CC BY
7МИКРО- И НАНОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА MICRO- AND NANOSYSTEM TECHNOLOGY
Научная статья УДК 621.3.049.779:681.586 doi:10.24151/1561-5405-2024-29-1-79-88 EDN: WKBHSJ
Технологические аспекты изготовления чувствительных элементов микромеханических датчиков удара
12 12 12 12 Е. С. Кочурина' , А. И. Виноградов ' , Л. Р. Боев ' , Н. М. Зарянкин ' ,
С. А. Анчутин1'2, И. С. Дернов1'2, А. С. Тимошенков1'2, С. П. Тимошенков1
1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
2ООО «Лаборатория микроприборов», г. Москва, Россия ekochurina@mp-lab.ru
Аннотация. При индикации ударных воздействий используются различные типы устройств - от разрушающих пломб до сложных инерционных систем. Возникает необходимость в разработке устройства, которое способно сигнализировать о превышении допустимого ускорения или о том, что груз был подвержен ударному воздействию. Примером такого устройства может быть датчик удара. В работе представлены разработанная оригинальная конструкция чувствительного элемента микромеханического датчика удара КМГ-1 и принцип его работы. В качестве материала для изготовления чувствительного элемента микромеханического датчика удара использована КНИ-структура с ориентацией рабочего слоя (111). Рассмотрены основные технологические операции изготовления прототипа микромеханического датчика удара с использованием Бо8еЬ-процесса и эвтектического сращивания. Определены параметры глубокого травления кремния. Подобраны процесс травления, уменьшающий эффект подтрав-ливания готовых структур на границе разделения приборный слой - диэлектрик, а также параметры эвтектического сращивания кремниевых структур. Показано, что применение предлагаемого технологического процесса позволяет получать допуск на уровень срабатывания от 10 до 50 %. Разработанный микромеханический датчик удара КМГ-1 может использоваться для фиксации различных ударных воздействий при транспортировании груза.
Ключевые слова: микромеханический датчик удара, чувствительный элемент, кремний на изоляторе, глубокое травление кремния, эвтектическое соединение
© Е. С. Кочурина, А. И. Виноградов, Л. Р. Боев, Н. М. Зарянкин, С. А. Анчутин, И. С. Дернов, А. С. Тимошенков, С. П. Тимошенков, 2024
Для цитирования: Технологические аспекты изготовления чувствительных элементов микромеханических датчиков удара / Е. С. Кочурина, А. И. Виноградов, Л. Р. Боев и др.// Изв. вузов. Электроника. 2024. Т. 29. № 1. С. 79-88. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-1-79-88. - EDN: WKBHSJ.
Original article
Technological aspects of manufacturing sensing elements of micromechanical impact sensors
12 12 12 12 E. S. Kochurina ' , A. I. Vinogradov ' , L. R. Boev ' , N. M. Zaryankin ' , 12 12 12 1 S. A. Anchutin ' , I. S. Dernov ' , A. S. Timoshenkov ' , S. P. Timoshenkov
1National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia
2 "Laboratory of Micro-Devices" LLC, Moscow, Russia ekochurina@mp-lab.ru
Abstract. Modern approach to cargo transportation evaluation consists in continuous collection of such object data as nature and level of diverse effects while in operation, and their intensity. In the process of impact indication various types of devices are used, from destructive sealing to complex inertial systems. A need arises to design a device that can report the exceeding of allowable acceleration or the cargo exposure to impact action. An example of such a device would be an impact sensor. In this work, the developed design of the micromechanical impact sensor KMG-1 and the principle of its operation are presented. A silicon-on-insulator structure with the (111) orientation of working layer was used as material for sensitive element manufacturing. The main stages of the technological process of manufacturing a prototype of micromechanical impact sensor using Bosch process and eutectic soldering are considered. The parameters of deep etching of silicon were set. The etching process has been adjusted to reduce the effect of ready structures undercut on the line of device layer - insulator division. The parameters of silicon patterns eutectic soldering have been selected. It was shown that the use of proposed technological process allows obtaining a tolerance for a response level from 10 to 50 %. The developed micromechanical impact sensor KMG-1 can be applied to fix various impact actions during cargo transportation.
Keywords: micromechanical impact sensor, sensitive element, silicon-on- insulator, deep silicon etching, eutectic soldering
For citation: Kochurina E. S., Vinogradov A. I., Boev L. R., Zaryankin N. M., Anchutin S. A., Dernov I. S., Timoshenkov A. S., Timoshenkov S. P. Technological aspects of manufacturing sensing elements of micromechanical impact sensors. Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 1, pp. 79-88. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-1-79-88. - EDN: WKBHSJ.
Введение. Современный подход к оценке транспортных грузоперевозок заключается в непрерывном накоплении таких данных об объекте, как характер и степень различных воздействий в процессе эксплуатации, их интенсивность. При индикации различных ударных воздействий используются разные типы устройств - от разрушающих пломб до сложных инерциальных систем. В настоящей работе описывается мик-
ромеханический датчик удара КМГ-1, разработанный и изготовленный совместно ООО «ЛМП» (г. Москва, г. Зеленоград) и Институтом нано- и микросистемной техники МИЭТ, может использоваться для фиксации ударных воздействий при транспортировании груза.
Описание конструкции чувствительного элемента и принцип его работы.
Структура разработанного чувствительного элемента микромеханического датчика удара показана на рис. 1. При ударном воздействии вдоль оси чувствительности инерционная масса перемещается и образуется контакт с крышкой.
Рис. 1. Структура разработанного микромеханического датчика удара Fig. 1. The structure of the developed micromechanical impact sensor
Подвес конструкции в сечении имеет форму прямоугольника (рис. 2). Моменты инер-
й г г т hb т Ш
ции для прямоугольника для главных центральных осей Jy и Jz равны: Jy = , Jz = .
При ударном воздействии на датчик подвес прогибается (рис. 3). Максимальное смещение при прогибе равно:
Pl3
Jm
3EJ„ '
где минус означает направление изменения утах; „та
Р = - сила, действующая на чувствительный
элемент; т - инерционная масса; а - действующее ускорение; N - количество торсионов; I - длина торсиона; Е - модуль упругости; Р
К =--коэффициент упругости балки.
Уmax
Зависимость коэффициента упругости балки от толщины торсиона имеет вид
Р ЗЕЬИ3
K-
Jm
13
Рис. 3. Схема прогиба торсиона
при ударном воздействии Fig. 3. Scheme of the deflection of the torsion bar under impact
0,5 87 100 132 200
Уровень срабатывания g
Рис. 4. Зависимость уровня срабатывания
от толщины торсиона Fig. 4. Dependence of the level of operation on the thickness of the torsion bar
Разработанная конструкция позволяет варьировать ударное воздействие в зависимости от толщины торсиона (рис. 4). По зависимости можно оценить, что если толщина торсиона изготовленного датчика составляет от 5 до 12 мкм, то он будет иметь допуск по уровню срабатывания 20 % (датчик должен сработать в диапазоне 87-132 g). Фактическая толщина торсиона зависит от нескольких факторов, в том числе от качества исходных пластин (погрешности толщины рабочего слоя КНИ-структуры). Снижая погрешность с помощью полировки, шлифовки или других методов, можно при необходимости получить датчик с допуском 10 % и ниже.
Особенности технологии изготовления датчика удара. Технологический маршрут изготовления чувствительного элемента микромеханического датчика удара включает в себя традиционные операции микросистемной техники и микроэлектроники, в том числе глубокое травление кремния и эвтектическое сращивание. В настоящее время существует множество методов для глубокого травления кремния с применением плазмы. Проведенные исследования показали, что оптимальным для кремниевых МЭМС является использование ВоБсЬ-процесса. Один из ключевых параметров ВоБсЬ-процесса - давление, от которого зависят физические свойства плазмы в объеме рабочей камеры. При формировании профиля с высоким аспектным отношением (более 1 : 20) давление понижается (до 4-5 Па), что позволяет сохранять качество поверхности, в частности уменьшается шероховатость, снижается неоднородность и др. [1-3].
На основании проведенных исследований определены следующие параметры глу-
бокого травления кремния:
Мощность ICP-разряда......................................................................1800 Вт
Давление в реакторе............................................................................4,5 Па
Температура электрода.........................................................................10 °С
Мощность генератора смещения (400 кГц).......................................200 Вт
Расходы рабочих газов (SF6/C4F8)......................................300/100 см3/мин
На рис. 5 представлены фрагменты чувствительного элемента микромеханического датчика удара. Материалом для изготовления чувствительного элемента датчика удара является КНИ-структура с ориентацией рабочего слоя (111). Использование КНИ-структуры позволяет получать упругие элементы в рабочем слой с толщиной, равной толщине или меньшей толщины приборного слоя, не прибегая к операции глубокого прецизионного травления пластины носителя с обратной стороны структуры.
а 6
Рис. 5. Фрагменты чувствительного элемента микромеханического датчика удара: а - вид сверху;
б - вид сбоку (L1 = 30 мкм, L2 = 460 мкм) Fig. 5. Fragments of the sensitive element of the micromechanical impact sensor: a - top view;
b - side view (L1 = 30 цт, L2 = 460 цт)
Одна из важнейших характеристик процесса травления - однородность (равномерность) скорости травления по поверхности пластины. Можно предположить, что осевое магнитное поле, наложенное на плазму разряда, способно стабилизировать разряд и способствовать повышению однородности травления. В ходе плазмохимического травления кремния на большую глубину при формировании элементов МЭМС возникает проблема поддержания высокой равномерности травления по всей поверхности обрабатываемой пластины. Это важно при формировании объемных структур, в которых однородность глубины (толщины) элементов непосредственно влияет на качество и воспроизводимость их работы [4-6]. Основные причины возникновения неоднородности [7-10]:
- амбиполярная диффузия, приводящая к снижению плотности плазмы (а следовательно, и скорости травления) на периферии пластины;
- скин-эффект, способствующий повышению скорости травления на периферии пластины;
- загрузочный эффект, проявляющийся при травлении больших открытых площадей кремния с высокой скоростью. Загрузочный эффект снижает скорость травления в центре пластины ввиду затруднения доставки газа-реагента к центру пластины и отвода продуктов реакции.
При травлении КНИ-структур возникает эффект подтравливания готовых структур на границе раздела приборный слой - диэлектрик (рис. 6, а). При малой ширине элементов это может приводить к отслаиванию готовых элементов конструкции от платины носителя (рис. 6, б). После проведения исследований подобран процесс травления, нивелирующий этот дефект на готовых конструкциях (рис. 6, в). Уменьшив энергию отражающихся от поверхности диэлектрика ионов, удается уменьшить или полностью устранить эффект подтрава. Добиться этого можно либо путем уменьшения энергии смещения на подложке (от 150 до 10 Вт), заменив источник смещения на низкочастотный, либо путем сокращения времени перетравливания до минимума (от 1 мин до 10 с).
Рис. 6. Схема подтравливания готовых структур: а - средний уровень подтрава; б - перетрав с вывешиванием структуры; в - структура без подтравов Fig. 6. Scheme of etching of ready structures: a - average level of etching; b - overtreatment with structure hanging; c - structure without undercuts
При создании герметичного объема внутри кристалла и электрической связи между крышкой и приборным слоем КНИ-пластины используется эвтектическое сращивание кремниевых пластин через слой металла (см. рис. 1). Для проведения процесса необходимо нанести на одну из кремниевых поверхностей слой металла, способного образовывать эвтектический сплав с кремнием + Si, SnBi + Si и т. д.), далее следует обеспечить максимально плотный контакт сращиваемых поверхностей на максимальной площади и необходимый температурный профиль процесса по времени и номиналу температуры. На рис. 7 изображены разрушенный эвтектический шов сращивания кремниевой крышки и приборный слой КНИ-пластины. Параметры подобранного режима сращивания кремниевых структур следующие:
Температура сращивания.................................................................~ 450 °С
Давление в камере при сращивании.....................................................1 Па
Общее время процесса...........................................................................~ 2 ч
Усилие прижатия пластин...................................................................200 кг
а б
Рис. 7. Фрагменты эвтектического шва сращивания кремниевой крышки (а) и приборного слоя
КНИ-пластины (б)
Fig. 7. Fragments of the eutectic seam splicing the silicon cover (a) and the instrument layer
of the SOI wafer (b)
Датчик удара вклеивали в корпус. Объем внутри корпуса заполняли защитной атмосферой (осушенным азотом) и герметизировали, сваривая крышку и основание корпуса. Электрическое соединение между контактными площадками кристалла и выводами корпуса осуществляли с помощью проволочных выводов, что объясняется высокой автоматизацией процесса, универсальностью по сравнению с различными технологическими вариантами производства и геометрическим размером изделий. В датчиках удара использовали ультразвуковую сварку для золотой проволоки диаметром 20-35 мкм (рис. 8). Технология ультразвуковой сварки представляет собой соединение деталей под воздействием ультразвуковых волн, которые преобразуются в механические колебания и вызывают пластическую деформацию плоскостей в месте их соприкосновения, одновременно разрушая оксидные пленки. Свойства металлов почти не изменяются. Электричество преобразуется в звук высокой частоты, необходимый для сварки, головка обеспечивает сжатие рабочих деталей, волноводы передают энергию в ту точку, где сваривают поверхности.
Разработанная конструкция и отработанные режимы технологических операций позволили изготовить микромеханический датчик удара с размерами кристалла 3,2 х 3,2 мм, размеры датчика в корпусе 7,6 х 7,6 мм. Уровень срабатывания датчика может быть изготовлен в диапазоне 0,5-200 g.
Заключение. Разработанная конструкция и отработанные режимы технологических операций позволили изготовить чувствительный элемент микромеханического датчика удара серии КМГ-1. Проведенные испытания подтвердили его работоспособность.
Материалы статьи доложены на Российском форуме «Микроэлектроника 2022» (2-8 октября 2022 г., г. Сочи).
Рис. 8. Датчик удара без крышки Fig. 8. Impact sensor without cover
Литература
1. Особенности конструкции и технологии изготовления чувствительного элемента микроакселерометра / С. П. Тимошенков, В. В. Калугин, С. А. Анчутин и др. // Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 480-483. https://doi.org/10.22184/NanoRus.2019.12.89.480.483. - EDN: ZHEYCT.
2. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
3. Скупов А. Анодная и непосредственная сварка пластин для микроэлектроники // Вектор высоких технологий. 2015. № 5 (18). С. 36-44.
4. Разработка чувствительного элемента микромеханического акселерометра / Е. С. Кочурина, С. А. Анчутин, В. В. Калугин и др. // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 1. С. 59-67. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-59-67. - EDN: JPSKAX.
5. Разработка и исследование МЭМС-акселерометра / Е. С. Кочурина, С. А. Анчутин, А. С. Мусаткин и др. // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1 (113). С. 235-238. https://doi.org/10.22184/ 1993-8578.2022.15.8s.235.238. - EDN: NAVGJZ.
6. Advanced time-multiplexed plasma etching of high aspect ratio silicon structures / M. A. Blauw, G. Craciun, W. G. Sloof et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. Iss. 6. P. 3106-3110. https://doi.org/ 10.1116/1.1518018
7. Оптимизация параметров процесса глубокого плазмохимического травления кремния для элементов МЭМС / А. И. Виноградов, Н. М. Зарянкин, Е. П. Прокопьев и др. // Изв. вузов. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 3-9. EDN: LMCYJB.
8. Standing wave and skin effects in large-area, high-frequency capacitive discharges / M. A. Lieberman, J. P. Booth, Р. Chabert et al // Plasma Sources Sci. Technol. 2002. Vol. 11. No. 3. P. 283-293. https://doi.org/ 10.1088/0963-0252/11/3/310
9. Берлин Е., Двинин С., Морозовский Н., Сейдман Л. Реактивное ионно-плазменное травление и осаждение. Установка «Каролина 15» // Электроника: наука, технология, бизнес. 2005. № 8. С. 78-80. EDN: NXTCSJ.
10. Григорьев Ю. Н., Горобчук А. Г. Численная оптимизация плазмохимического реактора // Вычислительные технологии. 1997. Т. 2. № 6. С. 12-23. EDN: KYRBUR.
Статья поступила в редакцию 07.03.2023 г.; одобрена после рецензирования 04.09.2023 г.;
принята к публикации 15.12.2023 г.
Информация об авторах
Кочурина Елена Сергеевна - кандидат технических наук, доцент Института нано-и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), главный метролог ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), ekochurina@mp-lab.ru
Виноградов Анатолий Иванович - технолог Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), технолог ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), avinogradov@mp-lab.ru
Боев Леонид Романович - инженер Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), инженер ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), lboev@mp-lab.ru
Зарянкин Николай Михайлович - кандидат технических наук, ведущий инженер Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), ведущий инженер ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), nzaryankin@mp-lab.ru
Анчутин Степан Александрович - ведущий инженер Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), ведущий инженер ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), step@mail.ru
Дернов Илья Сергеевич - инженер Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), инженер ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), i.s.dernov@yandex.ru
Тимошенков Алексей Сергеевич - доктор технических наук, доцент Института на-но- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), генеральный директор ООО «Лаборатория микроприборов» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6), at@mp-lab.ru
Тимошенков Сергей Петрович - доктор технических наук, профессор, директор Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), spt111@mail.ru
References
1. Timoshenkov S. P., Kalugin V. V., Anchutin S. A., Zariankin N. M., Kochurina E. S. Features of designing and manufacturing a microaccelerometer sensing device. Nanoindustriya = Nanoindustry, 2019, no. S (89), pp. 480-483. (In Russian). https://doi.org/10.22184/NanoRus.2019.12.89.480.483. - EDN: ZHEYCT.
2. Gotra Z.Yu. Technology of microelectronic devices, reference book. Moscow, Radio i svyaz' Publ., 1991. 528 p. (In Russian).
3. Skupov A. Anodic and direct wafer bonding for microelectronics. Vektor vysokikh tekhnologiy, 2015, no. 5 (18), pp. 36-44. (In Russian).
4. Kochurina E. S., Anchutin S. A., Kalugin V V, Zaryankin N. M., Timoshenkov A. S., Dernov I. S. Development of a sensitive element of a micromechanical accelerometer. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2022, vol. 27, no. 1, pp. 59-67. (In Russian). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-59-67. -EDN: JPSKAX.
5. Kochurina E. S., Anchutin S. A., Musatkin A. S., Dernov I. S., Timoshenkov A. S., Polushkin V. M., Timoshenkov S. P. Research and development of a MEMS-accelerometer. Nanoindustriya = Nanoindustry, 2022, vol. 15, no. S8-1 (113), pp. 235-238. (In Russian). https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.235.238. - EDN: NAVGJZ.
6. Blauw M. A., Craciun G., Sloof W. G., French P. J., Drift E. van der. Advanced time-multiplexed plasma etching of high aspect ratio silicon structures. J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, vol. 20, iss. 6, pp. 3106-3110. https://doi.org/10.1116/1.1518018
7. Vinogradov A. I., Zaryankin N. M., Prokopiev E. P., Timoshenkov S. P., Mikhailov Yu. A. Optimization of parameters of plasmachemical process of silicon etching for MEMS elements. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2010, no. 2 (82), pp. 3-9. (In Russian). EDN: LMCYJB.
8. Lieberman M. A., Booth J. P., Chabert Р., Rax J. M., Turner M. M. Standing wave and skin effects in large-area, high-frequency capacitive discharges. Plasma Sources Sci. Technol., 2002, vol. 11, no. 3, pp. 283-293. https://doi.org/10.1088/0963-0252/11/3/310
9. Berlin E., Dvinin S., Morozovskiy N., Seydman L. Reactive ion-plasma etching and deposition. System "Caroline 15". Elektronika: nauka, tekhnologiya, biznes = Electronics: Science, Technology, Business, 2005, no. 8 (66), pp. 78-80. (In Russian). EDN: NXTCSJ.
10. Grigoryev Yu. N., Gorobchuk A. G. Numerical optimization of plasma-chemical etching reactor. Vychislitel'nye tekhnologii = Computational Technologies, 1997, vol. 2, no. 6, pp. 12-23. (In Russian). EDN: KYRBUR.
The article was submitted 07.03.2023; approved after reviewing 04.09.2023;
accepted for publication 15.12.2023.
Information about the authors
Elena S. Kochurina - Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Chief Metrologist, "Laboratory of MicroDevices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), ekochurina@mp -lab
Anatoliy I. Vinogradov - Technologist of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Technologist, "Laboratory of Micro-Devices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), avinogradov@mp-lab.ru
Leonid R. Boev - Engineer of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Engineer, "Laboratory of Micro-Devices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), lboev@mp-lab.ru
Nikolay M. Zaryankin - Cand. Sci. (Eng.), Leading Engineer of the Institute of Nano-and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Engineer, "Laboratory of MicroDevices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), nzaryankin@mp-lab.ru
Stepan A. Anchutin - Leading Engineer of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Engineer, "Laboratory of Micro-Devices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), step@mail.ru
Ilya S. Dernov - Engineer of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), Engineer, "Laboratory of Micro-Devices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), i.s.dernov@yandex.ru
Aleksey S. Timoshenkov - Dr. Sci. (Eng.), Assoc. Prof. of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), General Manager, "Laboratory of Micro-Devices" LLC (Russia, 124527, Moscow, Zelenograd, Solnechnaya alley, 6), at@mp-lab.ru
Sergey P. Timoshenkov - Dr. Sci. (Eng.), Prof., Director of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), spt111@mail.ru
