Усовершенствование адаптированной к САПР элементной базы трехмерных кмоп-сбис Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Секция конструирования радиоэлектронных средств

УДК 621.3.049.77.001.66

Е.А. Рындин УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ АДАПТИРОВАННОЙ К САПР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ТРЕХМЕРНЫХ КМОП - СБИС

Благодаря успехам микроэлектронной технологии в области получения моно-кристаллических пленок кремния на окисле все большее распространение в настоящее время получают трехмерные КМОП-СБИС.

На основе методологии проектирования адаптированных к САПР элементов СБИС [1] разработаны трехмерные КМОП-элементы на основе структур, в которых п-канадьные транзисторы размещены в подложке р-типа, а р-канадьные - в областях рекристаллизованного кремния, изолированных от подложки раздели. -но-топологических примитивов (СТП), имеющих унифицированные размеры и .

Данные элементы характеризуются малыми паразитными емкостями и позволяют значительно повысить плотность размещения элементов на кристалле СБИС по сравнению с планарными структурами.

Одним из путей дальнейшего уменьшения площади, занимаемой элементами , -менение конструкций СТП, условные границы которых делят контактные окна и контактные площадки на две равные части. При этом занимаемая на кристалле площадь СТП сокращается на 40 %, а площадь, занимаемая зонами питания и нулевого потенциала,-на 20 %. Кроме того, данные конструкции СТП позволяют снизить погрешности при физико-топологическом моделировании адаптированных к САПР элементов.

Применение СТП с условными границами, пересекающими контактные окна и контактные площадки, позволяет сократить площадь фрагментов трехмерных КМОП-СБИС на 22-35 % по сравнению с аналогичными фрагментами на основе СТП с традиционными условными границами.

ЛИТЕРАТУРА

1. Б.Г. Коноплев Проектирование С БИС и их применение в ЭВА: Конспект лекций Таганрог: ТРТИ 1991. 45 с.

УДК 621.3.049.77.001.66

БX. Коноплев, В.Г. Ивченко АЛГОРИТМ СИНТЕЗА ТОПОЛОГИИ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОаАз-ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

Одними из наиболее перспективных для элементной базы ваЛБ БИС и СБИС , -ря малым занимаемой площади и потребляемой мощности, а также высокому быстродействию. Известны модели различной сложности, описывающие работу этих элементов. Однако методы синтеза топологии ОаЛБ-элементов в настоящее время .