CC BY
50
РАДИОФИЗИКА
УДК 538.958; 535-15; 537.862
СПОНТАННОЕ И СТИМУЛИРОВАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЯ И КОМБИНАЦИОННЫЕ ГАРМОНИКИ В СРЕДНЕМ ИК-ДИАПАЗОНЕ ПРИ ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР CdxHgi_xTe НА GaAs- И Si-ПОДЛОЖКАХ
© 2007 г. А.А. Андронов 1, Ю.Н. Ноздрин 1, А.В. Окомельков 1
А.А. Бабенко 2, В. С. Варавин 2, Д.Г. Икусов 2, Р.Н. Смирнов 2
1 Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
Поступила в редакцию 19.12.2006
Наблюдалось спонтанное и стимулированное излучения в диапазоне длин волн 1,4-4,5 мкм и обнаружены комбинационные частоты с максимальной длиной волны около 8 микрон при температуре 77K и оптической накачке импульсным Nd:YAG лазером на длине волны 1,06 микрона из гетероструктур CdxHg1.xTe, выращенных на подложках GaAs и Si с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Излучения на комбинационных частотах wp - w и 2wl - wp с близкими интенсивностями (ftp — частота накачки, wL — частота возникающего лазерного излучения) возникают за счет квадратичной и каскадной кубичной нелинейностей, резонансных на лазерных переходах, при условии «двумерного» синхронизма взаимодействующих полей, достигаемого выбором направлений лазерного излучения и накачки. Наблюдения и обсуждения таких эффектов авторам не известны. Подобные механизмы генерации представляются универсальными способами создания эффективных перестраиваемых источников излучения в терагерцовом и среднем ИК-диапазонах.
Введение
Интерес к созданию полупроводниковых лазеров диапазона 1.5 12 мкм,
перекрывающих основные “окна” атмосферной прозрачности
(3 ^ 5 мкм, 8-^12 мкм), чрезвычайно велик. В настоящее время основные надежды на
широкие применения в этих диапазонах связывают с внутризонными каскадными лазерами и с межзонными лазерами на
гетеропереходах II типа (см., например, [1, 2]), где Оже рекомбинация значительно подавлена, поскольку области существования
неравновесных дырок и электронов оказываются в них пространственно разнесены. Это позволяет надеяться на получение с помощью таких структур лазерного излучения при комнатной температуре. Однако, пространственное разделение приводит к тому, что вероятность излучения в таких системах существенно уменьшается. В то же время
использования гетероструктур CdxHg1-xTe (КРТ) с разрешенными излучательными переходами для получения лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне еще не полностью исследованы. Во-первых, за последние годы наблюдается значительный прогресс в технологии создания КРТ слоев, который обусловлен развитием приемных систем среднего ИК-диапазона на их основе. Во-вторых, уже достаточно давно были выполнены теоретические расчеты (см., например, [3]), демонстрирующие возможность существенного (примерно в 100 раз) подавления Оже рекомбинации при переходе к использованию квантовых слоев КРТ. Такое существенное подавление темпа
безызлучательной рекомбинации могло бы способствовать существенному увеличению рабочей температуры лазеров, создаваемых на основе таких структур.
Следует также отметить, что в настоящее время распространение получили КРТ гетероструктуры, имеющие неоднородный по
толщине состав, и имеющие как на “свободной” поверхности, так и на границе с подложкой слои с более широкой запрещенной зоной (см., например, [4]). У таких структур
приповерхностные слои (с двух сторон) обладают меньшей диэлектрической
проницаемостью (см., например, [5]), а потому сами структуры являются естественными волноводами для лазерного излучения. В настоящей работе (являющейся развитием недавних сообщений [6, 7]) мы приводим результаты исследования условий
возникновения стимулированного излучения при оптической накачке в гетерослоях КРТ различного состава и толщины, выращенных на подложках GaAs и Si. Такие исследования можно рассматривать в качестве первого шага для создания источников среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур КРТ, работающих при комнатной температуре. Отметим в этой связи, что максимальные рабочие температуры в лазерах на гетероструктурах II типа в настоящее время получены именно с использованием оптической накачки.
Альтернативный, обсуждаемый в литературе путь создания работающих при комнатной температуре источников излучения в среднем ИК-диапазоне - генерация разностной частоты двух ИК-лазеров в полупроводниковой гетеросистеме с квантовыми ямами [9, 10], где нелинейность может быть увеличена на резонансе между разностной частотой и частотой внутризонного перехода в квантовой яме [11]. Другой путь — смешение двух мод внутри межзонного гетеролазера или в гетеролазерном волноводе [12, 13]. Однако здесь возникают трудности, связанные с нахождением сред и систем, обладающих одновременно с большой квадратичной нелинейностью, малыми потерями и условиями синхронизма, необходимого для эффективной генерации разностной частоты. Обнаруженная нами ситуация свободна от этих проблем. Представляется, что оптимизация
обнаруженных эффектов на структурах и системах гетеролазеров позволит получить универсальные, работающие при комнатной температуре простые и эффективные перестраиваемые источники в терагерцовом и среднем ИК-диапазонах.
Стимулированное излучение из слоев кадмий-ртуть-теллур
В наших экспериментах образцы CdxHg1-xTe закреплялись на медном хладопроводе, помещенном в жидкий азот. На них
проецировалось излучение накачки — импульсного Nd:YAG лазера с рабочей длиной волны 1.064 мкм и длительностью импульсов около 80 нс. Использование импульсного источника оптического возбуждения позволяет избежать существенного разогрева исследуемых пленок под действием лазерного излучения. С помощью металлического сферического зеркала излучение из образца фокусировалось на входной щели спектрометра. Излучение на выходе спектрометра регистрировалось с помощью фотоприемника (фотосопротивления, изготовленного из образца CdxHg1-xTe), охлаждаемого жидким азотом. При необходимости, для подавления излучения накачки использовался Ge фильтр, помещаемый перед фотоприемником. Сигнал с фотоприемника отображался на экране осциллографа, синхронизованного импульсами Nd:YAG лазера накачки. Никакого
структурирования гетерослоев (изготовления лазерных резонаторов) не проводилось. Таким образом, нами наблюдалась люминесценция и суперлюминесценция из образца (или, при неполной засветке образца, — из “пятна”
накачки, сфокусированного на образец).
При сравнительно малых интенсивностях фотонакачки из всех образцов КРТ наблюдается спонтанное излучение, которое характеризуется не слишком большой интенсивностью и довольно широкополосным спектром излучения, ширина которого по частоте имеет порядок температуры термостата T [8] (или несколько шире, что обусловлено наличием флуктуаций состава образца). Возникновение стимулированного излучения с ростом интенсивности накачки идентифицировалось нами по нескольким признакам. Интенсивность излучения из образца при пороговой интенсивности засветки резко возрастает -сигнал увеличивается на 2-3 порядка. Кроме того, при этом наблюдается резкое обужение спектра излучения. Ширина спектра стимулированного излучения (по частоте) вблизи порога много меньше kBT/h, где kB -постоянная Больцмана, h — постоянная Планка. Значение относительной ширины спектра Аю/ю стимулированного излучения в исследованных нами образцах было порядка 10-2 и определялось неоднородным уширением, обусловленным неоднородностью фазового состава пленок. В некоторых случаях наблюдались и более узкие спектральные линии, которые не всегда удавалось разрешить, поскольку их ширина находилась за пределами
і 1
£ О.К
£ (1.6 I 'и'
5 cj.і
к
5 Р J 1.
Л А
__ 2 2..; 3 3..: 1
Шина еолны. .1сси
Рис. 1. Спектры стимулированного
излучения из образцов СЗН?,1-Те с
различным составом х при Т = 77 К и оптической накачке выращенных на ОаЛз -(5, 7, 8) и Бг - (1, 2, 3, 4, 6) подложках
Рис. 2. а) Спектры стимулированного излучения для различных интенсивностей накачки P1 < P2 < < P3 при температуре T = 77 K для образца КРТ 050428 (после роста) на Si-подложке; б) профиль состава по толщине для образца КРТ 050428 а)а Si-подложке. Толщина отсчитывается от границы буферного слоя
разрешения использованного нами
монохроматора.
На рис. 1 приведены спектры
стимулированного излучения из различных исследованных структур КРТ. В диапазоне Д^ин волн 1,4^4,5 мкм стимулированное излучение наблюдается для образцов разной толщины, выращенных как на GaAs, так и на Si-подложках, как n, так иp-типов.
Для возникновения стимулированного излучения из КРТ необходимо создание
сильного вырождения функции распределения электронов в зоне проводимости, при котором числа заполнения по энергии становятся порядка единицы. С ростом интенсивности накачки должна увеличиваться концентрация электронов и повышаться их квазиуровень Ферми, а стимулированное излучение должно наблюдаться при этом из состояний, ограниченных по энергии сверху квазиуровнем Ферми. Это должно приводить к уширению спектральной линии стимулированного излучения и к смещению ее в коротковолновую область длин волн при увеличении интенсивности накачки. Такое поведение спектральных линий стимулированного излучения нам удалось наблюдать экспериментально. Соответствующее смещение линий и уширение изображены на рис. 2а и 3 а.
На рис. 2а приведены спектры
стимулированного излучения для различных интенсивностей накачки P1 < P2 < P3 при температуре
T = 77 K для образца КРТ 050428 (после роста) на Si-подложке. При изменении интенсивности накачки возникает смещение и уширение спектральной линии. Длинноволновая граница этих линий одинаковая, и определяется шириной запрещенной зоны. На рис. 2б
приведен график изменения состава пленки КРТ по толщине для этого случая.
На рис. 3 этот эффект иллюстрируется изменением спектра стимулированного излучения для другой КРТ структуры. На рис. 3 б приведен график изменения состава пленки КРТ по толщине для этого случая.
Отметим, что, как следует из измеренных величин длин волн стимулированного
Рис. 3. а) Спектры стимулированного излучения для образца КРТ 050908 на GaAs-подложке: в спектре 2 накачка увеличена в 10 раз по сравнению со случаем 1; б) профиль состава по
излучения, стимулированное излучение, как в изображенном на рис. 2a, так и изображенном на рис. 3a, возникает по толщине в тех пространственных областях, где находится “яма” в профилях состава (см. рис. 2б и 3б). Характерная ширина этой “ямы” для случая рис. 3 приблизительно в 5 раз меньше, что приводит к существенно большему (в несколько раз) уширению спектральной линии при тех же интенсивностях накачки по сравнению со случаем на рис. 2. Этот
наблюдаемый нами эффект может быть использован для перестройки спектральной частоты в лазерных структурах на основе КРТ при изменении интенсивности оптической накачки.
Г енерация разностной и комбинационной частот
При исследовании стимулированного излучения на длинах волн 1,45-3,3 микрон (рис. 2) нами было обнаружено излучение на комбинационных частотах: на разностной
частоте =
= (Ор - О (мощностью порядка 10-3 Вт) и на
комбинационной частоте Ос = 2 О - Ор (мощностью порядка 10-4 Вт). В наших экспериментах по наблюдению излучений в слоях КРТ волна накачки направлялась по нормали или под углом к плоскости слоев (как со стороны КРТ слоев, так и через подложку), или вводилась через фаску - скос на торце структуры.
В представленных на рис. 4 результатах волна накачки направлялась на структуру через подложку. В этом случае стимулированное излучение возникает не только при показанных
переходах в узкозонных слоях (на 1,5 микрон), но, по-видимому, и при переходах в обкладочных слоях, где происходит значительное поглощение накачки (пик 1,25 микрона на рисунке). Из-за меньшего показателя преломления обкладочных слоев моды обкладочных слоев вытекают в подложку. Тем не менее, для мод низшего порядка, это вытекание невелико и эти моды, по-видимому, возбуждаются. Видимо поэтому в спектре излучения структуры в этом случае присутствуют комбинационные частоты как от стимулированного излучения в узкозонных слоях (указанный на рисунке пик 2.6 микрона), так и от стимулированного излучения в обкладочных слоях (пик 1,7 микрона). Для получения разностной частоты между накачкой и стимулированными излучениями накачка вводилась через фаску в подложке (см. рис. 5). При накачке через фаску наблюдались разностные частоты между накачкой и возникающими лазерными излучениями на длинах волн на 1,5 и 1,3 микрона и разностная частота двух этих лазерных излучений. Комбинационные гармоники при этом не наблюдались.
Все эти особенности возникновения разностных и комбинационных частот, так или иначе, находятся в соответствии с изложенными ниже качественными
представлениями об условиях их возбуждения.
Механизм генерации разностной и комбинационных частот
С общей точки зрения для возникновения разностной и комбинационных частот необходимо: наличие нелинейности
соответствующего порядка в системе (чтобы вообще комбинационные частоты могли возникнуть) и «синхронизм» между волной нелинейной поляризации и фазовой скоростью на этих частотах (чтобы возникающая нелинейная поляризация эффективно излучала эти частоты). Нелинейные процессы, которые играют роль в наблюдаемых явлениях, следующие. Прежде всего, это эффект насыщения (который будем обсуждать в рамках модели двухуровневой системы, неплохо описывающей процессы при межзонных
переходах в полупроводниковых лазерах из-за быстрой внутризонной релаксации электронов и дырок). В этом приближении амплитуда поляризации единицы объема на лазерном переходе
Пака 'ша ■ і . / '
І Ігятжк-і с?- ^
. "і
і'СІНй Тс / л- ‘ .'-і /
Рис. 4. Спектр излучения образца КРТ 051108/5і (п-тип проводимости) при T = 78^ при вертикальной накачке через подложку при наблюдении излучений в плоскости слоев. Отмечена линия стимулированного излучения на длине волны 1,5 микрона и соответствующий комбинационный пик. На
PN = ?ь = 4паЕь (1 + \ЕЬ\2/\Es\V =
= 4яа Еь (1 + Vp у£ )-1 ,
где а - линейная поляризуемость, ^R = є EL d0
- частота Раби, EL - амплитуда лазерного поля,
ed0 - дипольный момент перехода, Vp —
частота релаксации дипольного момента, УЕ -частота релаксации населенности перехода,
Es = (пp Пе )*/2/ ed0 - поле насыщения. При развитой лазерной генерации эффект насыщения - уменьшение PL с ростом поля лазерного излучения EL — является выраженным, так что
Vp п£ = M >> 1 (2)
или
EL = (Vр V, MУ2/еО„.
Возбуждение гармоник определяется квадратичной и кубичной нелинейностями, которые определяются соответствующими тензорами нелинейных восприимчивостей.
Чтобы не загромождать изложение мы будем игнорировать векторный и тензорный характер этих процессов, обсуждая лишь амплитуды создаваемых поляризаий. Г енерация разностной частоты определяется квадратичной
нелинейностью, когда компоненты амплитуды поляризации на разностной частоте
Р» = Р0 = Ь ЕL Ер , (3)
где Е р - амплитуда поля накачки.
Коэффициент присутствует только в не центро-симмет-ричных кристаллах, каковым является КРТ. При приближении частот полей к частоте перехода тензор Р резонансно возрастает [13] -он содержит члены вида:
Р = В [(о1 - О0 + ¡Vр ) X
( • )]-1 (4)
х(оі - О2 + о, + ¡Vр)] .
В нашем случае одна из частот (частота стимулированного излучения о ) равна частоте перехода (Оо. Таким образом, в этом случае генерация разностной частоты происходит просто в резонансных условиях, и амплитуда дипольного момента на разностной частоте оказывается равной
Р» = Ро = Р EL Ер =
= (В/ О ) р^е М/'V е00} Ер , ( )
Мы воспользовались оценкой (2) для величины лазерного поля в условиях насыщения. В результате Р0 в рассматриваемых условиях фактически перестает зависеть от интенсивности стимулированного излучения, а определяется в основном полем накачки. По-видимому, по этой причине, в некоторых случаях интенсивность излучения на разностной частоте оказывалась больше интенсивности стимулированного излучения.
Генерация комбинационной частоты = = 2оL - ор определяется кубичной нелинейностью, когда компоненты амплитуды дипольного момента на этой частоте
Р» = Рс = X Е1 Е2 Е3 ■ (6)
Эта нелинейность определяет генерацию комбинационных частот волн с частотами о? , О и о и с амплитудами Еі , Е2 , Е3, и возможна и в центро-симметричных кристаллах. В отсутствие центра симметрии коэффициентX представляет собой сумму двух членов - прямого и
каскадного: X = Xот + XсAS ■ Прямой
коэффициент существует и в центро-сим-метричных кристаллах, тогда как каскадный связан с квадратичной нелинейностью [14]. Для получения оценки, которая могла бы объяснить наблюдаемую величину излучения на комбинационной частоте, надо учесть каскадный коэффициент кубичной
нелинейности XсAS, который пропорционален квадрату коэффициента квадратичной нелинейности [14]. Происхождение этого вклада следующее. Благодаря квадратичной нелинейности в системе возникает дипольный момент на разностной частоте
Р» = Ро = Р EL Ер . (7)
Этот момент может приводить к излучению на разностной частоте, если выполнены условия синхронизма, обсуждаемые ниже. Если условия синхронизма не выполнены, этот дипольный момент все равно создает поле на разностной частоте Ео , которое, взаимодействуя с лазерным полем на квадратичной нелинейности, дает кубичный по полям дипольный момент на комбинационной частоте:
Рс = Р EL Ео = Р ЕL (Ъ Р ЕL Ер) =
= XCAS ЕL 'EL Е р ■
Здесь XсAS = Р L - каскадный коэффициент кубичной нелинейности, Ь - параметр,
связывающий Ро и Ео (Ео = L Ро )• Он находится из уравнений Максвелла, источником в которых является Ро , и возрастает при приближении к порогу синхронизма для излучения разностной гармоники. Например, для случая узкой области перекрытия накачки и лазерного излучения с характерным вертикальным размером О можно получить следующее выражение:
L = 2р к2 О/ К , (9)
где к0 = Оо/о, с - скорость света, а
• = (Оо — к2)12, Qо - волновой вектор поляризации на разностной частоте в плоскости структуры (см. ниже), к2 = к, е, . В выражении (9) имеется отмеченный выше резонанс в коэффициенте Ь на пороге возбуждения разностной частоты (при К ® 0). Поскольку коэффициент Р имеет резонанс на частоте перехода, то вклад его в коэффициент XсAS даст двойной резонанс. В результате для амплитуды дипольного момента на комбинационной частоте мы получаем следующую оценку:
Р» = Рс = XCAS EL ЕL Е р =
= (вVо2ь){V М/Vр)/(еОо)2 } L Ер , (10)
которая зависит только от поля накачки. По-видимому, она и может объяснить сравнительно большую наблюдающуюся величину излучения на комбинационной частоте.
Условия синхронизма при генерации разностной и комбинационной частот
Обсудим теперь условия синхронизма при генерации разностной и комбинационных частот. Они оказываются легко осуществимыми в рассматриваемых условиях, хотя и существенным образом отличаются от условий синхронизма, обычно рассматриваемого в нелинейной оптике. Лазерное поле в исследуемой системе представляет собой набор волноводных мод, в которых амплитуда поля
ЕL = Е0т Фт (2) ЄХР( —¡ЯтР) , (11)
^ — (вертикальная) координата поперек
структуры, Е0т - амплитуда поля в центре волновода, Фт(г) - вертикальная структура моды, qm - волновой вектор моды в плоскости гетероструктуры, р — координата в этой плоскости, т - номер моды. Электрическое поле накачки ЕР представляет собой
затухающую экспоненциально по оси z (из-за поглощения и создания электронно-дырочных пар) функцию и распространяющуюся волну с волновым вектором p в плоскости структуры:
Ep = E0p Фр (z) exp( -i p p) , (12)
где Ф^) можно приближенно представить в виде: Фp (z) = exp(¡1 z/2), где z - координата
поперек гетерослоев, а z = 0 - слой начала поглощения накачки. В результате, амплитуда нелинейного дипольного момента PN на разностной частоте = wp - W при
квадратичной нелинейности будет представлять собой набор пространственных гармоник:
P^ = b I Eom Eop Фm (z) Фp (z) X
m
X exp{i QD - i (p - qm ) P }= (13)
= Ь I Пm (z) exP{i QD - i Qm P } ■
m
Здесь nm (z) = Eom Eop Фт (z) Фp(z)■ Поскольку Фр (z) представляет собой затухающую экспоненту, условие синхронизма по оси z отсутствует, можно приближенно (для упрощения обсуждения и поскольку область перекрытия накачки и мод мала - хотя это и непринципиально) представить Pm(z) = Am 5(z). Тогда получаем условие, при котором имеет место эффективное излучение - фазовая скорость волны поляризации Vp должна быть
больше, чем фазовая скорость на разностной частоте Vph:
QDlQm = Vp > Vph = c/n , (14)
где n — показатель преломления.
Это условие гораздо слабее обычного для нелинейной оптики требования «синхронизма»: совпадения фазовой скорости волны поляризации с фазовой скоростью на разностной частоте. В нашем случае отношение
Vph/Vp = cos в определяет угол в, под
которым идет излучение на разностной частоте. Подобный синхронизм использовался раньше при наблюдении генерации разностных частот [11] при внешнем лазерном возбуждении полосковых волноводов.
Обсудим качественно генерацию разностной частоты для ситуации на рис. 5, считая для простоты, что показатели преломления волноводных мод и подложки совпадают. При вертикальной накачке (p = 0) и основной
волноводной моде фазовая скорость волны поляризации
Vp = Wd/^L = (Wd/WL) cln < , 4l -
волновое число лазерной моды, и гармоника не возбуждается. При накачке через фаску при попутном распространении лазерной моды и накачки волновое число волны поляризации Q = qL - Р = wL n/c - wp n/c sin j , j -угол запитки накачки через фаску. Полагая sin j = (úl¡ wp , получаем Q = 0, и разностная
частота излучается в вертикальном направлении. При наличии лазерных мод не попутных накачке (которые наверняка присутствовали в лазерном поле) разностная частота будет излучаться и вдоль слоя, что и наблюдалось.
Аналогичным образом могут быть рассмотрены условия синхронизма и для генерации на комбинационной частоте. При кубичной нелинейности дипольный момент может быть записан как
PN = PK = С Е Пmi (z) exP{' WC - 1 Qml Р },
mi
где теперь
Пmi(z) = E0m E0l E0p Фm (z) Фi(z) Фp (z) ,
Qml = P - Яm + Ql ■ (14)
Опять получаем условие излучения на комбинационной частоте: превышение фазовой скорости поляризации фазовой скорости в подложке, которое теперь выполнить гораздо легче, поскольку волновой вектор Qml состоит из трех членов. Поэтому, взяв вертикальную накачку (p = 0) и встречные лазерные моды
0?m =-4l ^ мы получим Qml = ^ т е. вертикальное излучение на комбинационной частоте. Если моды не встречные, легко
получить излучение и в плоскости структуры, что и наблюдалось в эксперименте. С другой стороны, при накачке через фаску, считая, что
( 4m = - 4l X получаем Qml =
= p = wpn/c sin j = wLn/c > Цсп/c .
И условие возбуждения комбинационной частоты Wc/Qml = Vp > Vph = c¡n в этом
случае не выполняется. По-видимому, по этой причине мы не наблюдали излучение на
комбинационной частоте при накачке через фаску.
Заключение
Нами продемонстрировано, что
гетероструктуры КРТ с оптической накачкой перспективны для создания лазеров в среднем
ИК-диапазоне. На абсолютно не оптимизированных гетерослоях,
предназначенных для фотоприемников, было получено стимулированное излучение с максимальной длиной волны 4,5 микрона при 77 К. Есть все основания считать, что на оптимизированных слоях будет осуществлено стимулированное излучение в этом диапазоне и при комнатной температуре.
Кроме того, мы обнаружили простой, эффективный и гибкий механизм генерации комбинационных частот в среднем ИК-диапазонах при оптической накачке лазерных гетерослоев, который позволяет получать перестраиваемое излучение в вертикальном направлении (перпендикулярно гетерослоям) при изменении частоты накачки или при изменении температуры гетерослоев (что изменяет частоту возникающего лазерного излучения). При дальнейшей оптимизации лазерных гетерослоев на основе КРТ
(и, возможно, других гетеросистем) можно также ожидать получения комбинационных гармоник при комнатной температуре.
Полученные результаты показывают перспективность КРТ (и, возможно, других гетеросистем) для создания перестраиваемых источников излучения в среднем ИК-диапазоне.
Авторы выражают благодарность В. В. Курину и, особенно, М. А. Новикову за стимулирующие обсуждения каскадного механизма кубичной нелинейности.
Работа поддержана РФФИ (грант № 06-02-16685) и программой РАН «Проблемы радиофизики».
Список литературы
1. Bleuse J., Bonnet-Gamard J., Mula G., Magnea N., Pautrat J.-L. // J. of Crystal Growth. 1999. V. 197. P. 529.
2. Ongstad A.P., Kaspi R., Moeller C.E., Tilton M.L., Chavez J. R., Dente G.C. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. No. 4. P. 1619.
3. Jiang Y., Teich M.C., Wang W.I. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. No. 10. P. 6869.
4. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1092.
5. Dornhaus R. and Nimtz G. The Properties and Application of the Hg1-xCdxTe Alloy System. In: Springer Tracts in Modern Physics. V. 78. Solid-State Physics. P. 1-119. - Berlin. Heidelberg. New York: Springer-Verlag, 1976.
MID-INFRARED SPONTANEOUS AND STIMULATED EMISSION ] AND RAMAN HARMONI CIS FROM OPTICALLY PUMPED CdXHg1-XTe
B HETEROSTRUCTURES ON GaAs AND Si SUBSTRATES
] A.A. Andronov, Yu.N. Nozdrin, A. V. Okomel’kov,
A.A. Babenko, V.S. Varavin, D.G. Ikusov, R.N. Smirnov
We report on observations of the spontaneous and stimulated emission at wavelengths of 1,4-4,5 micron , and the discovery of Raman frequencies with the maximum wavelength about 8 microns from CdxHg1-xTe heterostructures , grown on GaAs and Si substrates by the molecular-beam epitaxy, in the case of optical F flumping by a pulsed Nd:YAG laser at a wavelength of 1.06 micron at a temperature of 77 K. Radiation at the L Raman frequencie s op - at a 2 at -op with similar intensities (wp is the pump frequency and at is the frequency of the resulting laser radiation) appears due to the quadratic and cascade cubic nonlinearities, which E are in resonance at the lasing transitions, under the condition of «two-dimensional» synchronism of the interacting fields which is achieved by choosing the directions of the laser radiation and the pump. We are not aware of any observations and discussion of these effects. At the same time, such generation mechanisms can be used as univeraal techniques in the development of efficient tunable sources of terahertz and mid-infrared K radiation.
A
S
