12Samarkand branch of Volume 3 | SB TSAU Conference | 2022 Tashkent State Agrarian University Theoretical and Practical Principles of Innovative Google Scholar indexed_Development of the Agricultural Sector in Uzbekistan
ТРАНЗИСТОР ТУЗИЛМАЛАРНИНГ ПАРАМЕТРЛАРИНИ ЯХШИЛАШНИНГ КОНСТРУКТИВ ВА СХЕМОТЕХНИКАВИЙ
УСУЛЛАРИ
Бекзод Махрамович Каманов
Тошкент ахборот технологиялари университети, Нурафшон филиали катта
укитувчи
Олмос Гафурович Кодиров
Тошкент давлат аграр университети, Самарканд филиали ассистенти
АННОТАЦИЯ
Хрзирги кунда ярим утказгич тузилмалардан турлича янги кулланишлар учун ажойиб имкониятлар юзага келмокда. Транзистор типидаги кучайтириш курилмаларини бундай жабхадан караб чикиш уларнинг харорат, ёруглик нурланиши, босим ва б. ларни кайд килиши мумкинлигини курсатди. Ушбу маколада диод ва транзистор тузилмаларнинг харорат ва ёругликка сезгирликнинг физикавий асослари буйича, шунингдек уларнинг хоссаларини конструктив ва схемотехник ечимлар оркали бошкариш масалалари буйича маълум ишлар куриб чикилади.
Калит сузлар: ярим утказгич тузилмалар, Транзистор типидаги кучайтириш курилмаси, диод, транзистор, ёруглик нурланиши.
КИРИШ
Транзисторлар тузилиши, ишлаш принсипи ва параметрларига кура 2 та синфга ажратилади-биполяр ва майдоний (униполяр) транзисторлар. Биполяр транзисторларда иккала турдаги (p-типли ва n-типли) утказувчанликка эга булган яримутказгичлар ишлатилади. Биполяр транзистор, узаро якин жойлашган p-n утиш хисобига ишлайди ва база-емиттер утиши оркали токни бошкаради. Майдоний транзисторларда факат бир турдаги (n-типли ёки p-типли) яримутказгичлар ишлатилади. Бундай транзисорларнинг биполяр транзисторлардан асосий фарки шундаки, улар кучланишни бошкаради, токни эмас. Кучланишни бошкариш затвор ва исток орасидаги кучланишни узгартириш оркали амалга оширилади.
Асосий кисм. Ахборотнинг катта хджмини алока линиялари оркали узатиш ва кабул килиш эхтиёжининг ортиб
October 5-6
521
Samarkand branch of Volume 3 | SB TSAU Conference | 2022 Tashkent State Agrarian University Theoretical and Practical Principles of Innovative Google Scholar indexed_Development of the Agricultural Sector in Uzbekistan
бориши билан, фотокабул килгичларга ва фойдали сигналлари сифатли узгартириб берадиган бирламчи кириш каскадларига булган эхтиёж ортиб боради. Майдоний транзисторларнинг биполяр транзисторларга Караганда коронгулик токлари кисми буйича катор афзалликларга эга эканлигидан ва сигим токининг йуклигидан улар микро ва оптоэлектрон курилмаларнинг кириш каскадларида кулланила бошланяпти. Бу жабхада фотоэлементлар ва бошка фотокабул килгичларга караганда паст коронгилик токларига ва ички фотоэлектрик кучланишга эга булган майдоний фототранзисторлар хам кизикиш уйготади, улар кучайтиргичнинг кириш каскади кириш каршилигини шунтламайди. Кучайтириш каскадининг кириш каршилигига эга майдоний фототранзисторнинг чикиш каршилиги энг келишилган (мослаштирилган) ишончли хисобланади. Шунингдек, таркибий транзисторни яратиш йули билан уларнинг кучайтириш хусусиятларини яхшиланиши хакида хам маълумотлар бор. Вариантларнинг биттасида биринчи транзисторнинг стоки иккинчи транзисторнинг стоки билан уланган, исток эса затворга [1] уланган. Биринчи транзистор оддий тескари силжишда ишлайди, иккинчиси эса тугридан-тугри силжиш режимида ишлайди. Шунинг учун паст токларни саклаш учун биринчи транзистор микрорежимда ишлаши керак. Транзисторларнинг бундай уланишида тугри токнинг иккинчи транзисторнинг тугри силжийдиган утиши оркали отриши, уни ишдан чикариши мумкин. Бундан ташкари, таркибий транзисторни фототранзистор сифатида тадкик килиш хакидаги маълумотлар адабиётларда мавжуд эмас.
Сунгги вактларда майдоний транзисторлар микро ва оптоэлектрон курилмаларнинг кириш каскадларида кенг кулланилмокда. Уларнинг турли курилмаларда кулланилиши юкори кириш каршилиги ва ишчи нуктани кенг бошкариш имконияти билан олдиндан аникланади (предопределяется). Фототранзисторларнинг биринчи тадкикотлари биполяр транзисторларда бошланганига карамасдан [2], майдоний транзисторлар асосида ахамиятли ютукларга эришилган. Масалан, [3] ишда биринчи марта майдоний фототриод деб аталган кадмий сульфиди асосидаги тузилма олинган, сунгра [4] ишда галлий арсениди асосидаги Шоттки барьерига эга майдоний транзистордан тезкор фотокабул килгич сифатида фойдаланиш имконияти курсатилган. Майдоний транзисторлар фотокабул килгичлар каби, гарчи фототок копланадиган бошкарувчи p-n- утишда пайдо булса хам, ички кучайтиришга эга. Х,осил булган фототок, хажмий заряд катламининг кенглигини узгартириб, каналнинг
October 5-6
522
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Google Scholar indexed
Volume 3 | SB TSAU Conference | 2022 Theoretical and Practical Principles of Innovative Development of the Agricultural Sector in Uzbekistan
калинлигини, канал буйича окаётган токнинг катта узгаришига олиб келиб модуллаштиради. Канал отсечкаси ажратиш режимида n- каналли транзисторни иккита тескари уланган, узини резистор каби тутадиган тескари ток эквивалента, окиб утадиган n-p-n диодлар куринишида тасаввур килиш мумкин.
Х,осил булган n-p-n- тузилмани тагидан ёритилишида резисторга эквивалент булган (дифференциал ва динамик) каршилик нурланиш интенсивлигига мос равишда камайиб боради. Худди шундай бирламчи фототокни кучайтириш эффектига эга икки (уч) берьерли фотодиод p-n-m тузилмани хам тасаввур килиш мумкин. Уларда ёруглик нурланиши хам тузилманинг дифференциал ва динамик каршилигининг узгаришига олиб келади.
Галлий арсениди асосидаги бошкарувчи p-n- утишли фотосезгир майдоний транзисторнинг биринчи намуналари тугрисидаги маълумотлар ишда келтирилган. Кейинги тадкикотларда юкори фотосезгирликни таъминлаш учун канал параметрини шундай танлаш керакки, бунда отсечка кучланиши затвор p-n- утиши контакт потенциаллар фаркининг катталигига якин булиши кераклиги аникланди. Шунингдек майдоний транзисторларнинг фотоэлектрик характеристика-лари уларнинг уланиш режимига богликлиги тадкик килинди
Биполяр транзисторларда курсатилганидек, коронгилик токлари жуда катта булади ва зарядларнинг тупланиш эффекти (инерционлик) кузатилади, бу эса кучсиз оптик сигналларни кабул килиш учун уларни куллаш имкониятини чеклайди. Шунинг учун улар нурланишнинг аналогли ва калитли кабул килгичлари сифатида кулланилади, чунки ракамли сигналларни узатиш учун юкори частотали транзисторлар талаб килинади.
ХУЛОСА
Шу билан бирга оптик толалар ва оптик кучайтиргичларни тизимли такомиллаштирилиши ахборот сигналларини узатиш ва кабул килиш тизимларида фойдаланиш учун ярокли булган яхшиланган нурлатгичлар ва фотокабул килгичларни ишлаб чикишни талаб килади. Шу туфайли майдоний транзисторлар каби кичик коронгилик токларига эга камшовкинли фотокабул килгич тузилмаларга булган кизикиш ортди.
[5].
October 5-6
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Google Scholar indexed
Volume 3 | SB TSAU Conference | 2022 Theoretical and Practical Principles of Innovative Development of the Agricultural Sector in Uzbekistan
REFERENCES
1. Патент РУз №IAP 05322 от 14.12.2016. Усилитель напряжения с динамической нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М.
2. М. Ахмедов, Каманов Б.М. Ярим утказгичлар физикаси номли укув кулланма. Узбекистан Республикаси Олий ва урта махсус таълим вазирлигининг 2021 йил 25 декабрдаги № 538 сонли буйругига асосан 60720600-Материалшунослик ва янги материаллар технологияси (ярим утказгичлар ва лазер технологияси) талабалари учун тавсия этилган. "ТЩХММИ'МТУ нашриёти 2022 йил.
3. Каманов Б.М., Эргашов А.Р., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Хакимов А.А., Абдулхаев О.А., Каримов А.В. Некоторые особенности работы усилителя напряжения на полевом транзисторе с динамической нагрузкой // Scientific-technical journal (STJ FerPI, ФарПИ ИТЖ, НТЖ ФерПИ, 2021, T.25, №1) стр. 913.
4. Abdulaziz Karimov, Bekzod Kamanov, Dilbara Yodgorova, Akhmad Rakhmatov, Alim Khakimov, Oybek Abdulkhaev. A High Gain JFET Amplifier with Dynamic Load // 2020 International Conference on Information Science and Communications Technologies (ICISCT) | 978-1-7281-9969-6/20/$31.00 ©2020 IEEE | DOI: 10.1109/ICISCT50599.2020.9351499
5. Каримов А.В., Каманов Б.М., Ёдгорова Д.М., Каримов А.А. Новая разновидность усилителя напряжения на полевом транзисторе с динамической нагрузкой // Физика полупроводников и микроэлектроника" Ташкент. 2019 т.1, №5, стр.25-29.
October 5-6
