CC BY
72
УДК 548.3 538.91
СТРУКТУРА И СПЕКТРАЛЬНОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СИЛИКАТОВ РЕДКИХ ЗЕМЕЛЬ СО СТРУКТУРОЙ АПАТИТА
UDC 548.3 538.91
STRUCTURE AND SPECTRAL-LUMINESCENT PROPERTIES OF THE SILICATES OF RARE EARTHS WITH APATITE STRUCTURE
Исаев Владислав Андреевич д.физ.-мат. н., профессор
Копытов Г еннадий Филиппович д.физ.-мат. н., профессор
ЛебедевАндрей Валерьевич инженер
Плаутский Павел Г еннадьевич инженер
Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
Методом Чохральского выращены монокристаллы CaGd4_x_y_zYbxEryCez(SЮ4)зO, проанализированы концентрационные зависимости кинетик
44
затухания люминесценции уровней Sз/2, 1ц/2 и
4т т-’ 3+ »-»
І13/2 иона Ег , проведен рентгеноструктурный анализ этих кристаллов. Показано, что по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т. е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий
IsaevVladisl avAndreevich Dr.Sci.Phys.-Math., professor
KopytovGennadiyF ilippovich Dr.Sci.Phys.-Math., professor
LebedevAndreyValeryevich
engineer
PlautskiyPavelGennadyevich
engineer
Kuban State University, Krasnodar, Russia
CaGd4-x-y-zYbxEryCez(SiO4)3Osingle crystals were grown by the Czochralski method, the concentration dependence of the luminescence decay kinetics of the levels 4S3 / 2, 4In / 2 and 4I13 / 2 ions Er3+and X-ray analysis conducted for these crystals. By the results of stereo atomic analysis, it is shown that there is possible to estimate the lifetimes of levels, i.e. predict the probability of multipole interactions
Ключевые слова: СТРУКТУРА АПАТИТА, ПОЛУТОРОМИКРОННЫЙ ЛАЗЕР, КИНЕТИКИ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, СТЕРЕОАТОМНЫЙ АНАЛИЗ
Keywords: APATITE STRUCTURE, ONE-AND-A-HALF MICRON LASER, LUMINESCENCE DECAY KINETICS, STEREO ATOMIC ANALYSIS
К числу нерешенных проблем оптического материаловедения следует отнести отсутствие до настоящего времени твердотельных 1,5 мкм лазеров на основе кристаллических сред, активированных ионами эрбия. Эффективные лазеры созданы лишь на базе содержащих эрбий неорганических стекол. Отмеченная проблема связана с особенностью структуры энергетических уровней иона эрбия. За 1,5 мкм генерацию ответственен переход 4113/2 ^ 4115/2, для реализации эффективной генерации на указанном переходе необходимо быстрое заселение верхнего лазерного уровня 4113/2. Эффективная же накачка ионов эрбия возможна лишь на уровень !ц/2, расположенный непосредственно над верхним лазерным уровнем. В стеклообразных матрицах быстрая доставка возбуждения на
4113/2 осуществляется за счет эффективной многофононной релаксации. При этом в стеклах оптимального состава высокая скорость внутрицентрового
44
тушения уровня 1ц/2 с заселением 113/2 сочетается с высоким квантовым выходом люминесценции с верхнего лазерного уровня 4113/2. Этого не удается добиться для кристаллических сред. Например, в широко распространенных кристаллах алюмоиттриевого граната время жизни уровня 4111/2 слишком велико (составляет 1мс), в кристаллических боратах с протяженным фононным спектром высокая скорость термализации наблюдается как для уровня 4111/2, так и для уровня 4113/2. Нами предпринята попытка уменьшить время жизни уровня 4111/2 (следовательно, увеличить скорость доставки возбуждения на верхний лазерный уровень) и при этом сохранить радиационное время жизни 113/2 за счет введения дополнительных примесей, избирательно тушащих предлазерный уровень. Достижение оптимальных скоростей заполнения и опустошения уровней энергии эрбия предполагает отыскание матриц, обеспечивающих определенные сочетания скоростей внутрицентровыхизлучательных и безызлучательных переходов. Объектом нашего внимания явились кристаллические силикаты со структурой апатита. Данные матрицы, во-первых, характеризуются фононным спектром, занимающим промежуточное положение между кристаллическими алюминатами и боратами, во-вторых, являются изоморфноемкими для редкоземельных активаторов.
Монокристаллы Са0ё4-х-у-2УЬхБгуСе2(8104)30 (УЬ3+,Бг3+,Се3+:СО8) для исследований спектрально-люминесцентных свойств
соответствующих составов были выращены методом Чохральскогоиз иридиевых тиглей. В качестве исходных компонент были использованы химические реактивы высоких квалификаций [1-3].
Температура плавления кристаллов СОБ в зависимости от наличия активаторов составляла 1900 - 1950 оС. Для стабилизации трёхвалентного
состояния ионов церия создавали восстановительную атмосферу. Для этого небольшие элементы спектрального графита помещали в горячую зону ростовой камеры, заполненной аргоном. Размеры полученных монокристаллических слитков составляли 10-15 мм в диаметре и до 52 мм в длину. Измерения и эксперименты проводили на монокристаллах CaGd4-x-y-zYbxEryCez(Si04)30 соответствующих составов.
Кристаллы были без внутренних включений, хорошего оптического качества. Из слитков вырезались пластины площадью 5x7 мм и толщиной от 0.3 мм, для люминесцентных исследований, до 3-5 мм - для исследований спектров поглощения. Ось “с” лежала в плоскости пластины, ориентировка производилась по известной методике [4], с использованием гелий-неонового лазера в качестве источника света. После оптических исследований некоторые кристаллы подвергались рентгеноструктурному анализу.
Коэффициенты вхождения для ионов Yb3+, Ег3+ и Се3+ в СОБ определялись путем изучения зависимости коэффициента поглощения в соответствующем диапазоне длин волн от длины закристаллизованной массы вдоль кристаллического слитка [5]. Коэффициенты вхождения ионов Yb3+, Ег3+ и Се3+ в кристалл СОБ оказались близки и составили 0.55-
0.65.
Плотность кристаллов определялась методом гидростатического взвешивания. Для кристалла Yb0.3:CGS плотность составила 6.18 г/см , а
21 3
концентрация активатора - 3.9x10 см , которая определялась при
21
помощи выражения N = 0.6 а 3.9x10 , где а- стехиометрический коэффициент активатора, 0.6 - среднее значение коэффициента
вхождения.
Исследования [6-9] показали, что кинетики люминесценции уровня 4111/2 Ег3+ в кристаллах Ег,Се:СОБ представляют собой кривые с разгоранием (рисунок 1). Возбуждение люминесценции кристаллов
осуществляется через уровень 4Б3/2 (рисунок 2), поэтому разгорание люминесценции 4111/2 объясняется тем, что после заселения уровня 4Б3/2, энергия возбуждения попадает на уровень 4111/2 со скоростью распада вышележащих уровней: 4Б3/2, 4Б9/2 и 419/2. Как показывают измерения, время жизни уровня 4Б3/2 в Е^Се:СОБ составляет несколько микросекунд, в то время как люминесценция уровней 4Б9/2 и 419/2 затухает менее чем 0.5 мкс. Исходя из этого следует предположить, что скорость разгорания уровня
44
1ц/2 практически определяется скоростью распада уровня Б3/2.
Кривые затухания люминесценции образцов Ег005:СОБ, Е^.^СеафСОБ и Е^.^Сеа^СОБ с уровня 4Б3/2 иона Е^+представлены на рисунке 3 в логарифмических координатах. Кинетики распада люминесценции образца Ег005:СОБ имеют вид, близкий к экспоненциальному, а в кристаллах с церием
скорость затухания люминесценции увеличивается, и форма кривых отклоняется от экспоненциальной.
Параметры затухания люминесценции уровня 4113/2 Ег3+ были получены путем анализа кривых затухания люминесценции кристаллов Ег0 05:СОБ, Е^.^Сео.фСОБ и Е^.^Се^^СОБ (рисунок 4).
Результаты измерений эффективных времен затухания люминесценции уровней4Б3/2, 4111/2 и 4113/2 иона Ег3+ в кристаллах Er,Ce:CGS приведены в таблице 1.
Ьп I, отн.ед.
Время, с
Рисунок 1. Кривые затухания люминесценции 1 = 970 нм образцов Е^Се:СОБ (длина волны возбуждения 532 нм)
Н| |/2
Рисунок 2. Энергетические уровни ионов Ег3+ и Се3+ и их взаимодействие в кристаллах СОБ.
Ьп1, оте;
Время, с
Рисунок 3. Кривые затухания люминесценции 1= 550 нм образцов Е^Се:СОБ (длина волны возбуждения 532 нм).
о
О 0,003 0,006 0,009 0,012 0,015
Время, с
Рисунок 4. Кривые затухания люминесценции 1.5 мкм образцов Е^Се:СОБ (длина волны возбуждения 532 нм)
Таблица 1. Эффективные времена затухания люминесценции уровней 4Б3/2, 4111/2 и 4113/2 иона Ег3+ в кристаллах Ег,Се:СОБ_________________
Монокристалл тср, мкс
/2 со С/О 4 4Т Т11/2 4Т Т13/2
Ег0.05:СОБ 3.76 13.61 3150
Ег0.045Се0.4:СОБ 1.54 3.33 1270
ЕГ0.04 Се0.8:СОБ 0.63 0.59 311
Результаты, приведенные в таблице 1, показывают, что средние
4 4 4
времена жизни уровней ^3/2, !ц/2 и 113/2 снижаются вследствие
безызлучательного взаимодействия Ег^-Се; в частности, время жизни предлазерного уровня 4111/2 снижается с 13.61 мкс в Ег0 05:СОБ, до 3.33 мкс в Ег0045Се0.4:СОБ и до 0.59 мкс в Ег004Се08:СОБ. Таким образом, путем введения церия удается снизить эффективное время жизни уровня 4111/2 Ег3+ до величины, близкой ко времени жизни этого уровня в лазерных эрбиевых стеклах. Однако одновременно с тушением предлазерного происходит достаточно эффективное тушение лазерного уровня. Кривые затухания люминесценции становятся неэкспоненциальными, что обусловлено безызлучательными взаимодействиями ионов Ег3+ с ионами Се3+.
Изучение эффективности тушения уровней 4111/2 и 4113/2 иона Ег3+ показало, что изменение величины отношения квантовых эффективностей
4 т 4 т у 3+
тушения уровней 1ц/2 и 113/2 иона Ег с изменением концентрации ионов Се3+ обусловлено нелинейной зависимостью макропараметров от концентрации церия. Кроме того, квантовая эффективность тушения уровней 4111/2 и 4113/2 иона эрбия в зависимости от концентрации церия в СОБ растет неодинаково (рисунок 5). Поэтому можно сделать вывод о том, что существует область концентраций, в которой соотношение квантовых эффективностей тушения будет оптимальным для эффективной
работы полуторамикронного лазера.
Задача получения эффективной генерации в УЪ,Ег,Се:СОБ состоит в оптимизации состава лазерной среды, поскольку с ростом концентрации
Се3+,
100
80
ё 60 г х со г
140 ■в-
п
20 о
О 5 10 15 20
Концентрация церия, 102 см'3
Рисунок 5. Диаграмма зависимости квантовой эффективности тушения
т-1 3+ 4о 4т 4т
Ег уровней Б3/2, -11/2 и Т13/2от концентрации ионов церия
с одной стороны, растёт скорость заселения лазерного уровня (4Т13/2) за счет тушения предлазерного уровня (4Т11/2), а с другой стороны, уменьшается эффективное время жизни и, соответственно, населённость лазерного уровня.
3+
Люминесцентное время жизниУЪ в СОБ уменьшается с ростом концентрации примесных ионов. Авторы работ [10-16] считают, что в данном случае происходит тушение люминесценции иттербия неконтролируемыми примесями или дефектными центрами неизвестной природы. Кинетические параметры кривых затухания люминесценции
3+
приведены в таблице 2, где тУь - измеряемое время жизни ионов УЬ , т1 -время разгорания, у - макропараметр донор-акцепторного взаимодействия. Результаты, приведенные в таблице 2, показывают, что макропараметр переноса энергии от ионов иттербия к центрам неизвестной природы практически постоянен и остается малым (средняя величина для трёх
1/2
образцов у=6.15 с- ), а время жизни уменьшается существенно. Следовательно, концентрация акцепторов остается практически
постоянной, а основной причиной тушения люминесценции является
Таблица 2. Кинетические параметры кристаллов УЬ,Се:СОБ.
Кристалл Куь, 1019 см-1 туы мкс 'W—1/Туь-1/Туь, с-1 /2 Т1, мкс
УЬ0.03:СОБ 7.0 847 97.5 6.27 5.08
УЬ0.23:СОБ 53.2 522 832 6.68 4.96
УЬ0.3:СОБ 70.2 475 1021 5.45 5.12
УЬ0 22,Се04:СОБ 51.5 499 920 6.72 5.01
УЬ0.21,Се0.в:СОБ 49.1 459 1095 6.38 4.89
3+
миграция энергии по возбужденным уровням ионов УЬ к стокам -неконтролируемым дефектам.
Рисунок 6. Зависимость обратного времени жизни люминесценции (1/т) от концентрации иттербия (^ь) в кристаллах УЬ:СОБ
Зависимость вероятности люминесцентного распада WУЬ = 1/)УЬ от
3+
концентрации примесных ионов УЬ линейна (см. рисунок 6). Путем
экстраполяции этой зависимости к нулевой концентрации определено радиационное время жизни ионов УЬ3+ в кристалле СОБ - 923 мкс.
3+
Следует отметить, что широкая полоса люминесценции ионов УЬ в СОБ создаёт предпосылки для получения хорошего перекрытия спектров
3+ 4т 4т т-1 3+
люминесценции УЬ и поглощения Т15/2 ^ -11/2 Ег и, как следствие, эффективного переноса энергии УЬ^Ег.
3+
Введение в кристаллы УЬ:СОБ примеси ионов Се приводит к
3+
дополнительному снижению времени затухания люминесценции УЬ . В монокристаллах УЬ:СОБ и УЬ,Се:СОБ наблюдается тушение
3+
люминесценции УЬ собственными и примесными дефектами. В кристаллах УЬ,Се:СОБ происходит тушение люминесценции иттербия на ионах церия или сопутствующих его введению дефектах. Эффективность этого процесса в основном определяется развитой миграцией энергии по ионам УЬ3+.
Оценка среднего времени релаксации в канале 4Т11/2 - 4Т13/2 по данным, приведенным на рисунке 7, в кристаллах УЬ03Ег003:СОБ и УЬ0.3Ег003Се0.8:СОБ приводит к значениям 16.7 и 0.4 мкс, что хорошо коррелирует с приведенными ранее значениями - 13.6 и 0.59 мкс для кристаллов Ег005:СОБ и Ег005Се0.8:СОБ.На рисунке 8 для сравнения приведены кинетики люминесценции эрбия на длине волны 1.5 мкм в монокристаллах УЬ03Ег003:СОБ и УЬ0.3Ег003Се0.8:СОБ (длина волны возбуждения 1064 нм).
Как было отмечено ранее, именно высокое время жизни уровня 4Т11/2 в кристаллах определяет низкую эффективность кристаллических полуторамикронных лазеров, поскольку приводит к возникновению ряда нежелательных процессов, большая часть которых нелинейно зависит от
3+
концентрации доноров (УЬ ) и плотности накачки. Поэтому достигаемое
0
- 2 --------------------*------------------*--------
0 0.0002 0.0004
Время, с
Рисунок 7. Кинетики люминесценции монокристаллов УЬ03Ег003:СОБ и УЬ0.3Ег003Се0.8:СОБ (длина волны возбуждения 1064 нм,
длина волны регистрации 980 нм).
0.5
0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 0,016
Время, с
Рисунок 8. Кинетики люминесценции эрбия на длине волны 1.5 мкм в монокристаллах УЪ0.3Ег003:СО8 и УЬ0.3Ег0.03Се08:СО8 (длина волны
возбуждения 1064 нм). за счёт введения Се3+ снижение населённости уровня 4111/2 более чем в
шесть раз является тем важным обстоятельством, которое способствует
эффективной работе полуторамикронного лазера на основе УЪ,Ег,Се:СОБ.
Рентгеноструктурный анализ кристаллов [3] (СОБ1; а=9.4309 (10),
С=6.9014 (7)) CaCe0.20Er0.36Gdз.34OlзSІзУЪ0.10, СаСе0.80Ег0.04Єд3.1б0138І3(С082;
а=9.4460 (5), с=6.9247 (3)), CaCeo.4oEro.o5Gdз.560lзSiз (CGS3; а=9.4238 (3),
c=6.9068 (5)) был проведен на установке Bruker APEX II в МИЭС им. А.Н. Несмеянова АН РФ. Использовалось характеристическое излучение молибдена МоКа с длиной волны 1=0.71073 А и графитовый монохроматор. При обработке исходного массива экспериментальных интенсивностей использовалась программа SADABS [17]. Структуры решены прямым методом, все неводородные атомы локализованы в
т^2
разностных синтезах электронной плотности и уточнены по F hki в анизотропном приближении. Уточнение заселенностей катионов лантанидов показало, что во всех случаях позиции катионов с сайт-симметрией CS заняты атомами Gd, тогда как атомы Ca, Ce, Er, Yb замещают атомы Gd только в позиции с сайт-симметрией С3. Все расчеты проведены по комплексу программ SHELXTL ver. 5.10 [18] и
представлены в таблице 3.
Таблица 3. Координаты атомов в структурах I-III.
Атом CGS1 CGS2 CGS3
Gd(1) x -0.24078(5) -0.24125(7) -0.24082(6)
y -0.23324(5) -0.23307(7) -0.23298(6)
z 0.75 0.75 0.75
Si(1) x -0.3724(3) -0.3719(4) -0.3721(3)
y 0.0283(3) 0.0288(4) 0.0282(3)
z 0.75 0.75 0.75
O(1) x -0.4872(9) -0.4875(11) -0.4867(9)
y -0.1694(8) -0.1686(11) -0.1695(9)
z 0.75 0.75 0.75
O(2) x -0.4746(8) -0.4733(11) -0.4732(8)
y 0.1253(8) 0.1265(11) 0.1262(9)
z 0.75 0.75 0.75
O(3) x -0.2493(6) -0.2496(8) -0.2494(6)
y 0.0913(6) 0.0904(8) 0.0907(6)
z 0.9373(7) 0.9357(10) 0.9372(8)
O(4) x 0 0 0
y 0 0 0
z 0.75 0.75 0.75
Ca(1) : x -2/3 -2/3 -2/3
Gd(2) : y -1/3 -1/3 -1/3
Ce(1) : z 0.99988(11) 1.00023(16) 1.00024(13)
Er(1) : I* 0.50:0.17:0.10:0.18:0.05 0.50:0.08:0.40:0.02:0.00 0.50:0.28:0.20:0.02:0.0
Yb(1) 0
* Значение т указывает степень заселенности соответствующей позиции атомами, указанными в колонке слева в той же последовательности.
Анализ данных, приведенных в таблице 3, показывает, что увеличение содержания церия ведет к увеличению параметров решетки и смещению атомов Оё(1), Б1, 0(1) и 0(2) 0(3) в плоскости xoy, аО(3) -вдоль всех осей. Атом 0(4) своих координат не изменяет, позиция С3, занимаемая атомами Са(1), Оё(2), Се(1), Ег(1) и УЬ(1), претерпевает смещение только вдоль оси z. Допирование УЬ снижает значение параметров ячейки, а смещение атомов происходит таким же образом, как и при замещении церием.
Результаты стереоатомного анализа известных соединений и кристаллов СОБ1, СОБ2 и СОБ3 сведены в таблице 4.
Как известно, степень искажения координационной сферы позиций, замещаемых атомами лантаноидов, описывается двумя основными параметрами 03 и Ба (03 - безразмерная величина, характеризующая степень сферичности полиэдра ВД и Ба- величина смещения ядра атома из центра тяжести его полиэдра ВД).
Таблица 4. Данные стереоатомного анализа для СаЬп4(БЮ4)30
Соединение X БС КЧ VПВД, А3 Gз Б(СР) Б(УБР)
СаЬа4(БЮ4)30 Ьа1 С3 9 13.824 1.489 8.1050 0.072 0.009
Ьа2 С8 7 14.474 1.512 8.2377 0.477 0.088
СаСе4(БЮ4)30 Се1 С3 9 13.350 1.472 8.1104 0.126 0.065
Се2 С8 7 13.074 1.461 8.2723 0.471 0.080
СаШ4(БЮ4)30 Nd1 С3 9 13.234 1.467 8.1092 0.094 0.003
Nd2 С8 7 13.643 1.482 8.2603 0.508 0.091
СОБ1 Gd1 С3 9 12.716 1.448 8.1174 0.094 0.008
Gd2 С8 7 12.822 1.452 8.2277 0.528 0.093
СОБ2 Gd1 С3 9 12.807 1.451 8.1173 0.095 0.007
Gd2 С8 7 12.966 1.457 8.2751 0.528 0.096
СОБЭ Gd1 С3 9 12.723 1.448 8.1129 0.237 0.012
Gd2 С8 7 12.824 1.452 8.2818 0.535 0.096
Анализируя полученные результаты (таблица 4) и сравнивая их с данными измерений времен жизни лазерного и предлазерного уровней, можно сделать вывод о том, что увеличение концентрации церия ведет к
увеличению объема полиэдра Вороного-Дирихле и параметра 03 и уменьшению смещения замещаемых атомов из центров тяжести координационного и ПВД полиэдров, что в свою очередь вызывает уменьшение времени жизни предлазерного и лазерного уровней.
Итак, поскольку изменение времени жизни с введением той или иной примеси связано с безызлучательными взаимодействиями между примесными центрами, а в нашем случае спектры поглощения и излучения примесных центров с изменением их концентрации не изменяются и отсутствует миграция энергии, то вероятность мультипольных взаимодействий пропорциональна концентрации акцепторной примеси (Се). В свою очередь объем полиэдра Вороного-Дирихле также пропорционален концентрации примеси, следовательно, по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.
На рисунок 9 представлена зависимость времени жизни верхнего лазерного уровня 4113/2 иона Бг3+ от объема полиэдра Вороного-Дирихле.
УпВД. А3
Рисунок 9. Зависимость времени жизни верхнего лазерного уровня 4113/2
3+
иона Бг от объема полиэдра Вороного-Дирихле.
Полученные результаты кристаллохимического анализа в сочетании
с данными по кинетикам затухания люминесценции показывают, что их
совместное использование позволяет оптимизировать состав кристаллов CGS для полуторамикронной генерации.
Итак,
1. Впервые методом Чохральского выращены монокристаллы CaGd4_x_y_zYbxEryCez(SiO4)3O (Yb3+,Er3+,Ce3+:CGS), проанализированы концентрационные зависимости кинетик затухания люминесценции
4 4 4 3+
уровней S3/2, I11/2 и I13/2 иона Er , проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов CaCe0.20Er0.36Gd3.34O13Si3Yb0.10, CaCeo.8oEro.o4Gd3.16O13Si3 и
CaCe0.40Er0.05Gd3.56O13Si3.
2. Показано, что увеличение концентрации церия приводит к
4 4 4
снижению времени затухания люминесценции уровней S3/2, I11/2 и I13/2 иона Er3+ в кристаллах Er,Ce:CGS вследствие безызлучательного взаимодействия Er^Ce, а допированиеYb увеличивает время затухания люминесценции лазерного уровня ±13/2.
3. Доказано, что по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.
Литература
1. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Pisarenko V.F. Crystal growth of CaGd4.x.y.zYbxEryCezSi3O13 (Yb,Er,Ce:CGS) - potential laser media for generation 1.5 mkm emission and its spectroscopic and kinetic investigation. Abstracts of "Third International Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat-Mass Transfer" (ICSC-99 Obninsk, September, 21-24, 1999), Obninsk 1999, p.88-89
2. Ворошилов И.В., Лебедев В.А., Аванесов А.Г., Писаренко В.Ф., Игнатьев Б.В., Исаев В. А., Гавриленко А.Н., Саакян А.В., Ключко Е.В., Несынов А.С., Галуцкий В.В. Новые кристаллические материалы для безопасных для зрения, экологически чистых полуторамикронных лазеров. Материалы региональной научно-практической
конференции «Здравоохранение. Медицина. Здоровье» г. Геленджик, 16-18 августа 2000 г., Краснодар, 2000, с.41-43
3. Исаев В.А., Лебедев В.А., Вологжанина А.В., Саакян А.В. Кинетики затухания люминесценции, структурный и кристаллохимический анализ соединений CaGd4.x.y. zYbxEryCez(SiO4)3O. В кн.: Материалы XVI Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар. 2008. с. 204-210.
4. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976, с.236-245.
5. Kuleshov N. V., Mikhailov V. P., Minkov B. I., Danger T., Sandrock T., Huder G. Spectroscopy, excited-state absorption and stimulated emmission in Pr3+- doped Gd2SiO5 and Y2SiO5 crystals. //Journal of Luminescence.1997. № 71. P. 27-35.
6. Рябцев Н.Г. Материалы квантовой электроники. М. Советское радио, 1973, 384 стр., с.71-73.
7. Лебедев В. А., Ворошилов И.В., Исаев В. А., Гавриленко А.Н., Аванесов А.Г., Игнатьев Б.В. Перенос энергии электронного возбуждения Er3+ - Ce3+ в монокристаллах CaGd4-x-y-zYbxEryCezSi3O13 - кристаллических матрицах для твердотельных лазеров полуторамикронного диапазона длин волн. Proceedings of "Sixth International Conference Actual problems of Solid State Electronics and Microelectronics" (Divnomorckoye, Russia, September, 6-11, 1999), Taganrog 1999, p.3
8. Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A.,
Pisarenko V.F. Optical properties of CaGd4Si3O13 (CGS) crystals with Er3+ used as 1.5 p,m laser material. //Journal of Physics:Condensed Matter, Vol.12, Issue 18, 2000, pp.L287-L292
9. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N.,
Pisarenko V.F. Quenching of erbium luminescence in Er,Ce:CaGd4(SiO4)3O (Er,Ce:CGS)
crystals. X-th International Conference on "Laser Optics", Technical Digest, St.-Petersburg, June 23-26, 2000, p.24
10. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Gavrilenko A.N., Pisarenko V.F. Spectroscopic and Kinetic Investigations of Erbium in Er,Ce:CaGd4Si3O13 (Er,Ce:CGS) Crystals, International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/IQEC) - Europe, Technical Digest, Paris, September, 2000, paper CWF30
11. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Avanesov A.G., Isaev V.A.,
Shestakov A.V. Yb:CaGd4Si3O13 (Yb:CGS) as potential laser crystal for generation of 1.064 mm emission and its spectroscopic and kinetic investigations Collected Abstracts of
"1999International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter" (ICL'99 August 23-17, Osaka, Japan), paper №Pd-6, p.69
12. Лебедев В.А., Ворошилов И.В., Игнатьев Б.В., Аванесов А.Г., Исаев В.А., Писаренко В. Ф., Шестаков А. В. Исследование спектрально-люминесцентных и кинетических свойств лазерных кристаллов CaGd4.x.yYbxCeySi3O13 (Yb,Ce:CGS). Труды международной конференции аспирантов и студентов "Ломоносов-99" МГУ, апрель 1999г, изд-во МГУ, М. 1999, с.108-111.
13. Voroshilov I.V., Lebedev V.A., Gavrilenko A.N., Ignatiev B.V., Isaev V.A., Shestakov A.V. Study of Yb3+ - Yb3+ and Yb3+ - Ce3+ energy transfer in Yb,Ce:CaGd4Si3O13 (Yb,Ce:CGS) crystals. //Journal of Physics: Condensed Matter, V. 12, Issue 12, 2000, pp.L211-L215
14. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Shestakov A.V. Spectroscopy of ytterbium in Gd4CaO(SiO4)3 (CGS). Journal of Luminescence, 92, Iss. 1-2, 2000, pp.139-144
15. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., ChuevYu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energy transfer from Yb3+ to Er3+ in rare-earth silicates and borates, //Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p.942-944
16. Souriau J.C., Romero R., Borel C., Wyon Ch., Li C., Moncorge R. Comparative optical properties and CW laser performance around 1.56 mm of the (Yb3+,Er3+) codoped Y2SiO5 and SrY4(SiO4)3O, Proceedings LASER M2P Conference., Lyon 1993, eds. Boulon G. and Moncorge R., //Journal de Physique IV, 4 (C4), p.373-376
17. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., ChuevYu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energy transfer from Yb3+ to Er3+ in rare-earth silicates and borates.// Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p.942-944.
18. Sheldrick G.M. (1998a). SADABS v.2.01, Bruker/Siemens Area Detector Absorption Correction Program, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.
19. Sheldrick G.M. (1998). SHELXTL v. 5.10, Structure Determination Software Suite, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.
