CC BY
47
Секция конструирования электронной аппаратуры
филя зонной диаграммы возможна реализация нормально открытого, нормально закрытого КТ, с характеристиками N и Х-типа.
Рассмотренные транзисторы, обладая различными характеристиками, имеют незначительные конструктивно-технологические особенности, что определяет их технологическую совместимость на кристалле и позволит разрабатывать элементы с использованием всех имеющихся вариантов КТ.
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (гранты PD02-2.7-65, Т02-02.2-810, проект 208.02.01.005).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332с.
УДК 621.3.049.77.001.2
Б.Г. Коноплев, И.Е. Лысенко 2Р-МИКРОЗЕРКАЛО С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИЕЙ
Интегральные микрозеркала с электростатической активацией широко применяются в робототехнических системах и системах анализа и обработки изображений [1]. Существующие микрозеркала обладают рядом недостатков: отсутствие функциональной возможности отклонения структуры микрозеркала относительно двух осей и использование полезной площади кристалла под размещение креплений структурных слоев микрозеркала [1,2].
На рисунке приведено разработанное интегральное микрозеркало с электростатической активацией. Для отклонения структуры микрозеркала используются четыре электростатических актюатора, образованных отклоняющими электродами 1-4 и структурой микрозеркала 5. Как видно из рисунка, поворотный узел 6 интегрального микрозеркала располагается под структурой микрозеркала, что позволяет сократить занимаемую микрозеркалом площадь на кристалле.
Для контроля положения струк-
туры микрозеркала используются четыре емкостных преобразователя перемещений 7.
Разработанное микрозеркало изготовляется по технологии поверхностной микрообработки.
Отклонение структуры микрозеркала характеризуется углами поворота ее относительно осей Х и У, которые определяются уровнями напряжений, подаваемых на отклоняющие электроды относительно структуры микрозеркала.
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (проект 208.04.01.009 научно-технической подпрограммы «Электроника» программы «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники»).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. H.Fujita, H.Toshiyoshi. Optical MEMS // IEICE Trans. Electron. 2000. Vol. E83-C, №9. Р.1427-1434.
2. H.Toshiyoshi, A.Piyawattanamentha. A linearization of the electrostatically actuated twodimensional optical scanner fabricated by micromechanical surface processing // IEEE Transaction on Electronic Devices. 2000. №4. Р.123—131.
УДК 621.382.3
Е.Б. Лукьяненко, Е.Т. Замков
ПРИМЕНЕНИЕ ПРОГРАММЫ «АСОНИКА-Т» ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ В УЧЕБНОМ ПРОЦЕССЕ
Разработано большое количество программ для расчета тепловых режимов электронной аппаратуры. Стоимость коммерческих версий этих программ достаточна высока: 5-10 тыс. долларов. Поэтому была рассмотрена возможность применения бесплатных демонстрационных версий этих программ в учебном процессе.
В зарубежных демонстрационных программах расчета тепловых режимов (Betta - Soft и др.) отсутствует возможность моделирования тепловых процессов. В этом плане выгодно отличается отечественная программа расчета тепловых процессов «Асоника-Т». Эта программа моделирует тепловые процессы для ограниченного количества элементов (не более 20). Если учесть, что на плату можно устанавливать только теплонагруженные компоненты, становится ясно, что для учебного процесса эта программа является вполне приемлемой.
Программа «Асоника-Т» рассчитывает тепловые процессы для следующих конструкций: печатный узел, функциональная ячейка, гибридная или полупроводниковая микросхема. Под функциональной ячейкой понимается печатная плата, расположенная на металлической поверхности. В начале расчета задается управляющая информация: конструкция изделия и тип анализа (стационарный или нестационарный процесс). Затем задаются размеры платы, ее ориентация в пространстве, материал платы и граничные условия. Последние выбираются из списка предлагаемых граничных условий и могут устанавливаться над верхней и нижней сторонами платы. Граничные условия отражают теплопередачу теплопроводностью, конвекцией, излучением, а также вынужденный теплообмен. Затем на плате устанавливаются компоненты: транзисторы, микросхемы, резисторы, стабилитроны и др. элементы. Они выбираются из базы данных, имеющейся в программе. Для пленочных элементов задаются их размеры, рассеиваемая мощность и др. В программе имеется возможность изменения размеров компонентов.
В результате расчета тепловых процессов на экране монитора можно просмотреть температуру корпусов радиоэлементов, рассеиваемые мощности, изотермы, термограммы, графики температуры.
Программа “Асоника-Т” проста в использовании и легко усваивается студентами.
