CC BY
6
УДК 551.508
Мамаханов А.А.
доцент Эргашов А.К. ассистент Шарифбаев Р.Н. студент
Наманганский инжененрно технологический институт
Тошбоев С. старший преподователь Наманганский Государсвенный унверситет
ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ДВУЗОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА ДЛЯ
ИЗУЧЕНИЯ ВАХ
Аннотация: Обсуждаются проблемы и преимущества получения VAX из экспериментального оборудования, осциллографа, в нормальных учебных лабораторных условиях. Внешние влияния и особенности устройств учитываются в решении задачи. Предложен простой способ получения VAX.
Ключевые слова: электронное устройство, ВАХ, осциллограф, полупроводник.
Mamakhanov A.A. Associate professor Ergashov A.K. assistant Sharifbayev N. Yu.
student
Namangan Engineering and Technology Institute
Toshboyev S. senior lecturer Namangan State University
USING A TWO-ZONE OSCILLOGRAPH TO STUDY I-V
CHARACTERISTICS
Abstract: The problems and advantages of obtaining I-V characteristics from an experimental equipment, an oscilloscope, under normal training laboratory conditions are discussed. External influences and the peculiarities of the devices are taken into account in solving the problem. A simple method of obtaining I-V characteristics has been proposed.
Keywords: electronic device, I-V characteristics, oscilloscope, semiconductor.
Для наблюдения графика вольт-ампер эталонный резистор помещается последовательно с исследуемым электронным устройством. Графики и рисунки, использованные в этом исследовании, были подготовлены с использованием программного обеспечения splan. Если мы изучаем полупроводниковый выпрямительный диод, а не резистор, когда мы видим значение напряжения для него, эталонное сопротивление остается, и первый резистор заменяется. Кроме того, в реальных ситуациях работа часто находится на пределе возможностей, поэтому таблицу часто называют «идеальным» или экспериментальным VAX. Это, в свою очередь, гарантирует, что устройство работает правильно в течение длительного времени. Эффективность работы заключается в том, что в будущем на базе контроллера мы сможем быстро получить VAX различных электронных устройств в разных условиях.
Чем выше точность измерения прибора, тем шире диапазон применения[1,2], Значения удельного сопротивления не могут служить четким критерием для классификации веществ.
p = po(1 + ot) (1)
Из выражения (1) видно, что повышение температуры вызывает увеличение сопротивления. где удельное сопротивление металла при 0 ° С температурный коэффициент сопротивления составляет 1/273. В полупроводниках природа сопротивления и температурная зависимость проводимости различны, для данного температурного диапазона они соотносятся с помощью следующего выражения р0а.
£
р = p0et (2) или проницаемость: а = а0е t (3)
где и является константой, которая подходит для конкретного температурного диапазона, характерного для каждого полупроводникового материала. р0а0
В полупроводниках проводимость уменьшается с понижением температуры. Отсюда следует, что свободные носители заряда в полупроводнике образуются в результате воздействия тепла. Полупроводники представляют собой материалы, которые имеют определенную проводимость при комнатной температуре в диапазоне (Ом-1 см-1), который во многом зависит от структуры вещества, типа и количества постороннего вещества и внешних условий 10-6 + 104 [3].
Проводимость зависит от внешних воздействий, таких как температура, свет, электрические и магнитные поля и излучение ядерных частиц. В ионной проводимости ток проходит через ионы вещества, обычными представителями ионной проводимости являются электролиты. Полупроводники могут быть как электронными, так и ионными, В этой
статье мы рассмотрим только физические свойства электронных полупроводников. Полупроводники представляют собой
небрикетированные вещества: барий Б; кремний Si; фосфор Р; олтингугурт S; германий Ge; арсенид А; серый олово Sn; селен се; Теллур Те и многие сложные химические соединения могут быть приведены в качестве примеров [4],
Образование свободных электронов в полупроводниковых веществах объясняется теорией зон, основанной на квантовой физике [5-6], Когда образуется полупроводниковое вещество, то есть когда атомы приближаются друг к другу на расстоянии около 108 см, волновые функции электронов атомов совпадают. За счет этого уровень энергии валентных электронов становится зональным. Эта зона называется валентностью [7], Фиксированные энергетические зоны отделены друг от друга прерыванием энергии, называемым запрещенной зоной. Это зависит от химических связей образующихся элементов. Если исследовать плотность тока, образующегося в проводимости, из скорости и концентрации свободных электронов в движении, то следующим образом J = — -v.
Предположим, что все квантовые состояния в энергетической зоне заняты электронами. В этом случае будет существовать плотность электрического тока для всей электронной системы. Потому что любой электрон со скоростью v может быть взаимосвязан. Когда ковалентные связи в полупроводнике разрываются, например, из-за нагрева, появляются пустой электрон и дырка на его месте J = —~v^vs = 0 [5]. Это
эквивалентно переходу электрона из валентной зоны в зону проводимости. Общая плотность тока всех электронов в валентной зоне записывается следующим образом;
J = = Sbarcha S + (4)
1 1 satx uchun 1
из этого выражения ясно, что плотность тока для правой стороны
равна нулю. Скорость электрона определяется с учетом следующих предположений. Следовательно (n) Пусть dt - вероятность столкновения электрона во времени. Мы также предполагаем, что вероятность столкновения, соответствующего 1/т единичного времени, не зависит от времени, то есть это определенное постоянное значение. - Количество столкновений для n частиц во времени равно dt, соответственно, n dt/t о. Чтобы увеличить емкость устройства, установка источника тепла, который обеспечивает температуру выше комнатной, показывает, что проводимость проводящего элемента зависит от температуры. По этой причине можно получить источник тепла с помощью электричества или работать на основе выражений. В то же время можно игнорировать изменения температуры в течение мгновенного интервала времени. Потому что когда это произойдет. Следовательно, чем меньше время выключения VAX, тем выше точность. В связи с этим целесообразно получение VAX с помощью осциллографа, а
также использование метода, основанного на автоматизации на основе устройств, собранных на основе микроконтроллера
dt du
dn = п — di~dT--dTdtdt ^ 0dT ^ 0
t r
Чтобы определить VAX, нам также нужно знать силу тока. Потому что, если мы поместим напряжение (V) вдоль оси X на графике, мы разместим ток (мА) вдоль оси Y и опишем их взаимозависимость на том же графике. Технология электроники сегодня состоит в основном из полупроводниковых материалов. Получение VAX под воздействием внешних воздействий, включая температурную деформацию, электростатическое поле, электромагнитное поле, переменное электромагнитное поле и т. Д., Является довольно сложным процессом в этом исследовании. настройки идут. Это в свою очередь требует автоматизации работы.
Использованные источники:
[1] П. Кова и А. Сингх, «Температурная зависимость IV и CV характеристик Ni / n-CdF2 диодов барьера Шоттки», Твердотельный Электрон.том 33, нет. 1, с. 11-19, 1990, doi: 10.1016 / 0038-1101 (90) 90003-W.
[2] Дж. Л. Чжан, Дж. С. Юань, Ю. Ма, А. С. Оутс, «Моделирование прямого туннелирования и влияния шероховатости поверхности на характеристики CV МОП-конденсаторов со сверхтонкими затворами», Твердое вещество. Государство. Электрон.том 45, нет. 2, с. 373-377, 2001, doi: 10.1016 / S0038-1101 (00) 00234-3.
[3] Гулямов Г.И., Эркабоев Ю.И., Шарибаев Н.Я. Моделирование температурной зависимости плотности состояний в сильном магнитном поле. J. Мод. Phys.том 05, нет. 08, стр. 680-685, 2014, doi: 10.4236 / jmp.2014.58079.
[4] Гулямов Г.Г., Дадамирзаев М.Г., Шарибаев Н.Я., Зокиров Н.М. ЭДС носителей с горячим зарядом, возникающих на рп-переходе под воздействием СВЧ-поля и света. J. Electromagn. Анальный. Appl.том 07, нет. 12, с. 302-307, 2015, doi: 10.4236 / jemaa.2015.712032.
[5] Г. Гулямов, А. Г. Гулямов, А. Г. Эргашев, Б. Т. Абдулазизов, «Использование фазовых портретов для изучения процессов генерации-рекомбинации в полупроводниках».
[6] Х. Чжэн, Г. Чен и С. М. Роуланд, «Влияние напряжений переменного и постоянного тока на электрическое дерево в полиэтилене низкой плотности» Int. J. Electr. Сила Энергия Сист.том 114 января 2020, doi: 10.1016 / j.ijepes.2019.105386.
[7] Гулямов Г.Ю., Эркабоев Ю.И., Шарибаев Н.Я. Исследование температурной зависимости колебаний магнитной восприимчивости в полупроводниках. J. Мод. Phys.том 05, нет. 17, с. 1974-1979, 2014, doi: 10.4236 / jmp.2014.517192.
