CC BY
78
Известия ТРТУ
УДК 538.3
И.И. Красюк, Б.Н. Погорелов
ЦИКЛОТРОННЫЙ АВТОРЕЗОНАНС В СИЛЬНОМ СТАТИЧЕСКОМ ГРАВИТАЦИОННОМ ПОЛЕ
Построенный в [1] одномерный гамильтонов формализм описывает движение заряженной частицы в электромагнитной волне, распространяющейся вдоль параллельных статических магнитного В и электрического Е полей; магнитное поле полагается однородным, а волна стационарной, причем в общем случае амплитуда волны и фазовая скорость -функции продольной координаты: A=A(z), v=v(z). В рамках этого фо-риализма простейшему варианту авторезонансного режима - режиму монотонного энергообмена частицы с волной при A=const, v=0, Е=0 соответствует движение частицы вдоль сепаратрисы, уравнение которой является следствием условий авторезонанса.
Представление об авторезонансном режиме как о движении частицы вдоль авторезонансной сепаратрисы позволяет установить существование этого эффекта в сильном статическом гравитационном поле с метрикой gik (z)=diag(a(z),-b(z),-b(z)), где а,Ь>0. При выполнении соотношения (eB/(mcro))2a/b+b=const (е, m - заряд и масса частицы, га - частота волны, с - скорость света в вакууме) имеет место циклотронный авторезонанс, условие которого записывается в виде
cûj ( 1 — / с ) = , ( 1 )
где частота волны га? и циклотронная частота Qj определяются по отношению к времени Т: dT=(a/b)dt, t - мировое время, u2x=dz/dT.
Таким образом, циклотронный авторезонанс не является специфически евклидовым эффектом.
ЛИТЕРАТУРА
Давыдовский ВЯ., Погорелое Е.Н., Филиппов Ю.С. Адиабатические инварианты заряженных частиц в полях некоторых симметрий Изв. вузов. Физика, 1990. № 1.
УДК 539.2:541.135.5
О.В. Колпачена
ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ Cu3Ti и Cu3Ti2
В кластерном приближении теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура интерметаллических соединений Cu3Ti и Cu3Ti2) имеющих тетрагональные кристаллические структуры. Кристаллические потенциалы обоих соединений строились в muffin-tin приближении с использованием приближения локального функционала электронной плотности для обмена. Рассчитаны локальные парциальные и полные плотности электронных состояний (ПЭС) атомов Си и Ti. На рис. 1 и 2 приведены полные ПЭС соединений. Основной
Секция физики
максимум в валентной полосе образован ¿-состояниями Си и в незначительной степени гибридизованными с ними <1-состояниями Т1 Максимумы ПЭС с! -сотояний Т1 лежат в обоих случаях в незанятой части полосы И вблизи уровня Ферми. Следует отметить, ЧТО В соединении Сиз'Пг низкоэнергетический и тройной высокоэнергетический максимумы ПЭС образованы локальными плотностями с!-состояний двух атомов Си, находящихся в неэквивалентных кристаллографических позициях. То же относится к двум максимумам ПЭС соединения СизТь В СизТ1 отмечен перенос заряда (0.66 электрона) с одного из атомов Си на атом Т1 В СизТ12 заряд переносится от атома Т1 к одному из атомов Си (0.5 электрона).
энергия эв
гч #
Рис. 1.
ЭНЕРГИЯ ЭВ
Рис. 2
УДК 539.184.2+546.28:548.4
Г.В. Арзуманян, А.Г. Захаров, А.Б. Колпачев
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР КРЕМНИЯ С ДЕФЕКТАМИ
Размеры рабочих областей активных элементов интегральных микросхем в ряде случаев могут быть сравнимы с характеристическими размерами кристаллографических дефектов в исходных пластинах кремния. Поэтому исследование электронного энергетического спектра (ЭЭС) кремния, содержащего различные дефекты, представляется важной задачей.
В данной работе использован кластерный подход к решению задачи расчета ЭЭС, в рамках теории многократного рассеяния, с использованием "muffin-tin" приближения для потенциала. В общем случае результатами такого расчета являются локальные парциальные и полные плотности электронных состояний (ПЭС). Расчет ПЭС в полупроводниках требует обобщения теории для случая отрицательных энергий электрона. Исследовалось влияние размера кластера и выбора приближения для учета обменного взаимодействия между электронами в рамках самосогласованного расчета. Наилучшие результаты получены для кластера из
