CC BY
12Научная статья УДК 531.768-181.48
^к10.24151/1561-5405-2022-27-1-68-79
Исследование функционирования чувствительного элемента микромеханического акселерометра сэндвич-конструкции емкостного типа в условиях паразитных воздействий по нерабочим осям и случайной вибрации
Йе Ко Ко Аунг, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Аннотация. Для обеспечения надежной работы и стабильности параметров микромеханических акселерометров (ММА) необходимо учитывать различные виды паразитных воздействий на этапе проектирования структуры чувствительного элемента (ЧЭ) и конструкции датчика в целом, а также на этапах их жизненного цикла. Учет реальных условий эксплуатации датчиков является одной из основных проблем разработчиков. В работе исследовано влияние случайной вибрации на функционирование двухэлектродного ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа, принцип работы которого основан на изменении относительной диэлектрической проницаемости диэлектрика конденсатора при воздействии ускорения. В рассматриваемом ЧЭ ММА с одной осью чувствительности инерционная масса подвешена на складчатых пружинах и находится между двумя фиксированными электродами. С использованием программы Ansys рассчитаны деформации инерционной массы и изменения емкости в ЧЭ ММА, возникающие при воздействии на него ускорения до 5 g по рабочей оси и до 50 g по нерабочим осям, а также случайной вибрации по рабочей оси Х и по нерабочим осям У и Z. Воздействующая на ЧЭ ММА случайная вибрация имеет профиль, частота которого составляет 20 Гц при 0,01 g2/Гц, от 80 до 350 Гц при 0,04 g2/Гц, 2000 Гц при 0,01 g2/Гц. Рассчитаны изменения емкости в ЧЭ ММА в условиях воздействия на него случайной вибрации. Полученные результаты подтверждают работоспособность ЧЭ ММА в условиях значительных воздействий по нерабочим осям. Для использования в условиях воздействия случайной вибрации исследованная модель ЧЭ ММА требует дальнейшей доработки.
Ключевые слова: чувствительный элемент, микромеханический акселерометр, случайная вибрация, остаточное механическое напряжение
Для цитирования: Йе Ко Ко Аунг, Симонов Б. М., Тимошенков С. П. Исследование функционирования чувствительного элемента микромеханического акселерометра сэндвич-конструкции емкостного типа в условиях паразитных воздействий по нерабочим осям и случайной вибрации // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 1. С. 68-79. doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-68-79
© Йе Ко Ко Аунг, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков, 2022
Original article
Study of the functioning of the sensitive element of a micromechanical capacitive accelerometer with a sandwich structure under the conditions of parasitic influences along non-working axes and random vibration
Ye Ko Ko Aung, B. M. Simonov, S. P. Timoshenkov
National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia [email protected]
Abstract. Various types of parasitic influences must be considered at the stage of designing sensitive element of a micromechanical capacitive accelerometer (MMA) and the whole MMA construction, and throughout its lifecycle stages, to ensure consistent performance and parameter stability of MMA. Due regard to actual operating conditions is a primary consideration for designers. In this work, the influence of random vibration on the functioning of a 2-electrode sensitive element of an MMA with a sandwich construction using the principle of operation based on a change in the relative dielectric constant of a capacitor dielectric under acceleration was investigated. In the structure of the investigated sensitive element with one axis of sensitivity, the inertial mass is suspended on folded springs and is located between two fixed electrodes. Using the Ansys program, the deformations of the inertial mass of the sensitive element and the change in the capacity in the sensitive element were calculated, which occur when it is exposed to acceleration up to 5 g along the working axis and up to 50 g along the non-working axes and random vibration along the working axis X and along the non-working axes Y and Z. The random vibration affecting the sensitive element had a profile, the frequency of which was 20 Hz at 0.01 g2/ Hz, the frequency from 80 to 350 Hz at 0.04 g2 / Hz, 2000 Hz at 0.01 g2 / Hz. The changes in the capacity in the sensitive element of MMA under the influence of random vibration on it were calculated. Results have been obtained that confirm the performance of the sensitive element of MMA under conditions of significant impacts along non-working axes. The investigated sensitive element model requires further refinement to be used under conditions of exposure to random vibration.
Keywords: sensitive element, micromechanical accelerometer, random vibration, residual mechanical stress
For citation: Ye Ko Ko Aung, Simonov B. M., Timoshenkov S. P. Study of the functioning of the sensitive element of a micromechanical capacitive accelerometer with a sandwich structure under the conditions of parasitic influences along non-working axes and random vibration. Proc. Univ. Electronics, 2022, vol. 27, no. 1, pp. 68-79. doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-68-79
Введение. В микромеханических акселерометрах (ММА) неисправности возникают вследствие усталости материалов, трения, влияния остаточного механического напряжения в конструктивах и деталях, а также по причинам, связанным с взаимодействием ММА с окружающей средой (удары, случайные вибрации, температурные
перепады, влажность, загрязнения механическими частицами, воздействие электрического разряда и др.) [1, 2]. Например, механические напряжения в местах соединений чувствительного элемента (ЧЭ) и корпуса, монтажа компонентов на многослойной печатной плате приводят к расслаиванию платы или появлению других дефектов конструкции, на плате электронной схемы управления и съема выделяемого информационного сигнала могут возникать короткие замыкания или обрывы в электропроводящих элементах. Для обеспечения надежной работы и стабильности параметров ММА необходимо учитывать все эти факторы как на этапе проектирования структуры ЧЭ и конструкции датчика в целом, так и на последующих этапах их жизненного цикла.
В настоящей работе исследуется ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа, функционирующий на основе изменения относительной диэлектрической проницаемости диэлектрика конденсаторов. Рассматривается влияние на его работу воздействия случайной вибрации [3]. В условиях случайной вибрации амплитуда и фаза изменяются случайным образом в отличие от синусоидальной вибрации, которая имеет постоянную амплитуду и фазу [4]. Воздействие случайной вибрации с той или иной резонирующей частотой может не вызывать какого-либо сбоя, но если две (или большее число) резонирующие частоты в устройстве возбуждаются одновременно, то повышается вероятность сбоя устройства. При испытаниях на воздействие случайной вибрации создаются условия, когда все резонансы в отдельных конструктивах испытуемого изделия могут происходить одновременно [5]. С использованием программы ЛйБуБ рассчитываются деформации, изменения емкостей, механические напряжения в ЧЭ ММА, выполненном из кремния с различной кристаллографической ориентацией поверхности.
Объект исследования. ЗБ-изображение ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа, выполненное в редакторе SOLIDWORKs, представлено на рис. 1. Подвижная масса подвешена между двумя стационарными электродами с помощью механических складчатых пружин, прикрепленных к рамке. Геометрические параметры конструкции ЧЭ ММА: подвижная инерционная масса из кремния 2450 х 2450 х 30 мкм (ширина, длина, толщина); одно звено складчатой пружины 10 х 1000 х 30 мкм; зазоры между подвижным и неподвижными электродами 10 мкм; неподвижные электроды на стеклянных пластинах 2500 х 2350 х 30 мкм.
Z X
Рис. 1. 3Б-изображение ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа: 1 - стекло; 2 - нижний электрод; 3 - подвижная инерционная масса; 4 - складчатые пружины; 5 - верхний электрод Fig. 1. 3D image of the sensitive element of a capacitive MMA with a sandwich structure: 1 - glass; 2 - lower electrode; 3 - movable inertial mass; 4 - folded springs; 5 - upper electrode
В работе [6] представлены результаты разработки и исследования модели ЧЭ ММА емкостного типа с одной осью чувствительности (ось Z). Работа такого ЧЭ ММА основана на изменении зазоров между подвижной инерционной массой и фиксированными электродами под действием ускорения. В данном случае используется принцип определения дифференциальной емкости между электродами. Практическое применение этого принципа требует учета возможных помех от сигналов по другим осям, когда на измеряемое ускорение по оси Z влияют сигналы от осей Y и X. Поэтому на практике возможно возникновение погрешности определения ускорения в ЧЭ ММА.
Рассмотрим ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа с одной осью чувствительности (ось Х), работа которого основана на принципе изменения относительной диэлектрической проницаемости диэлектрика конденсатора под действием ускорения. В сэндвич-конструкции данный принцип реализуется за счет введения (перемещения) в зазор между стационарными емкостными электродами подвижной инерционной массы из кремния (относительная диэлектрическая проницаемость кремния s = 12). Ее перемещение происходит под действием ускорения. В результате меняется относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика между обкладками конденсатора, которая и определяет изменение емкости в выходной измерительной цепи. Использование этого принципа имеет преимущества. Например, если ускорение воздействует на ЧЭ по осям Z или Y, то оно вызывает перемещение ЧЭ ММА, но изменения емкости между электродами не произойдет или оно будет крайне незначительным, что можно подтвердить с помощью программы моделирования Ansys Maxwell.
Анализ принципа работы ЧЭ ММА и моделирование механических свойств элементов конструкции. Рабочая ось акселерометра - Х. Перемещение инерционной массы ЧЭ ММА по оси Х под воздействием ускорения и случайной вибрации по осям Х, Y, Z рассчитано в программе Ansys. В данном исследовании регламентированный диапазон значений воздействующего ускорения тестируемого акселерометра составляет до 5 g по оси чувствительности Х, по двум другим осям паразитные воздействия не регламентированы, поэтому они взяты достаточно большими - до 50 g (в 10 раз больше максимального регламентированного значения ускорения по рабочей оси), как это обычно принято в подобных исследованиях.
При загрузке параметров случайной вибрации в программу Ansys использовали коэффициент демпфирования 0,001, встроенный в программу (т. е. для случая, когда ЧЭ ММА функционирует в вакууме) [7]. Воздействие случайной вибрации учитывали по трем осям и снова вычисляли изменения емкостей. Чтобы получить значения изменения емкостей, необходимо рассчитать перемещения инерционной массы ЧЭ ММА. В табл. 1 представлены значения отклонений инерционной массы ЧЭ ММА из кремния различной кристаллографической ориентации при воздействии ускорения по осям Х, Y, Z.
Согласно данным табл. 1, отклонения ЧЭ ММА по осям чувствительности Х и Y несущественно отличаются друг от друга для всех кристаллографических ориентаций кремния. Ускорение по оси чувствительности Хв 10 раз меньше ускорения, воздействующего на ЧЭ ММА по нерабочим осям Y и Z. Однако, как показали результаты расчета, значения перемещения ЧЭ ММА по оси чувствительности Х различаются незначительно при отсутствии и наличии воздействий по нерабочим осям Y и Z. Это означает, что ММА стабильно работает в условиях паразитных воздействий по нерабочим осям. Результат моделирования воздействия ускорения на ЧЭ ММА, механическая часть которого рассчитана для работы в диапазоне измерений до 5 g, представлен на рис. 2. Моделирование выполнено в программе Ansys, учтено влияние случайной вибрации на ЧЭ ММА.
Таблица 1
Отклонения, мкм, инерционной массы ЧЭ ММА при воздействии ускорения
по осям X, Y, Z
Table 1
Deformations, цш, of the inertial mass of the sensitive element of a capacitive MMA made of silicon when exposed to acceleration up to 5 g along the X axis and up to 50 g along the Z, Y axes
Ускорение Кристаллографическая ориентация кремния
(100) (110) (111)
5 g по оси X 1,5501 1,1991 1,0768
5 g по оси X 1,4902 1,1501 1,0349
и 50 g по оси Y
5 g по оси X 4,5624 3,3043 3,1542
и 50 g по оси Z
Рис. 2. Результат моделирования отклонения инерционной массы по оси чувствительности X при воздействии ускорения на ЧЭ ММА в диапазоне измерений до 5 g Fig. 2. The simulation result of the deformation of the inertial mass along the axis of sensitivity X under the action of acceleration on the sensitive element of a capacitive MMA in the measurement range up to 5 g
Исследованы отклонения инерционной массы ЧЭ ММА при воздействии на него случайной вибрации с использованием функции спектральной плотности мощности PSD (Power Spectral Density). Функция PSD представляет собой зависимость плотности виброускорения шума (квадрата ускорения на единицу ширины полосы частот, g2/T^ от частоты и должна быть определена при задании воздействия случайной вибрации [7]. Исследовано воздействие случайной вибрации по рабочей оси X на ЧЭ ММА в диапазоне 20-2000 Гц. Профиль воздействующего на ЧЭ ММА случайного вибрационного спектра отображается графиком PSD (рис. 3), который характеризует параметры вибрационного воздействия и является одним из показателей стойкости и прочности приборов.
Рассчитаны отклонения инерционной массы ЧЭ ММА по рабочей оси Х при воздействии случайной вибрации по осям X, Y и Z. Полученные результаты представлены в табл. 2. При моделировании в программе Ansys уровень напряжения принят равным 3 g при анализе влияния случайной вибрации на функционирование ЧЭ ММА [8]. Это означает, что максимальное отклонение, допускаемое случайной вибрацией, в 3 раза превышает стандартное отклонение ЧЭ ММА.
Полученные результаты (см. табл. 2) показывают, что наиболее значительные отклонения ЧЭ ММА при случайной вибрации имеют место по оси чувствительности Х, для кристаллографической ориентации кремния (100) эти отклонения оказались максимальными.
Таблица 2
Отклонения, мкм, инерционной массы ЧЭ ММА при воздействии случайной вибрации по осям X, Y, Z
Table 2
Déformations, цш, of the inertial mass of the sensitive element of a capacitive MMA when exposed to random vibration along the X, Y, Z axes
Рис. 3. Профиль спектральной плотности мощности виброускорения шума, воздействующего
на ЧЭ ММА Fig. 3. Power spectral density profile of vibration acceleration of noise affecting the sensitive element of a capacitive MMA
Ось Кристаллографическая ориентация кремния
(100) (110) (111)
X 11,18 8,7831 7,9359
Y 0,2168 0,1604 0,1425
Z 3,6524 1,0078 0,7836
Отметим, что на отклонение инерционной массы ЧЭ ММА существенно влияет жесткость торсионов, которая определяется их геометрическими размерами, формой сечения и кристаллографической ориентацией кремния. С повышением жесткости подвесов отклонения ЧЭ ММА уменьшаются. Несоответствие выходного сигнала образца ЧЭ ММА профилю спектральной плотности мощности при воздействии случайной вибрации может быть связано с очень большой амплитудой колебаний ЧЭ ММА. На рис. 4 представлен результат моделирования: отклонения инерционной массы из кремния с ориентацией (100). Результаты сравнения данных табл. 1 и 2 показывают, что отклонения инерционной массы по оси чувствительности Х под влиянием воздействия случайной вибрации и под воздействием ускорения 5 g заметно различаются (более чем на порядок), что говорит о неустойчивости исследованной модели ЧЭ ММА.
Двухэлектродная система ЧЭ ММА сэндвич-конструкции емкостного типа, работающего по принципу изменения относительной диэлектрической проницаемости диэлектрика конденсаторов под действием ускорения, в статическом состоянии (при отсутствии ускорения) показана на рис. 5, а.
Емкость между электродами в статическом состоянии определяется следующим выражением:
е _ 8са
С„ =
\AV\
( d -1 ) + ( -
-12
где Q - индуцированный заряд, Кл; ДV = V0 - разность потенциалов, В; в0 = 8,85 10 Ф/м -электрическая постоянная вакуума; A - площадь перекрытия обкладок, м2; d - расстояние между подвижным и неподвижными электродами, м; t - толщина подвижного электрода, м; в - относительная диэлектрическая проницаемость материала подвижного электрода (в рассматриваемом случае подвижный электрод - инерционная масса, выполненная из кремния).
Рис. 4. Результат моделирования отклонения инерционной массы ЧЭ ММА при воздействии случайной вибрации Fig. 4. The simulation result of the inertial mass of the sensitive element of a capacitive MMA when exposed to random vibration
Рис. 5. Двухэлектродная система ЧЭ ММА емкостного типа в статическом состоянии (а) и со смещением инерционной массы при воздействии ускорения (б) (E0 - напряженность электрического поля между неподвижным электродом и диэлектрическим материалом; ED - напряженность электрического поля
в материале подвижного электрода; D - длина неподвижного электрода; M - инерционная масса) Fig. 5. Two-electrode system of the sensitive element of a capacitive MMA in a static state (a) and under the influence of acceleration with a displacement of the inertial mass by the value x (b) (E0 is the intensity of the electric field between the fixed electrode and the dielectric material; ED is the intensity of the electric field in the material of the moving electrode; D - is the length of the fixed electrode; M- is the inertial mass)
При смещении подвижного электрода по оси чувствительности на величину х емкость между неподвижными электродами Снэ определяется выражением (рис. 5, б)
C = С + С
^н.э ^н.э1 ^ н.э2
или
С„„ =
8 0 А
8 о А +_
» - ^ (d -
Здесь Сн.э1, Сн.э2 - емкости между неподвижными электродами в пределах участков, на которых между этими электродами нет подвижной инерционной массы и она есть соответственно. Разность этих емкостей равна:
АС = С - С
АС Сст Сн.э •
Изменения емкости при отклонении инерционной массы ЧЭ ММА рассчитаны в программе Ansys. В табл. 3 представлены результаты расчетов изменения емкости АС между электродами ЧЭ ММА при воздействии ускорения 5 g, в табл. 4 - изменения емкости АС между электродами при воздействии случайной вибрации по осям X, Y, Z. Емкость между электродами ЧЭ ММА в статическом состоянии Сст = 1,32815 пФ.
Таблица 3
Результаты расчетов изменения емкости, пФ, между электродами ЧЭ ММА при воздействии ускорения 5 g по осям X, Y, Z
Table 3
Calculated results of the capacitance, pF, changes between the electrodes under the influence of 5 g acceleration along the X, Y, Z axes
Кристаллографическая Ось X АС Ось Y АС Ось Z АС
ориентация кремния
(100) 1,3105 0,017 1,3281 0,00005 1,32815 0
(110) 1,31865 0,009 1,32805 0,0001 1,32815 0
(111) 1,3207 0,0075 1,3281 0,00005 1,32815 0
Таблица 4
Результаты расчетов изменения емкости, пФ, между электродами ЧЭ ММА при воздействии случайной вибрации по осям X, Y, Z
Table 4
Calculated results of the capacitance, pF, changes between the electrodes of the sensitive element of a capacitive MMA when exposed to random vibration
along the X, Y, Z axes
Кристаллографическая Ось X Ось Y Ось Z
ориентация кремния С АС С АС С АС
(100) 0,5804 0,74 1,328 0,00015 1,328 0
(110) 0,9026 0,42 1,328 0,00015 1,328 0
(111) 1,0583 0,26 1,328 0,00015 1,328 0
Из сравнения результатов, приведенных в табл. 3 и 4, следует, что при воздействии по основной оси Х ускорения 5 g изменение емкости составило 0,017 пФ (см. табл. 3), а при воздействии случайной вибрации это изменение равно 0,74 пФ (см. табл. 4) для ЧЭ ММА из кремния с кристаллографической ориентацией (100).
При моделировании в программе Ansys для случайных вибраций использовали уровень напряженности 1о. Значение емкости, равное 0,74 пФ, получено за счет уменьшения отклонения подвижной инерционной массы. Выходной сигнал ЧЭ ММА,
предназначенного для измерения ускорения в диапазоне до ±5 g, при колебаниях воздействующего ускорения с амплитудой ±5 g хорошо согласуется с профилем спектральной плотности мощности, и ММА адекватно функционирует. При воздействии на ЧЭ ММА случайной вибрации возникающие отклонения инерционной массы и изменения емкостей таковы, что на их фоне теряется полезный измерительный сигнал. Поэтому исследованная модель ЧЭ ММА может функционировать только при отсутствии случайной вибрации. На рис. 6 представлены результаты моделирования изменения емкости между подвижным и неподвижным электродами ЧЭ ММА при воздействии случайной вибрации. На рисунке схематично изображены два неподвижных электрода и подвижный электрод между ними. При воздействии случайной вибрации по оси Х происходит изменение положения подвижного электрода между неподвижными, что влияет на емкость между неподвижными электродами.
Рис. 6. Результаты моделирования изменения емкости в ЧЭ ММА с кристаллографической ориентацией кремния (100) при воздействии случайной вибрации по оси Х
Fig. 6. The simulation results of the capacitance change in the sensitive element of a capacitive MMA made of silicon with orientation (100) when exposed to random vibration along the X axis
Исследование остаточного механического напряжения в ЧЭ ММА при воздействии на него случайной вибрации. Проведены расчеты остаточных механических напряжений в ЧЭ ММА из кремния при воздействии случайной вибрации с учетом кристаллографической ориентации поверхности конструктивов ЧЭ ММА. Результаты показаны на рис. 7 и приведены в табл. 5.
Из полученных данных следует, что максимальное остаточное механическое напряжение возникает в ЧЭ ММА с кристаллографической ориентацией кремния (110) при воздействии случайной вибраций на ЧЭ по оси чувствительности Х. Для кристаллографических ориентаций (110) и (111) при воздействии случайной вибрации остаточные механические напряжения в ЧЭ ММА ненамного больше. Полученные результаты расчета показали, что для всех исследованных ЧЭ с разными кристаллографическими ориентациями поверхности остаточное механическое напряжение в ЧЭ ММА значительно меньше предела прочности кремния, равного 440 МПа [8].
Equivalent Stress Type: Equivalent Stress Scale Factor Value: 1 Sigma
250.00 750.00
Рис. 7. Результат моделирования остаточного механического напряжения в ЧЭ ММА с кристаллографической ориентацией кремния (110) при воздействии случайной вибрации
по оси X
Fig. 7. The simulation result of the residual mechanical stress in the sensitive element of a capacitive MMA made of silicon with a crystallographic orientation of the surface (110) when exposed to random vibrations along the X axis
Таблица 5
Результаты расчетов остаточного механического напряжения, МПа, в ЧЭ ММА при воздействии случайной вибрации по осям X, Y, Z
Table 5
Calculated results of the residual mechanical stress, MPa, in the sensitive element of a capacitive MMA when exposed to random vibration along the X, Y, Z axes
Ось Кристаллографическая ориентация кремния
(100) (110) (111)
X 20,718 21,23 21,183
Y 0,813 0,783 0,7705
Z 10,17 4,044 1,2892
Заключение. Исследования показали работоспособность рассмотренной конструкции ЧЭ ММА в условиях значительных паразитных воздействий по нерабочим осям. Однако в условиях воздействия случайной вибрации исследованная модель ЧЭ ММА не подходит для применения. Данный вопрос требует дальнейшей проработки.
Исследование механического напряжения, возникающего в элементах конструкции ЧЭ ММА, показало, что оно незначительно и не влияет на работоспособность ЧЭ ММА. Установлено, что максимальное механическое напряжение возникает на стыке складчатой пружины и подвижной инерционной массы.
Литература
1. MEMS reliability in shock environments / D. M. Tanner, J. A. Walraven, K. Helgesen et al. // 2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual. San Jose, CA: IEEE, 2000. P. 129-138. doi: https://doi.org/10.1109/RELPHY.2000.843903
2. MEMS reliability in vibration environments / D. M. Tanner, J. A. Walraven, K. S. Helgesen et al. // 2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual. San Jose, CA: IEEE, 2000. P. 139-145. doi: https://doi.org/10.1109/RELPHY.2000.843904
3. Влияние внешней воздействующей вибрации на микроэлектромеханические системы-акселерометры / А. С. Афанасьев, В. М. Полушкин, В. А. Соболев и др. // Лесной вестник. Forestry Bulletin. 2019. Т. 23. № 5. С. 138-141. doi: https://doi.org/10.18698/2542-1468-2019-5-138-143
4. Полушкин В. М., Сиряченко Н. А. Вопросы контроля функциональных параметров микроэлектромеханических преобразователей параметров движения // Научно-технический сборник. Мытищи: 22 ЦНИИ МО РФ, 2008. № 60. С. 23-28.
5. Liang Z., Lee G. C. Random vibration: Mechanical, structural, and earthquake engineering applications. Boca Raton, FL; London; New York: CRC Press, 2015. XXVIII, 630 p.
6. Йе Ко Ко Аунг, Аунг Тхура, Симонов Б. М., Тимошенков С. П. Параметры чувствительного элемента сэндвич-конструкции емкостного микромеханического акселерометра // Изв. вузов. Электроника. 2019. Т. 24. № 3. С. 257-266. doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2019-24-3-257-266
7. Aung Thura, Simonov B. M. Influence of random vibration on MEMS capacitive accelerometer // 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering. Moscow: IEEE, 2018. P. 1595-1598. doi: https://doi.org/10.1109/EIConRus.2018.8317405
8. Вавилов В. Д., Тимошенков С. П., Тимошенков А. С. Микросистемные датчики физических величин: монография: в 2 ч. М.: Техносфера, 2018. 549 с.
Статья поступила в редакцию 01.07.2021 г.; одобрена после рецензирования 01.07.2021 г.;
принята к публикации 21.12.2021 г.
Информация об авторах
Йе Ко Ко Аунг - аспирант Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Симонов Борис Михайлович - кандидат технических наук, доцент Института на-но- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
Тимошенков Сергей Петрович - доктор технических наук, профессор, директор Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), [email protected]
References
1. Tanner D. M., Walraven J. A., Helgesen K., Irwin L. W., Brown F., Smith N. F., Masters N. MEMS reliability in shock environments. 2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual. San Jose, CA, IEEE, 2000, pp. 129-138. doi: https://doi.org/10.1109/RELPHY.2000.843903
2. Tanner D. M., Walraven J. A., Helgesen K. S., Irwin L. W., Gregory D. L., Stake J. R., Smith N. F. MEMS reliability in vibration environments. 2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual. San Jose, CA, IEEE, 2000, pp. 139-145. doi: https://doi.org/10.1109/RELPHY.2000.843904
3. Afanasyev A. S., Polushkin V. M., Sobolev V. A., Suslov V. M., Kotov Yu. T., Znamenskaya T. D. Influence of external vibration on microelectromechanical converters of linear acceleration. Lesnoy vestnik. Forestry Bulletin, 2019, vol. 23, no. 5, pp. 138-141. (In Russian). doi: https://doi.org/10.18698/2542-1468-2019-5-138-143
4. Polushkin V. M., Siryachenko N. A. Questions of control of functional parameters of microelectromechanical converters of motion parameters. Scientific and Technical Collection Book. Mytishchi, 22 TsNII MO RF Publ., 2008, no. 60, pp. 23-28. (In Russian).
5. Liang Z., Lee G. C. Random vibration: Mechanical, structural, and earthquake engineering applications. Boca Raton, FL, London, New York, CRC Press, 2015. xxviii, 630 p.
6. Ye Ko Ko Aung, Aung Thura, Simonov B. M., Timoshenkov S. P. Parameters of sensitive element of capacitive micromechanical accelerometer with sandwich construction. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2019, vol. 24, no. 3, pp. 257-266. (In Russian). doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2019-24-3-257-266
7. Aung Thura, Simonov B. M. Influence of random vibration on MEMS capacitive accelerometer. 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering. Moscow, IEEE, 2018, pp. 1595-1598. doi: https://doi.org/10.1109/EIConRus.2018.8317405
8. Vavilov V. D., Timoshenkov S. P., Timoshenkov A. S. Microsystem sensors of physical quantities, monograph in 2 parts. Moscow, Tekhnosfera Publ., 2018. 549 p. (In Russian).
The article was submitted 01.07.2021; approved after reviewing 01.07.2021;
accepted for publication 21.12.2021.
Information about the authors
Ye Ko Ko Aung - PhD student of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Boris M. Simonov - Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Sergey P. Timoshenkov - Dr. Sci. (Eng.), Prof., Director of the Institute of of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), [email protected]
Уважаемые авторы и читатели!
Вышел в свет журнал
RUSSIAN MICROELECTRONICS
Vol. 50, No. 7,2021. - ISSN PRINT: 1063-7397,
ISSN ONLINE: 1608-3415, в котором опубликованы избранные статьи
журнала «Известия вузов. Электроника».
http://pleiades.online http://link.springer.com
