Халькогенная обработка при формировании выпрямляющих контактов металл VIII группы полупроводник типа a IIIB V Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 535.361:539.2:541.135:669.23

Л.В. Фомина, С.А. Безносюк, А.Г. Бочкарев, С.Е. Лебеденко, В.М. Сподарев Халькогенная обработка при формировании выпрямляющих контактов металл VIII группы -полупроводник типа А"В

Из всего многообразия технологических применений твердых тел часто используются в первую очередь их поверхностные свойства - механические свойства металлических конструкций, электрические свойства в электронике, химические в процессах катализа, оптические в приборостроении. Объем образца в этих областях приложений часто играет лишь роль подложки, которую легко заменить на иную. Когда же выбор материала диктуется его объемными свойствами, часто оказывается, что свойства естественной поверхности непригодны для намеченного использования, и возникает необходимость модифицировать их соответствующим образом или снабдить образец из выбранного материала искусственно созданными поверхностными гете-роструктурами, обладающими требуемыми свойствами [1].

За последние сорок лет произошел технологический прорыв в области создания гетеростук-тур для высокоскоростной микроэлектроники (Нобелевская премия по физике за 2000 г.). Эти работы создали материальную основу современных информационных технологий. К базовым элементам электронных устройств относятся омические и выпрямляющие контакты, создаваемые на границах раздела фаз металл-полупроводник [2, 3]. Контакты представляют собой гете-роструктуры из микрослоев полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны, металла и разделяющих их нанослоев поверхностных соединений. Параметры полупроводниковых электронных устройств, их стабильность при работе в неблагоприятных условиях во многом определяются свойствами гетерост-руктур металл-полупроводник. Изучение свойств контактов металл-полупроводник указывает на определяющую роль межфазной границы в формировании поверхностно-барьерных структур [3-6]. Строение границы раздела контактирующих материалов задается последовательностью технологических стадий, формирующих приграничную область. Обычно при изготовлении барьерных структур важными являются две стадии. Это, прежде всего, заключительная стадия обработки поверхности полупроводника, которая является определяющей в формировании первичной пленки поверхностных

соединений. А также стадия нанесения атомов металла на обработанную поверхность полупроводника, когда качество получаемых металлических покрытий определяется особенностями механизмов нанесения атомов металла на поверхность полупроводника и включения их в промежуточный слой создаваемых гетеро-структур.

Различные виды обработок, в особенности финишное травление и отмывка, а также длительное контактирование поверхности полупроводника с воздухом способствуют образованию оксидного (гидроксидного) слоя толщиной от 0,5 до нескольких десятков нм [1, 5, 7-10]. Это ведет к химической неоднородности поверхности и определяет дальнейшие процессы взаимодействия поверхности с окружающей средой. Состав остаточного оксида на поверхности полупроводника неоднороден по глубине. Он зависит от природы и соотношения составляющих травитель компонентов [8, 11]. Окисление поверхности полупроводника - следствие действия воздуха после травления [12, 13]. Граница раздела кристалл -оксидный слой имеет значительную дефектность. На границе арсенида галлия с оксидами всегда присутствуют дефекты стехиометрического состава, участвующие в формировании поверхностных электронных состояний. Кроме состояний, расположенных на поверхности самого полупроводника, появляются поверхностные состояния внутри и на внешней поверхности оксида [14].

В последние годы широко и успешно разрабатывается халькогенная предварительная подготовка поверхности полупроводников [4, 5]. Она широко применяется при создании гетерострук-тур на основе р-металлов и полупроводников типа АШВУ. Халькогенидная обработка, модификация атомами серы или селена, рассмотренная в работах [4, 5, 15-19], позволяет осуществлять химическую и электронную пассивацию поверхности и поэтому является многообещающим методом в технологии полупроводников АШВУ. Использование халькогенидной пассивации, с одной стороны, позволяет улучшить характеристики различных приборов за счет существенного уменьшения плотности поверхностных состояний, концентрации ловушек [15, 16] и снижения скорости поверхностной рекомбинации, а с дру-

гой стороны, позволяет существенно замедлить процессы окисления полупроводниковой поверхности в атмосфере.

Положительный эффект халькогенирования связывают с формированием пассивирующего покрытия на полупроводнике, условно реализующегося в два этапа. На первом этапе происходит удаление с поверхности оксидного слоя, на втором - взаимодействие с элементами полупроводника. Как правило, после сульфидирова-ния на поверхности присутствует смесь различных сульфидов (а также и оксосульфидов). Приближение к единице коэффициентов идеальности контактов металл - арсенид галлия при сульфидной обработке авторы [5, 17-19] объясняют возникновением связей Б-Б-; Б-Оа-; Б-Лб-, наличие которых подтверждают данные рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции медленных электронов. Кроме того, на поверхности остается большое количество элементарного мышьяка.

Нами проведен эксперимент [20] по изучению свойств контактов металл - полупроводник с использованием для подготовки поверхности ОаЛБ соединений серы и селена. В качестве вещества, содержащего серу, мы использовали водный раствор сульфида натрия. Термодинамический расчет по данным [21-23] подтверждает энергетическую результативность процесса сульфидирования реальной поверхности арсенида галлия (табл. 1). В связи с большей хи-

мической ядовитостью селенидов щелочных металлов, чем сульфидов, мы предпочли использовать для химической обработки поверхности арсенида галлия раствор не селенида натрия, а селенита. Этот реагент в зависимости от партнера может проявлять как восстановительные, так и окислительные свойства [24]. Из анализа таблицы 2 следует, что селенит натрия должен быть эффективен в реакциях окисления элементного мышьяка, присутствующего на поверхности арсенида галлия после стандартной подготовки образцов (с использованием серноперекисного травителя) и неудаляемого после обработки в растворах сульфида натрия. В то же время элементный мышьяк может восстановить ионы Бе032- до селенид ионов (см. табл. 2-3). Последние могут взаимодействовать с оксидами галлия и мышьяка (см. реакцию 5 в табл. 1) и со свободной от оксидов поверхностью арсе-нида галлия (см. реакцию 3 в табл. 1). Таким образом, действие селенит ионов (в отсутствие кинетических затруднений) должно сказаться по всем трем направлениям в процессе преобразования реальной поверхности арсенида галлия: удаление элементного мышьяка, удаление оксидов, гетеровалентное замещение атомов мышьяка в анионной подрешетке арсенида галлия. 0днако следует ожидать, что многоста-дийность реакций, протекающих между реальной поверхностью полупроводника и раствором селенита натрия, будет способствовать недоста-

Таблица 1

Изменение энергии Гиббса реакций в системе ОаЛБ (1пР)-раствор

№ Уравнение реакции АО°298, кДж/(моль оксида, сульфида)

1 гваАв + 6Н20 Са203 + А8203 +6Н2Т 1

2 гваАв + 6Ш" + 6Н20 Оа283 + Ав^з + бОН" + 6Н2Т -101

3 2ваА8 + 6Ше_ + 6Н20 ->■ Оа28е3 + Аг^ез + бОН" + 6Н2Т -610

4 Са2Оэ + А52Оз + 6Ш~ Оа283 + Аб^З + бОЬГ -102

5 Са2Оэ + А8203 + бШве" Са28е3 + Ав^е-, + бОН" -610

6 21пР + ЗН8~ + 8Н20 1п283 +Н2Р04" + НРО42" +8Н2Т -544

7 21пР + ЗН8е~ + 8Н20 1п28е3 +Н2Р04" + НРО42" +8Н2Т -540

8 1п203 + ЗШ" -> 1п283 + ЗОН" -15

9 1п203 + ЗН8е~ 1п28ез + ЗОН" -И

Таблица 2

Нормальные окислительные потенциалы (НВЭ) [24]

№ Реакция Потенциал Е°, В

1 8е + 2е = Бе2- -0.92

2 Н28е03 + 4Н+ + 4е = Бе + ЗН20 0.740

3 БеОз2- +3 Н20 +4е = Бе +60Н" -0.366

4 8е042~ + Н20 + 2е = 8е032" + 20Н" 0.05

5 Ав + ЗН+ + Зе = АвНз -0.60

6 Ав + ЗН20 + Зе = АвНз + ЗОН" -1.37

7 НАв02 + ЗН+ +3е = Ав + 2Н20 0.247

8 АвОг" + 2Н20 + Зе = Ав + 40Н" -0.68

Таблица 3

Изменение энергии Гиббса реакций в системе СаЛБ (1пР)-раствор селенита натрия

№ Уравнение реакции АС°298 КДЖ/МОЛЬ

1 АвгОз + ЗБеОз2" 2Ав + 38е042" 362

1а АвгОз + ЗНБеОз" —>■ 2Ав + ЗН8е04" 454

2 4Ав + ЗБеОз2" + 5Н20 4Н2А803" + ЗЯе + 20Н" -365

2а 4Ав + ЗНБеОз" + 6Н20 4Н3Аз03 + ЗБе + ЗОН" -376

3 2Ав + НБеОз" + ЗН20 2Н3А803 + Ше" " -112

4 Бе + БеОз2" + ОН" —►Ше" + 8е042" 132

4а 8е + Ше03 + ОН"—» Н8е" + Н8е04" 162

5 Оа2Оэ + ЗШе" Са28е3 + ЗОН" -17

6 гОаАв + 6Н8е" + 6Н20" -> Оа28е3 + Ав^ез + 60Н" + 6Н2Т -610

7 8 61пР + 78еОэ2" + бОН" 8е2" + 6Р043" +61п8е + ЗН20 41пР + 5Н8е03" + 30Н-> 1п28е3 + 21п8е + 4НР042" + 2Н20 -3411 -2089

точной селективности процесса по второму и третьему направлениям. В связи с этим применение комбинированной (сульфидно-селенитной) обработки поверхности арсенида галлия должно способствовать большей эффективности процесса преобразования его поверхности. Если применить сочетание сульфидной и селенитной обработок поверхности полупроводника, то можно ожидать более совершенной границы арсенид галлия - халькогенид галлия (мышьяка) и, следовательно, повышения стабильности параметров созданных на этой границе выпрямляющих контактов металл - полупроводник (барьеров Шоттки) к воздействию высоких температур и кислорода воздуха.

В таблицах 4, 5 сопоставляются параметры выпрямляющих контактов №-ОаАБ п-типа, полученные электроосаждением никеля из сульфатного электролита при плотности тока 2 мА/см2

на поверхность полупроводника, подвергнутую различным вариантам халькогенной обработки. Анализ таблиц 4, 5 позволяет сделать вывод о большей стабильности контактов, полученных после комбинированной обработки поверхности полупроводника, как при термическом воздействии, так и при хранении в течение 12 суток в сравнении с контактами, полученными после обработки только в одном из растворов.

На следующем этапе работы, используя халькогенную обработку поверхности полупроводника, проведены эксперименты по формированию выпрямляющих контактов ИЬ-1пР п-типа. Реальная поверхность фосфида индия, покрытая слоем естественного окисла, содержит оксиды и фосфаты индия, но не содержит элементного фосфора [5, 7]. Сульфидирование 1пР в растворах приводит к формированию на повер-

Таблица 4

Термическая деградация контактов М-СаЛБ п-типа

Обработка Параметры Температура, °С

25 50 100 150 200 250 300

Ка28 3 1.03±0.02 - 1.06±0.05 1.12±0.05 1.16±0.03 1.16±0.03 1.17±0.04

Ф, эВ 0.97±0.05 - 0.92±0.06 0.91±0.09 0.94±0.03 0.90±0.08 0.9±0.1

Ыа28еОэ Р 1.01±0.02 1.00±0.02 1.0640.01 1.07±0.02 1.07±0.03 1.0910.02 1.15±0.03

Ф, эВ 0.77±0.03 0.76±0.02 0.76+0.01 0.75±0.04 0.75±0.03 0.74+0.05 0.72±0.04

Ка25, Ма28еОэ Р 1.02±0.02 1.03±0.02 1.02+0.02 1.02±0.02 1.04±0.03 1.05+0.03 1.06±0.02

Ф, эВ 0.63±0.01 0.64±0.03 0.64±0.03 0.63±0.02 0.64±0.03 0.64±0.02 0.65±0.02

Обработка Параметры Время, час

0 24 72 168 240 288

Ка28 3 1.02±0.002 1.02+0.03 1.08+0.07 1.08+0.06 1.11+0.03 -

Ф, эВ 0.88±0.05 0.90+0.02 0.89+0.02 0.76+0.03 0.78+0.04 -

Ка28еОз 3 1.01+0.04 1.06+0.03 1.11+0.04 1.18+0.03 1.21+0.05 -

Ф, эВ 0.84+0.03 0.83+0.03 0.82+0.04 0.79+0.03 0.79+0.05 -

Ка28, МагБеОз 3 1.01±0.02 1.01+0.02 1.02+0.02 1.04+0.03 1.05+0.01 1.05+0.03

Ф, эВ 0.63+0.01 0.63+0.01 0.63+0.01 0.62+0.01 0.61+0.02 0.62+0.02

Таблица 5

Кинетика деградации контактов №-СаАБ п-типа на воздухе при 25 0С

хности связей 1п-Б и к отсутствию связей Р-Б. Сера замещает фосфор в приповерхностных монослоях полупроводника [5, 25]. В таблице 6 представлены электрофизические параметры контактов ИЬ-1пР п-типа в зависимости от варианта предварительной обработки поверхности полупроводника. Электроосаждение родия проводили из сульфаматного электролита при плотности тока 20 мА/см2. Измерение вольтам-перных характеристик контактов осуществляли при температуре 295-300 К. Расчет электрофизических параметров контактов проводили в рамках теории термоэлектронной эмиссии [26]. Контакты ИЬ-1пР п-типа по коэффициенту идеальности уступают контактам на основе арсени-да галлия. Это можно связать с особенностями токопереноса в диодах на фосфиде индия [26], особенностями электроосаждения родия. Высота барьера контактов составляет около 0.6 эВ. Время халькогенной обработки поверхности 1пР перед электроосаждением родия вдвое превышает таковое для поверхности СаАБ [27]. Это можно объяснить меньшими константами скорости реакций взаимодействия 1пР с халькогена-ми. В случае селенитной подготовки поверхности фосфида индия контакты имели большую стабильность параметров к воздействию повышенных температур и кислорода воздуха, чем при кислотной обработке. Термодинамические расчеты процессов халькогенирования поверхности фосфида индия (табл. 1, 3) свидетельствуют об их самопроизвольности

Таблица 6

Электрофизические параметры контактов ИЬ-1пР п-типа при 25 0С

Параметры Вариант обработки

Р-Р НС1 Р-Р Ма28 Р-Р ШгБеОз

3 1.2+0.1 1.4+0.1 1.25+0.08

Ф, эВ 0.60+0.04 0.63±0.04 0.60+0.01

Геометрические кристаллохимические факторы при формировании многослойных структур имеют значительное влияние на дефектность, напряженность и, в конечном счете, стабильность границ разделов получаемых структур. Нами предложено объяснение улучшения характеристик барьеров Шоттки, полученных на пассивированных в сульфидных (селенитных) ра-

створах поверхностях полупроводников, на основе моделирования структуры наноскопического гетероперехода металл - халькогенид - полупроводник АШВУ с необходимыми полуколичественными расчетами для этих моделей. Рассмотрим это на примере арсенида галлия.

Использование халькогенирования поверхности арсенида галлия из водных растворов приводит к формированию слоя халькогенидов толщиной в несколько атомных слоев [5]. При этом возможно гетеровалентное замещение атомов мышьяка на атомы халькогена в решетке арсе-нида галлия или (и) образование на поверхности полупроводника зародышей новой фазы полупроводников типа АШВУ1, имеющих слоевую структуру.

При гетеровалентном замещении атомов мышьяка в анионной подрешетке СаАБ атомами халькогена наименьшая дефектность поверхностного нанослоя будет в случае атомов селена (табл. 7). Дальнейшее электроосаждение на эту поверхность металла приведет к формированию выпрямляющего контакта, свойства которого будут зависеть, в частности, от геометрического соответствия структур полупроводника и металла. Использованные нами в эксперименте полупроводники и металлы имеют ГЦК решетки, параметры которых приведены в таблице 8. На рисунке 1 показана модель наиболее когерентного сопряжения полупроводника и металла по направлению [111]. Видна структура 3:2 точных

Рис. 1. Когерентное сопряжение контактирующих поверхностей (111) металл и СаХ, где - атом 1г, ИЬ, • - атом Х (Х = Аз, Б, Бе)

Таблица 7

Кристаллохимические и электрохимические параметры атомов граничного нанослоя контактов металл-полупроводник

Элемент № Ш1 1г Р 1п Оа Ав Бе Б О

Ковалентный радиус, А 1.15 1.25 1.27 1.06 1.44 1.26 1.21 1.16 1.04 0.73

Атомный радиус, А 1.24 1.34 1.36 1.28 1.66 1.41 1.39 1.40 1.27 -

Электроотрицательность по Полингу 1.8 2.2 2.2 2.1 1.7 1.6 2.0 2.4 2.5 3.5

Таблица 8

Кристаллографические параметры веществ

Соединение Система Параметры, А Углы

GaAs Кубич. а = 5.69 а = Р = у = 90°

InP Кубич. а = 5.86 а = р = у = 90°

GaS Гексагон. а = b = 3.585, с = 15.5 а = Р = 90°, у = 120°

GaSe Гексаген. а = Ь = 3.755, с = 15.94 а = Р = 90°, у = 120°

InS Орторомб. п = 3.94, b = 4.44, с = 10.64 а = р = у = 90°

InSe Гексагон. а = 4.00, с = 16.70 (е), с = 24.95 (у) а = Р = 90°, у = 120°

Ir, Rh, Ni Кубич. а = 3.839, а = 3.803, а = 3.524 а = р = у = 90°

периодических наложений атомов металла на атомы полупроводника. Как видно из таблицы 8, наименьшие напряжения следует ожидать для контактов используемых полупроводников с платиновыми металлами, а не с никелем.

Для построения геометрической модели гетероперехода AIlrBV - AIlrBVI (на примере GaAs -GaS) в модуле «Crystals» программного пакета HyperChem 7,0 использовали параметры ячейки [29] GaS и кристаллографические координаты атомов в этой ячейке. Координаты атомов в ячейке получены при помощи базы данных «Cambridge Structural Database». Структура сульфида галлия представлена на рисунке 2. При помощи графического интерфейса пакета HyperChem 7,0 построена модель гетероперехода GaAs - GaS (рис. 3).

Из рисунка 3 б видно, что каждый атом серы в нижем слое GaS практически точно «садится» на один атом галлия в верхнем слое GaAs, за счет чего на переходе GaAs - GaS образуются кова-лентные двуцентровые связи Ga - S, причем каждый атом серы в нижнем слое GaS связан с одним атомом галлия на поверхности GaAs, благодаря чему сульфид галлия прочно «прикрепляется» к поверхности арсенида. Очевидно, что ближайшие слои серы в сульфиде связаны си-

Слой атомов серы

Слон агомоп галлия

б)

Рис. 3. Модель «посадки» сульфида галлия поверхность арсенида галлия типа (111)А;

а) вид со стороны сульфида галлия,

б) вид «изнутри» арсенида галлия

лами Ван-дер-Ваальса (см. рис. 2) подобно слоям углерода в графите. Этим объясняется ограни-

Рис. 2. Кристаллическая структура сульфида галлия (в основании лежат 9 ячеек)

ченная толщина образующегося слоя сульфида галлия, приводимая в литературе [5].

Согласно представленным моделям, при осаждении металла на пассивированную поверхность арсенида галлия на переходе металл - сульфид галлия образуются супрамолекулярные связи, типа, N1 - Б [30], а решетки арсенида галлия, сульфида галлия и металла оказываются сопряженными. Эти обстоятельства облегчают переход электронов через потенциальный барьер на границе металл - полупроводник, что ведет к улучшению свойств барьера Шоттки. Исходя из оценки кристаллических решеток селенида и фосфида индия, можно ожидать подо-

бие в строении границы раздела InP - InSe - Me.

Таким образом, использование физико-химических подходов позволяет разработать технологии получения контактов с заранее заданными электрофизическими свойствами посредством выбора специфических химических и электрохимических методов нанесения материалов.

Авторы статьи выражают благодарность доценту кафедры неорганической химии АлтГУ М.К. Котвановой за научные консультации и помощь при работе с базой данных «Cambridge Structural Database».

Литература

1. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М., 1990.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984.

3. Шур М. Современные приборы на основе арсе-нида галлия. М., 1991.

4. Matukas J., Meskinis S., Smetona S., «Low frequency noise in selenium passivated GaAs and InP Schottky contacts» // Proc. of 15th International Conference on Noise in Physical Systems and 1 / f Fluctuations, Ed. by C. Surya. Hong Kong: The Hong Kong Polytechnic University. 1999.

5. Бессолов B.H., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А3В5 // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. №11.

6. Ковалева Л.С., Калюжный В.М., Цендровский В.А., Сажина Е.М. Импульсная электрохимия в технологии приборов и схем на арсениде галлия // Сб. тр. Шестого Всесоюз. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 1987. Т. 2.

7. Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск, 1990.

8. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М., 1991.

9. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г., Семашко Е.М., Сенкевич А.И. Исследование процессов окисления поверхности арсенида галлия / / Поверхность. 1985. №2.

10. Белый В.И., Смирнова Т.П. Экспериментальные исследования и пути стабилизации фазового состава оксидных пленок на полупроводниках типа АШВУ // Материалы электронной техники. Новосибирск, 1983. Ч 2.

11. Бузанева Е.В., Костиков Ю.П., Коротченков Г.С., Шумило А.А. Физико-химические свойства окисленной поверхности фосфида индия (100) // Поверхность. Ф.Х.М. 1983. №6.

12. Massies 1, Contour IP. Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: an X-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (001) surfaces etched by the H2S04-H202-H20 solution // J. Appl. Phys. 1985. Vol. В 58.

13. Alnot P., Wyczisk F., Friederick A. An X-ray photoelectron spectroscopy study of chemically etched GaAs // Surface Science. 1985. Vol. 162.

14. Абдурагимов Г.А. Поверхность кристалла и эпитаксия / Отв. ред. А.З. Эфендиев. Ростов-на-Дону, 1987.

15. Венгер Е.Ф. и др. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 1995. №2.

16. Кириллова С.И., Примаченко В.Е. Электронные свойства сульфидированной поверхности арсенида галлия // Поверхность. 1994. №12.

17. Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе сульфида натрия // Физика и техника полупроводников. 1990. T. 25. №3.

18. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В. Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов / / Физика и техника полупроводников. 1999. T. 33. №6.

19. Сумец М.П. Электронные процессы на гетеро-границе Ga2Se3-GaAs, сформированные обработкой GaAs в парах селена: Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1999.

20. Фомина Л.В. Физико-химичекие аспекты формирования нанослоевых структур контактов Ir -GaAs n-типа в условиях халькогенной пассивации поверхности полупроводника и электрохимического осаждения металла: Автореф. дис. . канд. хим. наук. Барнаул, 2003.

21. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических веществ. М., 1968.

22. Верятин У.Д., Маширев В.П. Термодинамические свойства неорганических веществ: Справочник. М., 1965.

23. Термические контакты веществ / Под ред. В.П. Глушко. Вып. 2. М., 1965.

24. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М., 1977.

25. Бессолов В.Н., Лебедев М.Б., Zahn K.R.T. Ис-

следования приповерхностной области п-1пР (100), пассивированного в сульфидных растворах // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. Вып. 4.

26. Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. О механизме токопереноса в диодных структурах Сг-п-1пР и Мо-п-1пР // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 8.

27. Батенков В.А., Фомина Л.В., Сарыгина Е.М. Создание выпрямляющих контактов к арсениду галлия электроосаждением платиновых металлов //

Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий: Материалы II Всерос. науч. конф. Томск, 2002. Т. 2.

28. Table of periodic properties of the elements / / Sargent-Welch Scientific Company. 1968. Catalog N S-18806.

29. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М., 1991.

30. Безносюк С.А. Электронная теория активных центров микроструктурных превращений материалов: Автореф. дис. ... докт. физ.-мат. наук. Томск, 1993.