CC BY
53Компоненты и технологии, № 6'2002 Компоненты
Продолжение. Начало см. в № 42002.
Современные
микросхемы памяти
Мы продолжаем публикацию цикла статей, посвященных современным микросхемам памяти, в которых предпринимается попытка ознакомить читателя с современной терминологией в области подсистем памяти, основными разновидностями микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.
Олег Николайчук
AMIC Technology — один из известных производителей памяти, выпускающий широкий спектр различных микросхем памяти: статической SRAM, Flash, ROM, OTR и динамической DRAM. Основные характеристики микросхем памяти приведены в табл. 10.
Elite Semiconductor выпускает достаточно большой ассортимент статической, и особенной динамической, памяти (см. табл. 11).
EON Silicon Devices. Фирма EON специализируется на выпуске Flash и однократно программируемой памяти, представленной в табл. 12.
Etron Technology. Фирма Etron широко известна на рынке статической и динамической памяти. Перечень продукции фирмы приведен в табл. 13.
G-Link Technology. Фирма G-Link специализируется на выпуске динамической и статической памяти. Выпускаемые микросхемы динамической памяти представлены в табл. 14.
Микросхемы статической памяти фирмы G-Link приведены в табл. 15. При этом используются следующие обозначения: LL (Low power) — микросхемы с низким энергопотреблением; SL (Super Low Power) — микросхемы со сверхнизким энергопотреблением; I (Industrial) — микросхемы в индустриальном исполнении с диапазоном температур от -40 до 85 °C. НИМ
(Продолжение следует)
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Объем, Мб Организация Питание Vcc, В Время ступа, нс Корпус Примечания
SRAM Low Power & Low Voltage - статическая память с пониженным напряжением питания и энергопотреблением
A64S0616 16 1 M6x 16 2,7~3,6 70 mBGA48 (6x8 мм) -40 ... +85 0C
LP62S16512 8 512 K6x 16 2,7~3,6 55 CSP48L (8x10 мм) -25 ... +85 “C
LP62S4096E-T 4 512 K6x8 2,7~3,6 70 TSOP, STSOP32, CSP36LD -25 ... +85 “C
LP62S4096E-I 4 512 K6x8 2,7~3,6 70 TSOP, STSOP32, CSP36LD -40 ... +85 “C
LP62S16256E 4 256 K6x16 2,7~3,6 55 TSOP44, CSP44L -40 ... +85 “C
LP62E16256C 4 256 K6x16 1,8~2,2 60 TSOP44L, CSP48L
LP62S2048-T 2 256 K6x8 2,7~3,6 70 SOP, TSOP, STSOP32 -25 ... +85 “C
LP62S2048-I 2 256 K6x8 2,7~3,6 70 SOP, TSOP, STSOP32 -40 ... +85 “C
LP62S16128B-T 2 128 K6x16 2,7~3,6 55 TSOP44L, CSP44L -25 ... +85 “C
LP62S16128B-I 2 128 K6x16 2,7~3,6 55 TSOP44L, CSP44L -40 ... +85 “C
LP62E16128A 2 128 K6x16 1,8~2,2 70 TSOP44L, CSP48L
LP62S1024B 128 K6x8 2,7~3,6 55 TSOP32, STSOP32 -40 ... +85 “C
LP621024D 128 K6x8 5,0 70 SOP32, TSOP32, STSOP32
A62S6316 64 K6x16 2,7~3,6 55 mBGA48, TSOP44
A62S6308 0.5 512 K6x8 2,7~3,6 70 SOP32, TSOP32, STSOP32
A625308A 0.25 32 K6x8 5,0 55, 70 SOP28, TSOP28
LP61L1024 128 K6x8 3,3 12 SOJ32, TSOP32
LP61L1008A 128 K6x8 3,3 12 SOJ32 300/400mil
A61L6316 64 K6x16 3,3 10, 12 400mil SOJ44, TSOP44
A617308 128 K6x8 5,0 12, 25 SOP32, SOJ32, TSOP32
A615308 0.25 32 K6x8 5,0 12 SOJ28, TSOP28
SRAM High Speed, Synchronous -ысокоскоростные синхронные SRAM
A67L8316 4 256 K6x16 6 QFP100
A67L7336 4 128 K6x32 6 QFP100
A65H83181 4 256 K6x18 3.5 7x17 PBGA
A65H73361 4 128 K6x36 3.5 7x17 PBGA
A63L7332 4 128 K6x32 4.2 QFP100
A63L73321 4 128 K6x32 10 QFP100
A63G7332 4 128 K6x32 2,5 4.2 QFP100
Компоненты и технологии, № 6'2002
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Объем, Мб Организация Питание Vcc, В Время доступа, нс Корпус Примечания
Flash
A29DL324 32 4 M6x 8/2 M6x16 2,7-3,6 90 TSOP48, TFBGA63 2 банка 16+16 Мб, -40 ... +85 °С
A29DL323 32 4 M6x8/2 M6x16 2,7-3,6 TSOP48, TFBGA63 2 банка 8+24 Мб, -40 ... +85 °С
A29L800 1 M6x8/512 K6x16 3,0 70 SOP44, TSOP48 boot sector
A29800 1 M6x8/512 K6x16 5,0 90 SOP44, TSOP48 boot sector
A29400 4 512 K6x8/256 K6x16 5,0 70 SOP44, TSOP48 boot sector
A29040A 4 512 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32
A29002 2 256 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A290021 2 256 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A29010 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 uniform sector
A29001 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A290011 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A29DL324 32 4 M6x8/2 M6x16 2,7-3,6 90 TSOP48, TFBGA63 2 банка 16+16 Мб, -40 ... +85 °C
A29DL323 32 4 M6x8/2 M6x16 2,7-3,6 90 TSOP48, TFBGA63 2 банка 8+24 Мб, -40 ... +85 °C
A29L800 1 M6x8/512 K6x16 3,0 70 SOP44, TSOP48 boot sector
A29800 8 1 M6x8/512 K6x16 5,0 90 SOP44, TSOP48 boot sector
A29400 4 512 K6x8/256 K6x16 5,0 70 SOP44, TSOP48 boot sector
A29040A 4 512 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 uniform sector
A29002 2 256 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A290021 2 256 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A29010 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 uniform sector
A29001 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
A290011 128 K6x8 5,0 70 DIP32, PLCC32, TSOP32 boot sector
Тип Объем, Мб Организация Питание Vcc, В Время доступа, нс Корпус Примечания
Mask ROM, OTR - масочные и однократно программируемые ПЗУ
A23L1616 32 2 M6^x16/4 M6^x8 2,7-3,6 TSOP48, SOP44 Mask ROM, Flash input memory compatible
A23W9308 4 4 Mбитx8 2,7-5,5 90 DIP, SOP, PLCC Mask ROM
A278308 2 2 Mбитx8 5,0 70 DIP32, PLCC32 OTP ROM
A23W8308 2 2 Mбитx8 2,7-5,5 90 DIP32, SOP32, PLCC32 Mask ROM
A276308A 0,5 0,5 Mбитx8 5,0 70 DIP28, SOP28, PLCC32 OTP ROM
DRAM, SDRAM - микросхемы динамической памяти
A43P26161 64 4 M6x16 2,5 TSOP54 -40 ... +85 °C
A43P16321 64 2 M6x32 2,5 6 TSOP86 -40 ... +85 °C
A43L2616 64 4 M6x16 3,3 7,5 TSOP54 1 Mx16 bitx4 banks
A45L9332A 16 512 K6x32 3,3 6 QFP100 256 Kx32 bitx2 banks
A43L0616A 16 1 M6x16 3,3 6 TSOP50 512 Kx 16 bitx2 banks, -40 ... +85 °C
A42U2604 16 4 M6x4 2,25-2,75 60 SOJ24-26, TSOPII 24-26 EDO DRAM, 1 K refresh
A42U0616 16 1 M6x16 2,25-2,75 60 SOJ42, TSOP50-44L EDO DRAM, 1 K refresh
A42L2604 16 4 M6x4 3,0-3,6 50 SOJ24-26, TSOPII 24-26 EDO DRAM, 1 K refresh
A42L0616 16 1 M6x16 3,0-3,6 50 SOJ42, TSOP50 EDO DRAM, 1 K refresh
A420616 16 1 M6x16 5,0 40 SOJ42, tSOP50 EDO DRAM, 1 K refresh
A43L0616A 16 1 M6x16 3,3 6 TSOP50 SDRAM, 512 Kx 16 bitx2 banks
A43L8316 4 256 K6x16 3,3 10 TSOP50 SDRAM, 128 Kx 16 bitx2 banks
A43L8316A 4 256 K6x16 3,3 6 TSOP50 SDRAM, 128 Kx 16 bitx2 banks
Объем, Органи- Л - Регене-
Особенности I1UCIOIU
Мб зация рация ' .
доступа)
Скорость
(Частота Корпус
SRAM - статическая память
M23L28256A-70SS 2 256 K6x8 Super Low Power 70 нс small-TSOP ESMT
M21L28256A-70SB 2 70 нс 36-ball CSP ESMT
M21D28256A-55SS 2 SRAM 2 В 55 нс small-TSOP ESMT
M21D28256A-70SS 2 70 нс ESMT
M21D28256A-55C 2 55 нс 36-ball CSP ESMT
M21L216128A-10T 2 128 K6x16 SRAM 3 В 10 нс 44-TSOP ESMT
M21L416256A-55T 4 256 K6x16 SRAM 3 В 55 нс 44-TSOP ESMT
DRAM - динамическая память
M10B11664A-35J 64 K6x16 FP 5 B 256 35 нс 400 mil/40L-SOJ EliteMT
M11B11664A-25T 64 K6x16 EDO 5 B 256 25 нс 400 mil/ 44-40L-TSOPII EliteMT
M11B11664A-30T 30 нс 400 mil/ 44-40L-TSOPII EliteMT
M21L416256A-70T 4 Super Low Power 70 нс ESMT
M11B416256A-25J 4 256 K6x16 EDO 5 B 512 25 нс 400 mil/40L-SOJ EliteMT
M11B416256A-35J 4 35 нс EliteMT
M11B416256A-25T 4 25 нс 400 mil/ 44-40L-TSOPII EliteMT
M11B416256A-35T 4 35 нс EliteMT
M11L416256SA-25J 4 EDO 3,3 B 512 25 нс 400 mil/40L-SOJ ESMT
M11L416256SA-30J 4 30 нс ESMT
M11L416256SA-35J 4 35 нс ESMT
M11L416256SA-25T 4 25 нс 400 mil/ 44-40L-TSOPII ESMT
M11L416256SA-30T 4 30 нс ESMT
M11L416256SA-35T 4 35 нс ESMT
M10B416256A-60J 4 FP 5 B 512 60 нс 400 mil/40L-SOJ EliteMT
M12L416256A-5T 4 256 K6x16 SDRAM 3,3 B 1 K6 5 нс 400 mil/50L-TSOP ESMT
M12B416256A-7T 4 256 K6x16 SDRAM 3,3 B 1 K6 7 нс 400 mil/50L-TSOP ESMT
M11B16161A-45J 16 1 M6x16 EDO DRAM 5 B 1 K6 45 нс 400 mil/42L-SOJ ESMT
M11B16161A-60J 16 60 нс ESMT
M11B16161A-45T 16 45 нс 44/50 pin 400 mil TSOPII ESMT
M11B16161A-60T 16 60 нс ESMT
M11L16161SA-45J 16 EDO DRAM 3,3 B Self Refresh 1 K6 45 нс 400 mil/42L-SOJ ESMT
Таблица И
Тип Объем, Мб Органи- зация Особенности Регене- рация Скорость (Нагота доступа) Корпус Лого- тип
M11L16161SA-60J 16 60 нс ESMT
M11L16161SA-45T 16 45 нс 44/50 pin 400 mil TSOPII ESMT
M11L16161SA-60T 16 60 нс ESMT
M11L1644SA-60J 16 4 M6x4 EDO DRAM 3 B 2 K6 60 нс 24 pin SOJ ESMT
M11S1644SA-60J 16 4 M6x4 EDO DRAM 2,5 B 2 K6 60 нс 24 pin SOJ ESMT
M11S1644SA-80J 16 80 нс ESMT
M11S1644SA-60T 16 60 нс 24 pin TSOPII ESMT
M11S1644SA-80T 16 80 нс ESMT
M11D1644SA-80J 16 EDO DRAM 2 B 2 K6 80 нс 24 pin SOJ ESMT
M11D1644SA-80T 16 80 нс 24 pin TSOPII ESMT
M12L16161A-5T 16 1 M6x16 SDRAM 3,3 B 2 K6 200 M^ (TRDL/1CLK) 400 mil/ 50L-TSOPII ESMT
M12L16161A-5.5T 16 183 M^ (TRDL/1CLK) ESMT
M12L16161A-7T 16 143 MГц (TRDL/1CLK) ESMT
M32L1632512A-7Q 16 512 K6x32 SGRAM 3,3 B 143 M^ 100LQFP ESMT
M32L32321SA-5Q 32 1 M6x32 SGRAM 3,3 B 2 K6 200 MГц (TRDL/1CLK) 100L-QFP (14x20) ESMT
M32L32321SA-5.5Q 32 183M^ (TRDL/1CLK) ESMT
M32L32321SA-7Q 32 143MГц (TRDL/1CLK) ESMT
M13L64164A-5T 64 4 M6x16 DDR SDRAM (SSTL-2) 200 MГц 400 mil/66L-TSOPII ESMT
M13L64164A-4T 64 250 M^ 400 mil/66L-TSOPII ESMT
M13L64322A-4L 64 2 M6x32 DDR SDRAM 250 MГц 100LLQFP ESMT
M13L64322A-5L 64 200 MГц ESMT
M12L64164A-7T 64 4 M6x16 SDRAM 143 M^ 54L-TSOP ESMT
M12L64322A-5T 64 2 M6x32 SDRAM 3,3 B 4 K6 200 MГц 400 mil/86L-TSOPII ESMT
M12L64322A-6T 64 166 M^ ESMT
M12L64322A-7T 64 143 MГц ESMT
M12L64322SA-5T 64 2 M6x32 SDRAM 3,3 B 4 K6 200 MГц 400 mil/86L-TSOPII ESMT
M12L64322SA-6T 64 166 M^ ESMT
M12L64322SA-7T 64 143 MГц ESMT
Компоненты и технологии, № 6'2002
Таблица 12
Объем, Питание, Время
Мбит В доступа, нс
Корпус
Flash-память
EN29F002T EN29F002B 2 (256 K6^x8) Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Блочная организация: 1 загрузочный блок 16К или 2 параметрических блока 8К или 1х32К и 2х64К блока, загрузочный блок программируется на начало или конец Flash. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный диапазон температур.
EN29F002NT EN29F002NB 2 (256 K6^x8) Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Блочная организация: 1 загрузочный блок 16К или 2 параметрических блока 8К или 1х32К и 2х64К блока, загрузочный блок программируется на начало или конец Flash. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN29F040 4 (512 K6^x8) Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Универсальная блочная архитектура: 8 универсальных секторов по 64К, поддержка режима полного и секторного стирания, секторная защита. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Сохранение данных до 3,2 В. Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный диапазон температур.
EN29F080 8 (1 M6^x8) Flash 5 50, 70, 90, 120 TSOP32 Секторная архитектура: 16 универсальных секторов по 64К, поддержка секторного и полного режима стирания, секторная защита, аппаратная защита секторов. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 16 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный диапазон температур.
EN29F800 8 (1 Mбитx8 или 512 K6^x16) Flash 5 50, 70, 90, 120 TSOP48 Секторная архитектура: один 16К, два 8К, один 32К и пятнадцать 64К секторов в однобайтном режиме или один 8Kword, два 4Kword, один 16Kword и пятнадцать 32Kword в двухбайтном (word) режиме. Секторное и полное стирание, секторная защита (аппаратная). Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN29LV800 8 (1 Mбитx8 или 512 K6^x16) Flash 2,7-3,6 55, 70, 90, 120 TSOP48 Секторная архитектура: один 16К, два 8К, один 32К и пятнадцать 64К секторов в однобайтном режиме или один 8Kword, два 4Kword, один 16Kword и пятнадцать 32Kword в двухбайтном (word) режиме. Секторное и полное стирание, секторная защита (аппаратная). Программирование байта: 8 мкс, стирание блока: 500 мс, потребление: 30 мА (1мкА standby). Сохранение данных до 2,5 В. 100 К циклов записи/стирания. Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
OTP EPROM - однократно программируемая память
EN27C512 0,5 (64 ^x8) EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP28, PLCC32, TSOP28 Программирование при +12,75 В. QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 с. Потребление: 30 мА (1мкА standby). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV512 EN27LV512B 0,5 (64 ^x8) EPROM 3,3 45, 55, 70, 90 PDIP28, PLCC32, TSOP28 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0-3,6 для EN27LV512 и 2,7-3,6 для EN27LV512B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки -(/OE & /СЕ). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27C010 1 (128 K6^x8) EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0-3,6 для EN27LV512 и 2,7-3,6 для EN27LV512B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 30 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки -(/OE & /СЕ). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV010 EN27LV010B 1 (128 K6^x8) EPROM 3,3 90, 120, 150, 200 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0-3,6 для EN27LV010 и 2,7-3,6 для EN27LV010B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки -(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27C020 2 (256 K6^x8) EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 30 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки -(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV020 EN27LV020B 2 (256 K6^x8) EPROM 3,3 90, 120, 150, 200 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0-3,6 для EN27LV020 и 2,7-3,6 для EN27LV020B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки -(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
Таблица 1З Таблица 1З
Тип Организация Быстродействие, нс Питание, В Корпус Примечания
EM612163 128 K6^x16 50, 60 400 mil SOJ40 EDO
Eic611161A 64 K6^x 16 70 5 400 mil SOJ40 FPM
Wide-Bandwidth DRAM Synchronous - синхронная динамическая память с широкой шиной данных
EM658160 4 Mбитx 16 4, 5, 6, 7, 8 3,3 TSOP2-66 DDR SDRAM 250,200, 166, 143,125 M^
EM638165 4 Mбитx 16 6, 7, 7,5, 8, 10 3,3 TSOP54 SDRAM 166,143, 133, 125,100 M^
EM638325 2 M6x32 3.5, 4, 5, 5.5, 6, 7, 8 3,3 TSOP86 SDRAM 285, 250, 200, 183, 166, 143, 125 M^
EM636165 1 Mбитx16 5, 5,5, 6, 7, 8, 10 3,3 TSOP50 SDRAM 200,183, 166, 143, 125,100 Mk Industrial Temp. Rating
EM637327Q/TQ 1 Mбитx32 5,5, 6, 7, 8 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 183,166, 143, 125 M^
EM637324Q/TQ 512 K6^x32 6, 7, 8, 10 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 166, 143, 125, 100 M^
EM636327Q/TQ 512 K6^x32 5,5, 6, 7 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 183, 166, 143 M^
EM636327Q/TQ 512 K6^x32 8, 10 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 100 M^
EM635327Q/TQ 256 K6^x32 8, 9, 10, 12 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 110, 100, 83M^
EM635327R/TR 256 K6^x32 8, 9, 10, 12 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 110, 100, 83M^
EM638085 8 M6^x8 7, 7,5, 8, 10 3,3 TSOP2-54 SDRAM 143, 133,125,100 M^
EM634165 256 K6^x16 8, 10 3,3 TSOP250 SDRAM 125, 100 M^
Synchronous DDR SDRAM Cache - синхронная динамическая кэш-память
ECT30256 32 K6^x64 66 M^ 3,3-5 DIMM-160 COASt 3.0 compatible
ECT30512 64 K6^x64 66 Mk 3,3-5 DIMM-160 COASt 3.0 compatible
Graphic RAM - графическая память
MS2021 256 K6^x64, 2 M6 125, 100 M^ SODIMM-144 256 K6x32 SGRAMx2
MS2041 512 K6^x64, 4 M6 125, 100 M^ SODIMM-144 256 K6x32 SGRAMx4
MS2043 512 K6^x64, 4 M6 125, 100 M^ SODIMM-144 512 K6x32 SGRAMx2
MS2083 1 M6^x64, 8 M6 125, 100 M^ SODIMM-144 512 K6x32 SGRAMx4
Тип Организация Быстродействие, нс Питание, В Корпус Примечания
Asynchronous SRAM - асинхронная статическая память
EM532323Q/TQ 64 K6^x32 4, 6 3,3 QFP100, TQFP100 ^нвейерный доступ
EM531323/TQ 32 K6^x32 5, 6, 7 3,3 QFP100, TQFP100 ^нвейерный доступ
EM542323Q/TQ 64 K6^x32 8,5, 10, 11 2,5-3,3 QFP100, TQFP100 Mультиплексированный ввод/вывод 2,5 В
EM541323Q/TQ 32 K6^x32 8,5, 10, 11 2,5-3,3 QFP100, TQFP100 Mультиплексированный ввод/вывод 2,5 В
Synchronous SRAM - синхронная статическая память
EM542323 64 K6^x32 117/100/90 M^ 2,5-3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
EM541323 32 K6^x32 117/100/90 M^ 2,5-3,3 PQFP100, TQFP100
EM532323 64 K6^x32 100/75M^ 3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
EM531323 32 K6^x32 100/75/66 M^ 3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
High Speed SRAM - высокоскоростная статическая память
EM51256C 32 K6^x8 10, 12, 15 5 SOJ28, DIP28, TSOP28 Асинхронная
EM51L256A 32 K6^x8 15 3,3 SOJ28, DIP28, TSOP28
EM51 M6256A 32 K6^x8 15 3,3-5,0 SOJ28, DIP28, TSOP28 Mультиплексированная шина ввода-вывода
Low Power Asynchronous SRAM - асинхронная статическая память с малым потреблением
EM564161 256 K6^x16 70,85 2,3-3,6 BGA48 Асинхронная
EM564081 512 K6^x8 70,85 2,3-3,6 BGA36 Асинхронная
EM565161 512 K6^x16 70,85 2,3-3,6 BGA48 Асинхронная
Wide Bus Memory SRAM - статическая память с широкой шиной данных
EM615162 256 K6^x16x2 (d^Al RAS#) 25, 28, 30, 35, 40 5 400 mil SOJ40 EDO
EM614163A 256 K6^x16 25, 28, 30, 35, 40 5 400 mil SOJ40 EDO
EM614163A 256 K6^x16 50, 60 5 400 mil SOJ40, TSOP2-40 EDO
EM634163A 256 K6^x16 45, 50, 60 3,3 400 mil SOJ40, TSOP2-40 EDO
EM614081 512 K6^x8 70 3,3-5 SOJ28, TSOP28 FPM
Компоненты и технологии, № 6'2002
Таблица 14
Л„ ... Питание, Быстродеи- „ Приме-
Объем Организация _ г Корпус [1] г
В ствие, нс чания
DRAM, EDO & FAST - динамическая память
GLT41016 1 M6 64 K6x16 (2 CAS) 5 30, 40 J4-40 EDO
GLT41016 1 M6 64 K6x16 (2 CAS) 5 30, 40 TC40/44 EDO
GLT41116 1 M6 64 K6x16 (2 CAS) 5 30*, 35, 40 J4-40 FP
GLT41116 1 M6 64 K6x16 (2 CAS) 5 30*, 35, 40 TC40/44 FP
GLT41216 1 M6 64 K6x16 (2 WE) 5 30*, 40 J4-40 EDO
GLT41216 1 M6 64 K6x16 (2 WE) 5 30*, 40 TC40/44 EDO
GLT41316 1 M6 64 K6x16 (2 WE) 5 30*, 40 J4-40 FP
GLT41316 1 M6 64 K6x16 (2 WE) 5 30*, 40 TC20/26 FP
GLT440L04 4 M6 1 M6x4 3,3 50, 60, 70 J4-20/26, TC20/26 EDO
GLT440 M604 4 M6 1 M6x 4 2,5 60, 70 TC20/26 EDO
GLT441L04 4 M6 1 M6x4 3,3 50, 60, 70 J4-40/44, TC40/44 FP
GLT440L08 4 M6 512 K6x8 3,3 60, 70, 80 J4-28 EDO
GLT441L08 4 M6 512 K6x8 3,3 60, 70 J4-28, TC-28 FP
GLT44016 4 M6 256 K6x16 5 28, 35, 40, 50 J4-40 EDO
GLT44016 4 M6 256 K6x16 5 35, 40 TC40/44 EDO
GLT440L16 4 M6 256 K6x16 3,3 35, 40, 50 J4-40 EDO
GLT440L16 4 M6 256 K6x16 3,3 35, 40, 50 TC40/44 EDO
GLT4160L16 16 M6 1 M6x16 3,3 45, 50, 60 J4-40/42 EDO
GLT4160L16 16 M6 1 M6x16 3,3 45, 50, 60 TC44/50 EDO
GLT4160L16S[2] 16 M6 1 M6x16 3,3 45, 50, 60 J4-40/42 EDO
GLT4160L16S[2] 16 M6 1 M6x16 3,3 45, 50, 60 TC44/50 EDO
GLT4160 M616 16 M6 1 M6x16 2,5 60, 70, 80 J4-40/42 EDO
GLT4160 M616 16 M6 1 M6x16 2,5 60, 70, 80 TC44/50 EDO
GLT4160 M616S[2] 16 M6 1 M6x16 2,5 60, 70, 80 J4-40/42 EDO
GLT4160 M616S[2] 16 M6 1 M6x16 2,5 60, 70, 80 TC44/50 EDO
GLT4160L04 16 M6 4 M6x4 3,3 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160L04S[2] 16 M6 4 M6x4 3,3 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160 M604 16 M6 4 M6x4 2,5 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160 M604S[2] 16 M6 4 M6x4 2,5 50, 60, 70 TC24/26 EDO
Synchronous SDRAM - синхронная динамическая память
GLT540L16 4 M6 128 Kбx1бx2bаnk 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5160L16 16 M6 512 K6x16x2bank 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5160L16I[3] 16 M6 512 K6x16x2bank 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5640L16 64 M6 1024 Kбx1бx4bank 3,3 6, 7, 8 TC54 SDR
GLT5640L32 64 M6 512 Kбx32x4bank 3,3 6, 7, 8 TC86 SDR
Примечания:
[1] В приведенной таблице использованы следующие сокращения наименований корпусов: J4 - 400 mil SOJ, TC - TSOP(II), TQ - TQFP.
[2] Self Refresh — саморегенерация.
[3] Индустриальное исполнение с диапазоном температур от -40 до +85 °C. Таблица 15
Тип Объем Органи- зация Питание, В Энергопотребление (SL, LL) Быстро- действие, нс Корпус [1]
Super Low Power Asynchronous SRAM - статическая память со сверхнизким энергопотреблением
GLT6100L08 SL,LL 1 M6 128 K6x8 2,7-3,3 1, 5 55, 70 ST32
GLT6100L16 SL,LL 1 M6 64 K6x16 2,7-3,3 1, 5 55, 70 TC44
GLT6200L08 SL,LL [2] 2 M6 256 K6x 8 2,7-3,6 2, 10 55, 70 ST32, FI32 6x8
GLT6200 M608 SL,LL,I [2] 2 M6 256 K6x8 2,3-2,7 2, 10 120 ST32, FI32 6x8
GLT6200L16 SL,LL 2 M6 128 K6x16 2,7-3,3 2, 10 35 FG48 9X12
GLT6200L16 SL,LL,I [2] 2 M6 128 K6x16 2,7-3,6 2, 10 55, 70 TC48, FI48 6x8
GLT6200 M616 SL,LL,I [2] 2 M6 128 K6x16 2,3-2,7 2, 10 120 TC48, FI48 6x8
GLT6400L08 SL,LL,I [2] 4 M6 512 K6x 8 3,0-3,6 5, 20 70 TS32, ST32, FC32
GLT6400L08 SL,LL,I [2] 4 M6 512 K6x 8 2,7-3,3 5, 20 85 TS32, ST32, FC32
GLT6400 M608 SL,LL,I [2] 4 M6 512 K6x8 2,3-2,7 5, 20 120 TS32, ST32, FC32
GLT6400L16 SL,LL,I [2] 4 M6 256 K6x16 3,0-3,6 5, 20 70 TC44/48, FH44/48 8x10
GLT6400L16 SL,LL,I [2] 4 M6 256 K6x16 2,7-3,3 5, 20 85 TC44/48, FH44/48 8x10
GLT6400 M616 SL,LL,I [2] 4 M6 256 K6x16 2,3-2,7 5, 20 120 TC44/48, FH44/48 8x10
GLT6810_08 SL,LL,I [2] 8 M6 1 M6x 8 1,8-2,7 10, 40 65-85 TS32, ST32, FC32
GLT6810_16 SL,LL,I [2] 8 M6 512 K6x16 1,8-2,7 10, 40 65-85 TC44/48, FH44/48 8x10
Asynchronous SRAM - асинхронная статическая память
GLT625608 ,I [industrial] 256 K6 32 K6x8 5 70 FB28
GLT725608 ,I [industrial] 256 K6 32 K6x8 5 12,15 J3-28, FB28
GLT7256L08 256 K6 32 K6x8 3,3 8,15 J3-28
Примечания:
[1] В приведенной таблице использованы следующие сокращения наименований корпусов: J3 — 300mil SOJ; TS — TSOP(I) (8x20 мм); TC — TSOP(II) (8x20 мм);
FB — 330 mil SOP; ST — Shrink TSOP(I) (8x13,4 мм); FC — SOP(45c);
FG — 48-fpBGA (9x12 мм); FH48 — fpBGA (8x10 мм); FI — 48-fpBGA (6x8 мм).
[2] Индустриальное исполнение с диапазоном температур от -40 до +85 °C.
