CC BY
75
удк 621.921:658.562
Е.Н. Бирюков, А.И. Хохлов, Т.Б. Теплова, И.В. Лапшин
ВЛИЯНИЕ НЕРАВНОМЕРНОГО
трещиноватого слоя поверхности обработанных пластин хрупких материалов на качество готовых изделий
Аннотация. Перспективными материалами для микроэлектроники, оптоэлектроники, СВЧ-техники и других ведущих технических направлений являются арсенид галлия (GaAs), арсенид индия (InAs), антимонид галлия (GaSb) и антимонид индия (InSb). Для применения их в детекторах ионизирующего излучения, приборах оптоэлектроники: светодиодах, полупроводниковых лазерах, других высокотехнологичных областях науки и промышленности необходимо соответствие выходных данныхпластин требованиям международного стандарта SEMI по параметрам TTV, TIR, Bow, Warp. Рассмотрены способы обработки пластин, применяемое оборудование, технология односторонней шлифовки связанным алмазным абразивом на экспериментальной установке ЭМ-2060 производства АО «Планар», система управления установкой. Приведены результаты обработки пластин. Результаты шероховатости шлифованной пластины арсенида галлия 100 мм снятые на профилометре Alpha-Step® D-500, KLA Tencor, США. Измеренная шероховатость: Ra 16 нм, Rz 76 нм. Также определены задачи, решение которых позволит достичь необходимых параметров и качества обработанных пластин.
Ключевые слова: арсенид галлия (GaAs), арсенид индия (InAs), антимонид галлия (GaSb), антимонид индия (InSb), микроэлектроника, оптоэлектроника, поверхностная обработка, пластины, шероховатость.
Широко распространенными материалами для микроэлектроники, оптоэлектроники, СВЧ-техники и других ведущих технических направлений являются монокристаллические материалы: арсенид галлия (GaAs), арсенид индия (InAs), антимонид галлия (GaSb) и антимонид индия (InSb). Выращиванием монокристаллов указанных соединений, их обработкой и изготовлением изделий из этих материалов много лет занимается АО «Гиредмет». В категорию монокристаллических материалов AINBV входят бинарные соединения элементов III и V групп периодической системы, являющиеся полупроводниковыми материалами.
doi: 10.25018/0236-1493-2018-8-0-26-35
Рис. 1. Кристаллическая решетка материалов
A'"BV
Fig. 1. Crystal lattice of AIIIBV type compounds
ISSN 0236-1493. Горный информационно-аналитический бюллетень. 2018. № 8. С. 26-35. © Е.Н. Бирюков, А.И. Хохлов, Т.Б. Теплова, И.В. Лапшин. 2018.
У данных материалов кристаллическая решетка представляет собой структуру кристалла сфалерита (цинковой обманки). Элементы III группы в решетке показаны серым цветом, элемент. V группы — черным цветом.
В элементарной ячейке, показанной на рис. 1, находятся четыре атома одного вида и четыре — другого, т.е. всего восемь атомов. Одни атомы (безразлично A111 или BV) занимают вершины и центры граней куба, а другие — центры четырех (из восьми) малых кубов. То есть структура AINBV аналогична структуре алмаза с той только разницей, что центры малых кубов заняты атомами другого вида по сравнению с вершинами и центрами граней большого куба. Таким образом, в кристаллической решетке AIIIBV каждый атом Am соединен с четырьмя атомами BV и, наоборот, каждый атом BV тетраэдрически окружен четырьмя атомами Аш. Поэтому весь кристалл можно рассматривать как совокупность бесконечно повторяющихся звеньев -А-В-, в которых кратчайшее расстояние между AIII и BV зависит от природы этих атомов.
Для соединений AIIIBV характерен донорно-акцепторной тип химической связи. Из четырех ковалентных связей, которыми каждый атом встраивается в решетку, три образуются обобществлением валентных электронов атомов AIII и BV, а четвертая связь осуществляется неподеленной парой валентных электронов атомов BV. Образование этой связи соответствует энергетически выгодному переходу электронов от атома BV в энергетическое состояние, общее для донора (атомов BV) и акцептора (атома Am). В каждой ковалентной связи максимум электронной плотности смещен в сторону атома с более высокой электроотрицательностью, т.е. электронные облака стянуты к узлам решетки, где находятся атомы BV.
Благодаря такой поляризации связей атомы А111 приобретают некоторый эффективный положительный заряд, а атомы Ву — отрицательный. Величина этого эффективного заряда определяет степень ионности соединения, которая закономерно изменяется при переходе от одного соединения к другому в соответствии с положением химических элементов в Периодической таблице Д.И. Менделеева. Полупроводниковые соединения А'"ВУ образуют гомологический ряд, в котором наблюдается закономерное изменение многих свойств при изменении атомных номеров компонентов [1].
Арсенид галлия (GaAs) является наиболее востребованным среди всех известных полупроводниковых соединений (не только А"'ВУ) как по масштабам производства, так и по широте использования в различных сферах деятельности, благодаря удачному сочетанию свойств занимает второе место (после кремния) по своему значению в современной электронной технике. Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния.
GaAs — прямозонный полупроводник. Ширина запрещенной зоны при 300 К — 1,424 эВ. Твердость по Моосу — 4,5.
Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.
Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя в GaAs, по сравнению с кремнием, приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности, имеют более высокую радиационную стойкость. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, радарных системах, обусловливает их использова-
Рис. 2. Монокристалл, пластина и прибор из арсенида индия Fig. 2. Indium arsenide: monocrystal, plate and device
ние в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях космических аппаратов), в детекторах ионизирующего излучения, в приборах оптоэлектроники: светодиодах и лазерах, других высокотехнологичных областях науки и промышленности.
Для применения описанного материала в этих областях используются полупроводниковые подложки для эпитаксии из арсенида галлия, которые должны иметь выходные совершенные геометрические параметры.
В международном стандарте SEMI используются следующие параметры геометрического совершенства пластин: TTV — Total Thickness Variation (разнотол-щинность); TIR — Total Indicator Reading (плоскостность, клиновидность); Bow (прогиб); Warp (коробление).
Для получения полупроводниковых приборов с высоким выходом годных изделий любой из этих параметров не должен превышать 5 мкм.
По физическим характеристикам GaAs — более хрупкий и менее теплопроводный материал, чем кремний. Подложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала [2].
Арсенид индия (InAs) находит основное применение при производстве оп-тоэлектронных приборов для среднего ИК-диапазона спектра 0,5—3,05 мкм:
оптические фильтры, источники ИК-излу-чения, светодиоды, лазеры, фотоприемники, тепловизоры, широкоформатные фотоприемные устройства для космического зондирования земли, магниторе-зисторы, преобразователи Холла.
Арсенид индия имеет высокую подвижность электронов, что позволяет на его основе изготавливать высокочувствительные элементы (чувствительностью в 10 раз выше, чем у кремния) которые эффективно работают при наличии радиационных и магнитных полей [3]. Ширина запрещенной зоны — 0,36 эВ. Твердость по Моосу — 4.
На рис. 2 представлены монокристалл арсенида индия, пластина арсени-да индия и фотоприемное устройство.
Выходные данные пластин арсенида индия аналогичны пластинам арсенида галлия, TTV, TIR, Bow, Warp не должны превышать 5 мкм.
Антимонид галлия (GaSb) используется в качестве материла подложки в эпи-таксиальных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, предназначенных для создания широкой гаммы оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон (1,2—2,5) мкм, многокаскадных солнечных батарей и термофотоэлектрических преобразователей высокой эффективности) [4]. Ширина запрещенной зоны — 0,72 эВ.
Рис. 3. Подложки для эпитаксии и монокристалл антимонида индия Fig. 3. Indium antimonide: substrates for epitaxy and monocrystal
Твердость по Моосу — 4,5. Выходные данные пластины арсенида индия аналогичны арсениду галлия.
Антимонид индия (^Ь) является основным материалом для изготовления линейных и матричных фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне длин волн 3—5 мкм.
Тепловизионная техника, оптические измерения, астронавигация, дистанционное обнаружение объектов, радиосвязь — неполный перечень областей использования этих фотоприемных устройств. Это материал, из которого про-мышленно изготавливаются фотоприемники трех типов: фотопроводящие (фотосопротивления), фотовольтаические и фотоэлектромагнитные.
В сравнении с другими материалами, чувствительными в данной области спектра, фотоприемники на основе антимонида индия имеют ряд преимуществ. Совершенство используемых монокристаллов антимонида индия и их высокая чистота позволяют снизить разброс чувствительности ФПУ до 3—5%.
Являясь устойчивым химическим соединением, антимонид индия обладает долговременной стабильностью физических параметров и обеспечивает стабильные характеристики изготавливаемых на его основе приборов. Это делает антимонид индия одним из востребованных материалов, используемых в ИК-технике [5]. На рис. 3 представлены
пластины и монокристалл антимонида индия. Ширина запрещенной зоны — 0,17 эВ при 300 14, 0,23 эВ при 80 14. Твердость по Моосу — 3,8.
Выходные данные пластины антимонида индия идентичны арсениду галлия.
Целью исследований, проводимых АО «Гиредмет», является достижение заданных выходных параметров пластин GaAs, InAs, GaSb, ^Ь с получением высококачественной механически обработанной поверхности, перед химико-механической полировкой, и минимально нарушенным приповерхностным слоем при механическом воздействии.
В соответствии с технологическим процессом изготовления пластин из монокристаллов первой технологической операцией является разделение монокристалла на пластины. В АО «Гиредмет» для этого используют станок многопроволочной резки «Такатори» MWS-45SN [8].
Для разрезания кристалла на пластины используется абразивная суспензия, состоящая из размешанного в индустриальном масле микропорошка карбида кремния SiCсо средним размером зерна 7 мкм, выступающим в качестве свободного абразива. Суспензия подается насосом на рабочие ролики с проволокой, намотанной в канавки роликов через точное расстояние между витками. При резке происходит прошли-фование кристалла на пластины при по-
Рис. 4. Станок Такатори MWS-45SN и подготовленный для резки кристалл Fig. 4. Takatori MWS-45SN wire saw and a crystal prepared for cutting
мощи проволоки, с нанесенной на нее абразивной суспензией. При этом станок позволяет разделять моно- и поликристаллические материалы на пластины со следующими параметрами:
• максимальный размер разрезаемых кристаллов I = 125 мм; О = 105 мм;
• толщины резаных пластин от 290 до 2850 мкм;
• разброс толщины пластин +/10 мкм;
• толщина пропила 180 мкм;
• шероховатость поверхности после резки Ra < 0,4 мкм;
• неплоскостность (разнотолщинность) поверхности < 5 мкм;
• клиновидность < 5 мкм.
На рис. 4 показана система управления, рабочая зона станка и подготовленный для резки монокристалл.
Качество поверхности резаных пластин контролируется профилометром Alpha-Step® D-500, KLA Tencor, США [7].
Измеренная шероховатость после резки монокристалла GaAs диаметром 100 мм составляет: Ra 0,325 мкм, Rz 1,8 мкм.
После резки кристалла на пластины поверхность монокристаллической пластины представляет собой структуру, показанную на рис. 5.
Исходя из этого, актуальностью проводимых исследований является обоснование и подбор режимов последующих этапов механической обработки поверхности пластины, которые при достижении необходимых выходных параметров минимизировали бы нарушения приповерхностного слоя, не внося процессом
Рис. 5. Структура приповерхностного слоя монокристалла после резки: а — рельефный слой; б — трещиноватый слой; в — деформированный слой; г — ненарушенная структура монокристалла Fig. 5. Monocrystal surface layer structure after cutting: А—relief layer, B—fractured layer; C—deformed layer; D—unbroken structure of monocrystal
обработки новых нарушений.Только при минимально возможных величинах слоев А, Б и В (рис. 5) обработанных пластин возможно последующее получение качественных приборов.
Хорошие параметры обработанной поверхности с минимальными нарушениями приповерхностного слоя получены д.т.н. Т.Б. Тепловой при обработке поверхности твердых, хрупких материалов (алмаз, лейкосапфир) в режиме квазипластичности [9].
Квазипластичность — проявление при обработке пластичных свойств поверхностным слоем твердых хрупких материалов. В основе технологии квазипластичной обработки твердых хрупких материалов лежит обеспечение механического воздействия с пониженным усилием прижима на обрабатываемую поверхность материала при подаче шлифовального круга. При этом поверхностный слой хрупких твердых материалов проявляет пластичные свойства и преобладающим механизмом обработки становится квазипластичное удаление поверхностного слоя материала, а не хрупкое разрушение.
Исследования, проведенные д.т.н. Т.Б. Тепловой [10] показали, что разрушение поверхностного слоя и характер
обработки поверхности хрупких твердых материалов зависит от величины удельной энергии воздействия инструмента. При специальном подборе параметров (усилие прижима, скорость движения инструмента параллельно поверхности кристалла), можно вести обработку в режиме квазипластичного удаления поверхностного слоя и получить поверхность твердых хрупких материалов нано-метрового рельефа без дефектов, привнесенных процессом обработки.
Физической основой этого процесса является то, что при определенных величинах контактных напряжений в поверхностном слое возникает напряженно-деформируемое состояние, энергия которого отличается от энергии необходимой для хрупкого разрушения.
Величина энергии упругой деформации при снижении контактных напряжений может быть недостаточной для проявления пластичных свойств хрупких кристаллов, обусловленных движением дислокаций, если эти напряжения меньше предела Пайерлса (тп), соответствующего началу движения дислокаций. В таблице приведена классификация энергетических уровней воздействий инструмента на хрупкие минералы при их поверхностной обработке [11].
Классификация энергетических уровней состояния поверхностного слоя минералов при механическом воздействии
Classification of energy states in surface layer of minerals under mechanical effect
Состояние поверхностного слоя твердого минерала при механическом воздействии Диапазон удельной величины энергии упругой деформации W, Дж • м-3
Хрупкое разрушение w ><- 2 • E
Режим квазипластичности т 2 2 ■ E 2 ■ E
Упругое деформирование материала т2 W 2 ■ E
где Е — модуль упругости, Па; тп — предел Пайерлса, Па; стр — предел прочности на растяжение, Па.
Поскольку исследования д.т.н. Т.Б. Тепловой проводились для твердых материалов, таких как алмаз (твердость 10) и лейкосапфир (твердость 9), а исследуемые материалы GaAs, InAs, GaSb, ^Ь имеют твердость не более 4,5 по Моосу, необходимы дополнительные исследования параметров режимов обработки для получения высококачественной поверхности. Принимаем за основу схему обработки поверхности, примененную Т.Б. Тепловой, и проводим исследования с варьированием усилий прижима для исследуемых материалов. Для решения поставленной задачи применяем одностороннее шлифование инструментом со связанным абразивом.
В АО «Гиредмет» начата отработка технологии односторонней шлифовки связанным алмазным абразивом на экспериментальной установке ЭМ-2060 производства АО «Планар» (Республика Беларусь) [6], фотография которой представлена на рис. 6. Установка представляет собой гранитное основание, соединенное с гранитной рамой, на которой установлены два двигателя (электрошпинделя), способные вращать кольцевой инструмент с внедренными алмазными сегментами толщиной 4 мм со скоростью 4800 об/мин. На каждом двигателе закреплен свой кольцевой инструмент. На дальнем двигателе расположен инструмент для черновой обработки
пластин (размер зерна М10/14 мкм) и на ближнем двигателе чистовой инструмент (размер зерна М4/6 мкм). Вдоль рамы прецизионно двигается столик (по оси X) с вращающимся основанием от 0 до 120 об/мин. Столик имеет прецизионный подъем по оси 2 (высоте).
Подача охлаждающей жидкости осуществляется непосредственно через валы электрошпинделей, что позволяет уменьшить влияние тепловых изменений размеров на остаточную толщину обработанных пластин.
Обработку пластин на данной установке можно вести двумя способами. При первом способе пластина движется поступательно, со скоростью от 0,01 до 5 мм/с через кромку инструмента, снимая заданную величину верхнего слоя пластины.
При втором способе центр пластины устанавливается под кромкой инструмента и, при одновременном вращении стола и электрошпинделя, происходит подъем столика со скоростью от 0,01 до 5 мкм/с на величину до 2000 мкм. Схемы расположения системы «инструмент — обрабатываемая пластина» при обработке приведены на рис. 7.
Система управления станка выводится на монитор компьютера. Перед обработкой задаются основные параметры обработки. Далее вводятся настройки обработки: тип шлифования,
Рис. 6. Установка односторонней шлифовки ЭМ-2060 и обрабатываемая пластина арсенида галлия 100 мм
Fig. 6. One-side polishing plant EM-2060 and gallium arsenide plate 100 mm under treatment
Инструмент
Способ 1
Рис. 7. Способы шлифовки пластин на установке Fig. 7. Methods of plate polishing on EM-2060 plant
рассчитанные точки касания инструмента и пластины, вводятся параметры финишного выхаживания поверхности пластины и т.д.
Проведенные опыты показали значительное уменьшение шероховатости поверхности пластин, по сравнению со значениями после резки кристалла на пластины.
Результаты шероховатости шлифованной пластины арсенида галлия 100 мм снятые на профилометре Alpha-Step® D-500, KLA Tencor, США. Измеренная шероховатость: Ra 16 нм, Rz 76 нм.
В настоящее время происходит отработка различных режимов работы установки ЭМ-2060 для получения минимальных значений шероховатости Ra10 нм и Rz40 нм и уменьшения дефектности поверхностного и приповерхностного слоя обрабатываемого материала.
Исследования показали положительные результаты и позволили определить ряд задач, решение которых позволит достичь необходимых параметров обработанных пластин GaAs, InAs, GaSb, InSb.
Планируются следующие мероприятия для достижения поставленной задачи:
• подбор скорости врезной подачи;
Инструмент
Способ 2
[-2060
• подбор высоты врезания и закона ее изменения;
• подбор скорости подъема стола при круговой обработке;
• установление взаимосвязи вышеуказанных параметров;
• подбор ПАВ и СОЖ для подачи в зону контакта инструмента и пластины;
• усовершенствование системы во-доподготовки для фильтрации частиц более 1 мкм;
• модернизация инструмента с применением полимеров;
• модернизация стола для одновременной обработки нескольких пластин;
• обоснование рациональных режимов обработки для других полупроводниковых материалов ЛШВУ, кремния, германия, сапфира, карбида кремния.
Выводы
Проведенные исследования показали, что применение способа односторонней шлифовки пластин СаЛэ, 1пЛб, СаЗЬ, 1пЗЬ связанным абразивом на экспериментальной установке ЭМ-2060 производства АО «Планар» по разработанной технологии позволяет добиться более высокого качества и геометрического совершенства пластин, чем после многопроволочной резки со свободным абразивом.
список литературы
1. Гольдаде В.А. Материалы электронной техники: тексты лекций. — Гомель: Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины, 2015.
2. АО «Гиредмет» арсенид галлия http://giredmet.ru/ru/products/GaAs/
3. АО «Гиредмет» арсенид индия http://giredmet.ru/ru/products/lnAs/
4. АО «Гиредмет» антимонид галлия http://giredmet.ru/ru/products/GaSb/
5. АО «Гиредмет» антимонид индия http://giredmet.ru/ru/products/lnSb/
6. ГНПО «Планар» Оборудование утонения полупроводниковых пластин http://www.planar. by/ru/production/so/page02/6926/
7. KLA Tencor, Alpha-Step® D-500 https://www.kla-tencor.com/Surface-Profiling/alpha-step-d-500.html
8. TAKATORIMWS45SN http://www.takatori-g.co.jp/english/products/products_mws/detail/ mws-45sn.html
9. Гридин О. М., Теплова Т. Б. Прецизионная обработка поверхностного слоя твердых хрупких материалов в режиме квазипластичности. — М.: МГГУ, 2012. — 211 с.
10. Теплова Т. Б. Исследование возможности обработки хрупких твердых кристаллических материалов электронной техники в режиме квазипластичности для совершенствования качества обрабатываемой поверхности // Нано- и микросистемная техника. — 2008. — № 2. — С. 45—47.
11. Теплова Т. Б. Физико-технологические принципы получения нанометрового рельефа поверхности при обработке твердых хрупких материалов электронной техники // Нано-и микросистемная техника. — 2008. — № 7. — С. 33—37. li^
коротко об авторах
Бирюков Евгений Николаевич — генеральный директор,
000 «Фианит-Интэкс»,
Хохлов Анатолий Ильич1 — кандидат технических наук, ведущий научный сотрудник, e-mail: yaniki-220@mail.ru, Теплова Татьяна Борисовна — доктор технических наук, профессор, e-mail: teplova_t@mail.ru, Лапшин Игорь Владимирович1 — главный специалист, e-mail: lapshini@ya.ru,
1 Госкорпорация «Росатом», АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет».
ISSN 0236-1493. Gornyy informatsionno-analiticheskiy byulleten'. 2018. No. 8, pp. 26-35.
Impact of nonuniform fractured surface layer of processed brittle material plates on end product quality
Biryukov E.N., General Director, LLC «Fianit-Intex», Khokhlov A.I.1, Candidate of Technical Sciences,, Leading Researcher, e-mail: yaniki-220@mail.ru, Teplova T.B., Doctor of Technical Sciences, Professor, e-mail: teplova_t@mail.ru,
Lapshin I.V.1, Chief Specialist, e-mail: lapshini@ya.ru,
1 State Corporation «Rosatom», JSC «State Scientific-Research and Design Institute of Rare Metal Industry «Giredmet», Moscow, Russia.
Abstract. Promising materials for microelectronics, optoelectronics, microwave and other advanced technologies are gallium arsenide, indium arsenide, gallium antimonide and indium antimonide. For the application in ionization radiation detectors, optoelectronic devices, such as light-emitting diodes and semiconductor lasers, and in the other high-tech areas of science and industry, it is required that output data of plates comply with the values of TTV, TIR, Bow and Warp included in the international standard SEMI. The article considers methods to process plates, processing equipment, technology of one-side
bound-abrasive polishing on experimental plant EM-2060 manufactured by Planar and the plant control system. The results of processing of plates are reported. Roughness of a polished gallium arsenide plate 100 mm was measured using Alpha-Step® D-500 Profiler by KLA Tencor, USA. The measurement data are: Ra 16 nm, Rz 76 nm. The problems to be solved to reach the required parameters and quality of processed plates are identified.
Key words: gallium arsenide, indium arsenide, gallium antimonide, indium antimonide, microelectronics, optoelectronics, surface finishing, plates, roughness.
doi: 10.25018/0236-1493-2018-8-0-26-35
REFERENCES
1. Gol'dade V. A. Materialy elektronnoy tekhniki: teksty lektsiy [Electronics engineering materials: Lectures], Gomel', Gomel'skiy gos. un-t im. F. Skoriny, 2015.
2. AO «Giredmet» arsenid galliya; http://giredmet.ru/ru/products/GaAs/
3. AO «Giredmet» arsenid indiya; http://giredmet.ru/ru/products/InAs/
4. AO «Giredmet» antimonid galliya; http://giredmet.ru/ru/products/GaSb/
5. AO «Giredmet» antimonid indiya; http://giredmet.ru/ru/products/InSb/
6. GNPO «Planar» Oborudovanie utoneniya poluprovodnikovykh plastin; http://www.planar.by/ru/pro-duction/so/page02/6926/
7. KLA Tencor, Alpha-Step® D-500; https://www.kla-tencor.com/Surface-Profiling/alpha-step-d-500.html
8. TAKATORI MWS45SN; http://www.takatori-g.co.jp/english/products/products_mws/detail/mws-45sn. html
9. Gridin O. M., Teplova T. B. Pretsizionnaya obrabotka poverkhnostnogo sloya tverdykh khrupkikh materialov v rezhime kvaziplastichnosti [Precision machining of surface layer of hard brittle materials under quasiplasticity], Moscow, MGGU, 2012, 211 p.
10. Teplova T. B. Issledovanie vozmozhnosti obrabotki khrupkikh tverdykh kristallicheskikh materialov elektronnoy tekhniki v rezhime kvaziplastichnosti dlya sovershenstvovaniya kachestva obrabatyvaemoy pov-erkhnosti [Processability of hard brittle crystalline materials of electronics engineering in the mode of quasiplasticity with a view to improving quality of surface treatment]. Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. 2008, no 2, pp. 45-47. [In Russ].
11. Teplova T. B. Fiziko-tekhnologicheskie printsipy polucheniya nanometrovogo rel'efa poverkhnosti pri obrabotke tverdykh khrupkikh materialov elektronnoy tekhniki [Physical and technological fundamentals of nanometer relief production during surface machining of hard brittle materials of electronics engineering].
Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. 2008, no 7, pp. 33—37. [In Russ].
^_
рукописи, ДЕПОНИРОВАННЫЕ В ИЗДАТЕЛЬСТВЕ «ГОРНАЯ КНИГА»
АНАЛИЗ ЗАЗЕМЛЯЮЩЕЙ СЕТИ НАПРЯЖЕНИЕМ ДО 1 КВ КАРЬЕРА «БОГАЕВСКИЙ» (№ 1138/08-18, № 1139/08-18 от 24.05.2018 г.; 7 с.)
Булдаков Е.Б.1 — студент,
Петров Геннадий Михайлович1 — кандидат технических наук, профессор, e-mail: petrovgm@mail.ru,
1 НИТУ «МИСиС»
Дана оценка электробезопасности электрооборудования оказавшегося под воздействием напряжения на основе аналитических зависимостей напряжения прикосновения от ряда различных параметров.
Ключевые слова: режим нейтрали, электробезопасность, защитный проводник, система заземления.
ANALYSIS OF GROUND NETWORK WITH VOLTAGE UP TO 1 KV OF CAREER «BOGAEVSKIY»
Buldakov M.M.1, Student,
Petrov G.M.1, Candidate of Technical Sciences, Professor, e-mail: petrovgm@mail.ru, 1 National University of Science and Technology «MISiS», 119049, Moscow, Russia.
The estimation of electrical safety of electrical equipment under the influence of voltage on the basis of analytical dependences of the contact voltage on a number of different parameters. Key words: neutral mode, electrical safety, protective conductor, grounding system.
