Научная статья на тему 'Влияние малых доз облучения и слабых магнитных полей на механические свойства фуллерита С60'

Влияние малых доз облучения и слабых магнитных полей на механические свойства фуллерита С60 Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
73
32
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Влияние малых доз облучения и слабых магнитных полей на механические свойства фуллерита С60»

Уравнения равновесия дислокаций решали чнсленно методом последовательных приближений [5]. Рассматривали скопления с рачличным суммарным числом дислокаций, а также различным соотношением чисел дислокаций в верхней и нижней границах двойников. Анализировалось образование микротрещин в результате слияния головных дислокаций по силовому [6] и термоактивированному [7] механизмам. Рассчитаны равновесные конфигурации одиночной двойниковой границы и двойника. Установлено, что условие образования микро-трещины в вершине двойника существенно зависит от соотношения числа дислокаций в его границах. В пределе оно совпадает с условием зарождения трещины в вершине изолированной двойниковой грантда с таким же суммарным числом дислокаций. Показано, что тер-

моактивированному зарождению микротрещины соответствуют меньшие значения критических напряжений.

ЛИТЕРАТУРА

1. Рыбин В.Н., Ханнанов Ш.К. // ФТТ. 1969. Т. 11.J64.C. 1048

2. Владимиров В.И., Ханнанов ШЛ\ // ФММ. 1971. Т. 31. № 4.

С. 838.

3. Федоров В А., ТялинЮ.И. //Кристаллография. 1981. Т. 26. № 4. С 775.

4. Федоров В.А., Финксль В Л'!., Плотников В. П., Тялин Ю.И., Кура-

нова В.А. II Кристаллография. 1988. Т. 33. № 5. С. 1244.

5. Ортега Док., Рейнболдт В. Итерациошше методы решения нелинейных систем уравнений со многими неизвестными. М.: Мир, 1975.

6. Stroh A.N. И Advenccs phys. 1957. Т. 6. № 24. C. 418.

7. Владил*иров В.И. Физическая природа разрушения металлов. М.: Металлургия. 1984. 280 с.

СТИМУЛИРОВАНИЕ ЗАЛЕЧИВАНИЯ МИКРОТРЕЩИН В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ВОЗДЕЙСТВИЕМ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

© Т.Н. Плужникова, Ю.И. Тялин, А.В. Чнванов, В.М. Поликарпов, В.А. Федоров, В.Ф. Попов

Эксплуатация материалов в современных конструкциях и деталях, происходящая зачастую в экстремальных условиях, ггредьявляет высокие требования к их прочностным характеристикам. Установлено, что процесс разрушения, как правило, возникает на несовершенствах кристаллической структуры и начинается с микротрещин. Одним из методов повышения прочности кристаллов является залечивание трещин.

Цель работы: определить влишше электромапагт-ного излучения рентгеновского диапазона длин волн на процессы залечивания трещин в ЩГК после асимметричного скола при малых временах облучения.

Для облучения монокристаллов рентгеновскими лучами была использована установка ДРОН-2,0 (X = = 1,54 А) и ДРОН-0,5 (X = 1,93 А). Время облучения кристаллов варьировалось от 1 до 11 минут.

Экспериментально установлено, что воздействие ■электромагнитного излучения рентгеновского диапазона вызывает релаксацию механических напряжений в вершине трещин за счет обратимого движения дислокаций и приводит к их частичному залечиванию. При малом времени воздействия на кристаллы рентгеновского излучения происходят заметные изменения дис-

локационной структуры у вершин трещин. С увеличением времени облучения число дислокаций в области вершины трещины экспоненциально уменьшается. Наиболее существенные изменешю дислокационной структуры происходят в первые моменты воздействия.

Отмечено, что при увеличении времени воздействии рештеновского излучения длина залеченного участка заметно увеличивается, зависимость носит линейный характер. Методом двойного травления было установлено, что в кристаллах при воздействии рентгеновского излучения наблюдается движение дислокаций в область вершины трещины.

Определено, что интенсивность залечивания и релаксация напряжений зависят от дойны волны рештеновского излучения. При уменьшении дайны волны эффект увеличивается.

Воздействие рештеновского излучения способствует релаксации механических напряжений и приводит, соот-ветстаенно, к изменению плотности дислокаций у вq> шины трещины. По-видимому, при нагреве и при рентгеновском излучении активизируется один и тот же механизм, вероятность срабатывания которого тем больше, чем меньше днина электромагнитного излучения.

ВЛИЯНИЕ МАЛЫХ ДОЗ ОБЛУЧЕНИЯ И СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУЛЛЕРИТА С60

© A.A. Дмитриевский, И.А. Пушнин

Ранее было установлено, что магнитное поле влияет на механические свойства фуллерита См при индукции поля В > 10 Тл, при этом кристалл разупрочнялся, а эффект достигал величины в 10 % при В = 24 Тл. В последние годы возрос интерес к эффектам воздействия малых доз радиации, магнитных и химических факторов на различные материалы. В ходе эксперимен-

тов по выявлению роли предварительного облучения па микротвердость фуллеритов было выявлено, что предварительная обработка фуллерита С<я в источнике бета и гамма излучения с интенсивностью 1 = 1 мкР/с также изменяет микротвердость. Были проведены серии экспериментов по выявлению влияния поочередного действия магнитного поля с В = 14 Тл и облуче-

ния. В ходе проведенных экспериментов было выявлено, что предварительная обработка образцов фуллерита в магнитном поле с В = 14 Тл изменяет микротвердость исследуемого образца на 2,3 % ± 0,5 % по сравнению с котрольным значением микротвердости. Если затем обработать фуллерит в источнике излучения в течете 1 часа, то эта обработка не дает никакого вклада в изменение микротвердости. Также был проведен эксперимент, в котором последовательность процедур облучения и обработки в МП была изменена на обратную. Было установлено, что предварительное облуче-

ние образца в течение 1 часа изменяет значение микротвердости на 3,1 % ± 0,6 % по сравнению с контрольным измерением, а последующая обработка фуллерита в МП не приводит к изменению значения микротвердости. Таким образом, в ходе проведения экспериментов было выявлено, что предварительная обработка исследуемых образцов в магнитном поле делает их нечувствительными к последующему облучению, как и предварительное облучение приводит к тому, что образец после него не чувствует влияния магнитного поля.

ИССЛЕДОВАНИЕ СИНТЕЗА И СТРУКТУРЫ ТИТАНОСОДЕРЖАЩИХ

МОЛЕКУЛЯРНЫХ СИТ

© Н.П. Козлова, С.Б. Путин, В.Н. Шубина

В настоящее время актуальной является разработка сорбентов органических вредных примесей (ОВП), обратимо поглощающих их из влажного воздуха и способных десорбировать ОВП при повышенной температуре.

Сорбентами, отвечающими вышеуказанным требованиям, являются титаносодержащие молекулярные сита (ТСМС).

Для определения оптимального времени кристаллизации, обеспечивающего необходимые качества сорбента, а также с целью выявления влияния химического состава реакционной смеси на образование структуры цеолита и его адсорбционные свойства, были проведены ешггезы образцов ТСМС различного состава. Отмечено, что на условия синтеза цеолитов значительное влияние оказывает pH среды, температура и давление.

Таблица 1

Данные по рентгеиоструктурному анализу

в d, А I в d,k I

9,25 5,5685 20 18,25 2,8582 5

13,65 3,7930 12 19,42 2,6921 10

15,10 3,4360 50 20,20 2,5923 7

16,05 3,2375 7 20,90 2,5091 10

17,45 2,9849 13 21,65 2,4262 8

17,82 2,9249 25

Определены оптимальные условия кристаллизации титаносодержащих молекулярных сит на основе четы-рехваленгного титана с добавкой алюмината натрия. Смеси выдерживались определенное время (от 1 до 7 суток) при постоянной температуре ~ 200 °С и, следовательно, высоком автоклавном давлении около 20 атм., pH маточного раствора 12,2, а после промывки готового продукта водой 10,5. Реакционные смеси составлялись из компонентов, взятых в количествах, соответствующих составу целевого продукта.

Исходными компонентами для синтеза ТСМС являлись читан четыреххлористый, жидкое стекло, алюминат натрия. В качестве минерализатора использован фторид калия. Мольное соотношение компонентов Si/1'i = 4,48, Ti/Al = 1.

Проведен рентгеноструктурный анализ полученных образцов. Установлено наличие кристаллической решетки в структуре ТСМС. Данные по рентгенострук-турному анализу одного из образцов представлены в таблице 1.

Проведен термографический анализ полученных ТСМС на дериватографе «Setarain». Согласно этим данным, определена термическая устойчивость ТСМС, которая не превышает 350-400 °С.

На следующем этапе исследований предполагается изучить структуру и адсорбционные свойства полученных тиганоеодержащих молекулярных сит.

СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И УДЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ЖИДКИХ СРЕД

© П.А. Федюнин, ДА. Дмитриев, Д.С. Бугаев

Из теории СВЧ линий передач известно, что волноводам поверхностных волн (ВВПВ) в диапазоне СВЧ присущ такой эффект, как зависимость величины коэффициента замедления V, от электрофизических свойств (е, ц) и геометрических параметров специально организованной замедляющей структуры (ЗС) на ВВПВ, вдоль которой распространяется медленная

электромагнитная волна (ЭМВ), носящая поверхностный характер и обладающая затуханием амплитуды ЭМВ как в направлении ей распространения вдоль ЗС, так и в нормальном по отношению к вектору Пойнтин-га направлении над ЗС. Причем, -затухание волны определяется потерями в среде и величиной V, соответственно.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.