CC BY
39
Известия ТРТУ
Специальный выпуск
живающих COM-скриптинг, может дать полную технологическую или тестовую систему. Программы, разработанные третьей стороной, могут использовать базу данных проекта Microwave Office для выполнения других видов анализа.
♦ Пользователи могут добавить свои выполняемые функции или Microwave Office -
.
В версии 4.0 полностью обновлен алгоритм расчета методом гармони, . алгоритм работает на порядок быстрее предыдущих версий и настолько эффективен, что может моделировать прохождение сложномодулированно-, , через нелинейные цепи, такие, как смесители, мощные усилители и умно.
Значительно улучшен редактор топологий: в него добавлены интерактивная проверка топологии схемы и дополнительные возможности для сложных топологий монолитных микросхем СВЧ.
Microwave Office 2000 4.0 содержит несколько новых моделей нелинейных приборов включая впервые представленную модель псевдоморф-ного ТВПЭ и модель МОП-транзистора промышленного стандарта BSIM3.
В области линейных моделей версия 4.0 содержит более 50 новых моделей для линий передач включая обширную библиотеку моделей копла-.
, - .
УДК 621.382.2
К.А. Филь
СТРОГИЙ УЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ ВОЛН ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА В ТЕОРИИ МИКРОВОЛНОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИОДА ГАННА
В работах [1-3], посвященных упомянутой в заглавии теории, указанное поле не принималось во внимание при написании граничных условий.
,
при определении локального тока, то выражение для полной микроволновой проводимости диода Ганна будет иметь вид (обозначения те же что и в работах [1-3]):
С = Ьа^2И - 1)М(о -)^2еГгЬ -]а/у2)-( -Бу2-]фх)]; С2 = [1^£М1 {е^Ь - 1)И(о -Бу)2е^ -]а/у2)-(о -Бу2)^ -]фх)]; 7е = Б/Ь {а + СХЫ1 + СМ2);) = У0 - Б уг - ]ф1;
М = { -Бу+а/еу)^1- - \)/уЬ -а/еу .
На рис. 1 приведены частотные характеристики Ое = /(р), рассчи-[3] ( 1) , -
Секция приборов сверхвысоких частот
ми по представленным уточненным выражениям (кривая 2). Видно, что, хотя характер зависимости Ое = /(р) не изменился из-за строгого учета
влияния поля волн объемного заряда, величина Ое стала бол ее отрица-.
Рис.1. Зависимости активной составляющей проводимости диода Ганна от частоты для образца с п0 = 3 • 1019,и-3 , 1=70 мкм, е0 = 4,8 • 105 В/м
ЛИТЕРАТУРА
1. Малышев В.А. Бортовые активньіе устройства СВЧ. Л.: Судостроение, 1990.
2. Малышев В.А. Метод анализа микроволновых нелинейных процессов в объеме полупроводников // Изв. вузов. Электроника. 1999. № 4.
3. Малышев В.А., Филь КА. Компьютерное моделирование СВЧ-проводимости диодов Ганна с однородным полем // Радиотехника. 2001. №2.
УДК 537.533.331.001
С.С. Шибаев
ТЕОРИЯ МИКРОВОЛНОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА КОНЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ
Если, используя метод расчета микроволновой проводимости полупроводника, развитый в [1], применить его к полупроводнику с размерами I (длина) и Б (площадь поперечного сечения), имеющему омические контак-,
для переменной плотности объемного заряда р~:
-{о/¥0 )Э 2р~/ді2 + Эр /ді + (а/єУ0 + ]ю/У0 )р~ = 0 V - скорость дрейфа, сг = &а + ]ог- объемная микроволновая проводимость, є- диэлектрическая проницаемость, о- круговая частота, й- коэффициент диффузии), решение которого р~ = С^712 + С2є7іг, где 7і2=(і±(т + ]п)2У0/2£;
