Научная статья на тему 'ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ СПИН-ВЕНТИЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ИХ МАГНИТНЫЕ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ'

ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ СПИН-ВЕНТИЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ИХ МАГНИТНЫЕ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
14
5
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
МАГНИТНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ / СПИНТРОНИКА / МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Аннотация научной статьи по физике, автор научной работы — Горячев Андрей Викторович, Чиненков Максим Юрьевич, Дюжев Николай Алексеевич, Медников Александр Михайлович, Попков Анатолий Федорович

Проведено теоретическое и экспериментальное исследование влияния геометрической формы спин-вентильных элементов туннельного типа на их магнитные характеристики. Рассчитаны гистерезисные зависимости намагниченности и магнитосопротивления элементов прямоугольной, шестиугольной и кольцевой формы от магнитного поля при вариации характерных геометрических параметров элементов. Путем измерения магнитооптического эффекта Керра наблюдались петли магнитного гистерезиса. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных кривых намагничивания, получено их качественное согласие.The theoretical and experimental investigations of influence of the geometrical shape of the tunnel type spin-valve elements on their magnetic characteristics have been performed. The hysteresis dependencies of magnetization and magneto-resistance of the elements, having hexagonal and circular shape, on the field magnetization while varying the elements characteristic geometrical parameters have been calculated. By magneto-optic Kerr effect the magnetization hysteresis loops for the elements of different shape have been observed. The comparison of the calculated and experimental magnetization curves, demonstrating their qualitative agreement, has been performed.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по физике , автор научной работы — Горячев Андрей Викторович, Чиненков Максим Юрьевич, Дюжев Николай Алексеевич, Медников Александр Михайлович, Попков Анатолий Федорович

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ СПИН-ВЕНТИЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ИХ МАГНИТНЫЕ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ»

УДК 539.21:537.621

Влияние формы спин-вентильных элементов на их магнитные и магниторезистивные характеристики

А.В.Горячев, М.Ю. Чиненков

Московский государственный институт электронной техники (технический университет)

Н.А.Дюжев, А.М.Медников, А. Ф.Попков ФГУП «Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина»

Ф.А.Пудонин Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Проведено теоретическое и экспериментальное исследование влияния геометрической формы спин-вентильных элементов туннельного типа на их магнитные характеристики. Рассчитаны гистерезисные зависимости намагниченности и магнитосопротивления элементов прямоугольной, шестиугольной и кольцевой формы от магнитного поля при вариации характерных геометрических параметров элементов. Путем измерения магнитооптического эффекта Керра наблюдались петли магнитного гистерезиса. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных кривых намагничивания, получено их качественное согласие.

Открытие эффекта гигантского магнитосопротивления (ГМС) в Fe/Cr многослойных структурах [1] дало толчок развитию теории транспортных свойств магнитных многослойных структур [1, 2], а также его различным приложениям в разработке маг-нитосенсорных устройств, перспективных, в частности, для применения в полупроводниковых микроэлектромеханических системах (МЭМС) [3, 4]. Подобные датчики созданы на магниторезистивных элементах, представляющих собой слоистые магнитные структуры (рис.1). Такие датчики разрабатываются на основе использования анизотропного магниторезистивного эффекта [5] и ГМС.

В последнее время активно исследуются спин-туннельные многослойные магнитные структуры (ТМС), обладающие значительно большим магнитосопротивлением [4]. В состав таких структур входят, по меньшей мере, два ферромагнитных слоя, разделенных ультратонким немагнитным диэлектрическим слоем. Основными задачами разработки магниточувствительных устройств и первичных преобразователей на основе магниторези-стивных структур являются повышение их чувствительности, термостабильности, а также миниатюризация. Повысить чувствительность магниторезистивной структуры можно, в частности, путем выбора подходящей геометрической формы магниточувствительного элемента. Вариация формы и соотношения размеров элементов влияет на характеристики намагничивания и динамический диапазон сенсоров, а также на область их максимальной чувствительности к магнитному полю. Последнее важно, в частности, при использовании магниторезистивных элементов в качестве рецепторов для локальной регистрации магнитных полей рассеяния в разрабатываемых магнитоэлектронных биосенсорах, использующих магнитные метки в виде наночастиц [3], и для ряда магнитомеханических устройств.

© А.В.Горячев, М.Ю.Чиненков, Н.А.Дюжев, А.М.Медников, А.Ф.Попков, Ф.А.Пудонин, 2009

Н

Ж

б

Рис.1. Изображение магнитного элемента: а - поперечный разрез структуры (М12 - намагниченность слоев, А - ось анизотропии, Н - внешнее магнитное поле); б - планарная форма

В настоящей работе на основе численного расчета микромагнитных конфигураций в слоях спин-вентильной структуры проводится анализ изменения магнитных и магни-торезистивных характеристик многослойных магниторезистивных элементов при вариации их формы. Обсуждаются характеристики намагничивания изготовленных тестовых структур спин-вентильных элементов различной формы и проводится их сравнительный анализ.

Расчеты полевой зависимости намагниченности и магнитосопротивления спин-вентильных элементов. Одной из важнейших характеристик магниторезистивных элементов является кривая их намагничивания и наблюдаемые петли гистерезиса [2]. Модельные расчеты подобных характеристик основываются на решении уравнений Ландау - Лифшица с учетом вкладов основных видов взаимодействий в магнитной подсистеме. Эти вклады определяются энергией взаимодействия спинов с магнитным полем, энергией анизотропии, обменным и магнитостатическим взаимодействием спинов. В рамках модели не учитывается энергия поверхностной анизотропии и энергия магнитоупругих напряжений, которые несущественны для рассматриваемой задачи. Исходная система уравнений Ландау - Лифшица - Гильберта [6-8] в векторном виде и нормированных переменных записывается следующим образом:

дт

~дГ

= -т х И^ - ат х [т х И^ ] ,

(1)

а

I

где т - намагниченность, нормированная на М (М - намагниченность насыщения); а - параметр магнитной релаксации. Эффективное магнитное поле И= И + Рп(п, т) + ИП + Иехск включает в себя внешнее магнитное поле И, поле анизотропии Рп(п, т) (в - параметр поля анизотропии; п - легкая ось намагничивания), маг-нитостатическое поле размагничивания слоев И0 и поле, обусловленное обменным внутрислойным взаимодействием Иехск. Все поля нормированы на намагниченность насыщения, время - на уМ, где у - магнитомеханическое отношение.

Рассчитаны стационарные микромагнитные распределения намагниченности в магнитных слоях структуры при вариации магнитного поля и получены кривые намагничивания и магнитосопротивления во внешнем магнитном поле для трудного и легкого направлений намагничивания для трех типов магнитных элементов (см. рис.1,б). Планарные размеры элементов приведены в таблице. При расчетах размеры варьировались под характерные технологические размеры 2 и 0,2 мкм (минимальный технологический размер при фотолитографии).

Планарные размеры элементов (в мкм)

Прямоугольник Шестиугольник Кольцо

ж Ь ж Ь Я г

2 10 2 10 5 1

2 5 2 5 4 1

1 5 1 5 3 1

Проведенные расчеты показали, что на гистерезисной кривой намагничивания прямоугольного элемента вдоль легкого направления (рис.2) проявляются два эффекта, характерные для процесса перемагничивания тонкопленочных элементов малых размеров: образование промежуточной противонаправленной конфигурации намагничивания в слоях и краевое закрепление спинов на протяженных участках элементов вытянутой

Н, Э

а б

Рис.2. Теоретическая кривая зависимости намагниченности от поля спин-вентильного элемента прямоугольной формы: 1 - область с противонаправленной конфигурацией; 2 - область с возникновением баркгаузеновских скачков; на врезке - кривая гистерезиса магнитосопротивления в зависимости от поля (а) и экспериментальная кривая зависимости намагниченности от поля (б)

формы (прямоугольники и шестиугольники). Антипараллельное состояние создает почти горизонтальные участки на гистерезисной кривой. Краевое закрепление спинов создает задержку перемагничивания при переходе элемента в насыщенное состояние. Скачкообразное изменение магнитной конфигурации, связанное с этими двумя явлениями, создает баркгаузеновские скачки [2] на гистерезисной кривой. В случае элементов больших размеров на гистерезисной кривой возникают дополнительные скачки пе-ремагничивания, связанные с исчезновением квазидоменов и вихревых образований на их границах. Расчетные гистерезисные кривые частично сглажены для устранения эффекта влияния грубости выбранной расчетной сетки счета. Остроконечные элементы имеют более протяженные участки задержки перемагничивания из-за дополнительного закрепления спинов на острых концах. Подобные эффекты наблюдаются также на петлях намагничивания шестиугольных элементов (рис.3).

а б

Рис.3. Теоретическая кривая зависимости намагниченности от поля спин-вентильного элемента шестиугольной формы: 1 - область с противонаправленной конфигурацией, 2 - область с возникновением баркгаузеновских скачков; на врезке - кривая гистерезиса магнитосопротивления в зависимости от поля (а) и экспериментальная кривая зависимости намагниченности от поля (б)

Кольцевые структуры характеризуются меньшим краевым эффектом и поэтому их кривые намагничивания имеют более плавную форму (рис.4). Кроме того, они имеют большую изотропию намагничивания из-за вращательной симметрии элемента, но дают меньшую величину магнитной восприимчивости на участках с максимальным наклоном, чем вытянутые элементы, и характеризуются меньшим числом баркгаузеновских скачков. Перемагничивание на кольцевых структурах характеризуется образованием разбегающейся пары противовихрей.

При уменьшении планарных размеров элементов (до 0,5x0,2 мкм) уменьшается число баркгаузеновских скачков и возрастают критические поля полного перемагничи-вания из-за увеличения форм-фактора. Сильно разрастается область полей на гистерезисе, где устойчиво антинаправленное состояние намагничивания. Знак и величина минимального критического поля перехода в это состояние зависит от соотношения поля анизотропии магнитомягкого слоя и магнитостатического поля смещения, создаваемого магнитожестким слоем. Последнее существенно зависит от относительной толщины магнитожесткого слоя и толщины немагнитной прослойки.

-500

0

Н, Э а

500

=2Ж

Н, Э

б

Рис.4. Теоретическая кривая зависимости намагниченности от поля спин-вентильного элемента кольцевой формы: 1 - область с противонаправленной конфигурацией, 2 - область с возникновением баркгаузеновских скачков; на врезке - кривая гистерезиса магнитосопротивления в зависимости от поля (а) и экспериментальная кривая зависимости намагниченности от поля (б)

1

0

Для каждой структуры рассчитаны полевые петли гистерезиса ГМС (см. рис.2-4), особенности которых связаны с описанными механизмами перемагничивания и соответствуют таковым на петлях магнитного гистерезиса. Отчетливо проявляются области, в которых происходит переход магнитной системы в состояние с антипараллельной конфигурацией намагниченности в слоях, соответствующее максимуму на кривой, а также области, связанные с пиннингом намагниченности на краях образца, вследствие чего возникают баркгаузеновские скачки. Для элементов вытянутой формы характерны области с большим наклоном (в сравнении с элементами в форме кольца).

Эксперимент. Были изготовлены тестовые структуры магниторезистивных элементов трех типов с вариацией их размеров. Методом медленного магнетронного напыления [9] и ионно-лучевого травления сформированы тестовые структуры многослойных элементов спин-вентильного типа (рис.5). Поперечное сечение магнитного элемента представляет структуру: [81 - 8102(0,3 мкм) - Со№(100А) - А120з(20А) - Бе№(100А)]. Стехиометриче-ский послойный анализ структур, проведенный методом вторичной электронной спектроскопии на сканирующем оже-электронном микроанализаторе РН1-660, показал, что пленки кобальта и пермаллоя на уровне толщин выше 4 нм имели однородный состав и хорошее качество. Шероховатость слоев не превышала 1,2 нм.

-С О О ^ С О С ^ о ^ С ^ О С1 ^ (? о г? С" р1 с о г: с-Г> о г^ О* О О Г4 г> Г^ С* Г? 'С* с о • ; г г Г. Г" ■*"'■ С? Г1

а б

Рис.5. Экспериментальные образцы магниточувствительных элементов прямоугольной (а) и кольцевой (б) формы

Проведены магнитооптические измерения петель гистерезиса полевого намагничивания изготовленных тестовых структур для двух взаимно-перпендикулярных направлений магнитного поля. Измерение гистерезиса перемагничивания магнитных пленок основано на измерении экваториального эффекта Керра в магнитном поле путем измерения изменения поляризации плоскополяризованного пучка света, отраженного от поверхности измеряемой пленочной структуры [10]. Для измерений использовалось излучение гелий-неонового лазера с длиной волны 632,8 нм. Для увеличения площади съема магнитооптического сигнала на тестовых структурах предусмотрена периодическая система повторяющихся элементов в виде матрицы. Результаты измерений для различающихся типов структур представлены на рис.2-4.

Измерения показали, что элементы прямоугольной и шестиугольной формы имеют близкие величины коэрцитивности и формы петель магнитного гистерезиса. Это связано со скруглением острых концов элементов вытянутой формы. Коэрцитивность вытянутых элементов возросла по сравнению с коэрцитивностью исходных пленочных структур. В направлении трудного намагничивания восприимчивость резко падает. В целом вид петель гистерезиса этих структур качественно соответствует результатам численных экспериментов. Кольцевые структуры после неоднократного перемагничи-вания характеризовались близкими петлями перемагничивания во взаимно-перпендикулярных направлениях, что говорит о достаточной магнитной изотропии исходных пленочных структур.

Обсуждение результатов. Таким образом, проведенные микромагнитные расчеты показали, что в случае больших размеров магнитных элементов процессы пере-магничивания характеризуются формированием и исчезновением квазидоменных структур путем перемещения вихревых образований на их стыке. Расчеты для структур малых размеров показали, что на гистерезисной кривой намагничивания вдоль легкого направления проявляются два эффекта, проявляющиеся в возникновении баркгаузеновских скачков на гистерезисной кривой: образование промежуточной противонаправленной конфигурации намагничивания в слоях и краевое закрепление спинов на протяженных участках элементов вытянутой формы (прямоугольники и шестиугольники). При уменьшении планарных размеров элементов (до 0,5x0,2 мкм) уменьшается число баркгаузеновских скачков и возрастают критические поля полного перемагничивания из-за увеличения форм-фактора. Знак и величина минимального критического поля перехода в антинаправленное состояние зависят от соотношения поля анизотропии магнитомягкого слоя и магнитостатического поля смещения, создаваемого магнитожестким слоем. Последнее существенно зависит от относительной толщины магнитожесткого слоя и толщины немагнитной прослойки, что важно при выборе рабочей точки магнитного датчика при его использовании как детектора наночастиц.

Проведенные магнитооптические измерения гистерезиса намагничивания спин-вентильных элементов вытянутой и кольцевой формы показали, что кольцевые структуры имеют большую изотропию характеристик намагничивания и большой диапазон линейности по сравнению с вытянутыми структурами, но меньшую чувствительность к магнитному полю. Путем вариации формы и соотношения толщин элементов можно менять наклон гистерезисной кривой, размер области линейности намагничивания и задержки в антипараллельном состоянии, что важно при проектировании как магнито-чувствительных преобразователей в датчиках магнитного поля, так и магниторезистив-ных элементов, предназначенных для запоминающих и логических устройств.

Авторы благодарят А.К.Звездина и А.В.Хвальковского за полезные консультации и предоставленный для расчетов программный пакет SpinPM.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 07-02-91589).

Литература

1. Giant magnetoresistive of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices / M.N.Baibich, J.M.Broto, A.Fert et al. // Phys.Rev. Letters. - 1988. - Vol. 61. - P. 2472-2475.

2. Swagten H.J.M. Spin-dependent tunneling in magnetic junctions / Handbook of magnetic materials: Book, Amsterdam: Elservier, 2008. - Р. 1-121.

3. Magnetoresistive sensors / P.P.Freitas, R.Ferreira, S.Cardoso et al. // J. Phys. - 2007. - Vol. 19, N 165221. - P. 1-21.

4. Magnetically engineered spintrinics sensors and memory / S.Parkin, X.Jiang, C.Kaiser et al. // Proc. of the IEEE. - 2003. - Vol. 91, N 5. - P. 661-680.

5. Тонкопленочные многослойные датчики магнитного поля на основе анизотропного магниторези-стивного эффекта / С.И.Касаткин, А.М.Муравьев, Н.П.Васильева и др. // Микроэлектроника. - 2000. -T. 29, № 2. - С. 149-160.

6. Self-consistent treatment of nonequilibrium spin torques in magnetic multilayers / A.Shpiro, P.M.Levy, S.Zhang et al. // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 67, N 104430. - P. 1-17.

7. Analytical investigation of spin-transfer dynamics using a perpendicular-to-plane polarizer / K.J.Lee, O.Redon, B.Dieny et al. // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 86, N 22505. - P. 1-3.

8. Domain wall motion by spin-polarized current: a micromagnetic study / A.Thiaville, Y.Nakatani, J.Miltat et al. // J. Appl. Phys. - 2004. - Vol. 95. - P. 7049-7051.

9. Иванов Р.Д. Магнитные металлические пленки в микроэлектронике. - М.: Советское радио, 1980. -192 с.

10. Звездин А.К., КотовВ.А. Магнитооптика тонких пленок. - М.: Наука, 1988. - 192 с.

Статья поступила 5 ноября 2008 г.

Горячев Андрей Викторович - аспирант кафедры общей физики МИЭТ. Область научных интересов: магнетизм, магнитно-силовая микроскопия, фазовые переходы.

Чиненков Максим Юрьевич - аспирант кафедры общей физики МИЭТ. Область научных интересов: магнетизм, спинтроника, гетероструктуры, математическое моделирование.

Дюжев Николай Алексеевич - кандидат физико-математических наук, руководитель отдела ФГУП НИИ физических проблем им. Ф.В.Лукина. Область научных интересов: нано- и мембранная технология, вакуумная и плазменная электроника, СВЧ-электроника, нано- и микроструктуры.

Медников Александр Михайлович - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник ФГУП НИИ физических проблем им. Ф.В.Лукина. Область научных интересов: магнитные пленки, спиновые волны, магнитооптика.

Попков Анатолий Федорович - доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник ФГУП НИИ физических проблем им. Ф.В.Лукина. Область научных интересов: магнетизм, мезоскопика, спинтроника, нано- и микроструктуры.

Пудонин Федор Алексеевич - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Физического института им. П.Н.Лебедева РАН. Область научных интересов: низкие температуры и сверхпроводимость, магнитные явления, квантовая теория поля и квантовая механика, поверхность и тонкие пленки, плазменные и электронные технологии.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.