CC BY
69
УДК 539.216.2
ВЛИЯНИЕ ДОБАВОК Si, Zr И Y НА СТРУКТУРУ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЗОСЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК SnO2
О.И. Ремизова, И.В. Бабкина, А.В. Ситников, Л.И. Янченко
В работе приводятся исследования структуры, электрических и газосенсорных свойств пленок 8пО2, легированных 8^ Zr и Y. Образцы получены методом реактивного ионно-лучевого распыления. Показано, что добавление Si, Zr и Y способствует формированию аморфной структуры пленок. Нагрев пленок до 600 0С приводит к кристаллизации образцов. Наличие легирующих добавок уменьшает размеры кристаллитов в исследуемых пленках после кристаллизации до нескольких нанометров. Наибольшее значение относительного изменения сопротивления в среде, содержащей молекулы водорода, показали пленки SnO2, легированные Y в количестве больше, чем 2 ат. %. Наличие твердых растворов SnO2 - ZrО2 стало причиной более высокого значения энергии активации носителей заряда в пленках Sn -Zr - О после кристаллизации образцов относительно других исследуемых пленок (8п - Si - О, 3,9 ат. % Si Еа = 0.05 эВ, Sn - Zr - О, 3,9 ат. % Zr Еа = 0.5 эВ и Sn - Y - О, 4,8 ат. % Y Еа = 0.11эВ). Все пленки оксида олова с добавлением кремния, циркония и иттрия показали значительную газовую чувствительность к водороду
Ключевые слова: полупроводники, тонкие пленки, оксид олова, электрические свойства, газовая чувствительность
Введение
Обычно в качестве функционального материала для резистивных газосенсорных устройств используют оксиды металлов. Наибольшее распространение получил широкозонный полупроводник 8пО2 [1-9]. Этот оксид имеет ширину запрещенной зоны (~3,5 эВ), что обеспечивает высокое значение удельного электрического сопротивления соединения в области рабочих температур (300 ^ 400 0С) датчика. I Как правило, в газовых сенсорных устройствах в качестве функционального вещества используется легированный поликристаллический 8пО2, в котором процесс электропереноса осуществляется по высокодефектному зерногранично-му слою. В этой связи, необходимо решить комплекс физико-технологических задач, таких как стабилизация кристаллической структуры, увеличение в объеме материала доли межзеренных границ, влияние на энергетические состояния электронов на поверхности раздела кристаллитов легирующих элементов и др. Перспективным видится переход от объемных материалов к тонкопленочным образцам, что позволяет повысить вклад в проводимость поверхностных состояний, возникающих на границах раздела подложка-пленка и пленка -газовая среда. Кроме того, появляется возможность через управляемую кристаллизацию аморфных соединений олова с различными аморфизирующими элементами достичь нанокристаллического размера зерен, а также стабилизировать поликристаллическую структуру. Некоторые легирующие элементы способны выступать в качестве катализаторов вза-
Ремизова Оксана Ивановна - ВГТУ, ассистент, e-mail: oxana.remizova@gmail.com
Бабкина Ирина Владиславовна - ВГТУ, канд. физ.-мат. наук, доцент, e-mail: ivbabkina@mail.ru Ситников Александр Викторович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук, профессор, e-mail: sitnikov04@mail.ru Янченко Лариса Ивановна - ВГТУ, канд. физ.-мат. наук, доцент, e-mail: lyanchenko74@yandex.ru
имодействия 8пО2 с активными газами, влиять на структурно-фазовый состав 8пО2 в зависимости от растворимости элемента, возможности образования новых фаз или полной нерастворимости атомов в оксиде олова.
Используя 8^ 2г и У, мы выявили влияние различных параметров легирующих элементов на свойства оксида олова. Так кремний является «классическим» аморфизатором и 8Ю2 не образует с оксидом олова твердых растворов [10]. Цирконий, который может выступать в качестве катализатора при взаимодействии водорода с оксидом олова, используется для получения аморфных материалов и, в отличие от 8Ю2, 2гО2 в 8пО2 образует твердые растворы [10]. Окись циркония, являясь высокотемпературным соединением, препятствует росту зерен при кристаллизации и стабилизирует мелкодисперсную кристаллическую структуру. Иттрий, как и цирконий, способен быть катализатором и препятствует росту размера зерен. Кроме того, в системе У-8п-О может образовываться соединение У28п2О7 [10]. Валентность легирующей примеси, когда последняя находится в позиции замещения, способна существенно влиять на плотность электронных состояний в полупроводнике. С этой точки зрения трехвалентный У отличается от остальных рассматриваемых элементов.
1. Структура пленок и методика эксперимента
Методом ионно-лучевого распыления [2] были получены пленки исследуемых соединений. Осаждение проводилось из составной мишени на ситалловые подложки. Мишень представляла собой пластину олова размером 280х80 мм с навесками из легирующих материалов размером 80х10 мм. Благодаря неравномерному расположению навесок на поверхности мишени, в одном технологическом цикле получались образцы с непрерывным изменением состава пленки в зависимости от расположения подложки относительно мишени. В качестве рабочего газа использовался аргон. Кроме того, в вакуумную камеру вводился кислород при различных парциальных давлениях к рабочему газу для
изменения степени окисления полученных соединений в процессе напыления. Толщина пленки исследуемых образцов менялась в пределах от 0,15 до 0,5 мкм.
Удельное электрическое сопротивление определялось потенциометрическим методом. Температурные зависимости сопротивления в пределах от 300 до 900 К исследовались в вакууме при давлении остаточных газов не хуже 10-4 Торр.
Чтобы определить состав композиционных пленок, использовали метод электроннозондового рентгеновского микроанализа. Состав определяли для пяти образцов, взятых с различных участков пленки. Затем пользовались полиномной экстраполяцией состава по длине подложки. Электронно-микроскопическим и рентгенографическим методами исследовали структурно-фазовый состав специально подготовленных образцов.
Рентгенодифракционный анализ выявил аморфную структуру во всех полученных образцах. После термической обработки Т = 600 оС в течение 30 мин пленки кристаллизовались. Во всем диапазоне концентраций исследуемых соединений основной фазой является SnO2.
На рис. 1 в качестве примера приведена ди-фрактограмма пленок окиси олова, легированных кремнием концентрацией 3,9 ат. %, в исходном состоянии (1) и после отжига при Т = 600 оС в течение 30 мин (2).
™ о 2 ~
э с р* п ^ еч О™ с т- <Л о со
О с <Л О™ с <л 2
1
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160
2®, град.
Рис. 1. Дифрактограммы, полученные на пленках окиси олова, легированных кремнием концентрацией 3,9 ат. %, в исходном состоянии (1) и после отжига при Т = 600 оС в течение 30 мин (2).
Дифрактограмма образца в исходном состоянии характеризуется наличием двух широких диффузионных максимумов при 20 ~ 29 и 58 град., что свидетельствует о рентгеноаморфной структуре исследуемой пленки. Все выявленные пики на ди-фрактограмме образца после термической обработки принадлежат SnO2. Аморфная структура в исходном состоянии соединения Sn-Si-O подтверждается также элекроннографическими исследованиями [3, 4].
Для исследования влияния легирующих добавок на размер кристаллитов оксида олова после кристаллизации были исследованы пленки окиси олова с различной концентрацией кремния. Кри-
сталлические образцы были получены после отжига в течение 30 минут в атмосфере аргона при температуре 600 °С. Структура полученных образцов представлена на рис. 2. Наиболее крупные зерна, размер которых достигает значений 100 нм, наблюдаются в сплаве с минимальным содержанием кремния (рис. 2,а).
Рис. 2. Микрофотографии пленок окиси олова с различным содержанием кремния: а - 0,6; б -2.6; в - 3,0; г - 3,9 ат. %, после отжига при Т = 600 оС в течение 30 мин
С увеличением содержания кремния в результате кристаллизации аморфной фазы в образцах формируется мелкозернистая структура. В образцах с наибольшим содержанием кремния формируются самые мелкие (менее 5 нм) зерна (рис. 2,г).
При исследовании структуры образцов Sn-2г-0 были получены аналогичные результаты [12]. При увеличении содержания в окиси олова циркония от 0,5 до 4,6 ат. % установлено изменение размера зерен от 40 до 10 нм.
2. Электрические свойства
С целью выявления влияния легирующих добавок на электрические свойства пленок SnO2 и их стабильность были получены температурные зависимости сопротивления пленок с различным содержанием кремния, циркония и иттрия. На рис. 3 приведены зависимости сопротивления от температуры для окиси олова с максимальным содержанием примесей.
В аморфном состоянии все исследуемые образцы при комнатной температуре обладали высоким сопротивлением, поскольку примесные уровни в полупроводниках с аморфной структурой расположены в середине запрещенной зоны.
0
Наблюдаемые на рис. 3 различия в сопротивлении аморфных образцов, возможно, связаны с разной концентрацией локализованных состояний электронов вблизи уровня Ферми или с изменением ширины запрещенной зоны. Наличие соединения У28п2О7 может привести к образованию ближнего атомного упорядочения в структуре окиси олова вблизи атома У, менее дефектной по сравнению со структурой вокруг атомов 8^ окислы которого не образуют твердых растворов с оксидом олова. Это может привести к более низкому удельному сопротивлению в пленках У-8п-О.
Рис. 3. Зависимость сопротивления от температуры: а - 8п-8ьО , 3,9 ат.% 8^ Ь - 8п-2г-О, 3,9 ат.% 2г и с - 8п-У-О , 4,8 ат.% У
Максимум на кривых R(T) в образцах, легированных 2г, может быть связан с процессом перераспределения атомов кислорода в пределах аморфной фазы 2г-8п-О. Это предположение согласуется с сообщением [12], где наблюдали при 300 0С разрушение оксидной пленки на поверхности циркония, и после этого материал активно взаимодействовал с кислородом, образуя объемный оксид циркония
Процесс кристаллизации аморфной структуры пленок приводит к резкому понижению сопротивления на зависимостях R(T). Для всех исследуемых пленок увеличение количества легирующей примеси привело к повышению температуры кристаллизации. Наибольшее влияние на температуру кристаллизации окиси олова оказывает изменение содержания иттрия. Возможно, это связано с образованием химического соединения с оксидом олова.
Значительное понижение величины удельного электрического сопротивления после кристаллизации связано с формированием мелких примесных уровней электронов на поверхности пленки, границах раздела и в объеме кристаллитов SnO2. Энергию активации процесса электропереноса в исследуемых образцах после отжига оценивали по температурной зависимости сопротивления в координатах lnR - 1/T. Для окиси олова с 3,9 ат.% кремния Ea»0.05 эВ, для окиси олова с, 3,9 ат.% циркония Ea»0.5 эВ и для окиси олова с 4,8 ат.% иттрия Ea»0.11 эВ. Можно предположить, что процесс электропереноса в исследуемых пленках, так же как и в поликристаллическом SnO2, определяется межзеренными границами. Наибольшая величина энергии активации в образцах с цирконием, возможно, связана с образованием в Sn-Zr-O твердого раствора замещения, что приводит к закреплению атомов циркония в объеме кристаллитов. Кремний и иттрий не образуют с окисью олова твердых растворов и могут образовывать дефекты, концентрируясь в межзеренном пространстве.
3. Газовая чувствительность
Большое влияние на удельное электрическое сопротивление исследуемых нанокристалличеких образцов оказывал состав газовой среды. Проводились измерения относительного электрического сопротивления пленок Sn-Si-O, Sn-Zr-O и Sn-Y-O в атмосфере аргона с давлением Р = 380 Торр и при добавлении в инертную среду водорода Р = 7,6 Торр при различных температурах.
Лр р. ъь
О 1000 ~ ООО 3000 4000 t. с
Рис. 4. Изменение относительного электрического сопротивления нанокристаллических пленок с течением времени: а - 8п318^,9О67,5, Ь -8пэ12гэ,9О67,5 и с - 8п31У4,7Об7,5 (с). Т = 350 °С: 1) при напуске аргона с давлением Р = 380 Торр (участки 1, 3, 5); 2) при напуске аргона (Р = 380 Торр) и водорода (Р = 7,6 Торр) (участки 2 и 4)
На рис. 4 представлено изменение относительного электрического сопротивления нанокри-сталлических пленок Sn3lSi3,9О67,5, Sn3lZг3,9О67,5 и SnзlY4,7О67,5. в зависимости от состава газовой среды. Измерение проводилось при Т = 350 °С в атмосфере Аг и Аг + Н2.
При напуске водорода в аргоновую среду происходит резкое (< 1 мин) снижение удельного электрического сопротивления. В дальнейшем присутствие водорода слабо меняет величину удельного электрического сопротивления. При удалении водорода из инертной атмосферы в течение 10 мин происходит полное восстановление величины электрического сопротивления. При многократном повторении подобных циклов результаты полностью повторялись.
Данные по газовой чувствительности для различных концентраций кремния, циркония и иттрия приведены на рис. 5. Видно, что Др/р(х) зависит от вида легирующего элемента и его концентрации. Так для оксида олова, легированного кремнием, зависимость Др/р(х) имеет максимум при содержании кремния и 2,5 ат. %. Возможно, это связано с выделением по границам зерен оксида кремния. При малой концентрации кремний способствует увеличению дефектности межгранульного пространства, что увеличивает количество центров адсорбции водорода.
Др/р, %
Х,ат. %
Рис. 5. Зависимости относительного изменения электрического сопротивления нанокристалли-ческих пленок окиси олова от концентрации легирующих элементов: 1 - Sn-Si-О, 2 - Sn-Zr-О и 3 -Sn-Y-О в атмосфере аргона с давлением Р = 380 Торр и водорода Р = 7,6 Торр при Т = 350 °С
Увеличение содержания Si приводит к росту сопротивления межзеренного пространства из-за скопления значительного количества SiO2 и, как следствие, к уменьшению вклада в электроперенос межкристаллических границ.
В случае легирования окиси олова цирконием, зависимость газовой чувствительности от концентрации при содержании 2,2 ат. % циркония имеет минимум. Возможно, это связано с образованием твердого раствора Sn02-Zг02. Поскольку ширина запрещенной зоны ZгО2 равна ~ 4,7эВ, увеличение содержания циркония может привести к увеличе-
нию удельного электрического сопротивления оксида Sn-Zr-O, что снижает газовую чувствительность. С другой стороны, уменьшение размеров кристаллитов в пленке способствует увеличению вклада в проводимость структуры межкристаллического пространства, что увеличивает Др/р. Вероятно, вид зависимости Др/р(х) определяется этими двумя процессами.
Наибольшей газовой чувствительностью обладают образцы системы Sn-Y-O. Увеличение сопротивления пленки в атмосфере водорода при малых концентрациях иттрия (~1 ат. %) может быть связано с тем, что иттрий может иметь переменную валентность, и при данной концентрации выступать в качестве акцептора в оксиде олова. При увеличении содержания иттрия в оксиде образуется соединение Y2Sn2O7, которое не влияет на тип носителей заряда в соединении, являясь отдельной фазой.
Выводы
Представленные выше результаты изучения структуры, электрических и газосенсорных свойств тонких пленок оксида олова, легированных кремнием, цирконием и иттрием, позволяют выявить некоторые закономерности. Так добавление к SnO2 атомов Si, Zr и Y приводит к формированию аморфной структуры пленки оксида олова. При этом температура кристаллизации (Тк) повышается с увеличением концентрации легирующих атомов и Y повышает Тк в большей степени, чем другие добавки. Перераспределение атомов кислорода в пределах аморфной фазы в пленках оксида олова, легированных иттрием, может быть причиной увеличения сопротивления на зависимости R(T) при температуре 400 0С в процессе нагрева образца. Наличие твердых растворов Sn02-Zr02 возможно стало причиной более высокого значения энергии активации проводимости пленок Sn-Zr-О после кристаллизации образцов, подвергнутых нагреву до 600 0С, относительно других исследуемых пленок (Sn-Si-O , 3,9 ат. % Si Ea и 0.05 эВ, Sn-Zr-O, 3,9 ат.% Zr Ea и 0.5 эВ и Sn-Y-O , 4,8 ат. % Y Ea и 0.11 эВ). Все пленки оксида олова с добавлением кремния, циркония и иттрия показали значительную газовую чувствительность к водороду. Наибольшее значение относительного изменения сопротивления в среде, содержащей молекулы водорода, показали пленки SnO2, легированные Y в количестве больше 2 ат. %.
Литература
1. Кукуев, В.И. Микроструктура и электропроводность сенсорных слоев диоксида олова [Текст] / В.И. Кукуев, Е.С. Рембеза, Э.П. Домашевская // Перспективные материалы. - 2000. - № 3. - С. 42-48.
2. Формирование структуры газочувствительных слоев диоксида олова, полученных реактивным магне-тронным распылением [Текст] / Р.М. Вощилова, Д.П. Димитров, Н.И. Долотов, А.Р. Кузьмин, А.В. Махин, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров // Физика и техника полупроводников. - 1995. - Т. 29. - Вып. 11. - С. 1987 -1993.
3. Gubbins, M.A. Nanostructural characterization of SnO2 thin films prepared by reactive r.f. magnetron sputtering of tin [Текст] / M.A. Gubbins, V. Casey, S.B. Newcomb // Thin solid films. - 2002. - Vol. 405. - РР. 270 - 275.
4. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2. [Текст] / С. И. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 7. - С. 796-800.
5. Adamyan, A.Z. Preparation of SnO2 films with thermally stable nanoparticles [Текст] / A.Z. Adamyan, Z.N. Adamian, V.M. Aroutiounian // Sensors. - 2003. - Vol. 3. -PP. 438 - 442.
6. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции [Текст] / Ф.Ф. Волькенштейн. - М.: Наука, 1987. - 432 с.
7. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких пленок SnO2, вызванных термообработкой. [Текст] / А.И. Иващенко, И.В. Хорошун, Г.А. Киоссе, И.Ю. Мирончук, В.В. Попушой // Кристаллография. - 1997. - Т. 42. - № 5. - С. 901 - 905.
8. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров. [Текст] / Р.Б. Васильев, Л.И. Рябова, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов // Успехи химии. - 2004. -Т. 73. - № 10. - С. 1020 - 1038.
9. Влияние водорода на электрические свойства пленок окислов металлов, легированных кремнием [Текст] / А.Л. Гусев, И.В. Золотухин, Ю.Е. Калинин, Л.Н. Коротков, О.И. Самохина, А.В. Ситников, Б.А. Спиридонов // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология». - 2002. - № 6. - С. 12 - 22.
10. Диаграммы состояния металлических систем, [Текст] / под ред. Н.В. Агеева, Л.А. Петровой. - М.: ВИНИТИ, 1963. - 352 с.
11. Шматова, Ю.В. Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе в 8пО2^Ю2 и 8пО2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок [Текст]: Автореферат дис. на соискание ученой степени канд. тех. наук: защищена 27.05.01 : утв. 15.11.01. Воронеж, 2011 -31 с.
12. Диаграммы состояния двойных металлических систем [Текст] / Справочник: в 3-х томах под ред. Н.П. Лякишева. - Т.2. - М: Машиностроение. - 1997. - 1024 с.
Воронежский государственный технический университет
INFLUENCE OF Si, Zr AND Y DOPANTS ON STRUCTURE, ELECTRICAL AND GAS-SENSING PROPERTIES OF SnO2 FILMS
0.1. Remizova, Assistant, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: oxana.remizova @gmail.com
1.V. Babkina, Candidate of Physico-Mathematical Sciences, Docent, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: ivbabkina@mail.ru
A.V. Sitnikov, Doctor of Physico-Mathematical Sciences, Professor, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: sitnikov04@mail.ru
L.I. Yanchenko, Candidate of Physico-Mathematical Sciences, Docent, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: lyanchenko74@yandex.ru
The work presents the study of the structure, electrical and gas-sensing properties of SnO2 films doped by Si, Zr, and Y. The samples were obtained by reactive ion-beam sputtering. It is shown that the addition of Si, Zr, and Y leads to the formation of amorphous structure in the films. Heating the films up to 600 0C leads to the samples crystallization. The presence of the doped elements reduces crystallites size of the investigated films after crystallization down to a few nanometers. The highest value of the relative change of electrical resistance in hydrogen containing environment has been showed by the SnO2 film containing more than 2 at. % of Y. The presence of solid solutions SnO2 - ZrO2 was the reason for the higher values of the activation energy of the charge carriers in the films of Sn - Zr - O after crystallization of samples studied in relation to other films (Sn - Si - O, 3,9 atomic % Si Ea = 0.05 eV, Sn. - Zr - O, 3,9 atomic % Zr Ea = 0.5 eV, and Sn - Y - O, 4,8 atomic% Y Ea =
0.11.V). All the tin oxide film with the addition of silicon, zirconium and yttrium showed significant sensitivity to hydrogen gas
Key words: semiconductor, thin films, tin oxide, electrical properties, gas sensitivity
References
1. V.I. Kukuev, E.S. Rembeza, Eh.P. Domashevskaya. Mikrostruktura i ehlektroprovodnost' sensornyh sloev di-oksida olova [Microstructure and electrical conductivity of sensor layers of tin dioxide]. Perspektivnye materialy, № 3, 2000, s. 42-48
2. R.M. Voshchilova, D.P. Dimitrov, N.I. Dolotov, A.R. Kuz'min, A.V. Mahin, V.A. Moshnikov, Yu.M. Tairov. Formirovanie struktury gazochuvstvitel'nyh sloev dioksida olova, poluchennyh reaktivnym magne-tronnym raspyleniem. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Formation of the structure of gas-sensitive tin dioxide layer obtained by reactive magnetron sputtering]. 1995, tom 29, vyp. 11, s. 1987 -1993
3. M.A. Gubbins, V. Casey, S.B. Newcomb. Nanostructural characterization of SnO2 thin films prepared by reactive r.f. magnetron sputtering of tin. Thin solid films, 405 (2002), pp. 270 - 275
4. Rembeza S. I., Svistova T. V., Rembeza E. S., Borsyakova O.I. Mikrostruktura i fizicheskie svojstva tonkih plenok SnO2 [The microstructure and the physical properties of thin films of SnO2]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2001, tom 35, vyp. 7
5. A.Z. Adamyan, Z.N. Adamian, V.M. Aroutiounian. Preparation of SnO2 films with thermally stable nanoparti-cles. Sensors, 2003, 3, pp. 438 - 442
6. Vol'kenshtejn F.F. Ehlektronnye processy na poverhnosti poluprovodnikov pri hemosorbcii [Electronic processes on the surface of the semiconductor in chemisorption]. M.: Nauka, 1987, 432 s.
7. A.I. Ivashchenko, I.V. Horoshun, G.A. Kiosse, I.YU. Mironchuk, V.V. Popushoj. Priroda izmenenij fizicheskih svojstv polikristallicheskih tonkih ple-nok SnO2, vyzvannyh termoobrabotkoj [Nature changes the physical properties of polycrystalline thin films of SnO2, caused by the heat treatment]. Kristallografiya, 1997, tom 42, № 5, s. 901 - 905
8. Neorganicheskie struktury kak materialy dlya gazovyh sensorov [ The inorganic structures as materials for gas sensors]. R.B. Vasil'ev, L.I. Ryabova, M.N. Rumyanceva, A.M. Gas'kov, Uspekhi himii, 2004, 73 (10), s. 1020-1038
9. V.I. Kukuev, E.S. Rembeza, Eh.P. Domashevskaya. Mikrostruktura i ehlektroprovodnost' sensornyh sloev di-oksida olova [Microstructure and electrical conductivity of sensor layers of tin dioxide]. Perspektivnye materialy, № 3, 2000, s. 42-48
10. Gusev A.L., Zolotuhin I.V., Kalinin Yu.E., Korotkov L.N., Samohina O.I., Sitnikov A.V., Spiri-donov B.A. Vliyanie vodoroda na ehlektricheskie svojstva plenok okislov metallov, legirovannyh kremniem [Effect of hydrogen on the electrical properties of metal oxide films, doped silicon]. Mezhdunarodnyj nauchnyj zhurnal «Al'ternativnaya ehnergetika i ehkologiya», № 6, 2002. s. 12 - 22.
11. Diagrammy sostoyaniya metallicheskih system [Diagrams of metallic systems], opublikovannye v 1963 godu. VINITI, M., pod red. N.V. Ageeva, L.A. Petrovoj.
12. Shmatova Yu.V. Ehlektrofizicheskie svojstva nanokompozitov na osnove v SnO2:ZrO2 i SnO2 s dobav-leniem mnogostennyh uglerodnyh nanotrubok [Physical properties of nanocomposites based in SnO2: ZrO2 and SnO2 with the addition of multi-walled carbon nanotubes]: Avto-referat dissertacii na soiskanie uchenoj stepeni kan-didata tekhnich-eskih nauk. Voronezh, 2011
13. Diagrammy sostoyaniya dvojnyh metallicheskih system [The diagrams of binary metallic systems]. Spravoch-nik: v 3-h tomah pod red. N.P. Lyakisheva. T.2. 1997, 1024s.
