Научная статья на тему 'Гранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны'

Гранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
249
125
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ГРАНУЛОМЕТРИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ / ПОРОГ ПРОТЕКАНИЯ / СЕДИМЕНТАЦИОННЫЕ КОЛОННЫ / grain size analysis / the percolation threshold / the sedimentation column

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Гусев Александр Михайлович

В статье рассматриваются способы получения нано порошков. Исследован гранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

PARTICLE SIZE ANALYSIS OF MILLED POWDERS, THE INSTRUMENT «ANALYSETTE 20" USING A SEDIMENTATION COLUMN

The article discusses how to obtain nano powders. Investigated by granulometric analysis of fine powders, the instrument «Analysette 20" using a sedimentation column.

Текст научной работы на тему «Гранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны»

УДК 621.315: 621.316.8

Г усев А.М.

Г ранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны.

Аннотация

В статье рассматриваются способы получения нано - порошков. Исследован гранулометрический анализ измельченных порошков, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны

Ключевые слова: гранулометрический анализ, порог протекания, седиментационные колонны.

Gusev. A.M.

Particle size analysis of milled powders, the instrument «Analysette 20” using a sedimentation column.

Abstract

The article discusses how to obtain nano - powders. Investigated by granulometric analysis of fine powders, the instrument «Analysette 20” using a sedimentation column

Key words: grain size analysis, the percolation threshold, the sedimentation column.

При изготовлении керметных толстопленочных резисторов используются материалы заданного состава с контролируемым содержанием примесей и легирующих добавок.

Вышеизложенным методом производился помол стекол С-56, С-67, С-71К, С-72, С-78, С-СП-2 в мельнице FRITSCH в четырех режимах 4, 6, 8 и 10 часов. После помола порошки тщательно просушивались.

Гранулометрический анализ измельченных порошков производится, на приборе «Analysette 20» с использованием седиментационной колонны.

Расчет результатов проводился разработанным программным продуктом Sediment, внешний вид оболочки которого представлен на рисунке 1.

Рисунок 1 - Внешний вид программы обработки результатов.

В главное окно программы вводились следующие исходные данные:

- вязкость жидкости, Па* с;

- плотность жидкости, кг/м ;

з

- плотность образца, кг/м ;

- высота суспензии в кювете, мм;

- время измерения, мин.

Полученные результаты представлены в виде графиков (рисунки 2- 3)

Рисунок 2 - Седиментационная кривая осаждения порошка С-56 после 6 часов помола.

Рисунок 3. - Седиментационная кривая осаждения порошка С-67 после 6 часов помола.

Используются системы формирования коллимированных пучков параллельных световых лучей, осложняющих техническую реализацию способа. Стремление к созданию очень узких пучков одновременно

повышает влияние на результаты измерений флюктуаций в суспензии, искажающих стоксову картину гравитационного осаждения.

Целесообразно, чтобы предварительно устанавливали высота суспензии в кювете Н, обеспечивающую погрешность Av / v меньше требуемой, в режиме сканирования поступательно перемещали пучок света вверх в направлении свободной поверхности суспензии с паузами вплоть до достижения глубины просвечивания, обеспечивающей требуемую погрешность и находили плотность распределения частиц порошка по их радиусам v (г) и плотность распределения массы порошка по радиусам его частиц р(г) для каждого дискретного значения глубины просвечивания.

При пошаговом сканировании учитывают уменьшение высота суспензии в кювете, определяемое числом шагов, производя усреднение измеряемой оптической плотности между двумя последовательными паузами.

Достоинством предлагаемого способа является непосредственное определение дифференциальных распределений частиц в анализируемой пробе порошка и ее массы по размерам частиц, исключая традиционные промежуточные две стадии: непосредственное определение интегральных характеристик и последующий дифференциальный анализ. Время проведения измерений минимально, оно в 2-50 раз меньше относительно известных способов[1].

В предлагаемом способе не предъявляется строгое требование к размерам поперечного сечения пучка света. Это позволяет уже в одном цикле измерений существенно снизить влияние различных флуктуаций в суспензии на точность измерения и расширить диапазон исследуемых частиц за счет пространственного усреднения эффектов рассеяния, поскольку засвечивается достаточно большой объем суспензии.

Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что помол порошка стекла марок С-56, С-67, С-71 К, С-72, С-78, С-СП-2 от 4 до 8 часов позволяет уменьшить средний размер частиц от 3 до 1,5 мкм.

Дальнейший помол в течение 2-х часов не приводит к уменьшению средних размеров частиц стекла. Из этих результатов можно сделать вывод, что оптимальное время помола стеклофазы С-56, С-67, С-71К, С-72, С-78, С-СП-2 составляет 6 часов. Гранулометрический анализ порошков проводящей фазы показал, что средний размер частиц проводящей фазы для порошка С-67 составляет 0,3 мкм, а для порошка С-СП-2 - 0,5 мкм.

Среди многочисленных факторов, влияющих на концентрационные зависимости керметных композиций, является дисперсность исходных порошков композиции или соотношение размеров их частиц. При этом в зависимости от размеров частиц проводящей фазы и стекла смещается как порог протекания, так и изменяется крутизна концентрационных зависимостей сопротивления[2].

В таблице 1 приведены данные по гранулометрическому составу порошка С-СП-2 рутения в зависимости от температуры разложения Яи(ОН)4.

С использованием полученных порошков были изготовлены композиции и построены их концентрационные зависимости. Из представленных данных видно, что с увеличением дисперсности проводящей фазы при равных соотношениях проводящей фазы и стекла происходит снижение величины удельного сопротивления, особенно значительное в области малых концентраций проводящей фазы. В процессе исследований резистивных слоев, изготовленных из порошков рутения с размером частиц 0,02 мкм, не удалось изготовить монолитные пленки: структура резистивного слоя является рыхлой и не выдерживает механических воздействий. Кроме того, из этих порошков не удается надежно изготавливать слои с величиной удельного поверхностного сопротивления более 10 Ом/м . Порог протекания для исследованных композиций изменяется от 2,5 до 12,5 % с увеличением размера частиц от 0,02 до 0,5 мкм. Оптимальное сочетание свойств обеспечивается в композиции с размерами частиц диоксида рутения 0,16 мкм. При этом перекрывается диапазон удельных сопротивлений от 10 до 5 106 Ом/м2.

Таблица 1 - Химический состав стекла марки С-СП-2

Наименование компонентов Хим.формула Количество,мае.%

Оксид висмута ВІ2О3 67,5 ± 1,0

Оксид кремния PbO 18,4 ± 0,5

Оксид свинца ZnO 8,8 ±0,3

Оксид цинка CaO 3,5 ±0,2

Оксид кальция 1,8 ±0,2

Физико-химические характеристики стекла марки С-СП-2 должны соответствовать

данным, приведенным в таблице 2

Таблица 2 - Физико-химические характеристики стекла марки С-СП-2

Физ.-хим. характеристики Значения характеристик Методы контроля

Внешний вид Прозрачные пластинки цвета от темножелтого до светлокоричневого Визуально

Термический коэффициент ГОСТ 10978-83

линейного расширения (ТКГР) 10" ОСТ 11027.006. 83.

7град-1 при (100 -300)°С 100± 5

Температура стеклования, °С ~ 475

Температура начала деформации,°С. ~513

Удельное объемное электрическое сопротивление, 0м*м при: не менее 1020

20°С,

200°С, не менее 1011

300°С. не менее 109

Диэлектрическая проницаемость при ОСТ 11027.006.83

частоте 1 МГц и температуре:

20°С, не менее 22

200°С, не менее 24

300°С . не менее 25

* Температура стеклования и температура начала деформации являются

справочными величинами и определяются геометрическим гостроением по дилатометрической кривой.

Также исследовалось влияние размеров частиц RuO2 и РЬ2Яи206 на концентрационные зависимости и температурный коэффициент сопротивления (ТКС). Было исследовано 7 партий проводящих фаз, изготовленных из разных исходных материалов, сформированных при различных температурных режимах (таблица 2).

Из каждой партии материалов были изготовлены композиции с различным соотношением проводящей фазы и стекла. В качестве

стеклосвязки использовалось свинцово-боро-силикатное стекло следующего состава (мол. %): РЬО - 42; SiO2 - 46; В20з - 9; и А1203 - 3.

Изготовленные методом трафаретной печати композиции обжигались при температурах 550° С в течение 10 мин и 750° С в течение 15 мин. На сформированных образцах измерялся ТКС в диапазоне от +20 до +160° С. Как показали исследования, образцы С, D, G имеют минимальные температурные коэффициенты сопротивления по сравнению с другими образцами. Для этих образцов удельная поверхность порошков значительно больше других. На рисунке 2.3.8 представлены концентрационные зависимости ТКС для образцов, обожженных при температуре 550° С в течение 15 мин. Подобные зависимости были получены и для температуры обжига 750° С в течение 10 мин[3].

Можно сделать вывод о необходимости использования более высокодисперсных порошков. Однако для данных композиций не приводятся концентрационные зависимости сопротивления, не указывается механическая прочность полученных пленок. Кроме того, учитывая данные высокотемпературной резисторометрии, используемые в работе режимы температурной обработки являются недостаточными для протекания всех стадий формирования структуры. Кроме этого оценка температурного коэффициента по двум температурам не в полной мере характеризует изменение сопротивления в рабочем диапазоне температур.

Статья подготовлена в рамках реализации проекта «Исследование научно-методологических и материаловедческих основ нанокомпозиционных резисторных структур и создание суперминиатюрных чип-резисторов и самовосстанавливающихся предохранителей на фазовом переходе первого рода» (ГК № 716П от 20 мая 2010 г.) ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России (2009-2013 гг.)»

Библиографический список

1. Недорезов В.Г. Технология керметных резистивных структур и компоненты на их основе (монография). - изд. ПГУ г. Пенза, 2005, 220с.

2. Недорезов В.Г., Шульгин Е.И. Предельно достижимые значения температурного коэффициента сопротивления керметных резисторов // Электронная техника. Сер. 6, Материалы. - 1987. - Вып. 8. - C. 36-39.

3. Гусев А.И. Нанометриалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М: ФИЗМТЛИТ, 2005. - 416 с.

СВЕДЕНИЯ ОБ АВТОРАХ

Гусев Александр Михайлович аспирант каф. "Технический сервис" ГОУ ВПО РГУИТП 440026, г. Пенза, ул. Красная/Чкалова 38/53, тел. (8-8412) 562-321, e-mail:[email protected].

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.