Теория микроволновой объемной проводимости полупроводников с учетом влияния на время релаксации квазиимпульса носителей заряда разогрева их полем

Малышев В.А.

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

Нагрузкой диода Ганна служит комплексная проводимость Он + іВн , которая должна удовлетворть равенству Он = Ое; Вн + Ве = 0 и создавать резонанс на принимаемой частоте.

Так как Ое можно представить в виде (Ое1 + с/к), то из равенства

Ое = Он для коэффициента преобразования света при регенерации получаем

Е с

к = — =------------, (9)

Ф~ Он - 0А у ’

откуда, выбирая нужное Он , можно получить требуемое значение к . Для

обеспечения резонанса необходимо полученное значение к подставить в Ве и из равенства Вн + Ве = 0 определить необходимое для этого резоВ н .

ЛИТЕРАТУРА

1. Малышев В А. Бортовые активные устройства СВЧ. Л.: Судостроение, 1990. 264с.

УДК 537.311.621.382

В.А. Малышев

ТЕОРИЯ МИКРОВОЛНОВОЙ ОБЪЕМНОЙ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ НА ВРЕМЯ РЕЛАКСАЦИИ КВАЗИИМПУЛЬСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА РАЗОГРЕВА ИХ ПОЛЕМ

Упомянутый разогрев можно учесть, если общеизвестную зависимость от средней энергии носителей 1/У времени релаксации т их сред него квазиимпульса p т = т,Ж [1] (где т1 и Э будут разными при разных механизмах рассеяния) представить, следуя [1], двумя членами разложения 1/ т=/ №) в ряд Тейлора. Тогда, если с учетом этого разложения в уравнениях разогрева и дрейфа носителей:

Ш/Л = вр/шЕ - № - №0/т ;

сСр/Л = вЕ - р/т0 (1 + 5 ( - №0 )/№0) (1)

(где е и т - заряд и масса электрона; Е - поле; № = №0 при Е=0, тв -время релаксации квазиимпульса; т0 =т при № = №0) подставить Е = Е0 + Е1 соъах, р = р0 + р1со ъай + р2ътоХ , № = №00 +Ж1совйХ + №2$таХ и определить методом гармонического баланса р1, р2, р0, №00, №1 и №2, то для объемной проводимости по постоянному току а0 и по переменному

Секция приборов сверхвысоких частот

СВЧ току G = 0'a + jar получаются выражения: a = b - Ib2;

b = Srj.e2E ¡/mWo; A = Spfo/T0mW0

a0 = enp0 / mE 0 = ( 0n¡ 2S TeE 0 )((i + 4r0reSe 2E02/mW 0) - l)«(e2nr0/m )l - a); (2) aa = enpJmEi ={e2nT0lm)[(l-A)(C + Q)+Arnre(( -Qore)]/[(Q + C)2+((0 -Qore f J(3) ar =- enp2¡mEi = (e2nr0/m)[ ( + CA)+ (A -1)^ У [( + C )2 + (0 - Qwre )2 J; (4)

Q = Sp 0TeE0 /[mW 0(l + O T2 )J; C = 1 + SeE 0Tep0¡mW 0

(где n- концентрация носителей), используя которые можно в конкретном полупроводнике строго определить микроволновые параметры его объема с целью использования их при расчете интегральных объемных схем СВЧ [2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Малышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела, Изд-во РГУ, 1979.

2. Гзоздев В.И., Нефедов E.B. Объемные ИС СВЧ. М: Наука, 1985.

УДК 621.373.5

П.В. Желтобрюхов

MICROWAVE OFFICE 4.0: НОВЫЙ УРОВЕНЬ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО

ПРОЕКТИРОВАНИЯ

Последняя версия популярной САПР [1] обладает революционно новыми возможностями для автоматизации процесса разработки высокочастотных устройств благодаря тесной связи этапа синтеза устройства с моделированием и производственными технологиями. Версия 4.0 содержит встроенный язык объектно ориентированного программирования, что позволяет пользователю получить доступ ко встроенным моделям приборов, контролировать процесс разработки схемы, осуществить связь с технологическим процессом и другими возможностями автоматизированного проек-.

Механизм API, доступный в Microwave Office 2000, может быть использован как для автоматизации решения задач, так и для расширения возможностей системы проектирования. Приведенный ниже список лишь при, .

♦ «Мастера» проектов могут быть легко созданы для автоматизации рутинных задач проектирования. Это обеспечивает общий механизм добавления специальных возможностей синтеза, таких, как синтез фильтра или согласующей цепи.

♦ Microwave Office -

матизированных средах тестирования или производства. Объединение различных приложений или тестовых приборов, поддер-

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Малышев В. А.