CC BY
25Фазовые превращения при морфотропном переходе в тройных системах твердых растворов с участием цирконата-титаната свинца
Демченко О. А. ^етсЬ@Ытагк.ги)(2), Резниченко Л. А. (1), Разумовская О. Н. (1), Шилкина Л. А. (1), Дудкина С. И. (1),
Турик А. В. (2)
(1)НИИ физики РГУ, (2)Физический факультет Ростовского
госуниверситета.
Введение
Появившиеся в последнее время публикации [1-11] о существовании в бинарных оксидных системах типа цирконата-титаната свинца (ЦТС) новой промежуточной фазы (ПФ) в области морфотропного фазового перехода (ОМФП), обусловливающей высокие пьезоэлектрические свойства соответствующих твердых растворов (ТР), побудили нас более детально изучить подобные области в двух трехкомпонентных системах с участием ЦТС.
Третьими компонентами выступили Вьсодержащие соединения состава BaW1/3Bi2/3O3 и "8^1/3В^/303". BaW1/3Bi2/3O3 - сегнетоэлектрик (СЭ) со структурой типа перовскита и ромбоэдрически (Рэ) искаженной элементарной ячейкой при
о (
комнатной температуре (а=4,348 А, а=90°28). Выше температуры Кюри (Тк=450 °С) структура соединения - кубическая [12-17]. В [16,17] отмечается, что из-за повышенной электропроводности керамических образцов BaW1/3Bi2/303 петли диэлектрического гистерезиса и пьезоэлектрические свойства изучить не удалось. "SrW1/3Bi2/303" - гипотетическое соединение, не известное в самостоятельной кристаллической форме (именно поэтому его химическая формула обрамлена кавычками). Выбор этих третьих компонентов обусловлен прогнозируемой возможностью реализации в моделируемых системах высоких значений пьезоэлектрических параметров (обеспечиваемых "сегнетомягкими" катионами Ba и Sr) и Тк (характерных для Bi-содержащих соединений и их ТР).
Методы получения и исследования образцов
Состав изучаемых ТР отвечает формулам: 0,98 рь(Их2г1_х)03-0,02 BaW1/3Bi2/303 (система 1) и 0,98 рьсПх2г1.х)0з-0,02 (система 2), (0.455<х<0,49). Так
как содержание третьих компонентов невелико, фазовые диаграммы (ФД) систем должны быть близки к ФД базовой системы ЦТС [18]. В связи с этим выбранный интервал вариации х обеспечит образование ТР в ОМФП.
ТР получены по обычной керамической технологии: твердофазный двухстадийный синтез при температурах Т1=Т2=800 °С и временах изотермических выдержек т1=т2=4часа, и спекание при 1160 °С, т=3часа.
Плотность образцов определяли методом гидростатического взвешивания в октане. Рентгенографические исследования проведены на дифрактометре Дрон-3 с использованием БеКа-излучения (Мп - фильтр). Для измерения диэлектрических и
пьезоэлектрических параметров были изготовлены образцы в виде дисков диаметром 10 мм и толщиной 1мм. Металлизацию (нанесение электродов) осуществляли путем вжигания серебросодержащей пасты при температуре 800 °C в течение 0,5 часов. Поляризация производилась в полиэтиленсилоксановой жидкости следующим образом: образцы загружались в камеру при комнатной температуре и в течение 15-20 минут осуществлялся плавный подъем температуры до 140 °С, сопровождающийся ростом электрического поля от 0 до 2,5^3,0 кВ/мм. После выдержки в течение 20^25 минут при этой температуре образцы охлаждались под полем до 60^40 °С в течение не менее 20 минут.
Для аттестации электрофизических свойств исследуемых ТР проведены измерения их диэлектрических, пьезоэлектрических и механических свойств при комнатной температуре в соответствии с ОСТ 11 0444-87 [19]. При этом, по методикам, описанным в [19], определялись: относительные диэлектрические проницаемости поляризованных (s337s0) и неполяризованных (s/s0) образцов, диэлектрические потери в слабом поле (tgS), удельное электрическое сопротивление (pv) при 100 °С, пьезомодуль (d31), коэффициент электромеханической связи планарной моды колебаний (Kp), механическая добротность (Q„), модуль Юнга (Y п), скорость звука (VE1). Расчет параметров производился по формулам из [19] с помощью разработанной одним из авторов (Демченко О.А.) программы (среда программирования Delphi 5).
Экспериментальные результаты и их обсуждение
Измеренная плотность образцов (р=7,7^7,8 г/см3) составляла ~96% от теоретической плотности (~8,1г/см3), что позволяет считать образцы высокоплотными, а исследования электрофизических характеристик достоверными.
Анализ рентгенограмм ТР обеих систем показал, что при х=0,49 в интервале углов дифракции 55 <29<59 расположены рентгеновские линии 002 и 200 тетрагональной (Т) фазы, причем интенсивность фона между ними значительно больше, чем за пределами мультиплета (рис.1). Кроме того, виден очень размытый
диффузный максимум, связанный с появлением кластеров новой фазы.
0
Соответствующее ему межплоскостное расстояние d=2,04 А. При х=0,48 этот диффузный максимум становится более четким и, кроме него, появляется еще один,
слабый, рядом с линией 200 со стороны меньших углов 9. Первый максимум
0
соответствует отражению 200 псевдокубической (ПСК)-фазы с параметром a^4,08 А , а второй-отражению 200 кластеров ромбоэдрической (Рэ) фазы.
Более точно определить симметрию ПСК-фазы в условиях нашего эксперимента не представлялось возможным. Из рис.1 видно, что рентгеновские линии сильно размыты и перекрываются, что обусловлено сложностью фазового состава ТР и близостью их параметров ячейки. Области когерентного рассеяния (ОКР) вновь образованных фаз малы, и это тоже приводит к уширению линий. Кроме того, в [20,21] нами показано, что в Ti-содержащих сложных оксидах смещения В-катионов модулируются в результате периодического повторения плоскостей кристаллографического сдвига (ПКС). Это приводит к появлению в области крыльев рентгеновских линий диффузных максимумов, искажающих и расширяющих профиль линий. Следует учесть также, что в исследуемых ТР кислородные октаэдры, наряду с ионами Ti и Zr, занимают также ионы W и Bi, имеющие большую рассеивающую
способность, в результате чего интенсивность диффузных максимумов увеличивается, и еще больше искажается профиль рентгеновских линий.
С уменьшением х интенсивности обоих максимумов возрастают, а интенсивности линий, соответствующие отражениям Т-фазы, уменьшаются при одновременном увеличении их ширины. При х=0,46 содержание ПСК- и Рэ-фаз почти одинаково (рис.1), а при х=0,455 Рэ-фаза преобладает. Зависимость структурных характеристик, в том числе, полуширины, B002, рентгеновской линии 002 от х приведена на рис.3.
Видно, что по мере увеличения содержания ПСК- и Рэ-фаз В002 увеличивается, но не монотонно. Наиболее резкое уширение линии 002 соответствует участку постоянства структурных параметров, прилегающему к границе перехода в Рэ-фазу. Это связано с расслоением системы на отдельные ТР, подтверждаемым рентгенографически. В обеих системах как в синтезированных, так и в спеченных образцах, при х=0,47 наблюдаются две Т-фазы с различным отношением параметров с^. В синтезированных образцах такая картина сохраняется во всем исследуемом интервале концентраций. В спеченных- в ТР с х=0,46 и х=0,455 рентгенографические линии становятся очень широкими и можно говорить о существовании в этой области концентраций целого спектра Т-фаз с различными отношениями с/а (но меньшими, чем в ТР с х=0,47), а также Рэ-фаз с большим разбросом параметров а и а. После длительной выдержки в течении 24-х часов при температуре спекания 1180 °С эффект расслоения проявляется более четко. (Рентгенографически определяются два типа ТР с отличающимися параметрами Т-ячейки.) Это свидетельствует о большем приближении к равновесному состоянию системы (рис 4).
Из сказанного следует, что морфотропный переход из Т-фазы в Рэ-фазу в данных системах ТР при уменьшении х происходит следующим образом. Сначала образуются ТР, содержащие Т-фазу и промежуточную ПСК-фазу. При уменьшении х ПСК-фаза постепенно переходит в Рэ-фазу, и ТР содержат три фазы- Т+ПСК+Рэ, причём содержание последних двух фаз увеличивается и сравнивается при х=0,46. Дальше, по мере увеличения содержания Zr, концентрация ПСК-фазы уменьшается, а Рэ-растёт, количество Т-фазы в ТР с х=0,46 и х=0,455 одинаково. Такая последовательность фазовых переходов (ФП) в исследуемом интервале концентраций компонентов представляется логичной, если учесть следующее. Выше Тк в обеих системах структура становится кубической . Переход Т-ячейки ^=Ь<о, а=Р=у=90°) в кубическую (К) может произойти плавно при увеличении параметров a и Ь и уменьшении параметра с. Переход Рэ- ячейки ^=ь=о, а=Р=у^90°) в кубическую может также произойти плавно при увеличении угла а до 90°. Плавный же переход Т-ячейки в Рэ не возможен. Он может происходить либо через К-фазу при постепенном выравнивании линейных параметров ячейки, а затем уменьшении угла а, либо через более низкосимметричную фазу (например, моноклинную), в которой ячейка, имеющая не равные линейные параметры, испытывает и угловое искажение. Это означает, что в ОМФП должны одновременно сосуществовать, по меньшей мере, три фазы: ТР с большим содержание имеющие Т-искажение перовскитной ячейки, ТР с большим содержанием Zr, имеющие Рэ-искажение ячейки, и промежуточный ТР, имеющий, как показано в [1-11] для системы ЦТС и других подобных систем, моноклинное искажение перовскитной ячейки (промежуточная фаза, ПФ [9,10]).
Очевидно, что в зависимости от режима получения ТР может изменяться как скорость образования ПСК- и Рэ-фаз, так и ширина ОМФП.
Заметим, что дополнительную ПСК-фазу в ТР на основе ЦТС, принадлежащих области Т-Рэ-перехода, впервые наблюдали в [22], задолго до появления работ о промежуточных фазах в ОМФП. Объектом исследования [22] стал пьезокерамический материал ПКР-7М, разработанный в НИИ физики РГУ [24] на базе одной из пятикомпонентных систем вида рь(т^г)0з- ^ РЪ(В1^_аВ1/)03. Авторами [22] такая
п=3
ОМФП классифицирована как область перехода с дополнительной фазой. Количество последней в образцах при комнатной температуре составляет примерно 50%. Анализ ширины дифракционных отражений показал, что эта фаза имеет малые размеры ОКР 0 0 (менее 400 А ).(В нашем случае размер ОКР~300 А). В работе [22] эта дополнительная
фаза трактуется как фаза с метастабильной поляризацией, характерной для сегнетоэлектриков-релаксоров [24].
На рис.2 представлены также концентрационные зависимости однородного параметра деформации (8т) Т-ячейки, определяемого по формуле 8Т =2/3(с^-1) [15], процентное содержание Т- и ПСК-фаз (дт,дПСК), оцениваемое по формулам: Мт=100-(^ПСК+ДРэ), где Дпск= ( I207 • 100 ): ( I2т00 +10т02 +1Р0 +1207 )-содержание ПСК-фазы, ^Рэ = ( 120э0 • 100 ): ( I т200 + 1 0т02 +12рэ0 +1 207 )-содержание Рэ-фазы, (¡200 и
1002 - интенсивности в максимуме рентгеновских линий соответствующих фаз).
Области чисто Т и Рэ-составов нами не изучались .
Обращает на себя внимание факт существования в ОМФП двух участков постоянства (или очень малых изменений ) структурных и электрофизических характеристик. Каждый из этих участков примыкает (или близко расположен) к границе перехода в однофазные (Т-или-Рэ-) области. Вне этих областей параметры ТР изменяются существенно при вариации составов, при этом электрофизические характеристики имеют экстремальные значения внутри ОМФП (максимумы в/в0, в33т/в0, d31, Кр, минимумы Qм, У1Е, У11Е) (рис 5).
Такой ход параметров в ОМФП так же, как и в системе ЦТС, свидетельствует о сложной морфологии этого фрагмента ФД, природа которой (как и причины двухфазности морфотропной области), явились, в свое время, предметом дискуссии [25-48], не завершившейся и до настоящего времени. Анализ библиографических данных, посвященных этой теме, а также полученные в данной работе экспериментальные результаты, позволили нам высказать свою точку зрения по данному вопросу, сформулированную в виде нижеследующих положений.
1. Вид фазовых Т-х-диаграмм системы ЦТС и родственных двухкомпонентных систем (с аналогичными фазовыми границами) позволяет отнести их к диаграммам систем ТР типа I Розебома с перитектоидным распадом в твёрдом состоянии [49].
2. Такие диаграммы отражают процессы:
-образования непрерывного ряда ТР высокотемпературных модификаций компонентов (кубических-для РЬТю3 и рь2г0з) ; - перитектоидного распада ТР низкотемтемпературных модификаций, характеризующегося
• постепенным растворением одной из фаз (в нашем случае, например, Т) и выделением другой (Рэ);
• ограниченной растворимостью низкотемпературных модификаций (Т и Рэ);
• образованием интервала концентраций, в котором находятся в равновесии одновременно два ТР предельных концентраций (ОМФП);
• постоянством параметров (физических свойств) ТР внутри ОМФП.
3. Поскольку указанный интервал сосуществования фаз относительно узок, а крайние компоненты ЦТС-систем образуют друг с другом широкие области изоморфизма [47], можно рассматривать процесс растворения низкотемпературных модификаций как образование ТР с разрывом сплошности при определенных концентрациях компонентов.
4. Реализация именно такой ФД обусловлена не сколько различием симметрий крайних компонентов, сколько существенными отличиями формы их кристаллических ячеек [50], не допускающими плавный переход от одной структуры к другой, в результате чего и происходит распад ТР.
5. Вид ФД подобных систем может быть описан в рамках классической термодинамики растворов, в которых могут появляться две фазы [51].
6. В реальных сегнетоэлектрических кристаллах (поликристаллах, керамиках) термодинамическое описание поведения свойств ТР невозможно из-за их сложного иерархического строения (домены, зерна), а также высокой чувствительности свойств ТР, особенно из области сосуществования фаз, к индивидуальным характеристикам компонентов, условиям получения, внешним воздействиям, с которыми могут быть связаны нарушения стехиометрии, флуктуации состава ТР, образование точечных и протяженных дефектов, "размазанность" фаз по концентрации.
7. Предыстория образцов обусловливает различия в: -протяженности ОМФП; -"наполнении" ее фазами различных симметрий и состава, в том числе, кластерными структурами [52] и ПФ; -поведении внутри нее структурных и электрофизических параметров; -наблюдаемые исследователями в разных экспериментах.
8. Трансформация Т-Рэ превращения при переходе от идеальных объектов к реальным может быть представлена в виде нижеприведенных схем, усложняющихся по мере накопления и осмысления результатов все более детальных исследований систем типа ЦТС.
ТР(Т)
а) ТР(Т)^ ТР(Рэ)^ распадТР ОМФП ТР(Рэ)
б) ТР(Т)— ТР(Т+Рэ) - ТР(Т+Рэ) ТР(Рэ+т)— участок постоянства параметров Распад ТР ТР(Рэ+Т)— ТР(Рэ)
ОМФП
в) ТР(Т)— ТР(Т+ПФ) — ТР(ПФ)— ТР(ПФ+Рэ) — ТР(Рэ)
ОМФП
Г) ТР(Рэ)— однофазная область ТР(Рэ)пф — гетерогенная обл. с ПФ-кластерами. ТР(РЭ+ПФ)т — двухфазная обл. с Т-кластерами ТР(Рэ+ПФ)т ТР(Т+ПФ)т — участок постоянства параметров ТР(Рэ+ ПФ+ Т)— ТР(Т+ПФ)Рэ ТР(ПФ+Т)Рэ — участок постоянства параметров ТР(Т+ПФ)Рэ — двухфазная обл. с Рэ-кластерами ТР(Т)пф — гетерогенная обл. с ПФ-кластерами ТР(Т) однофазная обл.
гетерофазная область(ОМФП)
Такая сложная схема отличается от идеальной [43] из-за малых скоростей диффузионных процессов, протекающих в твердом состоянии, что затрудняет достижение равновесных состояний. Отметим, что наблюдаемое нами в настоящей работе формирование двух участков постоянства параметров ТР связано с возникновением ПФ и, как следствие, образованием ТР по схеме г).
9. Диэлектрические, пьезоэлектрические и механические характеристики ТР изменяются: -плавно (как и структура) в однофазных областях вдали от МФП; -немонотонно (как и структура) в гетерогенных областях (где возникают кластеры новой фазы [52]) в окрестности МФП ; -экстремально вблизи морфотропных границ (когда появляется ПФ);
-слабо (или практически не изменяются) внутри ОМФП (на участках постоянства структурных параметров).
10. ТР из ОМФП отличаются повышенной дефектностью, обусловленной их гетерофазностью. Об этом свидетельствуют, например, минимальные значения температуры спекания, удельного электрического сопротивления (для р-типа проводимости), энергии активации реакций образования, ширины запрещеной зоны, воспроизводимости электрофизических свойств и др. [53].
11. ТР из ОМФП термодинамически неустойчивы. Это проявляется, например, в наибольшем изменении их фундаментальной характеристики - Тк, по сравнению с однофазными ТР при изменении внешних воздействий (давления), являющихся, в частности, деталями технологии [53].
12. С ростом числа компонентов вид фазовых Т-х-диаграмм усложняется [54,55]. В этих системах дополнительный вклад в распад ТР *) могут вносить различия в диффузионной активности разных катионов [56,57].
*). Не случайно, на наш взгляд, именно поэтому впервые в [22] ПФ была обнаружена в наиболее сложной из известных многокомпонентных систем, включающей 8 типов катионов.
Анализ диэлектрических, пьезоэлектрических и механических свойств исследованных объектов показал, что может быть выделена группа ТР (с х=0,465^0,47), перспективных для практических применений. Достаточно высокие ТК (360^355 °С), К (0,50^0,53), ёэ1 (100 пКл/Н) при низких tg5 (-1,8* 10-2) и Ом (~120) обусловливают возможность использования ТР с такими параметрами в качестве основы высокотемпературных (ВТ) преобразователей с широкой полосой пропускания. По сравнению со всеми известными ВТ-материалами, имеющими пониженные или низкие величины в33Т/в0 (-50^500), благоприятствующие их использованию в высокочастотных устройствах [7], в настоящей работе впервые получены ТР со значительно более высокими значениями в33Т/в0 (1300^1400). Это делает их незаменимыми для применений в среднечастотном диапазоне.
Работа выполнена при поддержке Российского Фонда фундаментальных исследований (грант РФФИ №02-02-17781).
Литература
1. Noheda B., Cox D.E., Shirane G., Gonzalo J.A., Cross L.E., Park S-E. // Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. P.2059.
2. Noheda B., Gonzalo J.A., Guo R., Park S.-E., Cox D.E., Shirane G. // Phys. Rev. 2000.V.61 .№ 13.P.8687.
3. Guo R., Cross L.E., Park S.-E., Noheda B., Cox D.E., Shirane G. // Phys. Rev. Lett. 2000. V.84. № 23. P.5423-5426.
4. Noheda B., Cox D.E., Shirane G., Park S-E., Cross L.E., Zhong Z. // Phys. Rev. Lett. 2001.V. 86. № 17. P.3891
5. Xu G., Luo H., Xu H., Yu Z. // Phys. Rev. 2001. B64. 2. 020102.
6. Ye Z-G., Noheda B., Dong M., Cox D., Shirane G. // Phys. Rev. 2001. B64. 184114.
7. Cox D., Noheda B., Shirane G., Uesu Y., Fujishiro K., Yamada Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. V.79. P.400.
8. Noheda B., Cox D.E., Shirane G., Guo R., Jones B., Cross L. E. //Phys. Rev. 2001.B63. № 1. Р.14103.
9. Тополов В.Ю. Турик А.В. // ФТТ. 2001. Т.43. №8. С.1525-1527.
10. Тополов В. Ю. , Турик А. В. // ФТТ. 2002 Т .44. № 7. С. 1295-1301.
11. La-Orauttapond D., Noheda B., Ye Z-G., Gehring P.M., Toulouse J., Cox D.E., Shirane G. // Phys. Rev.B. 2002. V.65. P. 144101-1-144101-7.
12. Висков А. С., Веневцев Ю. Н., Жданов Г. С. // ДАН СССР.1965. Т .162. № 2. С .323-325.
13. Веневцев Ю. Н., Капышев А. Г., Висков А. С., Шворнева Л. И., Лебедев В. М., Петров В. М., Жданов Г. С. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1967. Т .31. № 7. С .1068-1073.
14. Висков А. С., Веневцев Ю. Н., Петров В. М. // Изв. АН СССР Сер. Неорган. материалы. 1968. Т .4. № 11. С .1980-1984.
15. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество .М. : Атомиздат. 1972. 248 с.
16. Веневцев Ю. Н., Политова Е. Д., Иванов С. А. Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария. М .:Химия.1985. 256 с.
17. Титанат бария. / Сборник статей. Под редакцией Н.Б. Белова. М.: Наука. 1973. 264 с.
18. Sawaguchi E. // J. Phys.Soc. Yapan.1958. V.8.№5.P.615.
19. ОСТ 11 0444-87. Материалы пьезокерамические. Технические условия. Введены 01.01.88. Группа Э-10. 41 с.
20. Резниченко Л. А., Шилкина Л. А., Титов С. В., Разумовская О. Н. // Сб-к статей и тезисов международного симпозиума " Упорядочения в минералах и сплавах" ("ОМА- 2000"). Ростов-на-Дону. 2000. С .127-138.
21. Резниченко Л. А., Шилкина Л. А., Титов С. В., Разумовская О. Н. // Кристаллография. 2002 (в печати).
22. Богосова Я. Б., Константинов Г. М., Куприянов М. Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 1993. Т .57.№ 6. С .89-91.
23. Данцигер А. Я., Разумовская О. Н., Резниченко Л. А. и др. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Справочник. Ростов-на-Дону. 1994. 34 с.
24. Cross L.T. // Ferroelectrics. 1987. V.76. P.241-247.
25. Исупов В. А. // ФТТ, 1970. Т .12. № 5. С .1380-1385.
26. Benguigui L. // Solid State Commun. 1972. V.11. P. 825-828.
27. Ari P-Gur P., Benguigui L. // Solid State Commun. 1974.V. 15. P. 10771079.
28. Wersing W. // Ferroelectrics. 1974. V.7. P.163-165.
29. Ari P., Benguigui L. // J. Phys. 1975. D8. 1856.
30. Isupov V.A. // Solid State Commun. 1975. V. 17. P.133 1-1333.
31. Benguigui L. // Solid State Commun. 1976.V. 19. Р. 979-981.
32. Kakegawa K., Mohri J. A. // Solid State Commun. 1977.V. 24. P. 769772.
33. Hank L., Uchino K., Nomura S. // Japan. J. Appl. Phys. 1978. V.17. №4. P. 637-641.
34. Куприянов М. Ф., Жаворонко Г. П., Шилкина Л.А., Панич А.Е. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. 1979. Т .15. № 5. С .861-864.
35. Исупов В. А. // ФТТ. 1980. Т .22. № 8. С .172-177.
36. Турик А. В., Куприянов М. Ф., Сидоренко Е. Н., Зайцев С. М. // ЖТФ. 1980. Т .50. № 10 .С .2146-2151.
37. Фрейманис В. А. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1980. №3. С .74-78.
38. Фрейманис В.А. Физические свойства сегнетоэлектрических материалов. Рига. Латв. гос. ун-т. 1981.64 с.
39. Турик А. В. // Кристаллография. 1981. Т .26. № 1. С .171-173.
40. Налбандян В. Б., Беляев И. Н. // Сб-к тез. докл. X Всесоюзной конф. по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве. Ч .II. Минск. 1982. С .67.
41. Данцигер А. Я., Резниченко Л. А., Разумовская О. Н., Шилкина Л. А. // Сб-к " Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики". (Сб-к научных трудов). Калинин. 1983. С .123-129.
42. Данцигер А. Я. // Дисс... д. ф - м н. Ростов-на-Дону . 1985. 480 с.
43. Панич А. Е., Куприянов М. Ф. Физика и технология сегнетокерамики. Ростов-на-Дону. Изд-во РГУ. 1989. 176 с.
44. Куприянов М. Ф., Константинов Г. М., Панич А. Е Сегнетоэлектрические морфотропные переходы. Ростов-на-Дону. Изд-во РГУ. 1992.246 с.
45. Данцигер А. Я, Разумовская О. Н., Резниченко Л. А., Дудкина С. И. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1993. Т .57. № 6. С .103-106.
46. Дергунова Н. В., Сахненко В. П. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1993. Т.57. №6. С.42-44.
47. Сахненко В.П., Дергунова Н.В., Резниченко Л.А. Энергетическая кристаллохимия твердых растворов соединений кислородно-октаэдрического типа и моделирование пьезокерамических материалов. Ростов-на-Дону. Изд-во РГПУ.1999. 321 с.
48. Гориш А.В., Панич А.Е., Турик А.В., Дудкевич В.П., Куприянов М. Ф. Пьезоэлектрическое приборостроение. Т .1. Физика сегнетоэлектрической керамики. М.: Изд-во ж. "Радиотехника". 1999. 368 с.
49. Аносов В. Я., Озерова М. И., Фиалков Ю. Я. Основы физико-химического анализа. М.: Наука. 1976. 503 с.
50. Бокий Г. Б., Кристаллохимия. М.: Наука. 1971. 400 с.
51. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. Ч .1. М.: Наука. 1976. 584 с.
52. Титов С. В., Шилкина Л. А., Резниченко Л. А., Дудкина С. И., Разумовская О. Н., Шевцова С. И., Кузнецова Е. М. // Письма в ЖТФ. 2000. Т .26. № 18. С .9-16.
53. Кузнецова Е.М., Резниченко Л.А., Раевский И.П. // Сб-к трудов Международного симпозиума "Упорядочение в минералах и сплавах" ("ОМА-2000"). Ростов-на-Дону. 2000. С.59-67.
54. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерамические материалы. Ростов-на-Дону. Изд-во РГУ. 1983. 156 с.
55. Данцигер А. Я., Разумовская О. Н., Резниченко Л. А., Сахненко В. П., Клевцов А.Н., Дудкина С.И., Шилкина Л.А., Дергунова Н.В., Рыбянец А. Н. Многокомпонентные системы сегнетоэлектрических сложных оксидов: физика, кристаллохимия, технология. Аспекты дизайна пьезоэлектрических материалов. Т .1. Ростов-на-Дону. Изд-во РГУ. 2001.408 с.
56. Климов В. В. // Дисс. д. х. н. Донецк.1973. 407 с.
57. Петренко А.Ч., Приседский В.В. Дефекты структуры в сегнетоэлектриках. Киев. Изд-во Учебно-методического кабинета по высшему образованию при Мин-вузе. УССР. 1989. 101 с.
58. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко Л.А. и др. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Справочник. Ростов-на-Дону. АО "Книга". 1994.-31 с.
Рис 1. Фрагменты дифрактограмм ТР системы 1 (а) с х=0,455(1); 0,465(2); 0,48(3); 0,49(4) и системы 2 (б) с х=0,455(1'); 0,46(2'); 0,48(3'); 0,49(4').
Рис 2. Концентрационные зависимости структурных характеристик
синтезированных (а) и спеченых (б) образцов ТР обеих систем (1,1'^; 2,2'-Ут; 3,3'-5т; 4,4'-съ 5,5'-^; 6,6'-|дпск; 7,7'-|дрэ; 8,8'-В002;)
а)
б)
Рис 3. Концентрационные зависимости электрофизических характеристик ТР систем 1(а),2(б) (1-Тк; 2-s/so; 3-вззт/во; 4-Кр; 4'-Kp max; 5-d3i; 6-Y„E; 7-ViE; 8^; 9-tg5)
