CC BY
11
однозначной разрешимости интегрального уравнения Вальтерра (12).
Из выражений (17), (18) следует, что на плоскостях z = х ±у решение обращается в бесконечность первого порядка. Однако, если в условиях задачи МС положить т = т* = 0 то, как ранее было показано, решение на указанных плоскостях будет ограниченным
lim U(x,y,z) = -и(х,у), lim U(x,y,z) = и*(х,у).
z^x-y z^x+y
В этом случае мы имеем непрерывное в O и ограниченное в O решение задачи МС.
Список использованной литературы:
1. Волкодавов В. Ф., Захаров В. Н. Название источника: Таблицы функций Римана и Римана-Адамара для некоторых дифференциальных уравнений в n-мерных евклидовых пространствах: Самара 1994. - 31c.
2. Volkodavov V. F., Rodionova I. N., Bushkov S. V. Название источника: SOLUTION OF A MODIFIED CAUCHY PROBLEM BY THE RIEMANN METHOD FOR A CERTAIN SPATIAL ANALOG OF THE EULER-DARBOUX EQUATION WITH ANEGATIVE PARARMETER: Differential Equations 2000. - Т. 36. №4. 616 -619 с.
© Васильева О. А., Родионова И.Н., 2022
УДК 537.322
Келбиханов Р.К.,
канд. физ.-мат. наук, доцент, ДГУНХ, г. Махачкала, РФ Джалалов Р.К., канд. физ.-мат. наук, доцент, ДГУНХ, г. Махачкала, РФ Кулибеков Н.А., канд. физ.-мат. наук, доцент, ДГУНХ, г. Махачкала, РФ
ТЕРМО-ЭДС ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ СЛЮДЫ ВАКУУМНО-ТЕРМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
Аннотация
Целью настоящего исследования явилось исследование термо-эдс тонких пленок теллура, выращенных вакуумно-термическим методом на слюдяных подложках.
Ключевые слова:
пленки теллура, термо-эдс, вакуумно-термический метод, квазизамкнутый объем, постоянное электрическое поле, температура источника.
Разработка и получение полупроводниковых тонкопленочных материалов с заданными структурой и свойствами - одна из важнейших проблем современной физики и техники полупроводников [1,2]. Поэтому большой научный интерес представляет получение совершенных пленок теллура (Те) и исследование их свойств. Тонкие пленки широко используются в микроэлектронике и в других областях новой техники [3,4].
Одной из существенных проблем при выращивании пленок является использование соответствующих физических методов управления процессами роста ориентированных пленок, а для
управления свойствами получаемых образцов весьма важным является понимание природы термо-эдс и ее исследование.
Образцы, исследованные в данной работе, были выращены в постоянном электрическом поле (ПЭП) напряженностью 1,25 кВ/см и без приложения ПЭП в едином технологическом режиме на подложках слюды вакуумно-термическим методом при комнатной температуре в квазизамкнутом объеме [3,5]. Пленки теллура были получены при температуре источника (Ти) в интервале 653^674К, в вакууме 2,310-3 Па. Для измерения термо-эдс применялась установка, описанная в [3,5-7].
Проведенные нами исследования термо-эдс пленок теллура, в температурном интервале 290-415К показало существенное различие значений термо-эдс пленок теллура, в данном температурном интервале для образцов, полученных в поле напряженностью 1,25 кВ/см и вне электрического поля.
Так из результатов зависимости термо-эдс (а) от температуры для первой пары образцов, выращенных при Ти= 653К, выявлено, что значение а достигает максимального значения для образцов, полученных в ПЭП и вне поля при 350К и при дальнейшем увеличении температуры а не изменяется. А изменение а происходит со значения 100 до 140 мкВ/К, для образцов, выращенных в ПЭП и от 90 до 170 мкВ/К.
Во второй серии, где образцы были выращены при 680К, термо-эдс достигают максимума при 353К и незначительно повышается при дальнейшем увеличении температуры. Значение термо-эдс меняется от 90 до 130 мкВ/К, для образцов, полученных в поле и 80 до 150 мкВ/К, для образцов, полученных вне поля.
Толщины рассматриваемых нами образцов были от 0,22 мкм до 0,65мкм, для образцов, конденсированных в электрических полях. Поэтому, связать разницу термо-эдс с толщиной нельзя. По нашему мнению это связано именно с влиянием электрического поля. Ведь, как известно при выращивании пленок нельзя избежать наличия некоторых дефектов в растущем кристалле, обусловленные нарушением кристаллической решетки. Нельзя также или трудно получить пленки без каких-либо электрически активных примесей. Хотя существует определенная зависимость значений термо-эдс от толщины пленок. Наличие дефектов часто приводит к локализации зарядов в области дефекта, а при выращивании в поле дефекты могут быть выведены за пределы пленки. За пределы пленки могут быть выведены также электрически активные примеси. Наблюдаемая разница термо-эдс может быть связано именно влиянием электрического поля по выше названному механизму.
Список использованной литературы:
1.Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Марков Ф.В. Пленочные термоэлектрические преобразователи для измерительной техники и приборостроения. Электрон. промышленность. 1985. В.2 (140). С.10-13.
2.Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы. М.: Наука, 1985. 229 с.
3.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля: Дис. ...канд. физ.-мат. наук. Махачкала, 2008. 147 с.
4.Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства. Киев: Наукова думка, 1984. 288 с.
5.Kelbikhanov R.K., Kachabekov M.M., Ivanov G.A. Effect of electric field on growth and electrophysical properties of tellurium films. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 2000. №6. С. 54-56.
6.Келбиханов Р.К., Джалалов Р.К., Кулибеков Н.А. Термо-эдс пленок теллура, выращенных вакуумно-термическим методом. В сборнике: Прорывные научные исследования как двигатель науки. Сборник статей Международной научно-практической конференции. Ответственный редактор: Сукиасян Асатур Альбертович. 2015. С. 16-19.
7.Келбиханов Р.К., Абдурагимов Г.А., Нажмудинов А.М. Эффект поля в пленках теллура, выращенных в электрических полях. Известия Дагестанского государственного педагогического университета. Естественные и точные науки. 2011.№4(17). С. 5-8.
©Келбиханов Р.К., Джалалов Р.К., Кулибеков Н.А., 2022
