CC BY
32
Секция конструирования электронных средств
УДК 621.3.049.77.001.66
Б. Г. Коноплев, А. Н. Юрьев УЧЕБНО-ПРОЕКТНАЯ САПР БИС ЭДр1С
Разработан интегрированный комплекс программ для синтеза топологии и расчета параметров элементов и фрагментов БИС.
В САПР ЭЛИС входят следующие подсистемы:
1) подсистема расчета и проектирования пМДП- и КМДП-логических : элементов, позволяющая произвести расчет и синтез топологии логических элементов с произвольным числ.ом входов и формированием эскиза топологии;
2) подсистема расчета и проектирования биполярных транзисторов, позволяющая разрабатывать элементную базу для биполярных ИС;
3) подсистема расчета и проектирования резисторов, дающая возможность разрабатывать пленочные и полупроводниковые резисторы. Резистивный материал выбирается автоматически из базы данных с учетом предъявленных требований;
4) подсистема расчета и проектирования конденсаторов, позволяющая разрабатывать различные виды конденсаторов: тонкопленочные на основе МДП-структур, а также на основе барьерной емкости обратно-смещенного р-п-перехода;
5) подсистема анализа теплового режима ИС, позволяющая провести тепловой расчет ИС и оптимизировать их конструкцию.
САПР ЭЛИС реализована на языке PASCAL в операционной среде MS-DOS и может использоваться на ПЭВМ типа IBM PC АТ/ХТ.
Работа с САПР ЭЛИС реализована в диалоговом режиме с применением оконного интерфейса. Практически во всех режимах можно вызвать окно подсказки.
Программа предназначена для самостоятельного обучения студентов.
УДК 621.3.049.77.001.66
В. Г. Ивченко ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ GaAs-БИС
Применение GaAs-элементов в 'БИС сопряжено с необходимостью удовлетворения повышенных требований к величине потребляемой мощности.
В ходе создания библиотеки GaAs-элементов для заказных БИС были разработаны и исследованы логические элементы на полевых транзисторах с затворами Шоттки, построенные по схеме с непосредственными связями. Данные элементы характеризуются высоким быстродействием, малой занимаемой площадью и низкой рассеиваемой мощностью. Элементы разработаны согласно принципам известной методологии проектирования СБИС на основе адаптированной к САПР элементной базы.
Моделирование многовходовых элементов ИЛИ-HE показало, что разработанные элементы обладают средним временем задержки распространения сигнала порядка 100 пс для температуры 300 К при длине канала 1 мкм и
