TVS-диоды General Cemiconductor Малоемкостные дискретные TVS-диоды transzorb серии lce6. 5—lce28a Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Продолжение. Начало см. в № 1’2001

TVS-диоды General Cemiconductor

Малоемкостные дискретные TVS-диоды TRANSZORB® серии LCE6.5-LCE28A

Андрей Кадуков

postmaster@aogamma.spb.su

Двин

в

иоды серии ЬСЕ6.5-ЬСЕ28Л — это специальные диоды с пониженной емкостью за счет включения последовательно с несимметричным ТУ8-диодом быстродействующего импульсного диода, как это показано на рис. 11. В результате получается ТУ8-диод с максимально эффективной емкостью 100 пф. Такой диод является идеальным решением для защиты высокоскоростных линий передачи данных. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии 1,5КЕ.

Условные обозначения диодов

Таблица S. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(,)(2) є а а P Мин. <5QQ Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(|)(2) Ippm См. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 75°, длине выводов 9,5 мм Pm(av) 6.5 Вт

Температура окружающей среды Т -65...+175 °С

Примечание.(,) При одиночном импульсе тока и при температуре 25 °С. (2)См. рисунок 4.

Таблица 6. Электрические параметры

Постоянное обратное Напряжение Напряжение пробоя V(BR) (В) Макс. Макс. напряжение Макс. имп. ток Макс. Раб. напряжение противо- Макс. ток противоположной Мин. импульс напряж. Противо-

напряжение Vwm (В) V(BR) (В) Макс. Мин. VWM ID (мкА) при IppM Vc (В) ограничения IPPM (А) (пф) положном полярности Vwib(B) полярности при VWIB IIB (мА) положной полярности VpIB (В)

LCE6.5- 6.5 7.22 8.82 1Q.Q 1QQQ <2.3 1QQ 1QQ 75 1.Q 1QQ

LCE28A 28 31.1 34.4 1.Q 5.Q 45.5 33 1QQ 75 1.Q 1QQ

Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур).

Рис. 12. Зависимость Pppm от td для серий дискретных TVS-диодов серии LCE6.5- LCE28A

100

75

50 ■

25

№ 1 Средняя мощи с-сть |

МЛ. МО Ъдин. [Н щностъ ими.) f

у X

\ \

9,5 мм ■' 1 \

^ 0 50 100 150 175

I- температура на выводах диода (Са)

Рис. 13. Зависимость Ppp от T для серий дискретных TVS-диодов серии LCE6.5- LCE28A

ТУБ-диоды ТРДМБ7ОРВ' серии Р6КЕ6.8 - Р6КЕ440СД

Диоды серии Р6КЕ6,8-Р6КЕ440СА выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс С или СА.

Габаритный чертеж

Условные обозначения диодов

V(BR)- напряжение пробоя (В)

Рис. 16 . Зависимость С от У(Вк) для несимметричных дискретных ТУБ-диодов серии Р6КЕ6,8— Р6КЕ440СА

О 25 50 75 100 125 150 175 20С

Т- температура на выййдох диода (С°) Рис. 15. Зависимость Ppp или Ipp от T для серий дискретных TVS- диодов серии Р6КЕ6,8 — Р6КЕ440СА

0.1 уд 1 .Ops 10|i5 ICOua І.Отл Юглі

- длительность импульса (сек)

Рис. 14 . Зависимость Рррт от td для серий дискретных ТУБ-диодов серии Р6КЕ6,8-Р6КЕ440СА

Таблица 7. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(|) Pppm Мин. 6QQ Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm См. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 75°, длине выводов 9,5 мм P m(av) 5,Q Вт

Макс. прямой ток , только для несимметричных диодов IFSM <QQ A

Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов Vf 3,5/5,Q V

Температура окружающей среды Т -55...+<75 °С

Примечание.(<)См. рисунок 4. Таблица S. Электрические параметры

Тип Напряжение пробоя V(BR) (В) (BR) Макс. Мин. Тест. ток пробоя МмА) Постоянное обратное напряжение Vwm (В) Макс. обр. ток при VWM ID (мкА)(,) Макс. имп. ток ограничения IPPM (А) Макс. напряжение ограничения при Ippm Vc (В) Темпер. коэф. напряжения пробоя (%/°C)

P6KE6.8 - 6.<2 7,48 <Q 5,5 <QQQ 55,6 <Q,8 Q,Q57

P6KE44QA 4<8 462 <.Q 376 <,Q <,Q 6Q2 Q,<<Q

Примечание.(,) Для симметричных диодов с У^/м = ,0 В и менее, значение !с в два раза меньше.

В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур).

Малоемкостные TVS-диоды TRANSZORB® серии SAC5.0-SAC50

Принцип работы малоемкостных диодов серии SAC5.0-SAC50 аналогичен принципу работы диодов серии LCE6.5-LCE28A. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии Р6КЕ.

Условные обозначения диодов

SAC X X

Напряженке

Таблица ,,. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(1) Pppm Мин. 5QQQ Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm См. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 75°, длине выводов 9,5 мм P m(av) 8.Q Вт

Макс. прямой ток, только для несимметричных диодов IFSM 5QQ A

Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов Vf 3.5 V

Температура окружающей среды Т -55...+<75 °С

Примечание.(1) см. рисунок 4. Таблица 12. Электрические параметры

Тип Напряжение пробоя V(BR) (В) Макс. Мин. Тест. ток пробоя It (MA) Постоянное обратное напряжение Vwm (В) Макс. обр. ток при VWM ID (м^) Макс. имп. ток ограничения IPPM (A) Макс. напряжение ограничения при IppмVc(В) Темпер. коэф. напряжения пробоя (%/0C)

PKP5.Q - 6,4 7,3Q 5Q 5,Q 2QQQ 52< 9,6 Q,Q57

PKP11QA <22 <35 5.Q <<Q 2,Q 28,2 <77 Q,<<2

Примечание.В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур.

Таблица 9. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(1)(2) Pppm мин. 5QQ Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1)(2) Ippm см. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 75°, длине выводов 9,5 мм P m(av) 3,Q Вт

Температура окружающей среды Т -65...+175 °С

Примечание. (1) При одиночном импульсе тока и при температуре 25°С. (2)См.рисунок 4. Таблица 10. Электрические параметры

Тип Постоянное обратное напряжение Vwm (В) Мин. напряжение пробоя при It= 1,0mA V(BR) (В) Макс. обр. ток при Vwm Id (мі^) Макс. напряжение ограничения при Ipp=5,0A Vc (В) Макс. имп. ток ограничения Ipp (A) Макс. емкость (пФ) Раб. напряжение противоположной полярности Vwib (В) Макс. ток противоположной полярности при VWIB IIB (мA) Мин. имп. напряж. противоположной полярности Vpib (В)

SAC5.Q- 5.Q 7.6Q 3QQ 1Q.Q 44 5Q 75 1.Q 1QQ

SAC5Q 5Q 55.5 5.Q 88.Q 5.8 5Q 15Q 1.Q 2QQ

Примечание.В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур).

График зависимости Ррр от Т этой серии Габаритный чертеж

диодов аналогичен соответствующему графику для серии ЬСЕ6.5-ЬСЕ28Л.

Рис. 17. Зависимость Рррт от td для серий дискретных ТУБ-диодов серии БЛС5.0-БЛС50

ТУБ-диоды ТРДМБЮРВ® серии 5КР5.0-5КР110Д

Диоды серии 5КР5.0- 5КР110Л выпускаются только в несимметричном исполнении. Диоды этой серии отличает высокое значение максимальной импульсной мощности (Рррт) — 5000 Вт и высокое быстродействие (без учета паразитной индуктивности) — менее 1 пс.

Условные обозначения диодов

5 КР X X А

напряжение

V

тгвдц

допускаемое отклонение _ напряжения 5%

Т- температура окружающей среды (С9)

Рис. 19. Зависимость Ppp или Ipp от T дискретных TVS-диодов серии 5KP5.0-5KP110A

Рис. 18. Зависимость Рррт от td для серий дискретных ТУБ-диодов серии 5КР5.0-5КР110А

,001 10 100 20С

V{BR)- напряжение пробои (В)

Рис. 20. Зависимость С от V(BR) для несимметричных дискретных "^Б-диодов серии 5КР5.0— 5КР110А

TVS-диоды TRANSZORB® в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах)

TVS-диоды TRANSZORB® в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах) обычно используются для монтажа непосредственно на печатные платы защищаемого оборудования. Они предназначены для защиты линий передачи данных, портов ввода/вывода и других цепей, содержащих чувствительные электронные компоненты от импульсных перенапряжений, вызываемых электростатическими, коммуникационными и грозовыми разрядами. Размеры используемых корпусов делают такие диоды идеальным средством защиты для применения в приложениях с высокой плотностью расположения компонентов, например переносные радиостанции, сотовые телефоны и радиотелефоны, и в другом малогабаритном электронном оборудовании.

Они характеризуются широким диапазоном рабочих напряжений (от 5,0 до 328 В) и напряжениями ограничения (от 9,6 до 328 В), малым временем срабатывания, способностью подавлять импульсы перенапряжений высокой мощности (до 1500 Вт при форме импульса 10/1000 мкс).

TVS-диоды TRANSZORB® серии 1,5SMC

Диоды серии 1,5SMC выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, 1,5SMC10CA. В несимметричных диодах для обозначения

Условные обозначения диодов

1,5 SMC XXX XX

напряжение

симметричный (СА] несимметричный |А)

0-12613-20)

0.1

Габаритный чертеж

_ *>ор«йроиО«.ыЗ« полОСО,

с*$о*-*с*а*с*ц0» со^ояо******* *0^,40

0.240 {6.Щ

0.2-45 (£.221 0.220 (5.5Р

0.103 12.621* 0 07? (2.06}. г; 71

[U iJfl

№№11,521 ldddb

<МЙФ|0.74| * [ОИН] Me*.

о.з»ю.ізі _

J7.751 '

. 0.012 Ю ИД 0.006 [0.152]

катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж 1,58МС).

График, иллюстрирующий зависимость Ррр или 1рр от Т для диодов серии 1,58МС аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии Р6КЕ6,8 — Р6КЕ440СА.

ТСБ-диоды ТРД№20ИВ® серии P6SMB

Диоды серии Р68МБ выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, Р68МБ10СЛ. В несимметричных диодах, для обозначения ка-

Таблица 13. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(|) Pppm Мин. 15OO Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm Cм. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 50° P m(av) 6,5 Вт

Макс. прямой ток, только для несимметричных диодов(2) IFSM 200 A

Температура окружающей среды Т -65...+150 °С

Примечание.(1) При одиночном импульсе тока (рис. 4 ) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (1ЕЭЕС метод).

Таблица 14 . Электрические параметры

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V(BR) (В) Макс. Мин. Тест. ток пробоя It (мА) Постоянное обратное напряжение Vwm (В) Макс. обр. ток при Vwm 1р(мкА)« Макс. имп. ток ограничения Ippm(,) (А) Макс. Темпер. напряжение коэф. ограничения напряжения при 1ррМ Vc пробоя (В) (%/°С)

1.5SMC6.BA- 6.45- 7.14 10 5.B0 1000 143 10.5 0.057

1.5SMC220A 209 231 1.0 1B5 1.0 4.6 32B 0.10B

Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с VBR = 10 В и менее, значение Ю в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Vp).

£ 0.1*11 1.0)U 10и 100||> 1 Отт»* Ют

{(1 - длительность импульса (сек)

Рис. 21. Зависимость Рррт от td для диодов серии 1,5БМС

1.0 ю 100 200

V[8ft|- постоянна» обратное напряжение |В

Рис. 22. Зависимость С от V(wm) для TVS-диодов серии 1,5SMC

тода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж Р68МБ).

График, иллюстрирующий зависимость Ррр или 1рр от Т для диодов серии Р68МБ

Условные обозначения диодов

P6SMB XXX XX

напряжение

V™

симметричный (СА] несимметричный JA)

Габаритный чертеж

Таблица 15. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(|) m а а P Мин. 600 Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm См. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 50° P m(av) 5,0 Вт

Макс. прямой ток, только для несимметричных диодов(2) Ifsm 100 A

Температура окружающей среды Т -65...+150 °С

Примечание.(1) При одиночном импульсе тока (рис. 4 ) и при температуре 25 °С. 2 Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс ^ЕРЕС метод).

Таблица 16. Электрические параметры

Тип (General Semiconductor) Напряжение пробоя V|BR| (В) Макс. Мин. Тест. ток пробоя 1т Iма) Постоянное обратное напряжение (В) Макс. обр. ток при ^МмкА)» Макс. имп. ток ограничения 1ррм(1) (А) Макс. напряжение ограничения при ^с(В) Темпер. коэф. напряжения пробоя (%/°С)

P6SMB6.8A- 6.45- 7.14 10 5.80 1000 57.1 10.5 0.057

P6SMB220A 209 231 1.0 185 1.0 1.8 328 0.108

Примечание.(1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. 2 Для симметричных диодов с Увк = 10 В и менее, значение !с в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур).

Габаритный чертеж

Рис. 23. Зависимость Рррт от td для диодов серии Р65МВ

Рис. 24. Зависимость С от У^М) для ТУБ-диодов серии Р6БМВ

исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, БМА1188СА. В несимметричных диодах, для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж 5МА1188СА). Диоды этой серии оптимизиро-

Рис. 25. Зависимость Рррт от td для диодов серии Р6КЕ6,8 - Р6КЕ440СА

ваны для защиты оборудования локальных вычислительных сетей (ЛВС) от электростатических разрядов, в соответствии с требованиями МЭК 1000-4-2, и от перенапряжений, в соответствии с МЭК 1000-4-4.

График, иллюстрирующий зависимость Ррр или 1рр от Т для диодов серии 5МА15.0-

Таблица 17. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(1) Pppm 400 Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm См. следующую таблицу А

Макс. прямой ток, только для несимметричных диодов(2) Ifsm 40 A

Температура окружающей среды Т -55...+150 °С

аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии Р6КЕ6,8 — Р6КЕ440СА.

ТОБ-диоды ТРАМБЮРБ® серии БМА^.О- БМАЛ88СА

Диоды серии 8МА15.0-8МА1188СА выпускаются в симметричном и несимметричном

Условные обозначения диодов

5М^ XXX XX

напряжение

счлямвтричный [СА] несимметричный {А]

Примечание.(1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. 2 Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (ЯРЕС метод).

Таблица 18. Электрические параметры

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V) (В) Тест. ток пробоя 1т (мА) Постоянное обратное напряжение ^м (В) Макс. обр. ток при ^м 1р(мкА)« Макс. имп. ток ограничения 1ррм(1) (А) Макс. напряжение ограничения

Макс. Мин.

SMAJ5.0- 6.40- 7.14 10 5.80 800 31.1 9.6

SMAJ 220A 209 231 1.0 185 1.0 0.91 328

Примечание.(1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. 2 Для симметричных диодов с Ув^ = 10 В и менее значение Ю в два раза меньше. (3) Диоды со значениями У^м ^ 78 В могут пропускать более высокие токи 1ррм (при 400 Вт), но при этом значение Ус будет увеличиваться на 5 % (1ррм = 400 Вт/ Ус).

В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Ур).

Таблица 19. Предельные эксплуатационные характеристики

Рис. 26. Зависимость С от Ур| для ТУБ-диодов серии Р6КЕ6,8 - Р6КЕ440СА

8МА1188СА аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии Р6КЕ6,8-Р6КЕ440СА.

ТУБ-диоды ТРАМБгОРБ' серии Т0141-6.8-Т0141-200А.

Диоды этой серии выпускаются в оригинальных цилиндрических корпусах для поверхностного монтажа. Они выпускаются

Условные обозначения диодов

ТС 141 - X X А

напряжение

допускаемое отклонение___

напряжения 5 %

Габаритный чертеж

только в несимметричном исполнении. Для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса голубого цвета (см. габаритный чертеж ТвЬ41-6.8-ТвЬ41-200А ). График, иллюстрирующий зависимость Ррр или 1рр от Т для диодов серии ТвЬ41-6.8-ТвЬ41-200А аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии Р6КЕ6,8-Р6КЕ440СА. Ш

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.

Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс)(1) Pppm мин. 400 Вт

Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс)(1) Ippm См. следующую таблицу А

Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 50° P m(av) 1,0 Вт

Макс. прямой ток, только для несимметричных диодов(2) Ifsm 40 A

Температура окружающей среды Т -55.+150 ОС

Примечание.(1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. 2 Измеряется при воздействии одиночных импульсов в виде синусоидальной полуволны или эквивалентных прямоугольных импульсов длительностью 8,3 мс (макс. 4 импульса в минуту).

Таблица 20. Электрические параметры

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V) (В) Тест. ток пробоя 1т(мА) Постоянное обратное напряжение V,™ (В) Макс. обр. ток при ^м^мкАГ Макс. имп. ток ограничения 1РРм(,) (А) Макс. напряжение ограничения при 1ррм V,; (В)

Макс. Мин.

TGL41-6.8- 6.12- 7.48 10 5.50 1000 37.0 10.8

TGL41-200A 190 210 1.0 171 5.0 0.73 274

Примечание.(1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4.

В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями Удо).

Рис. 27. Зависимость Рррт от td для диодов серии TGL4l-6,8 - TGL4I-200А

- Нвсиммвто.-

III!»

10 100 У(ВЯ) - напряжение пробоя (В)

Рис. 28. Зависимость С от У^для ТУБ-диодов серии TGL4I- 6,8 - TGL4I-200А