CC BY
32
Секция физики
максимум в валентной полосе образован ¿-состояниями Си и в незначительной степени гибридизованными с ними <1-состояниями Т1 Максимумы ПЭС й-сотояний Т1 лежат в обоих случаях в незанятой части полосы И вблизи уровня Ферми. Следует отметить, ЧТО в соединении Сиз'Пг низкоэнергетический и тройной высокоэнергетический максимумы ПЭС образованы локальными плотностями с!-состояний двух атомов Си, находящихся в неэквивалентных кристаллографических позициях. То же относится к двум максимумам ПЭС соединения СизТь В СизТл отмечен перенос заряда (0.66 электрона) с одного из атомов Си на атом Т1 В СизТ12 заряд переносится от атома Т1 к одному из атомов Си (0.5 электрона).
энергия эв
гч #
Рис. 1.
ЭНЕРГИЯ ЭВ
Рис. 2
УДК 539.184.2+546.28:548.4
Г.В. Арзуманян, А.Г. Захаров, А.Б. Колпачев ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР КРЕМНИЯ С ДЕФЕКТАМИ
Размеры рабочих областей активных элементов интегральных микросхем в ряде случаев могут быть сравнимы с характеристическими размерами кристаллографических дефектов в исходных пластинах кремния. Поэтому исследование электронного энергетического спектра (ЭЭС) кремния, содержащего различные дефекты, представляется важной задачей.
В данной работе использован кластерный подход к решению задачи расчета ЭЭС, в рамках теории многократного рассеяния, с использованием "muffin-tin" приближения для потенциала. В общем случае результатами такого расчета являются локальные парциальные и полные плотности электронных состояний (ПЭС). Расчет ПЭС в полупроводниках требует обобщения теории для случая отрицательных энергий электрона. Исследовалось влияние размера кластера и выбора приближения для учета обменного взаимодействия между электронами в рамках самосогласованного расчета. Наилучшие результаты получены для кластера из
Известия ТРТУ
71 атома. На основе данной методики моделировался ЭЭС бездефектного кремния и достигнуто хорошее согласие расчетов с экспериментальными рентгеновскими спектрами. Нами рассмотрено два типа дефектов, связанных с атомами в примесь внедрения и А-центр (комбинация атома внедрения и структурной вакансии). При этом наличие примеси и вакансии учитывалось как на этапе построения кристаллического потенциала, так и при решении задачи многократного рассеяния.
Анализ полученных ЭЭС показал, что атом замещения не создает глубоких уровней в запрещенной зоне кремния. В тоже время А-центр обусловливает появление пика в распределении плотности энергетических состояний, соответствующего значению энергии 0,24 эВ ниже дна зоны проводимости Б1. Этот результат находится в хорошем соответствии с экспериментальными данными полученными методом БЬТБ.
Таким образом, разработанная методика может быть использована для проведения дальнейших исследований влияния различных кристаллографических дефектов на ЭЭС кремния.
УДК 621.396
Н.А. Харин ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАПРАВЛЕННЫХ СВОЙСТВ РЕШЕТКИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, ГЕНЕРИРУЮЩИХ НЕЛИНЕЙНУЮ ВОЛНУ В ПЛАСТИНЕ
Приведены результаты экспериментов по генерации волны суммарной частоты в тонкой металлической пластине. Возбуждение осуществлялось группой преобразователей, а угловое распределение сигнала суммарной частоты измерялось ненаправленным приемником, свободно перемещаемым по поверхности пластины. Показано, что ширина диаграммы направленности группы излучающих преобразователей уменьшается в 1,4 раза по сравнению с исходными диаграммами направленности на частотах накачки.
УДК 534.222
В.Ю. Волохценко .
ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ АНТЕННЫ В РЕЖИМЕ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРИЧНЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ
Эффективность использования в условиях мелководья гидроакустической системы ближнего действия с излучающей параметрической антенной может быть существенно повышена при совместном использовании как низкочастотного сигнала разностной частоты, так и вторичных высокочастотных акустических сигналов. Показано, что высокая эффективность генерации, амплитудная и фазовая однородность пространственного распределения вторичных высокочастотных сигналов, узкий главный максимум и малый уровень бокового поля вторичного высокочастотного излучения позволяют
