CC BY
3
УДК 621.382.2 https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2021.2.8
О.М. ФРОЛОВ
Нацюнальний ушверситет кораблебудування iменi адмiрала Макарова
ORCID: 0000-0003-2186-9488 СР. ССЛШЕРСТОВА
Херсонська державна морська академiя
ORCID: 0000-0003-1015-1593 О.Л. КИРИЛОВ
Нацюнальний ушверситет кораблебудування iменi адмiрала Макарова
ORCID: 0000-0002-8021-6340
ТЕХНОЛОГ1ЧН1 ТА КОНСТРУКТИВН1 МЕТОДИ ЗНИЖЕННЯ Р1ВНЯ НИЗЬКОЧАСТОТНОГО ШУМУ В п-р-п ТРАНЗИСТОРАХ
В сmаmmi приведено аналiз складових низькочастотного шуму бтолярних транзисторiв, розробленi конструктивт та технологiчнi методи, яки дозволяють зменшити величину низькочастотного шуму i приведено данi коефщенту шуму на експериментальних зразках транзисторiв. Бiполярнi малошумш транзистори використовують в вхiдних каскадах та каскадах попереднього пiдсилення малих вхiдних сигналiв в електронно'1 апаратурi р1зномантного призначення, що зменшуе перекручування сигналiв i збшьшуе чутливiсть на входi. Чiм менш рiвень шуму транзисторiв, яки використовуються, тим вище яюсть електронно'1 апаратури. Крiм загальновiдомих складових низькочастотного шуму, яки розраховуються за вiдомими вираженнями, в статтi приведено додатковi складовi шуму, яки з-за випадкових факторiв в кожному конкретному випадку, не пiддаються розрахунку. Анал1з вах складових шуму в бтолярному транзисторi показав, що можливо зменшити рiвень шумiв як конструктивними для одних складових шуму, так й технологiчними методами для тших складових. В процеа роботи були розробленi конструкцiя и технологiя кремнiевого планарного п-р-п транзистора зг зниженим рiвнем низькочастотного шуму. Виготовлення експериментальних зразюв транзисторiв та вимiрювання Их електричних параметрiв проводилися на стандартному устаткувант, яке використовуеться для виготовлення малошумних транзисторiв сери КТ3102, яки взято за аналог. Для зменшення рiвня шуму в конструктивному план доцшьно використовувати геометрт емiтерiв в виглядi полос, а в технологiчному планi доцшьно формувати базу транзистора малою дозою домшку, але зi збшьшеною товщиною бази, а також пiд базовi контакти застосовувати додатковi дифузшш шари р-типу провiдностi з пiдвищеною величиною поверховш концентрацИ. Середнi значення коефiцiенту низькочастотного шуму на експериментальних транзисторах отримано приблизно на 30% менш, тж у аналогiчних по електричним параметрам i характеристикам транзисторiв сери КТ3102, що доказуе можливкть зменшення низькочастотних шумiв як конструктивними, так й технологiчними методами.
Ключовi слова: транзистор, низькочастотний шум.
А.Н. ФРОЛОВ
Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова
ORCID: 0000-0003-2186-9488 С.Р.СЕЛИВЕРСТОВА
Херсонская государственная морская академия
ORCID: 0000-0003-1015-1593 О.Л. КИРИЛЛОВ
Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова
ORCID: 0000-0002-8021-6340
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ И КОНСТРУКТИВНЫЕ МЕТОДЫ ПОНИЖЕНИЯ УРОВНЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА В п-р-п ТРАНЗИСТОРАХ
В статье приведен анализ составляющих низкочастотного шума биполярных транзисторов, разработаны конструктивные и технологические методы, которые позволяют уменьшить величину низкочастотного шума, и приведены данные коэффициента шума на экспериментальных образцах транзисторов. Биполярные малошумящие транзисторы применяют во входных каскадах и каскадах предварительного усиления малых входных сигналов в электронной аппаратуре различного назначения, что уменьшает искажения сигнала на выходе и увеличивает чувствительность на входе. Чем меньше уровень шума применяемых транзисторов, тем выше качество электронной аппаратуры. Кроме общеизвестных составляющих низкочастотного шума, которые рассчитываются по известным выражениям, в статье приводятся дополнительные составляющие шума, которые, из-за случайных
факторов в каждом конкретном случае, не поддаются расчету. Анализ всех составляющих шума в биполярном транзисторе показал, что можно уменьшить уровень шумов как конструктивными для одних составляющих шума, так и технологическими методами для других составляющих. В процессе работы были разработаны конструкция и технология биполярного кремниевого планарного n-p-n транзистора с пониженным уровнем низкочастотного шума. Изготовление экспериментальных образцов и измерение их электрических параметров проводилось на стандартном оборудовании, применяемом для изготовления малошумящих кремниевых транзисторов серии КТ3102, принятых за аналог. Для уменьшения уровня шума в конструктивном плане целесообразно применять полосковую геометрию эмиттеров, а в технологическом плане целесообразно формировать базу транзистора малой дозой примеси, но с увеличенной толщиной базы, а также под базовые контакты применять дополнительные диффузионные слои p-типа проводимости с увеличенной величиной поверхностной концентрации. Усредненные значения коэффициента низкочастотного шума на экспериментальных транзисторах получены примерно на 30% меньше, чем у аналогичных по электрическим параметрам и характеристикам транзисторов серии КТ3102, что доказывает возможность уменьшения низкочастотных шумов как конструктивными, так и технологическими методами.
Ключевые слова: транзистор, низкочастотный шум.
A.N. FROLOV
National University of Shipbuilding named after Admiral Makarov
ORCID: 0000-0003-2186-9488 S.R. SELIVERSTOVA
Kherson State Maritime Academy
ORCID: 0000-0003-1015-1593 O.L. KIRILLOV
National University of Shipbuilding named after Admiral Makarov
ORCID: 0000-0002-8021-6340
TECHNOLOGICAL AND CONSTRUCTIVE METHODS FOR REDUCING THE LEVEL OF LOW-FREQUENCY NOISE IN n-p-n TRANSISTORS
The article provides an analysis of the components of the low-frequency noise of bipolar transistors, developed constructive and technological methods that allow to reduce the amount of low-frequency noise, and provide data on the noise figure on experimental samples of transistors. Bipolar low-noise transistors are used in the input stages and stages ofpreliminary amplification of small input signals in electronic equipment for various purposes, which reduces signal distortion at the output and increases the sensitivity at the input. The lower the noise level of the used transistors, the higher the quality of the electronic equipment. In addition to the well-known components of low-frequency noise, which are calculated according to known expressions, the article contains additional noise components that, due to random factors in each specific case, cannot be calculated. Analysis of all noise components in a bipolar transistor has shown that it is possible to reduce the noise level both by constructive for some noise components and by technological methods for other components. In the process of work, the design and technology of a bipolar silicon planar n-p-n transistor with a low level of low-frequency noise were developed. The manufacture of experimental samples and the measurement of their electrical parameters were carried out on standard equipment used for the manufacture of low-noise silicon transistors of the KT3102 series, taken as an analogue. To reduce the noise level in the constructive sense, it is advisable to use the strip geometry of the emitters, and in the technological plan, it is advisable to form the base of the transistor with a small dose of impurity, but with an increased base thickness, and also to use additional diffusion layers of p-type conductivity with an increased value of the surface concentration under the base contacts. The averaged values of the low-frequency noise factor on the experimental transistors were obtained by about 30% less than those of the KT3102 series transistors similar in electrical parameters and characteristics, which proves the possibility of reducing low-frequency noise by both constructive and technological methods.
Keywords: transistor, low-frequency noise.
Постановка проблеми
Промисловютю pi3Hm кра!н випускаеться велика кшьшсть ушверсальних Tparo^TOpiB. Особливу групу серед них складають малошумливi транзистори. Вони застосовуються в малошумящей аналоговш техтщ, як правило, у вхвдних каскадах i каскадах попереднього посилення. Однак, i при цифровш обробщ шформацп при слабких вхвдних сигналах необхвдно застосовувати транзистори з малим piвнем сигналiв. Поява власних шумiв застосовуваних тpанзистоpiв у вхвдних каскадах зменшуе чутливють приладу i призводить до викривлень. Тому, виникае необхвдшсть в малошумних нашвпроввдникових приладах, в тому числ^ транзисторах. З самого початку появи тpанзистоpiв для зниження piвня шумiв постшно проводиться дослвдження piзних видiв шумiв i !х джерел [1,2]. Шсля початку промислового виробництва
бшолярних транзисторiв, частину з них випускали як малошумливi, - з вимiрюванням рiвня шумiв [3,4]. У мiру розвитку технологи рiвнi низькочастотних шумiв зменшувалися, що показано даними в таблицi 1.
Таблиця 1
_Показники зменшення р1вия низькочастотного шуму бiполярних трашисторiв_
№
Тип бшолярних транзисторiв,
Матерiал
Технологiя
Максимальний струм колектора, мА
Кш, дБ, не больше
МП28, р-п-р
Германiй
Сплавна
6
5
МП36А, п-р-п
Германiй
Сплавна
20
12
МП39Б, р-п-р
Германш
Сплавна
20
12
МП101А, п-р-п
Кремнiй
Сплавна
20
15
ВС701 ВСХ71К
Кремнiй
Планарна
100
BCW60В, (С, Р)
Кремнiй
Планарна
100
КТ3102А (Б,В,Г)
Кремнiй
Планарна
100
ВС849, ВС859
Кремнш
Планарна
100
З даних таблицi 1 видно, що:
1. Електронна промисловють рiзних кра1н проводила i проводить випуск малошумних транзисторiв.
2. Чим менше допустимий максимальний струм колектора при однаковш технологи, тим менше коефiцieнт шуму, що видно за даними гермашевих транзисторiв.
3. Рiвень шумiв транзисторiв одного типу проввдносп в мiру розвитку технологи зменшуеться.
4. У кремнiевих транзисторiв, виготовлених за планарною технологiею, рiвень шумiв менше нiж у германiевих транзисторiв, виготовлених за сплавною технологiею.
Аналiз останнiх досл1джень i публiкацiй
Як показано в [5] для зменшення низькочастотних шумiв можуть бути застосован змiни в конструкци напiвпровiдникових прилащв i в технологи 1х виготовлення.
Низькочастотнi шуми в бiполярних транзисторах складаються з декiлькох складових [6,7]: - з теплових шумiв в розподшеному опорi бази, з дробових шумiв струмiв, як1 пропкають через р-п переходи i з рекомбшацшних шумiв, як1 дiляться на поверхневi рекомбiнацiйнi шуми i на рекомбшацшш шуми в об'емi. Вочевидь, що крiм цих складових юнують i ще калька причин появи низькочастотного шуму, наприклад, пов'язанi з нерiвномiрнiстю дифузiйного фронту на р-п переходах.
1. Перша складова шуму - це тепловi шуми, яш визначаються напругою шумiв (иТБ) на опорi бази i описуються формулою Найкыста:
_2
иТ .Б
= 4кТ ■ гб -А/
(1)
де к -постшна Больцмана;
Т- температура;
А/ - дiапазон частот;
г б - отр бази.
В даному випадку при вимiрюваннi шумiв постiйними величинами е к, Т i Аf. А единою величиною, на яку можна вплинути змiною конструкци або технологи виготовлення е отр бази транзистора - гб. Для зменшення ще! складово! шуму необх1дно зменшувати отр бази.
2. Друга складова шумiв в транзисторах - це дробовi шуми, яш виникають через флуктуацш струмiв, що протiкають через р-п переходи. Струм дробового шуму визначаеться за формулою:
_2
I 2 = 2е1 ■ А/;
'Д
(2)
де I - струм, що пропкае через транзистор в режимi вимiрювання шумiв;
е - заряд електрона.
При вимiрi шумiв в заданих режимах цi величини е постiйними. Тому дана складова шуму не може бути змшена ш технологiчним, нi конструктивним способом.
3. Поверхневi рекомбiнацiйнi шуми в свош основi виникають через процеси рекомбiнацil дiрок з електронами на поверхнi напiвпровiдника. Третя складова шуму - це ток поверхневого рекомбшацшного шуму, який визначаеться виразом:
12 = А ■
^ = А / ^
6
6
4
4
де / - частота;
А - коэфщент пропорцшносп.
Для зменшення ще! складово! шуму необх1дно збiльшувати граничну частоту транзистора i зменшувати величину А. Очевидно, що рекомбiнацiйнi процеси на поверхнi пов'язаш з струмами витоку 1КБО i 1ЭБО. Чим менше цi струми, тим менше процесiв рекомбшаци, як на поверхш, так в обсязi транзистора.
4. Об'емнi рекомбiнацiйнi шуми виникають в р-п переходах емггера (1р.э) i колектора (1р.к), а також в обсягах бази i колектора через дефекти кристалiчно! гратки. Четверта складова шумiв в транзисторах -це рекомбшацшний ток шуму в обласп емiтера, який визначаеться виразом:
7\ - ■ I~ ; (4)
р.Э Э Э у
де 1Э струм через емiтерний р-п перехщ в режимi вимiрювання шумiв;
Аэ - коефiцiент, пов'язаний з штенсившстю процесiв рекомбшаци електронiв i дiрок на емiтерному р-п перехода
Так як iнтенсивнiсть процесiв рекомбшаци дiрок i електронiв у емггера пропорцiйна концентраций то для зменшення ще! складово! шуму необхвдно зменшувати концентрацш домiшки на емiтерний р-п переходi - Ыэб..
5. П'ята складова шуму - це рекомбшацшний струм шуму в обласп колекторного р-п переходу, який пропорцшний шириш обласп просторового заряду (ОПЗ) - WОПЗ. Ця складова шуму визначаеться за виразом:
-2
1р.К - АК
- А^ ■.ЦТ; (5)
де иК - напруга на колекторi в режимi вимiрювання шумiв.
Для зменшення ше! складово! шуму необхвдно зменшувати ширину ОПЗ р-п переходу колектор-база. Так як напруга на колекторi в заданих режимах вимiрювання е величиною постшною, то для зменшення ширини ОПЗ необх1дно збiльшувати концентрацш домшки на колекторному р-п переходi -ЫКБ, тобто застосовувати мшмально необхвдне питомий опiр епiтаксiйного шару.
6. Додатковими складовими шумiв в транзисторах е дефекти кристалiчно! структури (шоста складова шуму). Чим менше дефекпв, тим менше буде ця складова шуму транзистора.
7. Крiм того, можлива поява i ще одте! складово! шуму (сьома складова), яка пов'язана з нерiвномiрнiстю дифузшних фронтiв емiтерного i колекторного р-п переходiв. Вид нерiвномiрностi дифузiйних фронлв показаний на рисунку 1.
Рис.1. Структура п-р-п транзистора з нерiвномiрнiстю дифузiйних шар1в бази та емггера
Нерiвномiрнiсть дифузiйних фронтiв призводить до появи дмнок з меншою товщиною бази. У цих дiлянках з'являеться пiдвищена щiльнiсть струмiв, що призводить до зб№шення температури дано! дшянки. Зпдно формули (1) це призводить до тдвищення величини ыт.б. i до збiльшення рiвня шумiв транзистора. Чим менше ввдношення AWв/Wвo, тим менше щ№шсть струму на донках нерiвномiрностi дифузiйних фронтiв. Це вщношення можна зменшити збiльшенням величини WB0 - товщини бази по металургшним межам р-п переходiв.
Формулювання мети дослщження
Основне завдання - визначити основш напрямки зменшення низькочастотних шумiв в дрейфових п-р-п транзисторах конструктивними i технологiчними методами на основi аналiзу всiх складових низькочастотного шуму в транзисторах i створити структуру малошумящего транзистора зi зменшеним рiвнем шумiв i технологш його виготовлення.
Викладення основного матерiалу дослвдження
Як правило, малошумш транзистори представляють собою кремнieвi планарнi унiверсальнi транзистори з напругою пробою до 100В. В якосп експериментально! структури був обраний транзистор з електричними параметрами i характеристиками аналогiчними малошумним транзисторам серп КТ3102. Для виготовлення транзисторiв була застосована одношарова кремнieва ештакаальна структура тiпономiналом:
10КЭФ2,7
76---
400ЭКЭС0,01
де: 76 - дiаметр пiдкладинки, мм;
10 - товщина епiтаксiйного шару п-типу провiдностi, мкм;
2,7 - питомий опiр ештаксшного шару, Омсм;
400 - товщина шдкладки п-типу провiдностi, мкм.
0,01- питомий отр пiдкладки, Омсм;
КЭФ - кремнш, електронний, легований фосфором;
ЭКЭС - ештакаальний кремнiй, електронний, легований сурмою.
Шсля х1мГчно! обробки, стандартного окислення i першо! фотолггографп на пластинах формувалися базовi обласп в два етапи. На першому етапi проводилося iонне впровадження бору на установках типу «Везувш» малою дозою бору - 4 мкКл/см2. Попм, проводився перерозподiл базово! домшки (разгонка) в термодiффузiонних печах при температурi 11800С в парогазовому середовищг - 5хв. (Сухий кисень) + 15хв. (Пари води з 1% соляною кислотою) + 90хв. (Сухий кисень).
Мала доза домiшки, що впроваджена в базу, i висока температура, при дифузп бору в базу, дозволяють усунути або ютотно зменшити число радiацiйних дефектiв, що виникають пiсля iонного впровадження. Додатково до цього, чим менше доза домшки, тим менше к1льк1сть дефекпв кристалiчно! структури, що виникають шсля дифузи домiшки [8], як1 також можуть викликати флуктуацп струмiв в базi транзистора. Таким чином, ця (сьома) складова шумiв транзистора зменшуеться.
Крiм того, при формуваннi базово! обласл малою дозою колекторний р-п переход виходить не ступiнчастим ^зким), а наближаеться до лiнiйного (плавного), що дозволяе зменшити питомий отр ештаксшного шару при збереженш напруги пробою. При цьому збiльшена концентрация домiшки на колекторному р-п переходi призводить до зменшення ширини ОПЗ цього переходу i до зменшення рекомбiнацiйного струму 1р.к. Однак при малш дозi поверхнева концентрацiя домшки в базi виходить малою, що може створити на контакт! металу до базових областей переходу Шоттш, що мае випрямними властивостями. Крiм того, мала поверхнева концентрацiя, при наявносп рухомих i нерухомих позитивних зарядiв в шарах захисного оксиду кремшю i на кордонi «кремнш - оксид кремшю» може привести до створення инверсионного шару п-типу проввдносп i до замикання емггера з колектором в п-р-п транзистора
Тому, на наступному етапi виготовлення транзисторiв формувалися додатковi областi шд базовi контакти пiсля друго! фотолггографп i дифузи бору в двi стада. На першiй стадп (загонкою) проводилося диффузшне впровадження домшки бору в термодiфузiйнiй печi для отримання поверхневого опору Яз=1100м / □. Значення поверхневого опору областей р-типу проввдносп вимiрювалися 4-х зондовим методом. Для подальшого зменшення величини гб поверхневий опр необхiдно формувати мшмально можливим, але так, щоб значення напруги пробою р-п переходу емггер-база не стали менш допустимого значення.
Друга стад1я (разгонка) для перерозподiлу домшки проводилася в термодiффузiонного печах при температурi 11500С з одночасним окислениям в переб^ - 65 хв. Отримаш областi з високою поверхневою концентрацiею домГшки пГд базовi контакти повшстю оточували емiтери для виключення iнверсних шарiв, як показано на рисунку 2. А низьш значення поверхневого опору областей щд базовi контакти дозволяють зменшити опГр вщ базового контакту до краю емггера, що зменшуе одну з основних складових низькочастотних шум1в за рахунок зменшення величини г б в формул! (1).
Б Э Б Э Б
' 1
Области под бачаяме кпн пшктм вокруг эмиттеров
Рис.2. Фрагмент структури п-р-п транзистора з додатковими областями р + -типу п1д
контактами до бази.
Попм, слщували технолопчш операцп: фотолiтографiя пiд емiтери, дифузiя фосфору при температурi 10400С протягом 23-25 хв., фотолiтографiя пiд контактнi вiкна, вимiр електричних параметрiв на тестових елементах. Електричнi параметри i характеристики тестових структур вимiрювалися на вимiрнику параметрiв напiвпровiдникових приладiв - установц Л2-56.
Для отримання експериментальних зразшв транзисторiв з рiзними коефiцieнтами тдсилення був застосований процес доразгонки фосфору при температурi 8500С для рiзних пластин протягом вiд 15 хв. до 45 хв. Шсля чергового вимiрювання електричних параметрiв транзисторiв проводилося вакуумне напилення алюмiнiю, фотолiтографiя по алюмшш, вiдпал алюмiнiю при температурi 5100С протягом 15 хв. в неошсленш атмосферi i вимiрювання електричних параметрiв транзисторiв на кристалах.
Розкид коефiцieнтiв посилення транзисторiв по кожнш пластинi становив ± (6-9)%, рiвень струмiв витоку колекторного р-п переходу (1кбо) не перевищував 0,001мкА. Для збiрки в корпус були вщбраш пластини з величинами коефiцieнтiв посилення (140 ± 11) од., (292 ± 20) од., (675 ± 35) од., Тобто з рiзною товщиною бази. Транзистори були зiбранi в корпус КТ-46 (80Т-23). Шсля вщбраковування по електричним параметрам (напруги пробою, струми витоку, коефiцieнти посилення, гранична частота) для дослвджень було вщбрано по 10 шт. транзисторiв, отриманих з рiзних пластин методом випадкового вiдбору. Значення гранично! частоти на експериментальних зразках склали (420-450) МГц, що вище, шж у аналопв, - транзисторiв серi! КТ3102 - (309-321) МГц. Вимiрювання коефщента низькочастотного шуму експериментальних зразшв проводилося на стандартному обладнанш методом безпосереднього вимiрювання одночасно з вимiрюванням шумiв бiполярних транзисторiв серi!' КТ3102. Також на цих транзисторах проводилось вимiрювання коефiцieнтiв посилення. Результати вимiрювань i порiвняльнi параметри транзисторiв КТ3102 наведеш в таблицi 2.
Таблиця 2
Дам вимiрювань косчфщкнпв посилення i низькочастотних шумiв_
№ Експериментальш транзистори КТ3102
1-а група 2-а група 3-а група
^21э, ед. Кш, дб ¿21э, ед. Кш, дб ¿21э, ед. Кш, дб ¿21э, ед. Кш, дб
1 135 2,5 295 2,5 690 2,4 530 3,6
2 142 2,4 300 2,5 675 2,5 575 3,5
3 145 2,6 293 2,6 695 2,5 565 3,3
4 151 2,4 275 2,4 655 2,4 615 3,6
5 150 2,4 280 2,5 655 2,5 610 3,6
6 137 2,5 290 2,4 670 2,4 540 3,7
7 130 2,6 305 2,5 685 2,6 600 3,6
8 135 2,5 307 2,4 670 2,4 560 3,5
9 135 2,4 280 2,5 675 2,4 545 3,7
10 140 2,4 295 2,4 680 2,5 560 3,7
Середш 140 2,47 292 2,47 675 2,46 570 3,58
Як видно з даних таблиц 2 рiвень низькочастотного шуму на експериментальних зразках приблизно на 1/3 менше, шж у аналогiв КТ3102. Також, експериментальш зразки мали вищу граничну частоту - (470-480) МГц проти (308-315) МГц у КТ3102.
Крiм того, не виявлено явна залежшсть коефiцieнта шуму вiд коефiцieнта посилення транзистора, що може бути пов'язано з малою шльшстю експериментальних зразшв.
Висновки
1. В результатi дослвдження отримана структура високочастотного кремнieвого ушверсального дрейфового п-р-п транзистора зi зменшеним на 30% рiвнем низькочастотних шумiв в порiвняннi з аналогом КТ3102.
2. Застосування полосково! конструкци (топологи) транзистора i додатково! дифузп пвд базовi контакти дозволяють зменшити величину гб, що призводить до зменшення складово!' шуму - напруги шумiв Ыт.Б .
3. Застосування зменшеною дози домiшки для створення бази транзистора дозволяе:
- сформувати колекторний лiнiйний р-п переход замють ступенево!, що призводить до можливосп збiльшити концентрацiю домiшки в ештаксиальш шарi при збереженнi напруги лавинного пробою. А це зменшуе ширину ОПЗ колекторного р-п переходу i зменшуе складову шуму, - рекомбшацшний струм шуму в областi колекторного р-п переходу 1р.к;
- зменшити концентрацш домiшки на емiтерному р-п переход^ що призводить до зменшення складово! шуму, - рекомбшацшного струму шуму в обласп емiтера - гр.Э;
- зменшити к1льк1сть дефекпв кристалiчно! структури, що зменшуе додатковi складовi шуму;
- призводить до необхщносп формувати базу з б№шою товщиною, що, при noHBi HepiBHOMipHOCTi дифузшних фpонтiв, призводить до зменшення щшъносп струму в аномальних точках i зменшуе додатковi величини в складовш шуму - напpузi шумiв иТ.Б .
Список використаиоТ лiтератури
1. Bu S.T., Huang D.M., Jiao G.F., Yu H.Y., Ming-Fu Li. Low frequency noise in tunneling field effect transistor. Solid State Electronics. 2017. Vol. 137. P.95-101.
2. Slatter J. Full direct low frequency noise characterization of GaAs heterojunction bipolar transistor. Solid State Electronics. 2005. Vol. 49, № 8. P.1361-1369.
3. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: справочник / Горюнов Н.Н., В.Л.Аронов, А.В.Баюков. Москва: Энергоатомиздат, 1985. 904 с.
4. Md Mazhar Ul Hoque, Zeynep Celik-Butler, Samuel Martin, Chris Knorr, Constantin Bulucea. Dependence of low frequency noise in SiGe heterojunction bipolar transistors on the dimensional and structural features of extrinsic regions. Solid State Electronics. 2005. Vol. 50, № 7-8. P.1430-1439.
5. Simoen F., Mercha A., Claeys C., Lukyanchicova N.. Low frequency noise in silicon on insulated device and technologies. Solid State Electronics. 2006. Vol. 51, № 1.- P.16 -37.
6. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах / гл.ред. Зи С. М.: Мир, 1984. Т.1. 456 с.
7. Самойлов Н.А., Фролов А.Н., Шутов С.В. Влияние профиля легирования на пробивные напряжения коллекторного перехода в планарных n-p-n транзисторах. Журнал технической физики. 1998. №10, т.68. - С.136 -137.
Referenses
1. Bu S.T., Huang D.M., Jiao G.F., Yu H.Y., Ming-Fu Li. Low frequency noise in tunneling field effect transistor. Solid State Electronics. 2017. Vol. 137. P.95-101.
2. Slatter J. Full direct low frequency noise characterization of GaAs heterojunction bipolar transistor. Solid State Electronics. 2005. Vol. 49, № 8. P.1361-1369.
3. Semiconductor devices. Transistors: reference book / Goryunov N.N., V.L. Aronov, A.V. Bayukov. Moscow: Energoatomizdat, 1985. 904 p.
4. Md Mazhar Ul Hoque, Zeynep Qelik-Butler, Samuel Martin, Chris Knorr, Constantin Bulucea. Dependence of low frequency noise in SiGe heterojunction bipolar transistors on the dimensional and structural features of extrinsic regions. Solid State Electronics. 2005. Vol. 50, № 7-8. P.1430-1439.
5. Simoen F., Mercha A., Claeys C., Lukyanchicova N.. Low frequency noise in silicon on insulated device and technologies. Solid State Electronics. 2006. Vol. 51, № 1.- P.16 -37.
6. Physics of semiconductor devices: in 2 books / Ch.ed. Zi S.M .: Mir, 1984.Vol. 1. 456 р.
7. Samoilov N.A., Frolov A.N., Shutov S.V. Influence of the doping profile on the breakdown voltages of the collector junction in planar n-p-n transistors. Technical Physics Journal. 1998, no. 10, v. 68, рр. 136 -137.
