CC BY
79
УДК: 621.317 ББК: 32.854
Ахполова Е.А., Орлов С.П.
ТЕХНИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СИСТЕМЫ ДИСТАНЦИОННОГО ЗОНДИРОВАНИЯ ЗЕМЛИ
Ahpolova E.A., Orlov S.P.
TECHNICAL DIAGNOSTICS OF OPTOELECTRONIC CONVERTER OF THE EARTH REMOTE SENSING
Ключевые слова: техническая диагностика, управление, измерение, оптико-электронный преобразователь, приборы с зарядовой связью, испытания приборов, надежность.
Keywords: technical diagnostics, control, measurement, optoelectronic converter, charge-coupled devices, device tests, diagnostics, reliability.
Аннотация: в статье рассматривается проблема технической диагностики и контроля оптико-электронного преобразователя и фоточувствительной матрицы на приборах с зарядовой связью. Выполнен анализ методов бесконтактного съема диагностической информации с микросхем, работающих в составе радиоэлектронных блоков. Приведена структурная схема информационно-измерительной системы, управляющей процессом испытаний. Предложено использовать тепловизор для температурного контроля прибора. Описана методика расчета интервала температур поверхности микросхемы, соответствующего состояниям работоспособности и неработоспособности. Получены соотношения для границ работоспособности ПЗС-матрицы.
Abstract: the problem of technical diagnostics and control optoelectronic converter and a photosensitive matrix with charge-coupled device is considered. The analysis method for removal of non-contact diagnostic information with chips, working as part of radio blocks is developed. The block diagram of the measuring information systems, managing the testing process is presented. There is to use thermal imager for temperature control unit. A technique for calculating the temperature range of the chip surface of the matrix corresponding to the state of performance is described. Relationships for boundaries performance charge-coupled devices matrix are given.
Введение
Современное развитие многих отраслей народного хозяйства и науки связано с оперативным дистанционным зондированием земной поверхности с борта космических аппаратов. Метод
дистанционного зондирования Земли основан на регистрации отраженного или собственного электромагнитного излучения участков поверхности в широком спектральном диапазоне. Система дистанционного зондирования Земли включает в себя оптико-электронную камеру с фотоприемным устройством на основе фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС), а также комплекс аппаратуры для преобразования и передачи информации. В состав системы может входить несколько камер, обеспечивающих
различное разрешение и работающих в различных спектральных диапазонах.
В свою очередь, оптико-электронная камера состоит из оптической системы получения изображения, устройства цифровой обработки видеосигнала, системы накопления и передачи информации. Основным блоком системы получения изображения является оптико-электронный преобразователь (ОЭП) информации на основе фоточувствительной ПЗС-матрицы. Прибор позволяет принимать,
преобразовывать движущееся световое изображение в цифровой сигнал, а затем обрабатывать и передавать оптические сигналы на приемник. Оптико-электронный прибор представляет собой сложную схему различных взаимосвязанных радиоэлементов и оптических модулей [1, 2].
Испытания радиоэлектронной
аппаратуры проводятся по заданной программе, которая определяет
последовательность и время действующих факторов, параметры, характеризующие эти факторы (температуру, влажность, нагрузку при проведении механических испытаний и др.), а также параметры изделий, подлежащие контролю до и после испытаний. При эксплуатации ОЭП осуществляет свою работу в условиях невесомости, а также прибору предъявляются высокие требования по обеспечению надежности (Р=0,998) на протяжении активного срока эксплуатации (не менее 5 лет). Поэтому правильная организация контроля технологического процесса на всех этапах сборки и испытаний является очень важной задачей. Хорошо организованный контроль обеспечивает высокий процент выхода годной продукции, способной выполнять поставленные задачи на всем протяжении заявленного срока службы [3, 4, 5].
В связи со сложностью конструкции оптико-электронного преобразователя,
особенностями технологического процесса изготовления и контроля получение окончательного заключения о пригодности прибора представляет собой длительный и трудоемкий процесс, а также требует высокой квалификации исполнителей.
В связи с этим актуальной задачей является создание автоматизированной информационно-измерительной системы (ИИС ОЭП) для наземных испытаний ОЭП в условиях, имитирующих воздействия на аппарат в космическом пространстве и во время выведения его на орбиту [6].
Управление режимами испытаний
В состав ИИС ОЭП входят три основных специализированных
испытательных комплекса, которые обеспечивают создание условия,
максимально приближенных к реальным условиям:
— вибрационное воздействие на радиоэлектронную аппаратуру на активном участке полета ракеты-носителя;
— работа ОЭП при циклически изменяющихся температурах в большом диапазоне (термоциклирование);
— электротермотоковое воздействие, имитирующее совокупность факторов, при изменении параметров источников бортового питания.
Основным элементом ОЭП является фоточувствительная ПЗС-матрица. Именно в ней происходит преобразование оптического изображения, полученного с помощью линзовой оптической системы, в электронное изображение. Следовательно, метрологические параметры матрицы, ее надежность и работоспособность в первую очередь определяют качество формирования изображения земной поверхности. Поэтому основной задачей разработанной ИИС ОЭП является контроль микросхемы ПЗС-матрицы при наземных испытаниях в условиях, близким к условиям эксплуатации на борту космического аппарата.
Структурная схема информационно-измерительной системы для управления испытаниями и обработки результатов приведена на рисунке 1.
Управляющая ЭВМ по заданной программе формирует управляющие воздействия и £ =
^ >^2 Ь ,£/3(0 , которые меняют параметры режимов специализированных испытательных комплексов. Возможно проведение отдельных испытаний либо совокупное воздействие всех факторов. В измерительную часть ИИС ОЭП входят каналы измерения информативных параметров оптико-электронного
преобразователя У0 t База
данных и программное обеспечение обработки результатов реализуют алгоритм диагностирования испытываемого прибора.
Метод контроля технического состояния фоточувствительной ПЗС-матрицы
Как отмечалось выше, основная задача - провести технический контроль и диагностику фоточувствительной ПЗС-матрицы. Проблема в том, что доступ к выводам микросхемы, а тем более к снятию внутренних параметров, весьма затруднен при установке ФПЗС в штатный ОЭП. В результате проведенного анализа был выбран метод бесконтактного
температурного контроля по тепловому полю микросхемы ФПЗС. Подобные
подходы к контролю радиоэлектронных 9, 10]. блоков и элементов развиты в работах [7, 8,
ИК - испытательный комплекс, ЭТТ - электротермотоковая тренировка,
БД - база данных
Рисунок 1 - Информационно-измерительная система для комплексных испытаний оптико-электронного преобразователя
Разнообразие процессов
теплопередачи, а также конструктивные особенности микросхемы ФПЗС вызывают определенную сложность при проведении расчета температуры поверхности элемента. Для построения теплофизической модели процесса, протекающего в микросхеме ФПЗС под воздействием электрического тока, приняты следующие допущения:
а) под влиянием температуры теплофизические свойства материалов остаются постоянными;
б) теплопроводность для всех
материалов, входящих в состав микросхемы, изотропна;
в) контактное сопротивление между слоями отсутствует;
г) теплообмен во всем внутреннем объеме конструкции производится только за счет теплопроводности;
д) теплоотдача с торцевых поверхностей микросхемы незначительна и ею можно пренебречь.
С учетом принятых допущений модель микросхемы ФПЗС можно представить в виде прямоугольного параллелепипеда с
множеством слоев, представленного на рисунке 2.
Рисунок 2 - Модель ФПЗС
Для каждого слоя микросхемы температурное поле определяется уравнением теплопроводности следующего вида [9]:
дх2 ду2 дг2 ^^ Зт'
(2)
где Я - теплопроводность материала, р -плотность, с - удельная теплоемкость.
Значения плотности и удельной теплоемкости можно считать величинами постоянными, так как они мало зависят от температуры.
Средняя температура источника с равномерным распределением потока согласно [10] определяется по формуле
гср Т = Т с Ъ х>у>°'т ^.хйу, (3)
50 .>0
где - поверхность источника.
Выражения (2) и (3) свидетельствуют о том, что изменение мощности микросхемы в течение определенного времени т влечет за собой изменение температуры поверхности, а затем наступает равновесие. Следовательно, для измерения температуры поверхности элемента следует добиться стабильного режима работы.
В зависимости от локализации, размера и природы дефект в микросхеме ФПЗС проявляется по-разному. Локальный разогрев возможен по причине замыкания проводников, пробоя, изменений
кристаллической структуры
светочувствительной поверхности и др.
Тепловая картина меняется из-за возникновения дефектов (обрыв проводника, трещина, пора, раковина и др.), которые влекут за собой перераспределение тепловых потоков в местах их локализации. В местах скопления явных или скрытых дефектов возникают очаги с повышенным выделением тепла, которое в течение времени распределяется по всей поверхности микросхемы, что может привести к выходу из строя всего элемента.
Таким образом, отклонение
температуры поверхности микросхемы от допустимого значения свидетельствует об изменении ее технического состояния. Анализ возможных причин отклонения температурного режима от допустимых значений позволяет сделать вывод о работоспособности или
неработоспособности ФПЗС-матрицы.
Для проведения температурной диагностики используются различные методы температурного неразрушающего контроля [7]. Наиболее простым и доступным в применении является контактный метод температурного контроля с точечным съемом информации, при этом датчиком являются термоэлектрические элементы - терморезисторы и термопары. Но для фоточувствительной ПЗС-матрицы, установленной в штатный блок, подходят только бесконтактные методы
неразрушающего контроля собственного излучения с визуализацией температурных полей. В результате было предложено использовать тепловизионный метод, основанный на сканировании и преобразовании теплового поля объекта в
электрический сигнал, с последующим его усилением и регистрацией. В данном случае измерительным прибором является тепловизор [11].
Преимуществами метода являются:
- высокая информативность (получение тепловой картины со всей поверхности диагностируемой микросхемы);
- оперативность получения информации;
- дистанционность - позволяет использовать метод для измерения температуры поверхности элемента, для которого физический контакт с контрольным датчиком недопустим, например, микросхем ФПЗС в составе ОЭП;
- позволяет получать информацию об элементе различных размеров и мощности во время его работы в условиях близких к рабочим.
При регистрации температуры с помощью тепловизора значение ее зависит от коэффициента теплового излучения и соответствует радиационным значениям объекта.
Диагностика ФПЗС матрицы с помощью метода температурного контроля
Испытываемый объект - матрица ФПЗС характеризуется комплексом признаков К = (к^, к-2, ■■■ среди
которых электрические, теплофизические и геометрические параметры конструкции. На объект действует вектор входных воздействий X. Это токи и напряжения питания, и информационных сигналов. Кроме того, на микросхему ФПЗС действуют внешние факторы Z, составляющими которых являются температура окружающей среды, влажность, различные
производственные воздействия, влияние соседних элементов, а также время нахождения в рабочем состоянии. Работа объекта характеризуется реакцией на входные воздействия и внешние факторы У.
При определении работоспособности объекта методом температурной
диагностики наиболее важным из выходных параметров является температура микросхемы в различных координатах пространства, то есть У = /(%, Я2, Я3).
Изменение температуры объекта t связано с изменением его внутренних параметров и связи между ними под действием внешних факторов Z [12]. В выключенном состоянии поверхность микросхемы принимает температуру окружающей среды, при этом ее значение может колебаться в зависимости от времени суток, а также времени года.
Таким образом, в реальных условиях при расчете температуры поверхности микросхемы ФПЗС следует учитывать погрешность Дс, вызванную допусками на геометрические, электрические и
теплофизические параметры конструкции, а также влияние температуры окружающей среды в процессе диагностики матрицы, то есть:
д = /д2 + д2 + д2 + д2 ^
г V ^ е Р с где Ад- погрешность, вызванная допуском на геометрические размеры;
Ае - погрешность, вызванная допуском на электрический режим работы микросхемы;
Др - погрешность, вызванная допуском на теплофизические параметры;
Дс - погрешность, вызванная колебаниями температуры окружающей среды.
Погрешность, вызванная допуском на электрический режим Де, определяется точностью мощности тепловыделения, которая в свою очередь зависит от точности расчета напряжения и тока в цепи питания.
Погрешность, вызванная колебаниями температуры окружающей среды Дс, уменьшается за счет поддержания системой кондиционирования определенного значения температуры. Значение погрешности будет зависеть от допуска на температуру в помещении.
Для уменьшения погрешностей, вызванных допусками на геометрические размеры Ад и на теплофизические параметры Ар, проводится идентификация на упрощенном макете. На практике в качестве макета используются
технологические образцы, изготовленные из того же материала и по той же технологии,
что и рабочие микросхемы. Замеры проводятся в тех же условиях (электрические параметры цепей питания, климатические условия). При этом определение параметров является задачей оптимизации, при которой значение температуры, полученное расчетным путем, максимально
приближается к измеренному значению.
При проведении температурной диагностики технического состояния объекта перед производителем ставится задача по оценке подлинности принятия решения. Ошибки в принятии решения несут в себе риски браковки годного изделия либо пропуска дефектных.
Техническое состояние микросхемы оценивается по результатам измерения температуры ее поверхности:
^изм + О",
где tф - фактическое значение температуры;
а - погрешность измерения.
Исправное состояние объекта контроля определяется условием:
^изм е а, Ь ' (4)
где а, Ь - верхняя и нижняя граница допуска.
С другой стороны работоспособность микросхемы определяется условием:
tф е с, „ (5)
где с, й - границы поля допуска без учета погрешности измерения.
Установление более жесткого условия работоспособности микросхемы может привести к диагностированию ложных отказов или к их пропуску. Учитывая погрешность измерения а , получаем следующие события:
^изм Е а,Ь , Е С,(1 -
микросхема исправна (заключение верно);
^изм ^ &>Ь > £ф ^ С,(1 -
микросхема неисправна (заключение верно);
^изм Е а,Ъ , tф (В С, (I - пропуск отказа;
^изм , tф Е С, б. - ложный
отказ.
Таким образом, в результате контроля технического состояния микросхем формируются две группы:
- неисправные изделия с ненормированной плотностью температуры
^Оф);
- исправные изделия с ненормированной плотностью температуры
Вероятности этих событий
определяются выражениями:
С +00
р2 = (х)2 Ц (И)
-00 ^ С +00
Рпо = ^(¿ф)^ + ¿ф
-00 й
Рю=
Высокая точность измерения позволяет выбрать границы допусков, при которых с высокой достоверностью выполняется условие (5) и принимается верное решение о техническом состоянии объекта
диагностики.
Условия (4), (5) используются для оценки подлинности принятия решения о техническом состоянии микросхемы ФПЗС при проведении диагностики по тепловой картине. При этом априорная плотность вероятности измеряемых значений температуры ^(¿ф), а также закон распределения погрешности измерения ^(о") используются в качестве исходных данных.
Результаты экспериментального исследования метода температурного контроля ФПЗС
Для некоторых поверхностей объектов, в том числе и для фоточувствительной ПЗС-матрицы, излучательная способность неизвестна и может изменяться в процессе измерения. Данная проблема решается за счет определения коэффициента излучения поверхности объекта, находящегося в термостабилизированной окружающей среде с известным значением температуры Ьос, по формуле
„ _*о6-гос
где t'0g - радиационная температура объекта;
иос
истинная
температура
окружающей среды;
t0g - истинная температура объекта.
В данном случае необходимо независимым путем определить перегрев поверхности объекта, который выражается:
^об ^об ^ос-При этом перегрев микросхемы определяется с помощью «черной метки», нанесенной на ее поверхность. В качестве
«черной метки» служит термостойкая самоклеящаяся пленка Testo, коэффициент излучения которой известен (£м= 0,95) и остается неизменным в течение всего процесса измерения.
Для адаптации пленки к температуре поверхности фоточувствительной ПЗС-матрицы и для достижения теплового равновесия требуется время на разогрев микросхемы. Зависимость температуры поверхности ФПЗС от времени представлена на рисунке 3.
и со
л о.
л
.
01
Время, c
Рисунок 3 - Диаграмма зависимости температуры поверхности ФПЗС-матрицы от времени, необходимого для достижения теплового равновесия между ее поверхностью
и пленкой Testo
После достижения теплового равновесия (5-6 минут) производится замер температуры в месте крепления «черной метки», затем в свободном от нее месте. Замеры производятся с помощью тепловизора, на котором установлено значение коэффициента излучения пленки (£м = 0,95). При этом для проведения замеров используются образцовые микросхемы. Предварительно образцовые микросхемы подвергаются контролю традиционными методами, по результатам которых делается вывод об отсутствии в них каких-либо значительных дефектов. Тогда истинное значение температуры в данном случае равно температуре, определенной в месте крепления «черной метки»: ^б = £ч м .
Одновременно с этим измеряется температура окружающей среды. Замер производится с помощью термогигрометра
ИВА-6Н, диапазон измерения температуры которого составляет от минус 20 до плюс 60иС, пределы допускаемой абсолютной погрешности измерения не более 0,3°С.
Для проведения калибровки тепловизора в поле зрения его помещается эталонный источник теплового излучения. В качестве эталона выступает абсолютно черное тело (АЧТ) LANDCAL Р80Р фирмы LAND Instruments (Великобритания), которое представляет собой портативный источник излучения черного тела переменной температуры с диапазоном температур от минус 10 до плюс 750С, абсолютная погрешность измерения ± 0,10С, излучательная способность составляет £э = 0,99. Для калибровки тепловизора на дисплее АЧТ устанавливается температура близкая к измеряемой, в данном случае она
Измерение
составила
t3= 350С.
1777777
радиационного значения температуры эталона производится при установке на тепловизоре коэффициента излучения 0,99.
Количество проведенных измерений п=15. Результаты замеров температуры окружающей среды Ьосп, радиационное
значение температуры поверхности образцовых микросхем ^об,п, а также
температуры эталона Ь'эп в соответствующий момент времени представлены в таблице 1.
Таблица 1 - Результаты измерения температуры микросхем
Характерис №поряд. образцовой микросхемы
тика 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Температур а «черной метки» 33,1 34,1 33,9 33,5 34,3 35,2 35,7 33,2 36,0 33,7 34,2 33,1 35,1 34,5 35,3
£ 0С '•ч.м, С Пр эдолж сение табли цы 1
Радиационн ое значение температур ы объекта *пй,0С 29,9 30,7 31,3 30,8 28,9 31,3 32,9 29,9 30,3 29,4 30,1 27,9 31,7 32,1 30,4
Температур а окружающе й среды t 0С ■'ОС, С
19,0 19,0 19,2 20,0 20,2 20,3 20,8 21,0 21,3 21,1 21,0 20,8 20,5 20,2 20,1
Радиационн ое значение температур ы эталона Сс 33,7 33,6 35,2 34,9 32,7 34,8 34,9 34,5 34,6 33,9 34,8 32,9 35,7 35,6 36,7
В результате полученных данных по итогам каждого измерения проведен расчет коэффициента излучения поверхности микросхемы ФПЗС по формуле
_ ^об,п~^ос,п
£обп — г _г • ьчм,п 1ос,п
Затем определяется
среднеарифметическое значение
коэффициента £0б для 15 измерений, откуда следует, что значение коэффициента излучения поверхности микросхемы ФПЗС равно 0,73.
Используя величины радиационных
значений температур объекта г об и эталона
г э, а также температуру окружающей среды, указанные в таблице 1, определим диапазон
допустимого температур [ г
г
Ш1П ' тах
"тт
"тах
= т { — За Ь , = т { + 3<г £ ,
где математическое ожидание ш(£) и дисперсия <г(£) равны:
п
°ЧО = л/^СО
X! ? ~~ т (Г ) .
п - 1
- температура поверхности
микросхемы ФПЗС, измеренная в г-м цикле и преобразованная в истинное значение температуры;
п - количество измерений; п = 15. При условии, что £э = 0,99, £э= 350С,
£0 б = 0,73, рассчитываем истинное значение температуры поверхности микросхемы ФПЗС по формуле
'об г- I 1 е I
V об у об э
где - истинная температура объекта,
э . + об; э,- ,
/и (О = —
п
2
измеренная для /-и микросхемы;
t3 - истинная температура эталона; ^ocï - температура окружающей среды, измеренная в /-м цикле;
^обi> радиационные температуры объекта и эталона соответственно, измеренные в /-м цикле;
ь'э - коэффициент теплового излучения эталона;
е - коэффициент теплового
об
излучения объекта.
Тогда математическое ожидание температуры поверхности микросхемы равно 36,10С, а среднеквадратическое отклонение температуры поверхности равно 1,160С.
Отсюда следует, что предельно допустимые значения температуры поверхности микросхемы ФПЗС будут равны
min v ' '
W = m(t) + 3<?(t) = 39,4°С.
Таким образом, если истинное значение температуры поверхности ФПЗС попадает в интервал [32,9; 39,4]0C, то микросхема классифицируется как работоспособная. В противном случае микросхема неработоспособна и следует ее заменить.
Заключение
Представленные в статье методика технической диагностики оптико-электронного преобразователя и
информационно-измери-тельная система для управления испытаниями фоточувствительной ПЗС-матрицы используются как при входном контроле, так и при наземных испытаниях радиоэлектронной аппаратуры.
Полученные результаты обеспечивают надежное функционирование приборов при дистанционном зондировании Земли во время полета космического аппарата.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Бакланов, А.И. Многоспектральная оптико-электронная камера для исследования Земли из космоса / А.И. Бакланов, В.И. Карасев, В.В. Колотов, А.А. Утенков, А.Н. Шумилов // Электронная промышленность. - 1993. - № 6. - С. 145-147.
2. Архипов, С.А. Гиперспектральная аппаратура для КА «Ресурс-П» и перспективы ее модернизации / С.А. Архипов, В.М. Линько, А.И. Бакланов // Актуальные проблемы ракетно-космической техники и ее роль в устойчивом социальном развитии: материалы Всеросс. научно-технич. конф., Самара, 28 сен. - 3 окт., 2009. - Самара: СамНЦ РАН, 2009. - С. 186-191.
3. Чехов, А.П. Организационная структура распределенной системы технического контроля и диагностики процесса изготовления РЭА: дис. ... канд. техн. наук: 05.11.16 / А.П. Чехов; Рязанский государственный радиотехнический университет. - Рязань, 2014. -266 с.
4. Тихонов, А.Н. Повышение достоверности диагностического моделирования в информационной технологии проектирования электронных средств управления / А.Н. Тихонов,
С.У. Увайсов, Ю.Н. Кофанов, С.Ю. Сотникова // Системы управления и информационные технологии. - 2014. - № 4(58). - С. 88-92.
5. Пархоменко, П.П. Основы технической диагностики. Модели объектов, методы и алгоритмы диагноза / П.П. Пархоменко, В.В. Карибский, Е.С. Согомонян, В.Ф. Халчев. -М.: Энергия, 1976. - 464 с.
6. Орлов, С.П. Компьютерные технологии при проведении отбраковочных испытаний оптико-электронных преобразователей / С.П. Орлов, Е.А. Ахполова // Всероссийская научно-техническая конференция «Информационные технологии в науке и производстве» (ИТНП-2013). - Самара: Самар. гос. техн. ун-т. - 2013. - С. 160-163.
7. Увайсов, С.У. Методы диагностирования радиоэлектронных устройств систем управления на протяжении их жизненного цикла: дис. ... докт. техн. наук: 05.13.05 / С.У. Увайсов; Московский государственный институт электроники иматематики (технический университет). - М., 2000. - 506 с.
8. Ощенков, П.К. Вопросы развития тепловых методов неразрушающего контроля в электронике / П.К. Ощенков, Н.А. Бекешко // Физико-технические методы неразрушающего контроля элементов и приборов электронной техники. - М.: Сов. Радио, 1969. - С. 79-88.
9. Дульнев, Г.Н. Методы расчета теплового режима приборов / Г.Н. Дульнев, В.Г. Парфенов, А.В. Сигалов. - М.: Радио и связь, 1990. - 312 с.
10. Захаров, А.Л. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов / А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. - М.: Радио и связь, 1983. - 185 с.
11. Инфракрасная термография в энергетике. Т 1. Основы инфракрасной термографии / под ред. Р.К. Ньюпорта, А.И. Таджибаева, авт.: А.В. Афонин, Р.К. Ньюпорт, В.С. Поляков и др. - СПб.: Изд. ПЭИПК, 2000. - 240 с.
12. Ахполова, Е.А. Использование метода термографии при диагностике оптико-электронного преобразователя / Е.А. Ахполова // Труды XX научно-технич. конф. молодых ученых и специалистов. - Королев: РКК «Энергия» имени С.П. Королева, 2014. - С. 148149.
