свойства интерфейсных структур на основе
ОКСИДИРОВАННОГО СЕЛЕНИДА СВИНЦА Тулина Н.А.1, Россоленко А.Н.1, Шмытько И.М.1, Борисенко И. Ю.2, Борисенко Д.Н.1, Колесников Н.Н.1
1 Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук 2Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов
РАН, Черноголовка, Россия E-mail: tHlina@ issp.ac. ru Влияние границ на формирование новых функциональных свойств соединений интенсивно изучается в нескольких областях материаловедения: влияние границ зерен на транспортные свойства в ВТСП [1]; границы зерен как источник ферромагнетизма [2]; мемристор через барьерный эффект [3]. Также было показано [4], что физические свойства наноструктурированных оксидов существенно зависят от меж-кристаллитных граничных дефектов. Мемристивные устройства (мемристоры) представляют собой структуру металл-изолятор-металл, сопротивление которой изменяется в зависимости от приложенного электрического поля, обладают эффектом памяти и рассматриваются перспективными с точки зрения создания искусственного интеллекта и нейтронных сетей.
В этой работе были созданы и исследованы интерфейсные гетероструктуры на основе оксидированного селенида свинца Ag/PbSeOx/PbSe/SiO, которые демонстрируют стабильные мемристивные характеристики.
1.
2.
3.
4.
Рис.1. XRD спектр монокристалла PbSe c поверхностным оксидным слоем.
2ft, degree
Литература
R.F. Klie, J.P. Buban, M. Valera, et al., Enhanced current transport at grain boundaries in high-T(c) superconductors 435 (2005) 475-478.
B.B. Straumal, S.G. Protasova, A.A. Mazilkin, et al., Ferromagnetic behaviour ofZnO: the role of grain boundaries, Beilstein J. Nanotechnol. 7 (2016) 1936-1947.
A.M. Hassan, H.A.H. Fahmy, N.H. Rafat, et al., Enhanced model of conductivefilament-based memristor via including trapezoidal electron tunneling barriereffect, IEEE Trans. Nanotechnol. 15 (2016)484-491.
B.B. Straumal, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, et al., Grain boundaries as a sourceof ferro-magnetism and increased solubility of Ni in nanograined ZnO, Rev. Adv.Mater. Sci. 41 (2015) 61-71.