CC BY
279YARIMOTKAZGICHLARDA ELEKTR TOKI
Madrahim Mazakir o'g'li Masavurov masavurovmadrahim@gmail. com Toshkent viloyati Chirchiq davlat pedagogika instituti
Annotatsiya: ushbu maqola yarimo'tkazgichlarda elektr toki hamda bu boradagi fan yutuqlari , amalga oshirilgan tadqiqotlar haqida ma'lumot beradi.
Kalit so'zlari: yarimo'tkazgichlar, elektr toki, "Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari" laboratoriyasi, fotoelektrik energiya, professor G.M.Avakyants
ELECTRICITY IN SEMICONDUCTORS
Madrahim Mazakir o'g'li Masavurov masavurovmadrahim@gmail. com Chirchik State Pedagogical Institute of Tashkent region
Abstract: This article provides information about electricity in semiconductors, as well as scientific advances and research.
Keywords: semiconductors, electricity, laboratory "Semiconductor solar cells", photoelectric energy, professor G.M.Avakyants
Yarimo'tkazgichlar - elektr tokini yaxshi o'tkazuvchi moddalar (o'tkazgichlar, asosan, metallar) va elektr tokini amalda o'tkazmaydigan moddalar (dielektriklar) orasidagi oraliq vaziyatni egallaydigan moddalar. Mendeleyev davriy sistemasida II, III, IV, V va VI guruhlarda joylashgan ko'pchilik elementlar. ularning bir qator birikmalari yarimo'tkazgichlar jumlasiga kiradi. Yarimo'tkazgichlarda ham metallardagi kabi elektr o'tkazuvchanlik elektronlarning harakati tufayli yuzaga keladi. Biroq elektronlarning harakatlanish sharoitlari metallar va yarimo'tkazgichlarda turlicha bo'ladi. Yarimo'tkazgichlar quyidagi asosiy xususiyatlarga ega: yarimo'tkazgichlarning elektr o'tkazuvchanligi temperatura ko'tarilishi bilan ortib boradi (masalan, temperatura 1 K ga ortganda yarimo'tkazgichlarning solishtirma o'tkazuvchanligi 16-17 marta ortadi); yarimo'tkazgichlarning elektr o'tkazuvchanligida erkin elektronlardan tashqari atom bilan bog'langan elektronlar ham ishtirok etadi (ba'zi hollarda bog'langan elektronlar asosiy rol o'ynaydi); sof yarimo'tkazgichlarga ozmiqdorda qo'shilma kiritib, uning o'tkazuvchanligini keskin o'zgartirish mumkin (masalan, 0,01% qo'shilma kiritilganda yarimo'tkazgichlarning o'tkazuvchanligi 10000 marta ortib ketadi). Past tralarda yarimo'tkazgichlarning solishtirma qarshiligi juda katta bo'ladi va amalda
ular izolyator hisoblanadi, lekin temperatura ortishi bilan ularda zaryad tashuvchilarning konsentratsiyasi keskin ortadi. Masalan, sof kremniyda 20° trada erkin elektronlar konsentratsiyasi ~1017m~3bo'lsa. 700° da 1024 m"3gacha, ya'ni million martadan ko'proq ortadi. Yarimo'tkazgichlarda erkin elektronlar konsentratsiyasining traga bunday keskin bog'likligi o'tkazuvchanlik elektronlari issiqlik harakati ta'sirida hosil bo'lishini ko'rsatadi. Yarimo'tkazgich kristallda atomlar valent elektronlari yordamida o'zaro bog'langan. Atomlarning issiqlik tebranishlari vaqtida issiqlik energiyasi valent elektronlar orasida notekis taqsimlanadi. Ayrim elektronlar o'z atomi bilan bog'lanishni uzib, kristallda erkin ko'chib yurish imkonini beradigan yetarli miqdordagi issiqlik energiyasiga ega bo'lib qolishi va erkin elektronlarga aylanishi mumkin.
Tashqi elektr maydon bo'lmaganda bu erkin elektronlar tartibsiz harakat qiladi. Elektr maydon ta'sirida esa maydonga qarshi yo'nalishda tartiblangan harakatga kelib, Yarimo'tkazgichlarda tok hosil qiladi. Erkin elektronlar yuzaga keltirgan o'tkazuvchanlik elektron yoki p tip o'tkazuvchanlik deb ataladi.
Bog'langan elektronning o'z atomini "tashlab ketishi" atomning elektr neytralligini buzadi. unda "ketib qolgan" elektron zaryadiga miqdoran teng musbat zaryad - teshik vujudga keladi. Tashqi elektr maydon bo'lmaganda elektronlar ham, teshiklar ham tartibsiz harakatlanadi, tashqi maydon bo'lganda esa elektronlar maydonga qarshi, teshiklar maydon bo'ylab ko'chadi. Teshiklarning ko'chishi bilan bogliq o'tkazuvchanlik teshikli yoki rtmp o'tkazuvchanlik deyiladi. Erkin elektronlar soni bilan teshiklar soni bir-biriga tengligi tushunarli. Anqlanishicha, ularning harakatlanish tezligi ham bir xil ekan. Demak, yarimo'tkazgichlardagi tok ayni vaqtda ham elektron, ham teshikli o'tkazuvchanlikdan vujudga keladi. Bunday electron teshikli o'tkazuvchanlik yarimo'tkazgichlarning xususiy o'tkazuvchanligi deyiladi. Xususiy o'tkazuvchanlik sofda kuzatiladi. Biroq tabiatda sof yarimo'tkazgichlar yo'q. Ba'zi qo'shilmalar yarimo'tkazgichlarni erkin elektronlar bilan boyitsa, boshqa ba'zi qo'shilmalar teshiklar bilan boyitadi. Yarimo'tkazgichlarda yuzaga keladigan bunday o'tkazuvchanlik qo'shilmali o'tkazuvchanlik deb ataladi.
Agar asosiy yarimo'tkazgichlar atomi o'rniga elementlar davriy sistemasida undan keyingi guruhda turgan element atomi kiritilsa, bu qo'shilma atomning bitta valent elektroni atomlararo bog'lanishda ishtirok etmaydi va erkin elektronlar safiga qo'shiladi, binobarin, itip o'tkazuvchanlik ortadi. Va, aksincha, undan oldingi o'rinda turgan element atomi kiritilsa, atomlararo to'la bog'lanishda 1 ta elektron yetishmaydi, teshik hosil bo'ladi. Bunda rtip o'tkazuvchanlik ortadi. Qo'shimcha birinchi holda donor (elektron beruvchi) qo'shilma, ikkinchi holda esa akseptor (elektron oluvchi) qo'shilma deb ataladi.
Shunday qilib, yarimo'tkazgichlarning elektr o'tkazuvchanligi xususiy va aralashmali o'tkazuvchanliklar yig'indisidan iborat bo'ladi. Yuqori tralarda xususiy
o'tkazuvchanlik, past tralarda esa qo'shilmali o'tkazuvchanlik asosiy rol o'ynaydi. O'tkazgichlarda erkin zaryadlar mavjud bo'lganligi uchun tashqi elektrostatik maydon ta'sirida o'tkazgich sirtining bir qismida musbat ishorali erkin zaryad, boshqa ikkinchi qismida esa manfiy ishorali zaryad paydo bo'ladi. O'tkazgich ichida hech qanday erkin zaryad bo'lmagani uchun elektrostatik maydonham bo'lmaydi. O'tkazgichning sirti ekvipotensial sirt bo'lganiuchun zaryadlangan o'tkazgichni potensial bilan harakterlash mumkin. O'tkazgichning zaryadi ortgan sari uning potensiali ham ortadi. O'tkazgichning elektr zaryad to'plash xususiyatini ifodalovchi elektr kattalik elektr sig'imi deyiladi. Miqdor jihatidan yakkalangan o'tkazgichning potensialini bir birlikka o'zgartirish uchun zarur miqdoriga teng. Elektr sig'imi o'tkazgichning o'lchamlariga, geometrik shakliga va atrof muhitning dielektrik singdiruvchanligiga bog'liq. Amalda kondensatorlarni parallel, ketmaket yoki aralash yo'li bilan zarur elektr sig'imi olinadi. Elektr toki paydo bo'lishi va doimo paydo bo'lib turishi uchun:
1) moddada erkin elektr zaryadlari,
2) ularni tartibli harakatga keltiruvchi elektr maydon va
3) zanjir berk bo'lishi kerak.
Yarimo'tkazgichlar-moddaning ajoyib turi bo'lib, ular o'ziga xos xossalari bilan boshqalardan yaqqol ajralib turadi. Umuman olganda, elektrik o'tkazuvchanligiga qarab moddalar uchta katta sinfga: o'tkazgichlarga (elektrik o'tkazuvchanligi 106 Om/sm dan kat-ta), yarimo'tkazgichlarga (elektrik o'tkazuvchanligi 10-8^106 Om/sm oralig'ida) va dielektriklarga (elektrik o'tkazuvchanligi 10-8 Om/sm dan kichik) bo'linadi. Yarimo'tkazgichlarning elektrik o'tkazuvchanli-gi juda keng oraliqda yotishi yuqoridagi ma'lumotlardan ko'rinib turibdi.
Shu bilan birga yarimo'tkazgichlarning o'ziga xos muhim xususi-yatlaridan biri elektrik o'tkazuvchanligining ulardagi kirishma-larning turi va konsentratsiyasiga nihoyatda sezgirligidir. Masa-lan, toza yarimo'tkazgichga 10-7^10-10 % miqdorda kirishma kiritish bilan uning elektrik o'tkazuvchanligini keskin o'zgartirish mumkin. SHu bilan birga yarimo'tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati - ular elektrik o'tkazuvchanligining temperaturaga o'tasezgirligidir. Bunday bog'lanishni quyidagicha ifodalash mumkin:
a=V-exp(-Wa / kT)
bu yerda, a-berilgan T-temperaturadagi elektrik o'tkazuvchanlik, V-o'zgarmas doimiy, Wa-zaryad tashuvchilarning faollanish energiyasi, k-Bolsman doimiysi, T-mutlaq temperatura. Chunonchi, yarimo'tkaz-gichning temperaturasi 10S ga o'zgarganda uning elektrik o'tkazuv-chanligi 5-6% ga o'zgarishi mumkin. Juda ko'plab yarimo'tkazgichlarga va ular asosida yasalgan asboblarga yorug'lik, ionlovchi nurlar va shu kabilarning ta'sirlari ham elektrik o'tkazuvchanlikning keskin o'z-garishiga olib keladi. Bunga turli yarimo'tkazgich detektorlarni, yorug'lik
WWW.OPENSCIENCE.UZ 19 |
diodlarini, yorug'lik rezistorlarini va qator boshqa asbob-larni ham misol qilib ko'rsatish mumkin. Shuni eslatib o'tish joizki, yarimo'tkazuvchanlik xossasi faqat qattiq jismlargagina xos bo'lmay, suyuq holatdagi organik birikmalardan iborat shisha-simon, amorf tuzilishga ega bo'lgan yarimo'tkazgichlar ham shunday xossalarga egadirlar. Ular o'zlarining bir qator ma'lum kamchilik-lari tufayli hozircha texnikada keng tatbiq qilinganicha yo'q. Qattiq jismlardan yarimo'tkazgich xossasiga ega bo'lgan moddalar qato-riga juda ko'p turli moddalar, masalan, kremniy, germaniy, bor, olmos, fosfor, oltingugurt, selen, tellur, ko'pchilik tabiiy mine-rallar va qator birikmalar: GaAs, GaP, JnSb, SiC, ZnS, CdTe, GaSb va hokazolar kiradi. Bu yarimo'tkazgichlar o'zlarining xilma-xil xossalari bilan bir-birlaridan ancha farq qiladilar. SHuning uchun ham turli maqsadlar uchun turli yarimo'tkazgichlar qo'llaniladi.
Biroq, hozirgi zamon texnikasida asosan bir necha xil yarim-o'tkazgichlar keng ishlatilmoqda. Bularning ichida eng oldingi o'rinlarda kremniy (Si), germaniy (Ge), galliy margimushi (GaAs) turadi. Ayniqsa kremniy hozirgi zamon mikroelektronikasida o'zining ko'p xossalari bilan murakkab texnologik talablarga javob beranligi sababli asosiy material o'rnini egallab turibdi.
Elektron texnikasida ishlatiladigan ko'pchilik yarimo'tkazgich materiallar kristall tuzilshga ega. Yarimo'tkazgichning kristall tu-zilishi naqadar mukammalligi, unda turli nuqsonlarning bor yoki yo'qligi va ularning miqdori yarimo'tkazgichning asosiy xossalarini belgilab beruvchi omildir. SHu boisdan, qisqa bo'lsa ham asosiy yarimo'tkazgich moddalar - kremniy va germaniyning kristall tuzilishi va uning asosiy xususiyatlari haqida to'xtalib o'tamiz.
Yarimo'tkazgich materiallar quyidagi xossalari bilan boshqa materiallardan ajralib turadi:
1. Yarimo'tkazgich materialining solishtirma qarshiligi temperatura oshishi bilan eksponensial qonuniyatga asosan oshadi.
2. Yarimo'tkazgich materiallarning solishtirma qarshiligini kirishma atomlarini legirlash yo'li bilan o'zgartirish mumkin. Misol uchun 1 kg Si ga 0,001 mg ya'ni Si dagi atomlar sonidan 109 marta kam bo'lgan B, P yoki Sb ni qo'shadigan bo'lsak, uning solishtirma qarshiligi 103 marta oshadi. Demak, xona haroratida Si solishtirma qarshiligini faqat kirishma atomlar konsentratsiyasi 10n^1019 sm-3 ga oshirish hisobiga uning solishtirma qarshiligi p ~ 105 Om sm dan p ~ 10-30msm ga o'zgartirish mumkin. Demak, yarimo'tkazgichlarga kirishma elementlari kiritilganda ularning xususiyatlarini keskin o'zgarishi ham ularning noyob xossaga ega ekanligidan darak beradi.
3. Yarimo'tkazgich materiallarida metallardan farqli holda 2 xil tok tashuvchilar ya'ni elektron va kovaklar mavjud. Bu degan so'z bitta yarimo'tkazgich materiali asosida elektron o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan n- tip yoki kovak o'tkazuvchanlikka
ega bo'lgan p- tip material olishimiz mumkin. Mana bu xususiyat «Qattiq jismlar elektronikasi» ga asos bo'lishi diod (p-n) va tranzistorlarning kashf etilishiga va hozirgi zamon mikro hamda nanoelektronika paydo bo'lishiga va rivojlanishiga asos bo'ldi. Yarimo'tkazgich materiallarining mana bu o'ta noyob xossasi insoniyat hayotida texnika yo'nalishi bo'yicha texnika revolyutsiya davrini boshlab berdi.
4. Metallarda umuman mavjud bo'lmagan tushuncha tok tashuvchilar (elektron va kovaklarning) yashash vaqti va boshqarish yo'llari yarimo'tkazgichlar asosida umuman yangi turdagi elektron asboblar yaratish imkonini berdi. Bular -lazerlar, fotoelmentlar va boshqalar. Yarimo'tkazgichlarda tok tashuvchilar yashash vaqti juda katta oraliqda 10-3^10-11 sek, o'ta tez ishlaydigan hozirgi zamon hisoblash mashinalari paydo bo'lishiga olib keldi.
5. Metallarga qaraganda yarimo'tkazgich materiallari elektrik, optik, magnit xossalari tashqi ta'sirga (magnit maydon, radiatsiya, bosim, yorug'lik va h. k. ) o'ta sezgirdir. Mana bu noyob xossa- tubdan yangi -fotoelementlar, fotopryomniklar yaratilishiga olib keldi. Bu esa hozirgi zamon hisoblash texnikasi, robotatexnika va diagnostika sohalarini o'ta yuqori darajada rivojlanishiga asos bo'ldi.
6. Yarimo'tkazgich materiallarni metallardan yana bir alohida xususiyati bu tok tashuvchilar harakatchanligi nafaqat o'ta yuqori qiymatlarga va balki, harorat hamda nuqsonlarga o'ta bog'liqdir.
Element va kristall panjara tuzilishiga ko'ra yarimo'tkazgichlar oltita guruhga bo'linadilar:
1. Elementar yarimo'tkazgichlar; Si, Ge va Sn.
2. Birikmali yarimo'tkazgichlar AmBV; AlAs, AlP, GaAs, GaP, InAs va InP.
3. Birikmali yarimo'tkazgichlar AIIBVI; CdS, CdSe, CdTe va ZnS.
4. Birikmali yarimo'tkazgichlar AIVBIV; SiC. SiGe.
5. Birikmali yarimo'tkazgichlar AVIBVI; PbS, PbSe va PbTe.
6. Murakkab yarimo'tkazgichlar materiallar; ZnxGa1-xAs, ZnxHg1-xTe.
Umuman barcha elementar yarimo'tkazgichlar hamda ko'pgina birikmali
yarimo'tkazgichlar (AIIIBV va AIIBVI), va shuningdek ba'zi bir murakkab yarimo'tkazgich materiallar olmos yoki rux obmanka kristall panjarasiga mansub tetraedrik fazada, ya'ni har bir atomni bir xil masofada to'rtta atom o'rab turishi orqali bog'langan. Bir - biriga qo'shni yaqin atomlarni bog'lab turish spinlari qarama - qarshi tomonga yo'nalgan elektron juftlik orqali izohlanadi. Shuning uchun elementar yarimo'tkazgichlarda kimyoviy bog'lanishni 100% kovalent bog'lanish hosil qiladi deb qarash mumkin. Birikmali yarimo'tkazgichlar AIIIBV da bog'lanish ion - kovalent ko'rinishida bo'ladi. Birikmali yarimo'tkazgichlar AIIBVI bog'lanishlarning bir qismini ion bog'lanish tashkil etadi.
"Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari" laboratoriyasi 1975 yildan beri GaAs va Si asosidagi yarim o'tkazgichli fotoelektrik hodisalar va quyosh elementlarini
ishlab chiqarish texnologiyasini rivojlantirish, ilmiy va amaliy tadqiqot ishlari bilan shug'ullanadi. Hozirgi vaqtga qadar, samaradorligi 22% gacha bo'lgan GaAs asosidagi quyosh elementlarini tayyorlash texnologiyasi ishlab chiqilgan. 2-150 Vt quvvatga ega fotovoltaik batareyalarni ishlab chiqarish texnologiyasi ishlab chiqildi va fotovoltaik tizimlar ishlab chiqarish uchun buyurtmalar qabul qilindi.
Fotoelektirik qurilmalar laboratoriyada electron blok boshqarish va nazorat qilish tizimi (akkumulyasiyalovchi tizim, inverter va kontrollerlar) bilan birgalikda komplekt holda yig'ib tayyorlanmoqda. Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari laboratoriyasida quyidagi uskuna va qurilmalar keng ishlab chiqarishga joriy etish maqsadida hamda ilmiy islanishlarda foydalanish uchun ishlab chiqilgan va sinovdan o'tkazilgan:
- 18% bir samaradorligini bilan 1-100 AM 1,5 va Si quyosh nurlanish2 -50 vatt quvvatga ega mobil telefonlar, noutbuklar va kommunikatsion uskunalarni zaryad qilish uchun quyosh batareyasi.
- Fotoelektrik tizim asosida shahar va qishloqlarning ko'chalari va maydonlarini hamda ob'ektlarni yoritish.
- 100 metrgacha chuqurlikdagi quduqlardan suv olish uchun fotoelektrik tizim.
- 60 °C haroratgacha soatiga 20 litr issiq suv va elektr energiyasi olish imkonini beradigan quvvati 50-150 vatt bo'lgan fotoissiqlik o'sgartirgich tizimi.
- Issiqxona uchun fotoelektrik energiya ta'minoti tizimi. Favqulodda vaziyatlarda favqulodda vaziyatlarni keltirib chiqaradigan avtonom ko'p funksiyali mobil fotovoltaik tizim.
Hozirgi vaqtda laboratoriya Markaziy Osiyodagi respublikalarning issiq iqlimida samarali ishlash uchun fotovoltaik kameralar, batareyalar va inshootlarni rivojlantirish bo'yicha tadqiqotlar olib boradi.
Fizika-texnika instituti bazasida kremniy fotoelektr batareyalarini ishlab chiqarish uchun eksperimental tarmoq mavjud. Ishlanmalar asosida fotoelektrik elementlarni yaratish, barcha texnologiyasi mamlakat viloyatlari sharoitiga (harorat, chang) moslashishini inobatga olgan holda yaratiladi. Mahsulotlar fotoelektrik batareya va fotoelektrik qurilmalar ko'rinishida (quvvati 2-10000 Vt) invertor, akkumulyatorlar bilan ta'minlangan holda ishlab chiqarilmoqda. Narxlarni minimallashtirish uchun fotovoltaik qurilmalarni loyihalash va ishlab chiqarish xaridorlar tomonidan taqdim etilgan maxsus texnik talablarni hisobga olgan holda amalga oshiriladi.
1960-yili fizika fakultetining nazariy fizika kafedrasi bazasida yarimo'tkazgichlar va dielektriklar fizikasi ilmiy yo'nalishi va mutaxassisligining poydevoriga dastlabki qadamni ushbu kafedra va uning qoshidagi yarimo'tkazgichlar muammolari laboratoriyasi mudiri, professor G.M.Avakyants qo'ydi va yarimo'tkazgichlar fizikasi bo'yicha dastlabki mutaxassislar tayyorlana boshlandi.
Ushbu sohaning ilk mutaxassislaridan dotsent A.T.Teshaboev yarimo'tkazgichlar muammolari laboratoriyasining va ixtisoslikning rahbari etib tayinlandi va 19661981- yillarda bu ilmiy yo'nalish va ixtisoslikka ko'plab iqtidorli yoshlar jalb etildi.
Ilmiy tadqiqot ishlarining salmog'i, ularning ilmiy va amaliy ahamiyati, mutaxassislar tayyorlash sohasidagi yutuqlar 1970-yili respublikada birinchi Yarimo'tkazgichlar va dielektriklar fizikasi kafedrasining tashkil topishiga asos bo'ldi. Kafedraning tashkilotchisi va birinchi mudiri professor A.T.Teshaboev (19701981- yillar) bo'ldi. 1981-1996-yillari ushbu lavozimda professor S.Z.Zaynobidinov faoliyat ko'rsatgan bo'lsa, 1996-yildan 2012-yilgacha professor S.I.Vlasov mudirlik qildi.
2012- yilda yarimo'tkazgichlar va dielektriklar fizikasi va Polimerlar fizikasi kafedralarini birlashtirish natijasida uning nomi Yarimo'tkazgichlar va polimerlar fizikasiga aylandi. Ushbu kafedraga 2012- yildan 2017- yilgacha dotsent D.E.Nazirov mudirlik qildi. 2018- yilning yanvar oyidan boshlab kafedraga dots. A.A.Nasirov mudirlik qilmoqda. Kafedrada Fizika yo'nalishidagi bakalavriaturada Mexanika, Molekulyar fizika , Elektr va magnetizm, Fizikaviy elektronika va Kondensirlangan holatlar fizikasi kurslaridan, ikkita magistratura mutaxassisliklari: Kondensatsiyalangan muhitlar fizikasi (turlari bo'yicha) (5A140204) va Geliofizika va quyosh energiyasidan foydalanish (5A140203) yo'nalishlarida 24 ta maxsus kurslar bo'yicha o'quv jarayoni olib boriladi. Kafedra tarkibida Mexanika, Molekulyar fizika, Elektr va magnitizm va Yarimo'tkazgichlar fizikasi o'quv laboratoriyalari xamda Yarimo'tkazgichlar va mikroelektronika (rahbar -Sh.B.Utamuradova) ilmiy laboratoriyasi mavjud.
Hozirgi zamon elektron texnikasida fotoelektrik va elektrooptik signallarni o'zgartirish prinsiplariga asoslangan yarimo'tkazuvchi asboblar keng qo'llaniladi. Bu prinsiplardan birinchisi unda yorug'lik energiyasini (yorug'lik kvantlari) yutish natijasida moddalarning elektrofizik xususiyatlarini o'zgarishiga olib kelishi. Bunda moddaning o'tkazuvchanligi o'zgaradi yoki elektr yurutuvchi kuch (EYUK) paydobo'ladi, bu esa fotosezgirlik element ulangan zanjirdagi tokning o'zgarishiga olib keladi. Ikkinchi prinsip moddada nurlanish generatsiyasi bilan bog'liq bo'lib, unga berilgan kuchlanish va yorug'ilk chiqaruvchi element orqali oqadigan tok bilan belgilangan. Ko'rsatilgan prinsiplar optoelektronikani ilmiy asoslarini tashkil qiladi -bu yangi ilmiy-texnik yo'nalish bo'lib, bunda ma'lumotlarni uzatish, qayta ishlash va saqlash uchun ham elektrik, ham optik vositalar va usullar ishlatiladi.
Yarimo'tkazgichli asboblar vujudga kelishi radiotexnikada inqilobiy burilish yasadi. Ularning soddaligi va kichikligi, mikromodullar sifatida uzluksiz ravishda bosib chiqarish usuli bilan tayyorlash imkonini yaratdi. Mikromodullar yupqa varaqlardek bo'lib, ularda diodlar, triodlar, qarshiliklar va radiosxemaning boshqa elementlari zarb qilinadi. Mikromodullarning turli kombinatsiyalarini tuzib oldindan
belgilangan parametrli radioqurilmalarni yasash mumkin. Hozirgi paytda yarimotkazgichli diodlar, triodlar, rezistorlar ishlatilmaydigan asboblarning ozi mavjud emas. Yarimo'tkazgichli termistor yordamida temperaturani o'lchovchi detektor, elementar zarralarni qayd etuvchi, fotorezistor-yorug'lik energiyasini qayd etuvchi va ko'plab boshqa asboblarni misol qilib keltirish mumkin. Kosmik kemalarning barchasi quyosh energiyasini elektr energiyasiga aylantirib beruvchi yarimo'tkazgichli quyosh batareyalari bilan jihozlangan bo'lsa, tibbiyot insonning nozik organlariga kirib uning faoliyatidan ma'lumot beruvchi datchiqlar (qayd etuvchilar) bilan jihozlangandir. Garchi, ushbu dalillarning o'zi ham yarimo'tkazgichli asboblarning foydalanish sohasi kengligini ko'rsatib tursada hali ularning ishlatilish istiqbollari juda keng. Bu sohadagi izlanishlar tugamagan bo'lib, insoniyat yarimo'tkazgichlar fizikasidan ko'plab yangiliklarni kutmoqda .
Foydalanilgan adabiyotlar
1. A.T.Mamadolimov. M.N.Tursunov. "Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari fizikasi va texnologiyasi" Toshkent, 2002 y.
2. Lidorenko N.S., "Issledovaniya po priyemu preobrazoniya solnochnoy energii v elektricheskuyu" «Geliotexnika» № 5 1977 y
3. J.Tvaydalli, A.Uyeyr «Vozobnovlyamiye istochniki energii» M. Energoatomizdat, 1990 y.
References
1. A.T.Mamadolimov. M.N.Tursunov. "Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari fizikasi va texnologiyasi" Toshkent, 2002 y.
2. Lidorenko N.S., "Issledovaniya po priyemu preobrazoniya solnochnoy energii v elektricheskuyu" «Geliotexnika» № 5 1977 y
3. J.Tvaydalli, A.Uyeyr «Vozobnovlyamiye istochniki energii» M. Energoatomizdat, 1990 y.
