, ул. Ф. Скорины, 8/2), a.zenevich@bsac.by
Кочергина Ольга Викторовна - аспирант кафедры математики и физики Белорусской государственной академии связи (Беларусь, 220114, г. Минск, ул. Ф. Скорины, 8/2), o.kochergina@bsac.by
References
1. Staglianoa M., Abegaob L., Chierici A., d'Erricoa F. Silicon photomultiplier current and prospective applications in biological and radiological photonics. EPH - /nternational Journal of Science And Engineering, 2018, no. 10, vol. 4, pp. 10-29.
2. Gulakov I.R., Zenevich А.О. Photodetectors of quantum systems: monograph. Minsk, VGKS Publ., 2012. 276 p. (in Russian).
3. GOST 17772-88. Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics. Moscow, Standards publishing house, 1988. 64 p. (in Russian).
4. Asayonak M.A., Zenevich A.O., Novikau Ya.V., Saroca S.A. Influence of optical radiation parameters on the amplitude characteristics of silicon photoelectron multipliers. Vestsi Natsyyanal'nai akademii navuk Belarusi. Seryya Fizika-Technichnych Navuk = Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical-technical series, 2020, vol. 65, no. 1, pp. 104-109 (in Russian).
5. Van Dam H.T., Seifert S., Vinke R., Dendooven P., Lohner H., Beekman F.J., Schaart D.R. A comprehensive model of the response of silicon photomultipliers. ^ansactions on Nuclear Science, 2010, no. 4, vol. 57, pp. 2254-2266.
6. Modi M.N., Daie K., Turner G.C., Podgorski K. Two-photon imaging with silicon photomultipliers.
Optics Express, 2019, no. 24/25, vol. 27, pp. 35830-35841.
7. GOST 21934-83. Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions. Moscow, Standards publishing house, 1988. 37 p. (in Russian).
8. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. Book 2. Moscow, Mir Publ., 1984. 456 p. (in Russian).
9. Asayonak M.A., Zenevich A.O. Investigation of the characteristics of silicon photomultipliers. Prikladnaya fizika = Applied Physics, 2018, no. 6, pp. 49-53 (in Russian).
10. Asayonak M.A., Zenevich A.O., Gorbadey O.Y. Amplification factor of silicon photoelectronic multipliers with low voltage supply. Problemy Infokommunikatsiy = Problems of Infocommunications, 2017, no. 2(6), pp. 82-86 (in Russian).
Received 01.10.2020; Revised 01.10.2020; Accepted 24.11.2020. Information about the authors:
Andrey O. Zenevich - Dr. Sci. (Eng.), Prof., Rector of the Belarusian State Academy of Communications (Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8/2), a.zenevich@bsac.by
Olga V. Kochergina - PhD student of the Mathematics and Physics Department, Belarusian State Academy of Communications (Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8/2), o.kochergina@bsac.by
Уважаемые авторы и читатели!
Вышел в свет журнал
SEMICONDUCTORS
Vol. 54, No. 13, 2020. - ISSN PRINT: 1063-7826,
ISSN ONLINE: 1090-6479, в котором опубликованы избранные статьи
журнала «Известия вузов. Электроника».
http://pleiades.online http://link.springer.com
