Научная статья на тему 'Интегральный транзистор на основе эффекта размерного квантования энергии'

Интегральный транзистор на основе эффекта размерного квантования энергии Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
85
24
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Интегральный транзистор на основе эффекта размерного квантования энергии»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

ния в топологических генераторах СОЗУ. Основные функции данного ПО: ввод правил проектирования, ввод шаблонов активных и коммутационных областей логических элементов, параметризация МОП-транзисторов, формирование топологии, сохранение полученной топологии в файле. Анализ результатов работы данного программного обеспечения показал эффективность применения предложенной методики синтеза библиотеки элементов.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Баринов В.В. Сверхбольшие интегральные микросхемы оперативных запоминающих устройств. М.: Радио и связь, 1991.

УДК 621.3.049.771.14.

Е.А. Рынднн

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ транзистор на основе эффекта размерного

КВАНТОВАНИЯ ЭНЕРГИИ

В узких потенциальных ямах определенные изменения параметров могут приводить не только к смещению энергетических уровней, но и к их исчезновению. Данный эффект описывается следующей моделью, связывающей число разрешенных энергетических уровней ^ в квантовой яме (КЯ) с ее параметрами (рис.1) [1]:

Ий-

к

2+1 +--агс8т

П

Юг Ш1

1 2

'-Ии+ Ь

(1)

где W - ширина КЯ; т - масса электрона; h - постоянная Планка; и1г и2 - высоты барьеров. При этом, согласно (1), вне зависимости от W при и1 = и2 в потенциальной яме будет не менее одного разрешенного состояния.

Fig.1. Квантовая яма

Fig.2. Число уровней в квантовой яме

Fig.3. Зонная диаграмма квантового транзистора

Результаты расчета числа уровней в потенциальной яме с и1 = 1,0 эВ приведены на рис. 2. На основе рассмотренного эффекта разработаны квантовые транзисторы (КТ), характеризующиеся низкой энергией переключения, высокими быстродействием и технологичностью. На рис. 3 приведена зонная диаграмма КТ данного типа. Напряжение на затворе изменяет разность параметров (и1 - и2) потенциальной ямы в области канала. При этом в зависимости от равновесного про-

_Секция конструирования электронной аппаратуры

филя зонной диаграммы возможна реализация нормально открытого, нормально закрытого КТ, с характеристиками М- и Х-типа.

Рассмотренные транзисторы, обладая различными характеристиками, имеют незначительные конструктивно-технологические особенности, что определяет их технологическую совместимость на кристалле и позволит разрабатывать элементы с использованием всех имеющихся вариантов КТ.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (гранты PD02-2.7-65, Т02-02.2-810, проект 208.02.01.005).

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332с.

УДК 621.3.049.77.001.2

Б.Г. Коноплев, И.Е. Лысенко 2Б-МИКРОЗЕРКАЛО С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИЕЙ

Интегральные микрозеркала с электростатической активацией широко применяются в робототехнических системах и системах анализа и обработки изображений [1]. Существующие микрозеркала обладают рядом недостатков: отсутствие функциональной возможности отклонения структуры микрозеркала относительно двух осей и использование полезной площади кристалла под размещение креплений структурных слоев микрозеркала [1,2].

На рисунке приведено разработанное интегральное микрозеркало с электростатической активацией. Для отклонения структуры микрозеркала используются четыре электростатических актюатора, образованных отклоняющими электродами 1-4 и структурой микрозеркала 5. Как видно из рисунка, поворотный узел 6 интегрального микрозеркала располагается под структурой микрозеркала, что позволяет сократить занимаемую микрозеркалом площадь на кристалле.

Для контроля положения струк-

туры микрозеркала используются четыре емкостных преобразователя перемещений 7.

Разработанное микрозеркало изготовляется по технологии поверхностной микрообработки.

Отклонение структуры микрозеркала характеризуется углами поворота ее относительно осей Х и У, которые определяются уровнями напряжений, подаваемых на отклоняющие электроды относительно структуры микрозеркала.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (проект 208.04.01.009 научно-технической подпрограммы «Электроника» программы «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники»).

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.