CC BY
14
м
http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-4-52-60
Оригинальная статья Original paper
УДК 621.375, 681.782.52
ВЛИЯНИЕ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА ПАРАМЕТРЫ АНАЛОГОВЫХ КОМПОНЕНТОВ БАЗОВОГО МАТРИЧНОГО КРИСТАЛЛА МН2ХА030
О.В. ДВОРНИКОВ1, В.А. ЧЕХОВСКИЙ2, В.Л. ДЯТЛОВ2, ЯД ГАЛКИН23, Н.Н. ПРОКОПЕНКО4
1Минский научно-исследовательский приборостроительный институт» (г. Минск Республика Беларусь)
2Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета (г. Минск, Республика Беларусь)
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)
4Донской государственный технический университет (г. Ростов-на-Дону, Российская Федерация)
Поступила в редакцию 8 февраля 2021 © Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2021
Аннотация. Для уменьшения стоимости, времени проектирования и испытаний радиационно-стойких аналоговых интегральных микросхем часто применяют базовые структурные и базовые матричные кристаллы. Одним из таких базовых матричных кристаллов является МН2ХА030, использующий в качестве активных элементов биполярные и полевые транзисторы, управляемые p-n-переходом. Целью статьи является оценка влияния проникающей радиации на статические параметры операционного усилителя OAmp2 и компараторов ADCompi и ADComp3, изготовленных на базовом матричном кристалле МН2ХА030. Приведены результаты измерений основных параметров аналоговых компонентов после воздействия гамма-квантов 60Co с поглощенной дозой до 700 крад и флюенса быстрых электронов до 2,9 1015 эл./см2 с энергией 6 МэВ. Как следует из результатов измерений, операционный усилитель OAmp2 обеспечивает удовлетворительный уровень основных статических параметров (входной ток, напряжение смещения нуля, коэффициент усиления напряжения) при флюенсе быстрых электронов до 3,7 1014 эл./см2 с энергией 6 МэВ. При флюенсе быстрых электронов больше 1015 эл./см2 происходит спад коэффициента усиления напряжения и рост напряжения смещения нуля. Последнее может быть вызвано уменьшением эффективности встроенной в операционный усилитель обратной связи по синфазному сигналу при значительном спаде коэффициента усиления базового тока биполярных транзисторов. Все изученные аналоговые компоненты обеспечивают удовлетворительный уровень основных статических параметров при флюенсе быстрых электронов до 3,7 1014 эл./см2 с энергией 6 МэВ и поглощенной дозе гамма-квантов 60Co не менее 700 крад. Предполагается, что стойкость OAmp2, ADComp1, ADComp3 к воздействию гамма-квантов 60Co существенно выше и требует дальнейшего изучения. Разработанные аналоговые компоненты могут найти применение в устройствах считывания сигналов, необходимых в аналоговых интерфейсах датчиков космического приборостроения и ядерной электроники.
Ключевые слова: операционный усилитель, компаратор, базовый матричный кристалл, радиационная стойкость.
Конфликт интересов. Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.
Для цитирования. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Галкин Я.Д., Прокопенко Н.Н. Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030. Доклады БГУИР. 2021; 19(4): 52-60.
IONIZING RADIATION INFLUENCE ON PARAMETERS OF ANALOG COMPONENTS OF THE MASTER SLICE ARRAY МН2ХА030
OLEG V. DVORNIKOV1, VLADIMIR A. TCHEKHOVSKI2, VALIANTSIN L. DZIATLAU2, YAROSLAV D. GALKIN23, NIKOLAY N. PROKOPENKO4
1 Minsk Research Instrument-Making Institute JSC (MNIPI JSC) (Minsk, Republic of Belarus) 2Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University (Minsk, Republic of Belarus)
3Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics (Minsk, Republic of Belarus) 4Don State Technical University (Rostov-on-Don, Russia)
Submitted 8 February 2021
© Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 2021
Abstract. Structured arrays and master slice arrays are often used to reduce cost, design and test time for radiation hardened analog integrated circuits. One of such master slice arrays is МН2ХА030, which uses bipolar and junction field-effect transistors. The purpose of this article is to estimate the effect of ionizing radiation on the parameters of the operational amplifier OAmp2 and comparators ADCompl and ADComp3 created on the МН2ХА030 master slice array. Ehe results of measurements of analog components after exposure to 60Co gamma quanta with an absorbed dose of up to 700 krad and a fast electron fluence of up to 2.91015 el./cm2 with an energy of 6 MeV are presented. The OAmp2 operational amplifier provides a satisfactory level of basic static parameters (input current, offset voltage, voltage gain) at a fast electron fluence of up to 3.7 1014 el./cm2 with an energy of 6 MeV. There are a decrease in the voltage gain and an increase in the offset voltage at electron fluence of greater than 1015 el./cm2. The latter can be caused by a decrease in the efficiency of the common-mode signal feedback integrated into operational amplifier with a significant drop in current gain of bipolar transistors. All considered analog components provide a satisfactory level of basic static parameters at a fast electron fluence of up to 3.71014 el./cm2 with an energy of 6 MeV and an absorbed dose of 60Co gamma quanta of at least 700 krad. It is assumed that resistance of OAmp2, ADComp1, ADComp3 to the action of 60Co gamma quanta is significantly higher and requires further research. The developed analog components can be used in signal reading devices required in front-end of sensors for space instrumentation and nuclear electronics.
Keywords: operational amplifier, comparator, master slice array, radiation hardeness.
Conflict of interests. The authors declare no conflict of interests.
For citation. Dvornikov O.V., Tchekhovski V.A., Dziatlau V.L., Galkin Y.D., Prokopenko N.N. Ionizing radiation influence on parameters of analog components of the master slice array МН2ХА030. Doklady BGUIR. 2021; 19(4): 52-60.
Введение
Специализированные аналоговые интегральные микросхемы (ИМС), сохраняющие свою работоспособность при воздействии проникающей радиации, необходимы в ряде областей науки и техники. Однако их разработка, изготовление и особенно сертификация требуют больших временных и материальных затрат. Для устранения данных недостатков рационально разрабатывать такие ИМС на базовых матричных кристаллах (БМК) и базовых структурных кристаллах (БСК). Основные элементы БМК и БСК проходят ряд испытаний на этапе разработки, включая испытания на стойкость к воздействию проникающей радиации, положительные результаты которых распространяются на все изделия, создаваемые на этих базовых кристаллах.
В связи с вышеперечисленным был разработан БСК МН2ХА010 [1-3], позволяющий создавать аналоговые микроэлектронные устройства, у которых при воздействии проникающей радиации, а именно гамма-квантов 60Co с поглощенной дозой до 3 Мрад и флюенса быстрых электронов до 31014 эл./см2 с энергией 4 МэВ, основные параметры остаются в пределах норм,
установленных для диапазона рабочих температур [4, 5], т. е. такие изделия являются радиационно-стойкими.
Однако при апробации ряда аналоговых ИМС, выполненных на БСК МН2ХА010, были выявлены особенности, затрудняющие его применение, а именно: высокое напряжение смещения нуля операционного усилителя (ОУ), не превышающее 5 мВ в нормальных
условиях; избыточное быстродействие ОУ (частота единичного усиления около 200 МГц) и компаратора (задержка менее 5 нс), обусловленное, в том числе, большим током потребления (1сс).
Для устранения указанных ограничений был создан БМК МН2ХА030. В этом БМК конструкции интегральных элементов и технологический маршрут их изготовления такой же, как в БСК МН2ХА010, но площади эмиттерных переходов транзисторов почти в 2 раза меньше, схемы аналоговых компонентов модифицированы и существенно уменьшен ток потребления [6, 7].
Целью статьи является рассмотрение изменения статических параметров ОУ ОАтр2, компараторов напряжений ADComp1 и ADComp3, созданных на БМК МН2ХА030, при воздействии проникающей радиации и их сравнение с параметрами компонентов БСК МН2ХА010.
Методика проведения эксперимента
Электрические схемы ОУ ОАтр2, компараторов ADComp1, ADComp3, а также их функционирование и особенности выбора режима работы подробно рассмотрены в [4-7]. Обратим внимание на то, что при анализе результатов радиационных исследований необходимо учитывать следующие отличия ОАтр2, ADComp1, ADComp3 от ОУ и компараторов БСК:
- рабочие токи транзисторов в ОАтр2 почти в 2 раза меньше, чем в ОУ БСК, хотя плотность эмиттерного тока осталась без изменений. Кроме того, ОАтр2 имеет парафазный выход и дифференциальный каскад (ДК), осуществляющий отрицательную обратную связь (ОС) по синфазному сигналу для уменьшения влияния технологического разброса параметров интегральных элементов и внешних воздействующих факторов на VoFF';
- оба компаратора реализованы на полупроводниковых резисторах и п-р-п-транзисторах БМК, имеющих высокую радиационную стойкость. Компараторы включают три ДК, причем выходной ДК имеет «открытый» коллектор;
- уменьшение потребляемой мощности в ADComp1, ADComp3 обеспечено снижением минимально допустимого напряжения питания до ±3 В благодаря замене сдвига уровня на стабилитронах на цепи последовательно соединенных прямосмещенных р-п-переходов и уменьшению эмиттерных токов всех транзисторов;
- в ADComp1, ADComp3 предусмотрена возможность регулировки внешним резистором максимального выходного тока;
- ток потребления ADComp3 существенно уменьшен по сравнению с ADComp 1.
Полупроводниковые пластины с экспериментальными образцами БМК были
изготовлены в ОАО «Интеграл», кристаллы собраны в 48-выводные метало-керамические корпуса Н16.48-1ВН.
Облучение образцов гамма-квантами 60Со осуществлялось на установке «Исследователь» [8] при температуре около 300 К, электронами - на установке У003 со следующими характеристиками: номинальная энергия электронов 6 МэВ, плотность потока электронов (2^8)10п элсм-2с-1. Все образцы при воздействии проникающей радиации были с закороченными выводами.
Воздействие быстрых электронов на кремниевые биполярные транзисторы приводит главным образом к образованию дефектов смещения, а генерация положительного заряда в окисле незначительна. Поэтому воздействие быстрых электронов целесообразно описывать величиной флюенса электронов с указанием их энергии (Ее). Используя разработанный метод прогнозирования радиационной стойкости ИМС [9], по результатам, полученным для быстрых электронов, можно оценить стойкость биполярных транзисторов и схем к нейтронам
и протонам. Так, флюенс электронов с Ее = 6 МэВ вызовет в биполярных транзисторах такие же дефекты смещения, как флюенс нейтронов Ем = 0,378-^Е с энергией Ем = 1,5 МэВ.
Схемы включения ОУ и компараторов, выражения для определения параметров приведены на рис. 1, а, Ь, с.
ab c
Рис. 1. Схемы включения: a - ОУ при определении ICC и Voff. R1 = 100 Ом, R2 = 30 кОм, Voff = -Vouti/(R2/R 1+1); b - ОУ при определении Kv, R1 = R3 = 100 Ом, R2 = R4 = 10 кОм, Rx = 20 кОм, KV = (Rx/R1)^(V0UT1/Vx); c - компараторы при измерениях. RL1 = RL2 = 100 Ом Fig. 1. Connection diagrams: a - op-amp when defining Icc and Voff. R1 = 100 Ohm, R2 = 30 kOhm, Voff = -Vouti/(R2/R1+1); b - op-amp when determining Kv, R1 = R3 = 100 Ohm, R2 = R4 = 10 kOhm, Rx = 20 kOhm, Kv = (Rx/R1)\Voun/Vx); c - comparators for measurements, RL1 = RL2 = 100 Ohm
Измерения компараторов проводились по схеме включения, показанной на рис. 1, с, следующим образом:
1. От прибора Agilent 33250A подают напряжение Vin¡ = 300 мВ и Vin2 = 100 мВ и регистрируют ток потребления Ice по выводу Vcc мультиметром Agilent 34401A.
2. От прибора Agilent 33250A подают напряжение Vin¡ = 300 мВ и Vin2 = 100 мВ и регистрируют мультиметром Agilent 34401A токи, протекающие через входы In1 (II1H) и In2 (II2L). Подают напряжение Vin1 = 100 мВ и Vin2 = 300 мВ и регистрируют токи, протекающие через входы In1 (Int) и In2 (Ii2h). Рассчитывают входной ток по входу In1 как Iinp¡ = 0,5(Iiih+Iiil), по входу In2 - как Iinp2 = 0,5(Ii2h+Ii2l).
3. От прибора Agilent 33250A подают напряжение Vin1 = 300 мВ и Vn2 = 100 мВ, регистрируют мультиметром Agilent 34401A напряжение Vouti и рассчитывают Iomaxi = -Vouti/Rli, затем подают Vin¡ = 100 мВ и Vin2 = 300 мВ, регистрируют напряжение VOUT2 и рассчитывают Iomax2 = V0UT2/Rl2 .
4. От прибора Agilent 33250A подают напряжение Vini = Vcm = 100 мВ и импульс прямоугольного напряжения Vin2 с базовой линией Vb = Vcm - 100 мВ и амплитудой Va = Vod + 100 мВ. Изменяя параметр сигнала Vod, регистрируют осциллографом Agilent MSO 6052A появление выходного импульса Vout2. Чувствительность компаратора S = Vod при появлении выходного импульса Vout2.
Результаты и их обсуждение
Основные результаты измерений приведены на рис. 2-10. Зависимости для компаратора ADComp1 ниже не показаны. Качественно они подобны таким же зависимостям для ADComp3, а так как эмиттерные токи транзисторов ADComp1 больше, то радиационное изменение его параметров меньше.
Imp, A 4,0E—7'
3,0E—7'
2,0E—7'
1,0E—7'
0,0E+0'
—1,0E—7
—2,0E—7
-3.0E-7
voff, v 2,0E—3
1E+11 1E+12
1E+13 1E+14 Fe, el./cm2
1E+15 1E+16
Рис. 2. Зависимость входного тока Iinp разных образцов OAmp2 от флюенса электронов Fig. 2. Dependence of the input current Iinp of different OAmp2 samples on the electron fluence
Рис. 4. Зависимость коэффициента усиления напряжения KV разных образцов OAmp2
от флюенса электронов Fig. 4. Dependence of the voltage gain Kv of different OAmp2 samples on the electron fluence
1E+12 1E+13 1E+14 Fe, el./cm2
Рис. 6. Зависимость входного тока Iinp разных образцов ADComp3 от флюенса электронов Fig. 6. Dependence of the input current Iinp of different ADComp3 samples on the electron fluence
0,OE+O
___\
- \
ж — n:
1E+1I 1E+12 1E+13 1E+14 1E+15 1E+16 Fe, el./cm2
Рис. 3. Зависимость напряжения смещения нуля Voff разных образцов OAmp2 от флюенса электронов Fig. 3. The dependence of the offset voltage Voff of different OAmp2 samples on the electron fluence
Рис. 5. Зависимость чувствительности S разных образцов ADComp3 от флюенса электронов Fig. 5. Dependence of the sensitivity S (minimum input overdrive voltage) of different ADComp3 samples on the electron fluence
1E+11 1E+12 1E+13 1E+14 1E+15 1E+16 Fe, el./cm2
Рис. 7. Зависимость максимального выходного тока разных образцов ADComp3 от флюенса электронов Fig. 7. Dependence of the maximum output current of different ADComp3 samples on the electron fluence
Рис. 8. Зависимость входного тока Iinp разных образцов ADComp3 от поглощенной дозы
гамма-квантов Fig. 8. Dependence of the input current Iinp of different ADComp3 samples on the absorbed dose of gamma quanta
Рис. 9. Зависимость максимального выходного тока разных образцов ADComp3 от поглощенной дозы
гамма-квантов Fig. 9. Dependence of the maximum output current of different ADComp3 samples on the absorbed dose of gamma quanta
Рис. 10. Зависимость чувствительности S разных образцов ADComp3 от поглощенной дозы гамма-квантов Fig. 10. Dependence of the sensitivity S (minimum input overdrive voltage) of different ADComp3 samples on the absorbed dose of gamma quanta
Анализ экспериментальных данных и рис. 4-10 позволяет сделать следующие выводы:
1. Ток потребления OAmp2 меньше, чем у ОУ БСК в 1,74 раза. Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания (Gain Bandwidth Product, GBP) для Oamp2 -GBP ~ 27 МГц, что в 7,4 раза меньше чем у ОУ БСК (GBP ~ 200 МГц). Относительно высокое быстродействие ОУ БСК обусловлено тем, что он не полностью частотно компенсирован и работает без самовозбуждения при усилении больше 10. OAmp2 является более универсальным ОУ и работает без самовозбуждения при усилении, равном 2 и более, а его GBP ~ 27 МГц вполне достаточно для большинства аналоговых устройств.
2. Топология ОУ БСК разработана с учетом правил проектирования полностью заказных аналоговых ИМС [10].
ОУ OAmp2 реализован на БМК. Топология макроячейки БМК имеет универсальный характер и не предназначена для минимизации напряжения смещения нуля. Однако проведенные измерения показали малое напряжение смещения нуля OAmp2 и, следовательно, высокую эффективность работы ОС по синфазному сигналу. Для ОУ БСК среднее значение Voff = -1,21 мВ при существующем разбросе от минус 1,67 мВ до 0,21 мВ. Для ОУ OAmp2 среднее значение Voff = 0,11 мВ.
3. Меньшие эмиттерные токи транзисторов OAmp2 и приблизительное равенство коэффициентов усиления базового тока ß n-p-n- и ^-n-р-транзисторов в микрорежиме обеспечивают существенно меньшее среднее значение входного тока IiNp = -1,125 мкА по сравнению с ОУ БСК (Iinp = 4,65 мкА).
4. Компаратор ADComp3 имеет чувствительность в 3 раза лучше и входной ток почти в 2 раза меньше, чем компаратор БСК, хотя задержка распространения сигнала ADComp3 существенно больше.
5. ОУ OAmp2 обеспечивает удовлетворительный уровень основных статических параметров (Iinp, Voff, Kv) при флюенсе быстрых электронов Fe < 3,71014 эл./см2 с энергией 6 МэВ. При Fe > 1015 эл./см2 происходит спад Kv и рост Voff. Последнее может быть вызвано уменьшением эффективности ОС по синфазному сигналу при значительном спаде в биполярных транзисторов. Радиационное изменение Iinp, Voff, Kv OAmp2 не хуже, чем ОУ БСК.
6. Чувствительность компаратора ADComp3 при FE < 3,71014 эл./см2 и DG < 700 крад слабо зависит от уровня ПР.
7. Зависимости входного и выходного тока от FE и DG у ADComp3 и компаратора БСК схожи. Преимуществом ADComp3 является возможность увеличения Iomax за счет изменения сопротивления внешнего резистора. Следовательно, компаратор ADComp3 является радиационно-стойким при Fe < 3,7-1014 эл./см2 и Dg < 700 крад.
Заключение
Для создания радиационно-стойких микросхем на БМК МН2ХА030 разработаны ОУ OAmp2 и компараторы ADCompl, ADComp3. Преимуществом OAmp2 по сравнению с ОУ типовых базовых матричных кристаллов является парафазный выходной сигнал и малое напряжение смещения нуля, обеспечиваемое встроенной ОС по синфазному сигналу.
К особенностям ADCompl, ADComp3 можно отнести высокую чувствительность и возможность изменения максимального выходного тока внешним резистором.
Все созданные аналоговые компоненты обеспечивают удовлетворительный уровень основных статических параметров при флюенсе быстрых электронов Fe < 3,71014 эл./см2 с энергией 6 МэВ и поглощенной дозе гамма-квантов 60Co не менее 700 крад.
С точки зрения авторов, стойкость OAmp2, ADCompl, ADComp3 к воздействию гамма-квантов 60Co существенно выше и требует дальнейшего изучения.
Список литературы
1. Дворников О.В., Прокопенко Н.Н., Бутырлагин Н.В., Бугакова А.В. Перспективы применения новых микросхем базового матричного и базового структурного кристаллов в датчиковых системах. Труды СПИИРАН. 2016;2(45):157-171.
2. Дворников О.В., Прокопенко Н.Н., Пахомов И.В., Бутырлагин Н.В., Бугакова А.В. Проектирование радиационно-стойких аналоговых процессоров и преобразователей сигналов датчиков на основе базового структурного кристалла MH2XA010. Радиотехника. 2016;2:107-113.
3. Dvornikov O.V., Dyatlov V.L., Prokopenko N.N., Chekhovskii V.A. Configurable Structured Array for Fabrication of Radiation-Hardened Analog Interfaces. Journal of Communications Technology and Electronics. 2017;62(10):1193-1199. DOI: 10.1134/S1064226917090078.
4. Dvornikov O.V., Tchekhovski V.A., Dziatlau V.L., Prokopenko N.N. Influence of Ionizing Radiation on the Parameters of an Operational Amplifier Based on Complementary Bipolar Transistors. Russian Microelectronics. 2016;45(1):54-62. DOI: 10.1134/S10 63739716010030.
5. Дворников О.В., Дятлов В. Л., Прокопенко Н. Н., Чеховский В. А., Пахомов И.В., Бугакова А.В. Статические параметры компараторов и зарядочувствительных усилителей базового структурного кристалла МН2ХА010 при воздействии гамма-излучения. Глобальная ядерная безопасность. 2017;2(23):38-46.
6. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С. Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030. Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018;4:10-16. DOI: 10.31114/2078-7707-2018-4-10-16.
7. Dvornikov O.V., Dziatlau V.L., Tchekhovski V.A., Prokopenko N.N., Bugakova A.V. BiJFet Array Chip MH2XA030 - a Design Tool for Radiation-Hardened and Cryogenic Analog Integrated Circuits. 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EexPolytech). 2018;13-17. DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564415.
8. Бельков М.В., Бушева С.В., ред.: Шумилина А.Г. Справочник центров коллективного пользования уникальным научным оборудованием и приборами. № 7. Минск: БелИСА; 2017.
9. Dvornikov O.V, Tchekhovski V.A, Diatlov V.L., Bogatyrev YU.V., Lastovski S.B. Forecasting of bipolar integrated circuits hardness for various kinds of penetrating radiations. 2013 23rd International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology". 2013;2:925-927.
10. Абрамов И.И., Дворников О.В. Проектирование аналоговых микросхем для прецизионных измерительных систем. Минск: Академия управления при Президенте Республики Беларусь; 2006.
References
1. Dvornikov O.V., Prokopenko N.N., Butyirlagin N.V., Bugakova A.V. [Prospects for the use of new microcircuits of the master slice and base structural array in sensor systems]. Trudyi SPIIRAN. 2016;2(45):157-171. (In Russ.)
2. Dvornikov O.V., Prokopenko N.N., Pahomov I.V., Butyirlagin N.V., Bugakova A.V. [Design of radiation-hardened analog processors and sensor signal converters based on the master slice array MH2XA010]. Radiotehnika. 2016;2:107-113. (In Russ.)
3. Dvornikov O.V., Dyatlov V.L., Prokopenko N.N., Chekhovskii V.A. Configurable Structured Array for Fabrication of Radiation-Hardened Analog Interfaces. Journal of Communications Technology and Electronics. 2017;62(10):1193-1199. DOI: 10.1134/S1064226917090078.
4. Dvornikov O.V., Tchekhovski V.A., Dziatlau V.L., Prokopenko N.N. Influence of Ionizing Radiation on the Parameters of an Operational Amplifier Based on Complementary Bipolar Transistors. Russian Microelectronics. 2016;45(1):54-62. DOI: 10.1134/S10 63739716010030.
5. Dvornikov O.V., Dyatlov V.L., Prokopenko N.N., Chehovskiy V.A., Pahomov I.V., Bugakova A.V. [Static parameters of comparators and charge-sensitive amplifiers of the master slice array МН2ХА010 when gamma radiation exposed to]. Globalnayayadernaya bezopasnost. 2017;2(23):38-46. (In Russ.)
6. Dvornikov O.V., Chehovskiy V.A., Dyatlov V.L., Prokopenko N.N., Budyakov P.S. [Design of voltage comparators based on elements of radiation-hardened low-temperature BiJFET master slice array МН2ХА030]. Problemyi razrabotki perspektivnyih mikro- i nanoelektronnyih sistem. 2018;4:10-16. DOI: 10.31114/2078-7707-2018-4-10-16. (In Russ.)
7. Dvornikov O.V., Dziatlau V.L., Tchekhovski V.A., Prokopenko N.N., Bugakova A.V. BiJFet Array Chip MH2XA030 - a Design Tool for Radiation-Hardened and Cryogenic Analog Integrated Circuits. 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EexPolytech). 2018;13-17. DOI: 10.1109/EExPolytech.2018.8564415.
8. Belkov M.V., Busheva S.V., red.: Shumilina A.G. [Directory of centers for the collective use of unique scientific equipment and instruments]. № 7. Minsk: BelISA; 2017. (In Russ.)
9. Dvornikov O.V, Tchekhovski V.A, Diatlov V.L., Bogatyrev YU.V., Lastovski S.B. Forecasting of bipolar integrated circuits hardness for various kinds of penetrating radiations. 2013 23rd International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology". 2013;2:925-927.
10. Abramov I.I., Dvornikov O.V. [Designing analog microcircuits for precision measuring systems]. Minsk: Academy of Public Administration under the aegis of the President of the Republic of Belarus; 2006. (In Russ.)
Вклад авторов
Дворников О.В. выполнил анализ современного состояния проблемы по теме работы,
сформулировал цель и задачи исследований, осуществлял научное руководство.
Чеховский В.А. участвовал в разработке методик измерений параметров.
Дятлов В.Л. выполнил измерение параметров.
Галкин Я.Д. участвовал в разработке операционного усилителя и компараторов на
базовом матричном кристалле МН2ХА030, выполнял измерение параметров и анализ
полученных результатов.
Прокопенко Н.Н. участвовал в разработке схемы операционного усилителя.
Authors' contribution
Dvomikov O.V. analyzed the current state of the problem, formulated the goals and objectives of the research and acted as a scientific supervision.
Tchekhovski V.A. participated in the development of methods for measuring parameters.
Dziatlau V.L. performed measurement of parameters.
Galkin Ya.D. participated in the development of an operational amplifier and comparators on the MH2XA030 master slice array, carried out measurement of parameters and analysis of the results obtained.
Prokopenko N.N. participated in the development of the operational amplifier circuit.
Сведения об авторах
Дворников О.В., д.т.н., доцент, главный научный сотрудник ОАО «Минский научно-исследовательский приборостроительный институт».
Чеховский В.А., исполняющий обязанности заведующего лабораторией «Электронные методы и средства эксперимента» НИУ «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета.
Дятлов В.Л., научный сотрудник лаборатории «Электронные методы и средства эксперимента» НИУ «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета.
Галкин Я.Д., аспирант Белорусского
государственного университета информатики и радиоэлектроники, младший научный сотрудник лаборатории «Электронные методы и средства эксперимента» НИУ «Институт ядерных проблем» Белорусского государственного университета.
Прокопенко Н.Н., д.т.н., профессор, заведующий кафедрой информационных систем и радиотехники Донского государственного технического университета.
Information about the authors
Dvomikov O.V., D.Sc., Associate Professor, Chief Research Scientist of Minsk Research Instrument-Making Institute JSC (MNIPI JSC).
Tchekhovski V.A., Acting Laboratory Manager at the "Electronic methods and experiment means" Laboratory of Research Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University.
Dziatlau V.L., Research Scientist at the "Electronic methods and experiment means" Laboratory of Research Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University.
Galkin Y.D., Postgraduate student of the Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Junior Researcher at the "Electronic methods and experiment means" Laboratory of Research Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University.
Prokopenko N.N., D.Sc., Professor, Head of Information Systems and Radioelectronics Department of Don State Technical University.
Адрес для корреспонденции
220013, Республика Беларусь,
г. Минск, ул. П. Бровки, 6,
Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники;
тел. +375-25-725-07-75;
e-mail: galkinyaroslav@gmail.com
Галкин Ярослав Денисович
Address for correspondence
220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki str., 6, Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics; tel. +375-25-725-07-75; e-mail: galkinyaroslav@gmail.com Galkin Yaroslav Denisovich
