CC BY
25
А_
ХРОНИКА
М.А. Васильева, Т.А. Гаврикова, В.И. Ильин
XIII ВСЕРОССИЙСКАЯ МОЛОДЕЖНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И НАНОСТРУКТУР, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ
21-25 ноября 2011 года в Санкт-Петербурге, в здании Академического университета РАН, прошла Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников
И НаНОСТруКТур, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ОПТО- и
наноэлекгронике. Организаторами выступили Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербургский академический университет—научно-образова-тельный центр нанотехнологий РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский государственный университет.
Опубликовано 106 докладов, которые представили 26 вузов и научных центров из 14 городов России: от Санкт-Петербурга до Владивостока [ 1 ].
В программу [2] были включены пять приглашенных докладов ведущих российских ученых.
Открыли серию приглашенных докладов сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Е.Л. Портной с докладом «Терагерцовая опто-электроника» и С А. Тарасенко «Фотоэлектрические эффекты в графснс».
С докладами также выступили доктор физ.-мат.наук из ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН А.В. Селькин («Фотонные кристаллы»), доктор физ.-мат.наукиз СПб.НИУ ИТМО П. А. Белов («Передача изображений со сверхразрешением при помощи анизотропных мегаматериалов») и доктор физ.-мат. наук из ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН А.В. Иванчик («Ускоренное расширение Вселенной. Темная энергия» (по материалам Нобелевской премии по физике 2011 г.».
На девяти пленарных заседаниях студентами и аспирантами сделано 47 устных докладов.
Стендовая сессия (50 докладов) состоялась по следующим разделам: «Объемные свойства кристаллов», «Процессы роста, поверхность, границы раздела», «Гетероструктуры, сверхрешетки, квантовые ямы», «Квантовые точки, квантовые нити и другие низкоразмерные системы», «Дефекты и примеси», «Приборы на-ноэлекгроники», «Оптоэлектронные приборы», «Новые материалы».
Программный комитет отметил дипломами и премиями следующие работы аспирантов и студентов.
Премией (5000руб.) имени Б.Ф. 1^юсса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждены:
Абрамкин Демид Суад, аспирант ИФП СО РАН (Новосибирск), за доклад «Атомное и энергетическое строение ОаАзДЗаР гетерострукгур»;
р
\
Член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук А.Б. Жуков (Санкт-Петербургский академический университет РАН) ведет пленарное заседание конференции
4
Хроника
Григорьев Филипп Сергеевич, студент Санкт-Петербургского государственного университета, за доклад «Нетермализованная люминесценция экситонных поляритонов в широких ТпОаАз/ОаАБ квантовых ямах».
Дипломом I степени и премией (4000 руб.) отмечен Коренев Владимир Владимирович, аспирант Академического университета РАН (С.Петербург), за доклад «Модель одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в полупроводниковых лазерах на квантовых точках».
Дипломами II степени и премиями (по 3000 руб.) награждены аспиранты:
Винничснко Максим Яковлевич (СПбГПУ), Санкт-Петербург, соавтор М.О. Машко (студент 5 курса СПбГПУ), за доклад «Динамика процессов рекомбинации и захвата носителей заряда в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами ЬгОаАвЗЬ/АЮаАвЗЬ»;
Кац Владимир Наумович (Санкт-Петербургский государственный университет) за доклад «Фотолюминесценция одиночных квантовых нитей и квантовых точек».
Дипломами III степени и премиями (по 2500 руб.) награждены аспиранты:
Попков Сергей Алексеевич (Нижегородский государственнй университет) за доклад «Исследование мелкого донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом кремния -28»;
Байдакова Наталия Алексеевна (Институт физики микростурктур РАН, Нижний Новгород) за доклад «Исследование многослойных структур с 0е(81)/81(001) островками методами спектроскопии фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции»;
Ельцина Ольга Сергеевна (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) за доклад «Влияние кислорода на люминесцентные свойства наночастиц аморфного кремния». Дипломами награждены аспиранты: Криштопенко Сергей Сергеевич (Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород), соавтор А.В. Малыженков (студент того же института) за доклад «Эффекты элекгрон-элекг-ронного взаимодействия в спиновом резонансе 2й?-элекгронов в гетероструктурах ЪгАв/А^Ь»;
Барановский Максим Владимирович (СПбГЭТУ, Санкт-Петербург) за доклад «Исследование фотоэлектрических свойств полу-
проводниковых наногетероструктур 1пОа1Ч/ ваТЫ»;
Румянцев Владимир Владимирович (Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород) за доклад «Спектры и кинетика те-рагерцовой фотопроводимости в узкозонных твердых растворах Н£1л.Сс1хТе (х < 0,2)»;
Шиляев Артём Владимирович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) за доклад «Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах Сё^Те»;
Вороненков Владислав Валерьевич (СПбГПУ), Санкт-Петербург, соавтор А.И. Цюк (аспирант СПбГПУ) за доклад «Механические напряжения в пленках нитрида галлия»;
Т^опина Наталья Эдуардовна (НИИ «Гири-конд», Санкт-Петербург) за доклад «Особенности энергетического спектра пленок РЬБе, сформированных на кристаллических и аморфных подложках»;
Юрова Валентина Александровна (Северо-Западный государственный заочный технический университет, Санкт-Петербург) за доклад «Исследование эффекта Казимира в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) с наноразмерной толщиной диэлектрика»;
Коновалов Глеб Георгиевич (ФТИ им. АФ. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), соавтор ДА Сгаростенко (студент СПбГПУ, Санкт-Петербург) за доклад «Высокоэффективные фотодиоды для спектрального диапазона 2,5 — 4,8 мкм»;
Карпова Светлана Сергеевна (СПбГЭТУ, Санкт-Петербург) за доклад «Синтез и исследование однокомпонентных и двухкомпонентных оксидов металлов для газовых сенсоров»;
Миронова Мария Сергеевна (СПбГЭТУ, Санкт-Петербург) за доклад «Энергетический спектр и волновые функции электронов в сверхрешетках 81/8Ю2»;
Дурнев Михаил Васильевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) за доклад «Гигантское зеемановское расщепление состояний легкой дырки в квантовых ямах типа ОаАя/АЮаАз».
Дипломом I степени и премией (4000 руб.) награжден студент МФТИ (Москва)
Мыльников Дмитрий Александрович за доклад «Пространственное распределение областей сильной и слабой экситон-фотонной связи в ОаАБ-микрорезонаторе».
^ Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки Г 2012
Дипломами II степени и премиями (по 3000 руб.) награждены студенты:
Чесницкий Антон Васильевич (Новосибирский ГТУ) за доклад «Трехосевой датчик Холла на основе полупроводниковых оболочек»;
Туманов Дмитрий Сергеевич (СПбГПУ, Санкт-Петербург), соавтор Г.А. Мелентьев (аспирант СПбГПУ), за доклад «Дальнее ИК излучение горячих электронов в структуре СаМ/АЮаЫ в электрическом поле».
Дипломами III степени и премиями (по 2500 руб.) награждены студенты:
Романенко Константин Олегович (Санкт-Петербургский государственный университет) за доклад «Динамическая дифракция света в фотонных кристаллах и спектроскопия брэг-говского отражения света»;
Грачев Денис Александрович (Нижегородский ГУ), соавтор А.И. Бобров (студент Нижегородского ГУ), за доклад «Массивы нано-кристаллов кремния в матрице 8Ю2: структура и люминесцентные свойства»;
Рыжов Иван Игоревич (Санкт-Петербургский государственный университет) за доклад «Характеризация структур с квантовыми ямами методом спектроскопии резонансного экситонного отражения».
Дипломами награждены студенты: Чегодаев Александр Дмитриевич (Санкт-Петербургский государственный университет) за доклад «Эффекты, индуцированные в спектре движущегося экситона однородным продольным магнитным полем»;
Кунделев Евгений Валерьевич (СПбГПУ, Санкт-Петербург) за доклад «Резонансные оптические свойства систем экситонов в квантовых ямах АЮаАв/ОаАв/АЮаАв»;
Котова Мария Сергеевна (МГУ, Москва) за доклад «Эффект резистивного переключения в полимерных материалах и энергонезависимая память на его основе»;
Трифонов Артур Валерьевич (Санкт-Петербургский государственный университет) за доклад «Исследование спектров отражения в области экситонных поляритонов в квантовых ямах ШСаАв/СаАв под углом Брюстера»;
Таланцев Артём Дмитриевич (МФТИ, Москва) за доклад «Влияние ориентации подложки ОаАв на магнитное упорядочение 8-Мп-слоя и поляризацию фотолюминесценции кванто-
вой ямы GaAs/InGaAs/GaAs в гетероструктурах InGaAs/GaAs/8-Mn»;
Дунаев Василий Сергеевич (Нижегородский ГУ), соавторы Б.Н. Звонков, A.B. Кудрин, М.В. Дорохин (Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского), за доклад «Магниточувствительные эффекты переключения в диодных структурах с ферромагнитным слоем и квантовой ямой»;
Попов Константин Михайлович (СПбГПУ, Санкт-Петербург) за доклад «Трехкомпонент-ные сплавы на основе кремния, железа и кобальта, выращенные на поверхности кремния»;
Шевлягин Александр Владимирович (Дальневосточный федеральный университет, Владивосток) за доклад «Явление, механизм и способы контроля всплытия нанокристаллов ß-FeSi2 в процессе формирования двойных гетерострук-тур Si/HK-ß-FeSySi»;
Чернышева Екатерина Андреевна (Академический университет РАН, Санкт-Петербург) за доклад «Исследование оптических свойств структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС при различных давлениях в реакторе»;
Смирнов Владимир Игоревич (СПбГПУ, Санкт-Петербург), соавтор Г.А. Мелентьев (аспирант СПбГПУ), за доклад «Терагерцовое излучение свободных электронов при их разогреве электрическим полем в эпитаксиальных слоях GaN и InAs».
Десять докладов рекомендовано для участия в конкурсе по Программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» («УМНИК») в номинации «Научные результаты, обладающие существенной новизной и сверхсрочной перспективой их коммерциализации» с последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере». В их числе:
Галисултанов Айрат (аспирант Академического университета РАН, Санкт-Петербург), руководитель A.B. Осетров, доктор техн. наук, профессор СПбГЭТУ, за доклад «Исследование свойств поверхностных акустических волн в структурах AlN/сапфир и ZnO/алмаз»;
Мамаев Виктор Викторович (студент СПбГПУ, Санкт-Петербург) руководители В.Г. Сидоров, доктор физ.-мат. наук, профессор СПбГПУ; А.Н. Алексеев, канд. физ.-мат. наук;
t
Хроника
С.И. Петров, канд. физ.-мат. наук, ЗАО «НТО», С.-Петербург; Д.М. Красовицкий, канд. хим. наук; В.П. Чалый, канд. физ.-мат. наук, ЗАО «Светлана—РОСТ», за доклад «Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом МЛЭ»;
Асеев Павел Андреевич (студент Академического университета РАН, Санкт-Петербург), руководитель В.Н. Жмерик, канд. физ.-мат. наук, с. н. с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Получение слоев A1N с атомарно-гладкой и свободной от капель поверхностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией»;
Зубов Федор Иванович (аспирант Академического университета РАН, Санкт-Петербург), руководитель АЕ. Жуков, доктор физ.-мат. наук, чл.-кор. РАН, зав. лабораторией Академического университета РАН, за доклад «Особенности двухполосной генерации лазеров на квантовых точках»;
Золотарев Василий Владимирович (студент СПбГУ, Санкт-Петербург), руководители 3.H. Соколова, канд. физ.-мат. наук, с.н.с. ФТИ им АФ. Иоффе РАН; В.Ф. Агекян, доктор физ.-мат. наук, профессор СПбГУ, за доклад «Внутренние дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров»;
Басалкевич Татьяна Михайловна (студентка СПбГПУ, Санкт-Петербург), соавтор НА Таль-нишних (студентка СПбГЭТУ, Санкт-Петербург), руководитель Н.М.Шмидг, доктор физ.-мат. наук, с. н. с. ФТИ им. АФ. Иоффе РАН, за доклад «Особенности развития деградационного процесса в мощных синих InGaN/GaN светодиодах»;
Ламкин Иван Анатольевич (аспирант СПбГЭТУ, Санкт-Петербург), руководитель A.B. Соломонов, доктор физ.-мат. наук, профессор СПбГЭТУ, за доклад «Создание и исследование фотоприемников на основе барьеров Шоттки к твердым растворам AlGaN»;
Бобылев Александр Викторович (аспирант СПбГПУ, Санкт-Петербург), руководители Д.А. Фирсов, доктор физ.-мат. наук, профессор СПбГПУ; A.B. Андрианов, доктор физ.-мат. наук, в.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Дифференциальная терагерцовая когерентная спектроскопия тонких пленок сопряженного полупроводникового полимера полифлюорен»;
Балагула Роман Михайлович (студент СПбГПУ, Санкт-Петербург), руководитель A.H. Софронов, канд. физ.-мат. наук, доцент СПбГПУ, за доклад «Терагерцовое излучение в графене в сильных электрических полях»;
Петров Василий Александрович (аспирант Санкт-Петербургского академического университета, Научно-образовательного центра нанотехнологий РАН), руководитель И.П. Сошников, канд. физ.-мат. наук, с. н. с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, за доклад «Пьезоэлектрический эффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs».
Организаторы конференции благодарны сотрудникам Научно-образовательного комплекса «СПбФТНОЦ РАН» за создание всех условий для успешной работы конференции. Информация о следующей конференции будет помещена в сентябре 2012 г. на сайте: http:// www.spbstu.ru/rphf/conf2012.html.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.13 -я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике [Текст]: Тезисы докладов. — СПб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2011.-116 с.
2. Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике [Текст]: Программа конференции 21—25 ноября 2011 г. — СПб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2011. - 13 с.
