Научная статья на тему 'СВЧ диоды с барьером Шоттки на нанопористых подложках'

СВЧ диоды с барьером Шоттки на нанопористых подложках Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
138
32
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Арсентьев И. Н., Вавилова Л. С., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Шишков M. B.

Для повышения структурного совершенства эпитаксмальных слоев предложен новый путь использование "мягких" подложек со сформированной пористой структурой. Приведено описание сущности пористого подслоя. По этим данным сформулированы особенности технологического процесса эпитаксиального выращивания. Описан технологический процесс получения экспериментальной гомоструктуры фосфида индия. Приведены данные исследования полученных эпислоев методами фотолюминесценции, рентгеновской микроскопии. Проведены исследования диода Шоттки на основе экспериментальной гомоструктуры. Определены технические характеристики диода и его ВАХ.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по нанотехнологиям , автор научной работы — Арсентьев И. Н., Вавилова Л. С., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Шишков M. B.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «СВЧ диоды с барьером Шоттки на нанопористых подложках»

составляющая межфазной поверхностной энергии возрастает в ряду (111)А - (111)5 , что адекватно

отражается на характере изменения состава получаемого твердого раствора. Согласно приведенным зависимостям, можно сделать вывод о том, что учет свободной поверхностной энергии необходим для получения твердых растворов желаемого состава.

Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (НПИ)

Литература

1. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М., 1991.

2. Nakajima K., Ujihara T. et al. //J. of Crystal Growth 220. 2000.

3. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М., 1982.

18 октября 2002 г.

УДК 621.315.592:548.55

СВЧ ДИОДЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА НАНОПОРИСТЫХ ПОДЛОЖКАХ

© 2003 г. И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, M.B. Шишков

Использование тонкопленочных гомо и гетеро-эпитаксиальных структур на основе соединений А3В5 в электронных приборах различных типов предъявляет повышенные требования к их структурному совершенству и стабильности. Такие требования особенно существенны для материалов, используемых при создании СВЧ-приборов, что выдвигает в число фундаментальных проблем разработку новых методов получения эпитаксиальных структур и приборов на их основе. Одним из таких методов является эпитакси-альное выращивание на «мягких» пористых подложках полупроводников А3В5. Наличие пористого подслоя позволяет существенно снизить внутренние механические напряжения в получаемых структурах и повысить качество получаемых слоев.

Для исследования использовалась двухслойная гомоэпитаксиальная структура 1пР (п++-п+-п), барьер Шоттки формировался титановой металлизацией с последующим золочением, омические контакты были сделаны на основе золотогерманиевой эвтектики.

Пористые слои в кристаллах 1пР (100) п-типа проводимости (п~1018 см-3) были получены в анодном электрохимическом процессе в режиме импульсной подачи напряжения на ячейку с частотой 2 Гц.

В качестве электролитов использовались кислые (рН=0,5^1,5) водные растворы фторидов (КН4Р+ИР), хлоридов (КН4С1+ИС1) и бромидов (КВг+НВг). Напряжение на ячейке в импульсе в несколько раз превышало пороговые напряжения начала порообразования и составляло 7^10 В.

Объем пор заполнен продуктами неполного окисления 1пР, возникшими в результате его взаимодействия с анионными компонентами растворов по механизму реакции нуклеофильного замещения (исходный состав этих продуктов - 1пРХ2+п; п>2;Х - Б, С1, Вг). В процессах порообразования продукты реакции выполняют функцию твердого электролита, обеспечивающего транспорт адсорбирующих анионов к фронту реакции на дне поры. Впоследствии не исключено разложение остающихся в порах продуктов с выделе-

нием элементарного фосфора и тригалогенидов, а возможно и более сложных смешанных галогенидов, сохраняющих связи 1п - Р. На рис. 1 представлен скол подложки со сформированной пористой структурой. Хорошо различимы нитевидные поры, заполненные продуктами взаимодействия с электролитом. Глубина пористости в зависимости от состава электролита и плотности тока имела толщину в пределах 5-20 мкм и явно выраженный градиент плотности пор, направленный из объема кристалла к поверхности. Для эпи-таксиальных процессов использовали подложки с глубиной пористости 10-12 мкм.

Рис. 1. Граница раздела: пористая структура - объем кристалла

На рис. 2 показана поверхность пористой подложки. Видно, что исходная поверхность сингулярной грани практически утрачена, и произошло замещение ее системой вицинальных холмиков.

Такая структура поверхности с обилием элементарных ступеней приводит к тому, что рост эпитакси-ального слоя на начальных стадиях происходит без формирования пространственно разделенных зародышей новой фазы, по механизму встраивания адсорбирующихся компонентов в уже имеющиеся на поверхности ступени роста, что снижает энергию активации процесса зародышеобразования. Однако это же приводит к увеличению плотности дефектов в слое, выращенном непосредственно на пористой подложке, что вызывает необходимость использования дополнительного буферного нелегированного слоя.

xL = 1,76 х 103 exp

11411

TL

Рис. 3. Сформированная эпитаксиальная гомоструктура

Температуру поднимали до 675 °С, после чего систему начинали охлаждать со скоростью 2 °С/мин, при достижении 655 °С скорость охлаждения понижали до 0,5 °С/мин и при 645 °С жидкая фаза приводилась в контакт с подложкой.

Интенсивность краевой полосы люминесценции на пористой подложке выше по сравнению с «жесткой», а полуширина - меньше. Это является косвенным признаком более высокого совершенства полученных слоев (рис. 4).

моно порист

Рис. 2. Микрорельеф поверхности пористой подложки

В качестве первого (буферного) слоя использовался нелегированный слой 1пР с п=1017, для второго (рабочего) - легированный Бу с п=1016. Толщины сформированных слоев составляли 1 мкм.

Шихта формировалась путем добавления к 4,5 г индия точно взвешенных количеств 1пР. Состав подбирался таким образом, чтобы жидкая фаза при температуре эпитаксии оказывалась переохлажденной относительно температуры ликвидуса на 5-7 °С. Массы навесок для получения необходимого пересыщения определялись в соответствии с эмпирическим соотношением [1]:

Масса лигатуры - 0,2 мг.

Формирование расплавов жидких фаз проводили в отдельном процессе. Компоненты расплавов помещались в кассету , после продувки водородом она нагревалась до 675 °С и выдерживалась на протяжении 1 ч для гомогенизации расплавов. После охлаждения в кассету помещалась подложка таким образом, чтобы ее поверхность была открыта. После продувки водородом система нагревалась до 300 °С и выдерживалась в этом режиме в течение 2 ч. Этот низкотемпературный отжиг необходим для удаления из пор продуктов электрохимического травления (рис. 3).

X, мкм

Рис. 4. Спектр фотолюминесценции при 77К Значения плотности дислокаций составили для пористой подложки 5х102-103, для сплошной - 5х104-105 см-2. А подвижность носителей зарядов - 4000 и 3000 см2В-1с-1 соответственно.

Диоды с барьером Шоттки имеют минимальные значения величин обратных токов во всем диапазоне измеряемых напряжений, вплоть до напряжения лавинного пробоя ¥Пр (таблица).

Параметры диодных структур с барьером Шоттки

Тип структуры Барьер Шоттки Фв, В Обратный ток 1обр, нА (при V = 4В) Напряжение лавинного пробоя V№, В

п++-п+-п-Т1-Ли сплошная подложка 0,55 20 20

п++-п+-п-Т1-Ли пористая подложка 0,54 1 27

10

10 - V

10

<

10

10 " '-!■

10

1 ' -■- 1 -•- 2 1

На рис. 5 представлена прямая ветвь вольтампер-ной характеристики диодных структур с барьером Шоттки. Видно, что прямые ветви ВАХ обеих диодных структур имеют протяженные участки, описывающиеся уравнением:

I = Is exp

eV nkT

-1

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4

V, В

Рис. 5. Прямая ветвь вольтамперной характеристики диодных структур с барьером Шоттки на основе эпитаксиальных слоев 1пР, выращенных на «жесткой» (1) и пористой (2) подложках 1пР

где Is - ток насыщения; n - фактор идеальности; е -заряд электрона; V - приложенное прямое напряжение; k - постоянная Больцмана; Т - температура.

Однако структура, выращенная на пористой подложке, отличается отсутствием на начальном участке ВАХ диапазона, не описываемого экспоненциальной зависимостью. Что говорит о более широком диапазоне рабочих напряжений и лучших частотных свойствах.

Таким образом, применение пористых подложек позволяет создавать структурно совершенные активные слои InP, что может быть использовано для изготовления СВЧ диодов повышенного качества.

Литература

1. KuphalE. // J. Crystal Growth. 1984. Vol.67. P. 441-457.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.,

1984.

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Южно-Российский государственный технический университет (НПИ), Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета_

3 февраля 2002 г.

3

6

8

УДК 539.219.621

МОДЕЛИРОВАНИЕ УПРУГИХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЕДИНЕНИЙ 1пБ1 И ОаБ1 © 2003 г. Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова, О.Е. Драка

Введение

В литературе отсутствуют кристаллохимические данные по бинарным соединениям InBi и GaB, поэтому анализ гетерофазных взаимодействий, необходимый для технологических процессов получения гете-роструктур на основе указанных твердых растворов, не может быть исчерпывающим. В этой связи моделирование упругих свойств твердых растворов InBi и GaBi является актуальной задачей.

1. Расчет полной энергии связи и механические свойства 1пБ1 и СаБ1

Индий образует с висмутом два устойчивых соединения, и в зависимости от состава и температуры растворов-расплавов висмут может находиться в них в трех основных формах: Bi, InBi, Соединение

InBi имеет структуру, изображенную на рис. 1 [1]. Индий отдает висмуту 3 электрона внешней оболочки, таким образом, возникает электронная конфигурация

с заполненной электронной оболочкой. Такую структуру имеют ионные кристаллы, которые состоят из ионов с замкнутыми электронными оболочками.

(001) InBi

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.