Научная статья на тему 'Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке'

Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
107
73
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Баранов С. А.

Исследовались петли гистерезиса микропровода Fe 72Si 13B 15 в стеклянной оболочке, характеризующиеся прямоугольной петлей гистерезиса. Покрытие гелем внешней поверхности микропровода трансформируют его в безгистерезисную петлю.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Temperature Modifications of Hysteresis Loops in Glass Coated Amorphous Magnetic Microwire

The hysteresis loops in glass-coated Fe 72Si 13B 15 microwires have been considered. These wires are characterized by a rectangular hysteresis loop. Gel covering of the external surface of the microwire is shown to transform the wire into a hysteresis-free loop.

Текст научной работы на тему «Температурные изменения петли гистерезиса аморфного магнитного микропровода в стеклянной оболочке»

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ПЕТЛИ ГИСТЕРЕЗИСА АМОРФНОГО МАГНИТНОГО МИКРОПРОВОДА В СТЕКЛЯННОЙ ОБОЛОЧКЕ

А ** АДА

с.А. Баранов ’ ’

*

Институт прикладной физики АНМ, ул. Академией, 5, г. Кишинев, MD-2028, Республика Молдова Приднестровский госуниверситет им. Т.Г. Шевченко, ул. 25 Октября, 128, г. Тирасполь,

Dipartement de Ginie Physique, Ecole Polytechnique de Montrial,

C.P. 6079, succ. Centre-ville, Montrial H3C 3A7, (Quibec) Canada, [email protected]

Исследовались петли гистерезиса микропровода Fe72.Si13B15 в стеклянной оболочке, характеризующиеся прямоугольной петлей гистерезиса. Покрытие гелем внешней поверхности микропровода трансформируют его в безгистерезисную петлю.

УДК 538:621.318

Продольное растяжение литого аморфного микропровода в стеклянной оболочке (ЛАМСО) с положительной магнитострикцией приводит к увеличению коэрцитивной силы -Hc, что подтверждает продольную магнитную структуру в микропроводе с положительной магнитострикцией [1-5]. Изначально осевые напряжения больше, чем радиальные и тангенциальные [1]. Если создать в ЛАМСО другие напряжения, то магнитная структура микропровода изменится, что приведет к изменению вида петли гистерезиса.

На квантовом магнетометре измерялись кривые гистерезиса образцов ЛАМСО состава - Fe72. Si13B15 с диаметром металлической жилы - 7 мкм и толщиной стеклянной изоляции - 7 мкм и длиной - 10 мм (рис. 1).

Рис. 1. Эволюция прямоугольной петли гистерезиса при охлаждении образца микропровода Fe72Si13B15 с положительной магнитострикцией в случае, когда стеклянная оболочка его была свободна от закрепления

Гистерезисные кривые имеют прямоугольную форму, и видно увеличение Hc. Нагревание ЛАМСО до температур, пока не существенны необратимые процессы изменения аморфной структуры, приводят к уменьшению Hc (см., например, [5]). После покрытия этих же образцов гелем (из полимерного клея) петли гистерезиса трансформируются (см. рис. 2). Предполагаемое изменение доменной структуры может быть инициировано снятием напряжений в стеклянной изоляции.

© Баранов С. А., Электронная обработка материалов, 2012, 48(4), 112-113.

112

1

1 -U----1---->----1----'----------'---1-----'---1—

-1000 -500 0 500 1000

H (Oe)

Рис. 2. Преобразование прямоугольной петли гистерезиса при охлаждении образца микропровода с положительной магнитострикцией в наклонную петлю в случае, когда его стеклянная оболочка была покрыта полимерным гелем

Полученная магнитная структура может соответствовать структурам ЛАМСО, которые рассмотрены в [6], либо структурам, рассмотренным в [7]. ЛАМСО с прямоугольной петлей имеют естественный ферромагнитный резонанс (ЕФМР) и используются в композитах с радиопоглощающими свойствами [8, 3]. Уменьшение Hc приводит к уменьшению частоты ЕФМР, вплоть до исчезновения ЕФМР [3], что приведет к исчезновению радиопоглощающих свойств в низких температурах. Это позволяет создать температурное реле, основываясь либо на эффекте Баркгаузена [1], либо на изменении коэффициента прохождения высокочастотного электромагнитного поля через образец данного композита [8].

Автор благодарен А. Елону (A. Yelon) и Д. Менарду (D. Menard) за сотрудничество.

ЛИТЕРАТУРА

1. Baranov S.A. Magnetic Models of Cast Amorphous Microwires. Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2011, 47(4), 316-330.

2. Baranov S.A., Karimova G.V., Lomaev G.V. Domain Wall Movement in the Cast Amorphous Microwire.

Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 2006, 42(2), 73-78.

3. Baranov S.A. Estimation of Distribution of Residual Stresses in Core Amorphous Microwires. Metal Science & Heat Treatment. 2001, 43(3-4), 167-168.

4. Baranov S.A., Laroze D., Vargas P., Vazquez M. Domain Structure of Fe-based Microwires. Physica B.

2006, 372, 324-327.

5. Baranov S.A., Keloglu O. Temperature Effect on Reversible Phase Transitions by the Example of Studying Magnetic Properties of Cast Amorphous Microwire. Surface Engineering and Applied Electrochemistry.

2007, 43(2), 107-109.

6. Baranov S.A. Magnetic Properties of Co-based Amorphous Microwire. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2003, 266, 278-281.

7. Baranov S.A., Laroze D., Vargas P., Vazquez M. On Micromagnetic Theory of thin Cast Amorphous Microwires. Physica B. 2006, 372, 320-323.

8. Baranov S.A. Use of a Microconductor with Natural Ferromagnetic Resonance for Radio-absorbing Materials. Technical Physics Letters. 1998, 24(7), 549-550.

Summary

Поступила 19.04.12

The hysteresis loops in glass-coated Fe72Si13B15 microwires have been considered. These wires are characterized by a rectangular hysteresis loop. Gel covering of the external surface of the microwire is shown to transform the wire into a hysteresis-free loop.

113

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.