CC BY
10DOI: 10.6060/ivkkt.20196205.5818
УДК: 544.032
ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В СИСТЕМАХ Ga-МоОз Л.Н. Бугерко, С.В. Бин, Э.П. Суровой, В.Э. Суровая
Лидия Николаевна Бугерко, Сергей Викторович Бин, Эдуард Павлович Суровой
Кафедра аналитической и неорганической химии, Кемеровский государственный университет, ул. Красная, 6,
Кемерово, Российская Федерация, 650023
E-mail: lbugerko@mail.ru, peen@ngs.ru, epsur@kemsu.ru
Виктория Эдуардовна Суровая *
Кафедра химии, технологии неорганических веществ и наноматериалов, Кузбасский государственный технический университет им. Т.Ф. Горбачева, ул. Весенняя, 28, Кемерово, Российская Федерация, 650000 E-mail: sur.vik@mail.ru*
Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ga-МоОз в зависимости от толщины пленок Ga (d = 2-96 нм) и M0O3 (d = 7-62 нм), температуры (473 - 773 К) и времени термообработки. Показано, что спектры поглощения систем Ga-МоОз в коротковолновой области спектра (А = 300-500 нм) по мере уменьшения толщины пленок галлия определяются поглощением пленок M0O3, а в длинноволновой области спектра (А = 500-1100 нм) проявляются полосы поглощения пленок галлия. Рассчитаны, построены и сопоставлены кинетические зависимости степени превращения пленок M0O3 и галлия. Установлено, что увеличение толщины пленок M0O3 в системах Ga-МоОз при постоянной температуре обработки приводит к уменьшению степени превращения центра [e^(V_a )A(++)e] пленок M0O3, в то время как увеличение температуры при постоянной толщине пленок M0O3 способствует ее возрастанию. Показано, что скорость превращения центра [e(V_a)A(++)^e] пленок M0O3 в системах Ga-МоОз больше, чем в индивидуальных пленках M0O3. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, M0O3 и фото-ЭДС системы Ga-МоОз, которая соответствует положительному знаку со стороны слоя МоОз. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga-МоОз. Предложена модель термического превращения пленок МоОз в системах Ga-МоОз, включающая перераспределение на контакте равновесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки МоОз центра [(V_a )Л(++)^е], преобразование его при создании систем Ga-МоОз в центр [e^(V_a )Л(++)е], термический переход электрона на уровень центра[(V_a)Л(++)е] с образованием центра [e^(V_a)Л(++)е].
Ключевые слова: наноразмерные пленки, галлий, оксид молибдена, системы галлий - оксид молибдена, термические превращения, энергетические зоны
THERMAL TRANSFORMATIONS OF Ga-МоОз SYSTEM L.N. Bugerko, S.V. Bin, E.P. Surovoi, V.E. Surovaya
Lуdiya N. Bugerko, Sergey V. Bin, Eduard P. Surovoi
Department of Analytical and Inorganic Chemistry, Kemerovo State University, Krasnaya st., 6, Kemerovo, 650023, Russia.
E-mail: lbugerko@mail.ru, peen@ngs.ru, epsur@kemsu.ru Victoriya E. Surovaya*
Department of Chemistry, Technology of Inorganic Substances and Nanomaterials, T.F. Gorbachev Kuzbass State Technical University, Vesennyaya st., 28, Kemerovo, 650000, Russia E-mail: sur.vik@mail.ru*
Transformations in nanoscale Ga-MoO3 systems are studied with methods of optical spectroscopy, microscopy, gravimetry, depending on the thickness of Ga (d =2 -96 nm) and MoO3 (d = 7-62 nm) films, the temperature (473-773 K) and the heat treatment time. It was shown that the absorption spectra of the Ga-MoO3 systems in the short-wavelength region of the spectrum (k = 300-500 nm) as the thickness of gallium films decreases are determined by the absorption of MoO3 films, and in the long-wavelength region of the spectrum (k = 500-1100 nm), the absorption bands of gallium films appear. The kinetic dependences of the degree of conversion of MoO3 and gallium films have been calculated, constructed and compared. It has been established that an increase in the thickness of MoO3 films in Ga-MoO3 systems at a constant processing temperature leads to a decrease in the degree of transformation of the center of [e(V_a )A(++)e] MoO3 films, while an increase in temperature at a constant thickness of MoO3 films contributes to its increase. It is shown that the rate of transformation of the center of [e^(V_a )A(++)e] MoO3 films in Ga-MoO3 systems is higher than in individual MoO3 films. The contact potential difference for Ga, MoO3, and photo-emf of Ga-MoO3 is measured, which corresponds to a positive sign from the MoO3 layer. A diagram of the energy bands of Ga-MoO3 systems is constructed. A model is proposed for the thermal transformation of MoO3 films in Ga-MoO3 systems, including the redistribution of equilibrium charge carriers on the contact, the formation of the center [(V_a )A(++)e] during the preparation of the MoO3 film, its transformation in the creation of Ga-MoO3 systems at the center [e^(V_a)A(++)e], the thermal transition of the electron to the level of the center [(V_a )A(++)e] with the formation of the center [e^(V_a )A(++)e].
Key words: nanosized films, gallium, molybdenum oxide, gallium-molybdenum systems, thermal transformations, energy bands
Для цитирования:
Бугерко Л.Н., Бин С.В., Суровой Э.П., Суровая В.Э. Термические превращения в системах Ga-MoO3. Изв. вузов.
Химия и хим. технология. 2019. Т. 62. Вып. 5. С. 45-49
For citation:
Bugerko L.N., Bin S.V., Surovoi E.P., Surovaya V.E. Thermal transformations of Ga-MoO3 system. Izv. Vyssh. Uchebn.
Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2019. V. 62. N 5. P. 45-49
ВВЕДЕНИЕ
Пленочные покрытия широко применяются в качестве конструкционных элементов и функциональных слоев в современных электронных устройствах, деталях авиационной и космической техники, в качестве твердых износостойких покрытий [1]. Изучение закономерностей процессов, протекающих в двухслойных наноразмерных системах «металл - полупроводник (диэлектрик)» под действием энергетических факторов, представляет интерес в связи с разрабатываемой возможностью создания на их основе новых систем функционального назначения [2-17].
МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Образцы для исследований готовили методом термического испарения в вакууме (2-10"3 Па) путем нанесения тонких слоев Ga (2-96 нм) и М0О3 (7-62 нм) на подложки из стекла, используя вакуумный универсальный пост «ВУП-5М». Двухслойные системы Ga-MoOз готовили путем последовательного нанесения слоев М0О3 на слой Ga. Подложками служили, предварительно очищенные стекла
от фотопластинок (ГОСТ 9284-59) [5-7]. Образцы подвергали термической обработке в муфельной печи «МИМП-3П» в интервале температур 473-773 К. Регистрацию эффектов до и после обработки осуществляли гравиметрическим, микроскопическим и спектрофотометрическим (в диапазоне длин волн 190-1100 нм, используя спектрофотометр «Shimadzu ЦУ-1700») методами. Измерения фотоЭДС (Цф) проводили в вакууме [17]. Контактную разность потенциалов (КРП) между пленками галлия, оксида молибдена (VI) и электродом сравнения из платины измеряли, используя модифицированный метод Кельвина [18].
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
При исследовании оптических свойств наноразмерных пленок MoOз, Ga и двухслойных систем Ga-MoOз было установлено, что по мере увеличения толщины пленок галлия наблюдается увеличение оптической плотности систем Ga-MoOз в диапазоне X = 300-1100 нм. При увеличении толщины пленок MoOз оптическая плотность систем Ga-MoOз также возрастает, однако при этом в большей степени проявляется полоса поглощения в коротковолновой области спектра (X = 300-500 нм).
Для выяснения возможного взаимодействия между пленками Ga и МоОз в процессе приготовления систем Ga-MoOз были сопоставлены экспериментальные спектры поглощения с рассчитанными, полученными суммированием при каждой длине волны значений оптической плотности индивидуальных пленок МоОз и Ga аналогичной толщины. Рассчитанные и экспериментальные спектры поглощения всех систем не совпадают.
На рис. 1 приведены спектры поглощения системы Ga - МоОз в процессе термической обработки при Т = 573 К.
Рис. 1. Спектры поглощения системы Ga-МоОз толщиной d(Ga) = 2 нм, d(MoO3) = 44 нм до (1) и после теплового воздействия при Т = 573 К: 2 - 2; 3 - 6; 4 - 15; 5 - 30; 6 - 60; 7 - 110; 8 - 350; 9 - 470; 10 - 650; 11 - 830; 12 - 1010; 13 - 1500; 14 - 3100;
15 - 4600 мин
Fig. 1. The absorption spectra of a Ga - M0O3 system with a thickness of d (Ga) = 2 nm, d (M0O3) = 44 nm before (1) and after thermal exposure at T = 573 K: 2 - 2; 3 - 6; 4 - 15; 5 - 30; 6 - 60; 7 - 110; 8 - 350; 9 - 470; 10 - 650; 11 - 830; 12 - 1010; 13 - 1500;
14 - 3100; 15 - 4600 min
В процессе термической обработки оптическая плотность пленок MoO3 (d = 7-62 нм) в коротковолновой области спектра (X = 300-500 нм с максимумом X = 350 нм) уменьшается и, как следствие, наблюдается смещение края полосы собственного поглощения в коротковолновую область спектра, а в длинноволновой области спектра (X = 500-1100 нм с максимумом X = 870 нм) возрастает [17]. При термической обработке пленок Ga (d = 2-96 нм) наблюдается уменьшение значений оптической плотности образца в интервале X = 190-1100 нм и формирование спектра поглощения нового вещества - оксида галлия (III) [16].
По мере увеличения температуры и толщины пленок оксида молибдена (VI) и галлия при термообработке систем Ga-MoOз в диапазоне Т = 473-773 К наблюдается увеличение эффектов изменения оптической плотности и уменьшение времени достижения их предельных значений.
Были рассчитаны и построены кинетические зависимости степени превращения пленок МоОз и галлия в системах Ga-MoOз. Выражение для расчета степени термического превращения центра Т1 -[(^а)++ • е] в центр Т2 - [е • (Уа)++ • е] пленок МоОз: а = (Аобр-А1Т1)/(А1Т2-А1Т1), где А^, Ат1 - предельные оптические плотности при максимальной и минимальной концентрации центров Т2 при Я = 870 нм; Ао^р - значение оптической плотности образца.
Установлено, что при увеличении толщины пленок МоОз в системах Ga-MoOз при постоянной температуре термообработки степень превращения во всем исследованном интервале температур уменьшается. Показано, что скорость превращения центра Т2 пленок MoOз в системах Ga-MoOз больше, чем в индивидуальных пленках MoOз (рис. 2).
Рис. 2. Зависимость степени превращения центра T2 пленки M0O3 в системах Ga-МоОз (2, 4, 6) и в пленках M0O3 (1, 3, 5) (d(Ga) = 6 нм, d(MoO3) = 42 нм) при разных температурах: 1,
2 - 473 K, 3, 4 - 573 K, 5, 6 - 673 K, 7, 8 - 773 K Fig. 2. Dependence of the degree of transformation of the center of the T2 MoO3 film in the Ga-MoO3 (2, 4, 6) and MoO3 films (1, 3, 5) (d(Ga) = 6 nm, d(MoO3) = 42 nm) at different temperatures: 1, 2 - 473 K, 3, 4 - 573 K, 5, 6 - 673 K, 7, 8 - 773 K
Для выяснения причин, вызывающих наблюдаемые изменения металлом оптических свойств MoO3 в разных спектральных областях были измерены величина и знак Иф для систем Ga-MoO3, КРП между MoO3, Ga и электродом сравнения из пла-
тины в условиях атмосферы (Р = 1105 Па) и высокого вакуума (Р = 110-5 Па). Наблюдаемое отличие в значениях работ выхода Ga и МоОз (+1,20 и +0,71 соответственно) свидетельствует о возможности при формировании плотного контакта и установлении в системе Ga-MoOз состояния термодинамического равновесия результирующего потока электронов из галлия в оксид молибдена (VI). В результате измерений Иф для систем Ga-MoOз в диапазоне X = 300-1100 нм было установлено, что в процессе облучения светом формируется иф положительного знака со стороны слоя МоОз. Из анализа результатов измерений Иф и КРП было установлено, что при создании контакта оксида молибдена (VI) с пленкой галлия в результате электронных переходов со стороны МоОз образуется обогащенный электронами антизапорный слой. Диаграмма энергетических зон систем Ga-MoOз представлена на рис. 3.
Рис. 3. Диаграмма энергетических зон системы Ga-MoO3: Ev
- уровень потолка валентной зоны, Ее - уровень дна зоны проводимости, Ef -уровень Ферми, Ео - уровень вакуума, Ti, Т2, - уровни центров захвата, Тп+ - уровни поверхностных электронных состояний, R+ - центр рекомбинации Fig. 3. The diagram of the energy bands of the Ga-MoO3 system: Ev - is the level of the top of the valence band, Ec - is the level of the bottom of the conduction band, Ef - is the Fermi level, Eo - is the vacuum level, Ti, Т2, - the levels of the trapping centers, Tp+ - are the levels of surface electronic states, R+ - center of recombination
Известно, что полоса поглощения в диапазоне X = 300-400 нм с максимумом при X = 350 нм (центр Ti) для монокристаллов M0O3 связана со стехио-метрическим недостатком кислорода и обусловлена вакансиями кислорода с одним захваченным электроном [(V£j)++ • е] (аналог ^-центра. Глубина залегания [(V^)++ • е] -центра составляет ET = 3,54 эВ. В процессе установления термодинамического равновесия из-за несоответствия работ выхода MoO3 и Ga электроны из галлия переходят в оксид молибдена (VI) на уровни [(V^)++ • е] -центров с формированием [е • (Va)++ • е]-центра, где (Va)++ -анионная вакансия.
Преобразование [(^)++ • е]-центра можно осуществить путем перевода электрона с уровня залегания центра на дно зоны проводимости: [0*а)++ • е + (Уа)++ , либо путем перевода электрона с потолка валентной зоны на уровень центра [(^)++ • е] с образованием дырок (р).
Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифракции продуктов последовательного восстановления оксида молибдена (VI) МоОз-у установлено, что область нестехиометрии, в которой сохраняется неизменная структура МоОз, очень мала и соответствует значению у < 0,001 [1з, 17]. Если оценить концентрацию [(^)++ • е] -центров « 1018 см_з (и считать, что все анионные вакансии в МоОз заняты по одному электрону в каждой), то в идеальном случае (когда все электроны достигнут предназначенного для них места и не примут участия в других процессах) скорости процессов термического возбуждения электрона с уровней [0*а)++ • е]-центра на дно зоны проводимости и термического возбуждения электрона с потолка валентной зоны на уровни [(^)++ • е]-центра составят Wl « 1-102 см"з-с-1 и W2 « 5-10з1 см"з-с-1 соответственно. В результате за 1 с переходит « 102 электронов - малое количество. Широкая полоса поглощения с максимумом при X = 870 нм, связана с формированием [е • (Уа)++ • е]-центров. Дырки могут захватываться собственными и примесными дефектами с выделением кислорода и освобождением анионных вакансий. Анионные вакансии будут взаимодействовать с электронами переходящими из галлия с формированием центров Т1 и Т2: е + (Уа)++ ^ е + [(Уа)++ (Уа)++ • е].
Увеличение концентрации электронов со стороны МоОз в состоянии термодинамического равновесия системы Ga-MoOз во-первых обеспечивает превращение части центров Т1 в центры Т2 в пленке МоОз, и во вторых должно привести к увеличению скорости термостимулированного процесса превращения оставшихся центров [(^)++ • е] в центры [е • (Уа)++ • е].
ВЫВОДЫ
Полученные в настоящей работе результаты исследований свидетельствуют о контактной природе эффектов изменения пленками Ga скорости термического превращения пленок МоОз. При создании систем Ga - MoOз происходит преобразование центра [(1^)++ • е] в слоях МоОз в центр [е ■ (Уа)++ •в]. В результате теплового воздействия систем Ga - MoOз электроны переходящие из галлия в слой МоОз способствуют более быстрому формированию центров Т1 и Т2.
ЛИТЕРАТУРА
1. Раков Э.Г. Неорганические наноматериалы. М.: Бином. 2013. 477 с.
2. Surovoi E.P., Borisova N.V. Regularities of Photostimulated Conversions in Nanometer Aluminum Layers. J. Phys. Chem. 2009. V. 83. N 13. P. 2302-2307. DOI: 10.1134/S0036024409130202.
3. Суровой Э.П., Борисова Н.В. Закономерности формирования наноразмерных систем медь-оксид меди (I). Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2009. Т. 52. Вып. 4. С. 54-57.
4. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Суровая В.Э., Бин С.В. Кинетические закономерности термических превращений в наноразмерных пленках висмута. Журн. физ. химии. 2012. Т. 86. № 4. С. 702-709. DOI: 10.1134/S0036024412040231.
5. Борисова Н.В., Бугерко Л.Н., Говорина С.П., Суровой Э.П. Изучение процесса взаимодействия наноразмерных систем медь-оксид меди (I) с аммиаком. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2010. Т. 53. Вып. 1. С. 60-63.
6. Суровой Э.П., Еремеева Г.О. Термостимулированные превращения наноразмерных систем In - MоOз. Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 4. С 404-409. DOI: 10.1134/S0020168513030205.
7. Еремеева Г.О., Суровой Э.П. Термостимулированные превращения в наноразмерных пленках индия. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2012. Т. 55. Вып. 12. С. 63-67.
8. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Суровая В.Э. Кинетика фото-стимулированных превращений в наноразмерных пленках висмута. Журн. физ. химии. 2013. Т. 87. № 9. С. 1565-1571. DOI: 10.1134/S0036024413090239.
9. Суровой Э.П., Сухорукова А.А., Бин С.В. Закономерности формирования наноразмерных систем кобальт-оксид кобальта. Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 4. С. 436-441.
10. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Суровая В. Э., Бин С.В. Кинетические закономерности термических превращений в нано-размерных пленках никеля. Журн. физ. химии. 2014. Т. 88. № 12. С. 1970-1976. DOI: 10.1134/S0036024414120358.
11. Суровой Э.П., Бин С.В., Бугерко Л.Н., Суровая В. Э. Кинетические закономерности термических превращений в нано-размерных пленках свинца. Журн. физ. химии. 2015. Т. 89. № 1. С. 85-91. DOI: 10.1134/S0036024415010276.
12. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Суровая В.Э., Заиконни-кова Т.М Кинетические закономерности формирования наноразмерной системы марганец - оксид марганца. Журн. физ. химии. 2016. Т. 90. № 3. С. 411-416. DOI: 10.1134/S0036024416030298.
13. Суровой Э.П., Бин С.В. Кинетические закономерности термических превращений в наноразмерных системах Ni - MoO3. Журн. физ. химии. 2017. Т. 91. № 2. С. 361-367. DOI: 10.1134/S0036024417020315.
14. Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Найден Е.П. Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок. ФТП. 2012. Т. 46. № 2. С. 278-284.
15. Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Новиков В.А., Петрова Ю.С. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления. ФТП. 2013. Т. 47. № 5. С. 598-603.
16. Суровой Э.П., Сухорукова А.А., Бин С.В. Закономерности формирования наноразмерных систем галлий-оксид галлия. Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 12. С. 1287-1292.
17. Суровой Э.П., Борисова Н.В. Термические превращения в наноразмерных слоях MoO3. Журн. физ. химии. 2008. Т. 82. № 11. С. 2120-2125.
18. Суровая В.Э., Бугерко Л.Н., Суровой Э.П. Определение работы выхода наноразмерных пленок висмута и оксида висмута (III). Изв. вузов. Физика. 2014. Т. 57. № 7/2. С. 173-178.
19. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир. 1973. 456 с.
REFERENCES
1. Rakov E.G. Inorganic nanomateiials. M: Binom. 2013. 477 p. (in Russian).
2. Surovoi E.P., Borisova N.V. Regularities of Photostimulated Conversions in Nanometer Aluminum Layers. J. Phys. Chem. 2009. V. 83. N 13. P. 2302-2307. DOI: 10.1134/S0036024409130202.
3. Surovoi E.P., Borisova N.V. Regularities in the formation of na-noscale copper-copper oxide (I) systems. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2009. V. 52. N 4. P. 54-57 (in Russian).
4. Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized bismuth films. Russ. J. Phys. Chem. 2012. V. 86. N 4. P. 702-709 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024412040231.
5. Borisova N.V., Bugerko L.N., Govorina S.P., Surovoi E.P. Study of the interaction of nanoscale copper-oxide copper (I) systems with ammonia. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2010. V. 53. N 1. P. 60-63 (in Russian).
6. Surovoi E.P., Eremeeva G.O. Thermally stimulated transformations of nanosized In-MoO3 systems. Neorg.. Mater.. 2013. V. 49. N 4. P. 404-409 (in Russian). DOI: 10.1134/S0020168513030205.
7. Eremeeva G.O., Surovoi E.P. Thermally stimulated transformations in nanosized indium films. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2012. V. 55. N 12. P. 63-67 (in Russian).
8. Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E. Kinetics of photostimulated transformations in nanosized bismuth films. Zhurn. Fizich. Khim. 2013. V. 87. N 9. P. 1565-1571 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024413090239.
9. Surovoi E.P., Sukhorukova A.A., Bin S.V. Regularities in the formation of nanoscale systems of cobalt-cobalt oxide. INeorg. Mater. 2014. V. 50. N 4. P. 436-441 (in Russian).
10. Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized nickel films. Russ. J. Phys. Chem. 2014. V. 88. N 12. P. 1970-1976 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024414120358.
11. Surovoi E.P., Bin S.V. Surovaya V.E., Bugerko L.N. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized lead films. Zhurn. Fizich. Khim. 2015. V. 89. N 1. P. 85-91 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024415010276.
12. Surovoi E.P., Bugerko L.N., Surovaya V.E., Zaikonni-kova T.M. Kinetic regularities in the formation of a nanoscale system of manganese-manganese oxide. Zhurn. Fizich. Khim. 2016. V. 90. N 3. P. 411-416 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024416030298.
13. Surovoi E.P., Bin S.V. Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized Ni - MoO3 systems. Zhurn. Fizich. Khim. 2017. V. 91. N 2. P. 361-367 (in Russian). DOI: 10.1134/S0036024417020315.
14. Kalygina V.M., Zarubin A.N., Naiden E.P. Anode films of Ga2O3. Influence of thermal annealing on the properties of films. FTP. 2012. V. 46. N 2. P. 278-284 (in Russian).
15. Kalygina V.M., Zarubin A.N., Novikov V.A., Petrova Yu.S. Gallium oxide films obtained by the thermal deposi-tionmethod. FTP. 2013. V. 47. N 5. P. 598-603 (in Russian).
16. Surovoi E.P., Sukhorukova A.A., Bin S.V. Regularities in the formation of nanoscale systems of gallium-gallium oxide. Neorg. Mater. 2014. V. 50. N 12. P. 1287-1292 (in Russian).
17. Surovoi E.P., Borisova N.V. Thermal transformations in nanosized MoO3 layers. Zhurn. Fizich. Khim. 2008. V. 82. N 11. P. 2120-2125 (in Russian).
18. Surovaya V.E., Bugerko L.N, Surovoi E.P. Determination of the work function of nanosized bismuth films and bismuth (III) oxide. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Fizika. 2014. V. 57. N 7/2. P. 173-178 (in Russian).
19. Pankov Zh. Optical processes in semiconductors. M.: Mir. 1973. 456 p. (in Russian).
Поступила в редакцию (Received) 03.05.2018 Принята к опубликованию (Accepted) 22.04.2019
