CC BY
44
Приборы. Материалы электронной техники
Лавров А.П., Молодяков С.А.
ВОЗМОЖНОСТИ ПОСТРОЕНИЯ ПРОЦЕССОРОВ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ В ВИДЕ ГИБРИДНЫХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСХЕМ
Введение
Современная электронная технология обладает широкими возможностями и продолжает развиваться. Высокие тактовые частоты, компактность, малое энергопотребление, широкое использование автоматизированного проектирования - несомненные достоинства электроники. Однако для разработки каждого последующего поколения процессоров с новой технологией с пониженным топологическим размером требуются большие капиталовложения. Приходит время, когда электронные технологии приближаются к теоретическому пределу своих возможностей. Решение проблемы повышения производительности процессоров многим исследователям видится в привлечении оптоэлектронной технологии. Ее преимуществами является возможность параллельной обработки информации, простота реализации множества связей между оптическими элементами, возможность гибкой коммутации каналов связи. Не заменяя существующую электронную элементную базу, оптоэлектронные (ОЭ) процессоры и коммутаторы оптимально дополняют ее, резко ускоряя решение сложных задач, неудобных для традиционной электроники [1-3]. Специалисты все больше внимания уделяют исследованию и созданию новых архитектур мультипроцессорных (многоядерных) систем с разнородными процессорами. В рамках мультипроцессорных систем г ибридные ОЭ процессоры особенно эффективно применять на этапе предварительной обработки информации в системах обработки потоков данных в мультимедийных задачах, задачах астрономии, связи и др. Производительность таких процессоров может достигать тысячи гигагерц [3].
Наиболее перспективными типами опто-электронных процессоров обработки сигналов являются процессоры, выполняющие операции вектор-матричного перемножения и корреля-
ции/свертки. Схемы таких процессоров, построенных на объемных оптических элементах, известны давно, их обычно относят к классу систолических процессоров [2]. Современный уровень развития элементной базы делает возможной реализацию процессоров в виде гибридных микросхем и микромодулей. В гибридных микросхемах оптоэлектронные устройства ввода и вывода компонуются в единую жестко связанную структуру, которая может быть смонтирована на электронной плате подобно обычной электронной микросхеме. Настоящая работа посвящена анализу методов построения гибридных микросхем и исследованию их применения для обработки сигналов.
Базовая схема гибридной микросхемы
Рассматриваемый нами гибридный ОЭ процессор включает три слоя элементов: набор излучателей (линейка или матрица), транспарант и линейку или матрицу фотоприемника. Простейший элемент транспаранта пропускает или нет луч излучателя (светодиода) на соответствующий фотоприемник (фотодиод). Набор операций, которые может выполнять такая структура, зависит от возможностей каждого слоя и сигналов управления работой каждого элемента. Причем на каждом такте параллельно вводятся и обрабатываются несколько сигналов. Простейшей операцией в такой структуре является коммутация каналов: за счет управления элементами транспаранта происходит соединение или разрыв связи между светодиодом и фотодиодом. Подобного вида ОЭ коммутаторы известны, их широкое внедрение ожидается в будущем в сетевых архитектурах [3, 4]. Трехслойная структура позволяет проводить и более сложные операции.
На рис. 1а представлена схема вектор-матричного перемножителя на объемных элементах, которая рассматривается в работах [2-4]. Схема является основой для рассмотрения работы гибридной микросхемы. С - вектор
входного сигнала. I = ],..., р: Л/у - матрица транспаранта.у = 1,...,/; Л - выходной вектор. Для формирования вектора входного сигнала использовалась линейка светоизлучающих диодов (СИД). транспарант формировался на фотопленке, а в качестве фотоприемника использовалась линейка приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Для равномерной засветки каждой строки транспаранта и формирования изображения на ФПЗС использовались элементы объемной оптики, которые не показаны на схеме. Каждый элемент СИД засвечивает свою строку транспаранта, в результате происходит перемножение: = С Л/ . Каждый столбец транспаранта проецируется на один элемент фотоприемника, в котором выполняется суммирование по столбцу матрицы /Г^. Таким образом, выполняется известная операция вектор-матричного произведения:
(О
/
Данная операция широко используется в задачах обработки информации, в частности как аппаратная реализация нейронных сетей [3]. Возможны различные способы реализации операции (1) [4]. Вместо линейки фотоприемника можно использовать матрицу ФПЗС (рис. 16). В этом случае операцию суммирования (1) можно проводить либо в элементах ФПЗС (выходном регистре или выходном устройстве), либо в цифровом процессоре при постобработке. В качестве линейки СИД можно использовать линейку с вытянутой геометрией светодиодов. В результате при совпадающих размерах СИД, транспаранта и ФПЗС можно исключить про-
межуточную формирующую (фокусирующую) оптику и перечисленные элементы наложить друг на друга. Получается "сэндвич" - структура гибридной микросхемы [5. 6].
Одной из первых реализаций такого типа гибридных ОЭ микросхем явилась схема фирмы Mitsubishi (1995), которая имела слой из 32 полосчатых СИД, слой пространственно-временных модуляторов света и слой из 32 перпендикулярных светодиодам полосчатых фотодиодов. Слои непосредственно наложены друг на друга. Гибридная микросхема была использована для нейросетевых вычислений по модели Хопфилда [4]. Нами совместно с МИФИ в это же время начали проводиться исследования с макетированием гибридных ОЭ микросхем [6, 7].
Схема, представленная на рис. 16. позволяет проводить операцию свертки входного сигнала с функцией, записанной на транспаранте:
MLjChk. (2)
J
Рассмотрим выполнение операции свертки. Она построена на алгоритме конвейерного накопления перемноженных в оптике дискретных сигналов. Процесс начинается в тот момент, когда элементы вектора С. в зависимости от входного сигнала получают свои значения, которые высвечиваются на линейке СИД. Каждый элемент вектора С перемножается с каждым элементом строки транспаранта. Полученные произведения сохраняются в ФПЗС-матрице. Затем строки зарядового рельефа сдвигаются на один элемент в направлении выходного регистра. По окончании такта предыдущая
Рис. I. Базовые схемы ОЭ процессора с линейным (а) и матричным (б) фотоприемниками
выборка сигнала сдвигается по линейке излучателей на одну позицию, и к ней добавляется новый отсчет, вновь происходит перемножение с накоплением зарядов в ФПЗС. Когда в результате сдвигов первый столбец матрицы ФПЗС окажется на месте последнего, то после следующего сдвига его значения перемещаются в выходной регистр, а оттуда через выходное устройство передается для дальнейших преобразований. Если функция пропускания транспаранта имеет вид (1 +8ш(//УЛг)), то ОЭ процессор выполняет спектральный анализ входного сигнала и каждая строка отвечает за свою частоту. Эквивалентную производительность такого ОЭ процессора, имеющего 106 пикселей в маске и выполняющего сдвиги зарядов в ФПЗС с частотой 1 МГц, можно оценить величиной 1012 операций "умножение + сложение'7с. Можно выполнять ряд других матричных операций и использовать другие схемы введения сигнала в ОЭ процессор (водить сигнал с использованием транспаранта) [5].
Основные архитектуры ОЭ процессоров и элементная база
Как было отмечено, основными операциями. выполняемыми ОЭ процессором, построенным на основе одной гибридной микросхемы, являются матричные алгебраические операции и операции свертки. Основной параметр этих операций - это количество одновременно обрабатываемых отсчетов, которое определяет базу обрабатываемого сигнала. Отсюда повышенные требования к количеству элементов (пикселей) в компонентах гибридной микросхемы. При необходимости увеличить базу обрабатываемого сигнала можно использовать более сложные архитектуры или параллельно несколько микросхем. Возможности параллельной обработки отдельных отсчетов в оптике реализуются просто, поэтому и новые архитектуры достаточно просты.
На рис. 2а и 26 показаны две схемы гибридных микросхем: типа "сэндвич" и развернутого типа. Первая схема предложена нами [6]. проведено ее макетирование. Она характеризуется простотой и позволяет создавать жесткие конструкции, но требует сопряжения размеров всех слоев. Вторая схема, предложенная для создания межкристальных и межплатных коммутаторов [8]. позволяет легко сопрягать размеры, но требует использования фокусирующих микролинз для формирования оптических пучков. Транспарант во втором
случае может быть значительных размеров, в том числе и жидкокристаллический. Другое достоинство конструкции развернутого типа -легко сформировать матрицу светоизлучателей из отдельных модулей СИД (рис. За). На рис. 36 приведена предлагаемая нами схема параллельного включения двух гибридных микросхем (ГМ), которые выполняют и матричные операции, и операции свертки над двойным количеством пикселей. В этом случае две секции накопления ФПЗС работают как одна. В схеме применена возможность электрической передачи сигнала из ГМ 1 в ГМ2 с использованием устройств вывода (вых.у.) и электрического ввода (вх. у.) ФПЗС [9].
Рассмотрим современные возможности элементной базы ОЭ микросхем.
1. Интегральные наборы излучателей могут быть построены на основе светодиодов или полупроводниковых лазеров. Современный уровень развития оптоэлектронных компонент позволяет изготовить линейку СИД со специальной сильно вытянутой вдоль одной координаты излучающей апертурой диодов, соответствующей по размерам столбцу ФПЗС. Мы использовали линейчатые светодиоды. состоящие из 64 СИД [6]. Известны линейки из 1200 светодиода на дюйм . которые используются для оптической головки в принтерах [ 10]. Они состоят из набора матриц СИД. Наиболее перспективными являются матрицы лазеров с вертикальным резонатором (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser-VCSEL) [8]. Однако при желании иметь 106 пикселей [4] максимальные размеры матриц составляют всего 128x128 лазеров (Sandia National Laboratories).
2. Перспективными транспарантами для создания управляемых пространственно-временных модуляторов света ОЭ микросхем являются жидкокристаллические модуляторы [1]. Технология ЖК модуляторов постоянно совершенствуется. Количество пикселей и их размер близки размерам фотоприемника, однако из-за рассеивания излучения на ЖК модуляторе создание простых ОЭ микросхем (рис.2.а) затруднено. Известны ОЭ матрицы Smart пикселов с оптическими входами/выходами [4]. Они используются для создания оптических коммутаторов, а для гибридных микросхем требуют дальнейшего совершенствования. В ряде случаев для упрощения ГМ можно отказаться от транспаранта (смотри ниже применение ГМ для пульсарной машины).
а)
Рис. 2. Структурные схемы гибридных микросхем: а) типа "сэндвич"; б) развернутого типа
ФПЗС
Секция накопления
Сдвиг, регистр
Сдвиг, регистр
Секция накопления
ФПЗС
Сдвиг, регистр
Рис. 3. Схемы гибридной микросхемы с двумя СИД (а) и параллельного включения
двух гибридных микросхем (б)
3. Многоэлементные наборы фотоприемников являются наиболее сложным элементом. Перспективными технологическими типами являются ФПЗС и КМОП матрицы. Для организации операции свертки на самом фотоприемнике применимы только ФПЗС [9]. В этом случае ФПЗС находится в специальном режиме временной задержки и накопления ВЗН (Time Delay Integretion TDI). КМОП фотоприемники не обладают возможностями ПЗС по обработке
зарядовых пакетов, но за счет интеграции на одном кристалле и фотоприемника, и цифровых элементов позволяют также проводит обработку данных, но уже в цифровом виде. Происходит интенсивное развитие всех узлов КМОП фотоприемников. Недостатки сенсорной части в большинстве случаев с успехом компенсируются возможностями по обработке сигналов в цифровых цепях фотоприемника. КМОП фотоприемник, кроме сенсорной части.
Транспарант
j ФПЗС матрица
Волоконная оптика
Поворотная призма
Матрица микролинз
включает АЦП, буферную память, сумматора и др. элементы. Алгоритмы и скорость обработки данных в КМОП фотоприемниках отличаются о г ФПЗС тем. что возможна параллельная обработка сигналов буквально каждого пикселя. Скорость обработки определяется местоположением АЦП. Примером расположения АЦП на каждом столбце является быстродействующая КМОП-матрица МТ9М413 компании Micron Technology Inc (разрешение 1280 х 1024). Она имеет 1280 10 разрядных АЦП. Необходимо отметить новое направление фотоприемников фотодиоды с управляемой чувствительностью, развиваемое на объединении "Позитрон". Транспарант в этом случае может быть совмещен с фотоприемником.
4. Дополнительными элементами гибридных микросхем являются световолоконные шайбы, микролинзы и электронное обрамление. Световолоконные шайбы - пластины, выполненные на основе волокон с малым - единицы микрон - диаметром. Такие пластины переносят изображение из плоскости входных торцов в плоскость выходных торцов, т.е. они выполняют функции отображающих каскадов, при необходимости - и с изменением масштаба [7]. Они обеспечивают жесткое соединение отдельных слоев гибридной микросхемы. В схеме нашего макета (рис. 2а) световолоконные шайбы находились между СИД и транспарантом и между транспарантом и ФПЗС. Микролинзы, обеспечивающие фокусирование отдельных световых пучков, являются элементами MEMS (Microelectromechanical Systems) технологии. Однако до сих пор их использование является сложной технологической задачей. Электронное обрамление для ОЭ микросхем в настоящее
время строится на основе программируемой логики и сигнальных процессоров. Они обеспечивают требуемые тактовые частоты ввода и вывода данных 10-50 МГц.
Макет гибридной ОЭ микросхемы
Для исследования особенностей работы ОЭ микросхемы и проверки ряда технических решений были созданы несколько макетов. Структурная схема одного из них включает линейку СИД, транспарант и матричный ФПЗС (рис. 4). Такая гибридная ОЭ микросхема была предложена и исследована нами совместно с НИИ Радиооптики (Москва) и НИИ "Пульсар" (Москва) [6].
В микросхеме использовался многоэлементный светоизлучатель 1 с 64-мя ленточными диодами с размерами 31 х 7600 мкм, расположенных - с шагом 63 мкм и длиной волны излучения X = 0.6 мкм. Маска 2 была рассчитана на компьютере с точностью 0,1% и изготовлена на фотопленке с высоким разрешением. Она представляет собой часть зонной пластинки Френеля. Волоконная шайба 3 была выполнена в виде плоскопараллельной пластины из волокон диаметром 6 мкм, расположенных упорядочение в гексагональной упаковке при длине волокон (толщине шайбы) 2,5 мм. Матричный фотоприемник 4 типа ФПЗС-1ЗМ имел 264столбца по 290 элементов. Шайба была установлена в качестве покровного стекла на кристалле фотоприемии-ка. Шаг СИД и шаг трех столбцов ФПЗС были равны: пикселом считался сдвоенный элемент в строке с пропуском соседнего одиночного элемента. Пропуск элемента обеспечивал необходимую развязку между каналами. Контроллер обеспечивал работу ФПЗС как в обычном телевизионном режиме датчика изображения (при
Гибридная микросхема 1 3 2 3 4
Формир. сигн. СИД
Um(t)
Контроллер : управления ФПЗС
Qnit)
ЭВМ АЦП
Рис. 4. Макет гибридной микросхемы и вид Френелевской маски
настройке и тестах), так и в рабочем режиме ВЗН. Совмещение режимов выполнено за счет применения памяти команд управления ФПЗС: один набор команд для режима кадрового, другой для режима ВЗН. Так режим ВЗН сводится к трем командам (шагам).
1. Перенос зарядовых пакетов из секции накопления ФПЗС матрицы в сдвиговый выходной регистр.
2. Вывод зарядов из регистра.
3. Переход на шаг 1 по очередному тактовому импульсу. Входные тестовые сигна™ U(t) генерировались в управляемом источнике сигналов на основе ЭВМ и подавались на линейку СИД через схему формирования сигналов. Выходной электрический сигнал обрабатывался в ЭВМ.
Нами проведено исследование линеек СИД (разработка НИИ "Сапфир", г. Москва) с использованием оптической схемы с переносом изображения в плоскость фотоприемника. Каждый из светодиодов имел независимое управление, при этом подводка токоведущих проводников к диодам была чередующейся: четные СИД запитывались с одного конца, а нечетные с противоположного. Сила света излучающего элемента при токе 30 мА составляет 380 мкКд; напряжение на элементе - ~2 В. При установке волоконной пластины ослабление излучения не превышало 5%. Распределение интенсивности в среднем достаточно равномерно, однако падение напряжения по длине диода вызывает небольшой наклон распределения, противоположный для четных и нечетных диодов. Проведенные исследования линейки СИД позволили определить требуемую для работы ФПЗС мощность излучения диодов и соответствующую ей силу питающего тока [6. 7].
В макете обрабатывались сигналы вида:
Um{n)=
= 0.5^1 + A cos| Рт (я - я,, )2 Jj>, |и-яь|£АГ/2
0.5, |л-/фЛГ/2
где А < 1 - глубина модуляции; п - номер отсчета: п0 - номер отсчета, соответствующего середине сигнала; Рт - коэффициент, зависящий от номера m канала. На рис. 5.а показан тестовый входной сигнал длительностью /V = 290 отсче-товс т= 17 (Рт = 2.24 • 101). На рис. 5.6 показано изменение коэффициента пропускания маски по каналу, т.е. импульсный отклик процессора (в макете использовалась спадающая к краям засветка). На рис. 5.в представлен выходной
,(3)
сигнал (аппаратная функция) процессора для рассматриваемого канала. Анализ показывает, что измеренный отклик хорошо соответствует расчетному по форме, ширине и уровню боковых лепестков.
L'
Рис. 5. Входной сигнал (а), сигнал маски (б) и выходной сигнал (в) одного канала ОЭ микросхемы
Задача управления линейкой СИД значительно упрощается при переходе от амплитуд-но-импульсной модуляции (АИМ) излучения светодиодов к широтно-импульсной (ШИМ). На рис. 6 показана временная диаграмма преобразования АИМ в ШИМ при подаче на гибридную микросхему импульсов сигнала, следующих с периодом Г. В этом случае величина тока, текущего через СИД. фиксируется на одном уровне (бинарное управление), а длительность свечения определяется амплитудой управляющего сигнала. Появляется возможность перехода от аналоговых элементов схем введения сигнала в ОЭ микросхему к цифровым. Как следствие, устраняются температурные и временные нестабильности и нелинейности, свойственные аналоговым схемам: упрощаются схемы управления излучателями.
Применение гибридной технологии в фильтровом пульсарном процессоре
Описанная ОЭ микросхема (микросборка) (рис. 4) явилась основой при разработке макета обработки сигналов радиолокатора с синтезированной апертурой РСА. представленного ранее в работе [11]. Ниже мы представляем оригинальное применение гибридной технологии в радиоастрономическом приемном комплексе, предназначенном для обработки и регистрации сигналов пульсаров [12].
Пульсары представляют собой нейтронные звезды с высокой и очень стабильной скоро-
а)
О
т„
/шах" /1=3/4/,
т
б) /тах "
О
+ / /1=Л
шах
Тп
/>~/т
Т1=3/4т„
ах
/2 /шах
-м-
/з=3/8Л
Н
/3=/:
шах
Т2=Т,
шах
13 = 3/81)
ш
Рис. 6. Временная диаграмма управления светодиодами с преобразованием исходной АИМ (а) в ШИМ (б) с установкой всех импульсов на максимальном уровне
стью вращения. Импульсное радиоизлучение пульсаров имеет ряд особенностей, главная из которых - это дисперсия в межзвездной среде. Из-за дисперсии короткий импульс радиоизлучения пульсара дрейфует по частоте в полосе приема Д/с центральной частотой / от высоких частот к низким. Дрейф приводит к расширению импульса на выходе приемника и потере информации о его тонкой временной структуре. Пульсарный процессор приемного комплекса радиотелескопа должен учитывать, компенсировать дрейф.
Приемный комплекс (рис. 7) включает высокочастотный приемник, банк фильтров с N детекторами, гибридную ОЭ микросхему и ЦСП. ОЭ микросхема состоит из линейки СИД. волоконнооптической шайбы (ВШ) и линейного ФПЗС. Выходы детекторов управляют интенсивностью излучения СИД. Шайба, как
Антенна радиотелескопа
ВЧ приемник
Банк фильтров и детекторы
уже отмечалось, позволяет жестко соединить СИД и ФПЗС.
Каждый радиоимпульс пульсара последовательно проходит от первого до последнего светодиода линейки СИД, в результате в фотоприемнике формируется двумерный массив отсчетов Бпк, где п - номер канала, к - номер отсчета во времени. ФПЗС одновременно накапливает и перемещает зарядовые пакеты (работает в режиме ВЗН). устраняя тем самым влияние дисперсии и повышая отношение сигнал/шум (с/ш):
п=\
(4)
где Т - соответствующий сдвиг во времени, зависящий от меры дисперсии наблюдаемого пульсара.
СИД
ФПЗС
•я
ян
ВШ
о ЦСП
о о
г. г
Рис. 7. Гибридная ОЭ микросхема для фильтровой пульсарной машины
При необходимости (для слабых пульсаров) дальнейшее увеличение отношения сигнал/шум происходит за счет суммирования отдельных импульсов пульсара в ЦСП. Таким образом, в фильтровом приемном комплексе гибридная микросхема выполняет несколько функций. Во-первых, происходит компенсация дрейфа импульса пульсара по частотным каналам приемника (компенсация дисперсии) в реальном времени. Во-вторых, за счет накопления в ФПЗС происходит повышение отношения сигнал/шум. В-третьих, обеспечена электрическая развязка аналоговой и цифровой частей комплекса. В-четвертых, реализован ОЭ коммутатор, подключающий таким необычным образом параллельные каналы банка фильтров на один выход фотоприемника. Нами проведено макетирование всех элементов представленной схемы. Ряд результатов описано в работах [7, 12].
Представленные нами реализации специализированных ОЭ процессоров в виде гибридных микросхем привлекательны прежде всего
благодаря своей простоте и возможностям миниатюризации. Различные варианты архитектур микросхем и микромодулей могут применяться при решении широкого спектра задач параллельной обработки массивов данных. Дальнейшее развитие гибридной оптоэлектро-ники связано с совершенствованием элементной базы, прежде всего матриц микролазеров, а также с всесторонним освоением новой схемотехники, позволяющей проектировать и размещать на одной подложке и оптические и электронные компоненты.
Авторы выражают благодарность коллегам Центра оптоэлектронных проблем информатики СПбГПУ за совместную работу. Сотниковой Г.Ю.. ст.н.с. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, за участие в разработке и макетировании фотоприемника с волоконной шайбой, сотрудникам МИФИ Ев-тихиеву H.H. и Старикову P.C. за совместную работу и обсуждение результатов.
Работа частично поддержана грантом РФФИ №07-02-01211.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Bradley G. Boone. Signal Processing Using Optics: Fundamentals. Devices. Architectures, and Applications. -Oxford University Press. 1997. - 416 p.
2. Оптическая вычислительная техника (тематический выпуск) //ТИИЭР. - 1984. -Т.72. - №7.
3. McAulay A.D. Optical computer architectures: the application of optical concepts to next generation computers.-J.Wiley & Sons. 1991.-531 p.
4. Информационная оптика./ Н.Н.Евтихиев, О.А.Евтихиева.И.Н.Компанецидр.- М.Изд. МЭИ. -2000. -612с.
5. Забулонов М. И., Иванов Г1. А.. Евгихиев
Н. И. и лр. Разработка оптических вычислителей в виде гибридных микросхем и микромодулей: компьютерное моделирование и экспериментальное макетирование.// Накоемкие технологии. - 2005. -№5. - С. 20-28
6. Евгихиев И.И., Есенкина И.А., Лавров А.II. и др. Оптоэлектронный процессор в виде гибридной микросхемы.// Квантовая электроника. - 1995. -Т. 22.-№10.-С. 985-990.
7. Есенкина Н.А., Гаврнлов Г.А., Лавров А.П. и
лр. Оптоэлектронный процессор на основе матричного ФПЗС с волоконной шайбой.// Письма в Ж'ГФ. -1992. -Т. 8. -№1. - С. 32-37.
8. Chateauneuf. М., A.G. Kirk, D.V. Plant et al. 512-channcl vertical cavity surface emitting laser based free-space optical link.// Applied Optics. - 2002. -V. 41. - P. 5552-55561.
9. Лавров А.П. Оптоэлектронные процессоры радиосигналов с использованием сканирующих ПЗС-фотоприемников. Дис. д-ра ф.-м. наук. СПб: СПбГПУ. 1999.-346 с.
10. Masumi Koizumi, et.al. High-Speed Chip-Matrix 1200 dpi LED Prin thcad.// Proceedings of SPIE. - 2001. -V. 4300. - P. 249-255.
11. Dolgy V.A., Evtihiev N.N., Lavrov A.P. et al. Optoelectronic hybrid microcheme for synthetic aperture radar signal processing.//Proc. SPIE.- 1993.-V. 2051. - P. 236-238.
12. Есенкина H.A., Лавров А.П., Молодяков С.A. Акустооптический компенсатор дисперсии для наблюдения радиоизлучения пульсаров.// Антенны. -2006. - №7. - С. 69-76.
