CC BY
69Компоненты и технологии, № 4'2002
Современные
микросхемы памяти
Олег Николайчук
[email protected] Таблица 1
Наименование Internet-адрес Преобладающая направленность
Alliance Semiconductor http://www.alsc.com Memory ICs
AMIC Technology http://www.amictechnology.com Memory ICs
APTOS Semiconductor http://www.aptos.com SRAM
Atmel http://www.atmel.com Flash
Austin Microelectronics http://www.austinsemi.com DRAM
Bright Microelectronics http://www.brightflash.com Flash
Brilliance Semiconductor http://www.bsi.com.tw SRAM,EPROM
Catalist Semiconductor http://www.catsemi.com Memory ICs
Crosslink Semiconductor http://www.xlinkusa.com CMOS Memory
Dallas Semiconductor (part of MAXIM) http://www.dalsemi.com http://dbserv.maxim-ic.com SRAM, NV-RAM, TK-RAM
Dominion Semiconductor (part of TOSHIBA) http://www.dominionsc.com DRAM, Flash
DPAC Technologies (ex. DENSE-PAC) http://www.dense-pac.com SRAM,NV-RAM, DRAM, Flash
Electronic Designs http://www.electronic-designs.com Memory ICs
Elite Semiconductor http://www.esmt.com.tw SRAM, DRAM
Enhaced Memory Systems http://www.edram.com DRAM
EON Silicon Devices http://www.eonsdi.com Flash, NVM
Epson Electronics America http://www.eea.epcon.com NVM, TK-RAM
Etron Technology http://www.etron.com SRAM, DRAM
Fairchild Semiconductor http://www.fairchildsemi.com Memory ICs
Galvantech http://www.galvantech.com SRAM
G-Link Technology http://www.glinktech.com SRAM, DRAM
GSI Technology http://www.gsitechnology.com SRAM
HYNIX Semiconductor http://www.hynix.com Memory ICs
Hyundai Electronics (HYNIX) http://www.us.hynix.com Memory ICs
Integrated Circuit Solution http://www.icsi.com.tw Memory ICs
Integrated Device Technology http://www.idt.com Memory ICs
Integrated Silicon Solutions http://www.issiusa.com Memory ICs
Kawasaki LSI http://www.klsi.com Memory ICs
Lanstar Semiconductor http://www.lsem.com DRAM
LG Semicon (part of HYNIX) http://www.us.hynix.com Memory ICs
Logic Devices http://www.logicdevices.com SRAM
M-Systems http://www.m-sys.com Flash
Macronix International http://www.macronix.com NVM
Matsushita Electric http://www.mai.co.jp Memory ICs
Microchip Technology http://www.microchip.com Memory ICs
Micron Semiconductor http://www.micron.com Memory ICs
Mitsubishi Semiconductors http://www.mitsubishichips.com Memory ICs
MOSEL-VITELIC http://www.moselvitelic.com Memory ICs
MOSYS http://www.mosysinc.com DRAM
MSIS Semiconductor http://www.msis.com Memory ICs
Music Semiconductors http://www.music.com Memory ICs
Nexflash Technology http://www.nexcomtech.com Flash
Paradigm Technology http://www.ixys.com Memory ICs
Performance Semiconductor http://www.performance-semi.com SRAM
Powerchip Semiconductor http://www.psc.cmo.tw DRAM
Radisys http://www.radisys.com Memory ICs
Samsung Electronics http://www.samsungelectronics.com SRAM
Silicon Magic http://www.simagic.com Memory ICs
Silicon Storage Technology http://www.ssti.com Flash
Simtek http://www.simtek.com NV-RAM
Soft Device http://www.softdevice.com Memory ICs
Sony Semiconductor of America http://www.sel.sony.com Memory ICs
ST Microelectronics http://www.st.com Memory ICs
TEC http://www.tec1.com NV-RAM
Thomson-CSF http://www.tcs.thomson-csf.com Memory ICs
Tower Semiconductor http://www.towersemi.com Memory ICs
United Semiconductor http://www.umc.com.tw Memory ICs
Utron Technology http://www.utron.com.tw Memory ICs
Vanguard http://www.vis.com.tw DRAM
White Microelectronics http://www.whitemicro.com SRAM, DRAM, Flash, NVM
Whiteoak Semiconductor http://www.whiteoaksemi.com Memory ICs
Xicor http://www.xicor.com Memory ICs
Zentrum Mikroelektronik http://www.zmd.de NV-RAM
Введение
Подсистемы памяти являются неотъемлемой частью практически всех современных устройств вычислительной техники, за исключением, пожалуй, некоторых малых контроллеров. В настоящее время в мире насчитывается более ста производителей тех или иных микросхем памяти. Существуют фирмы, которые специализируются на выпуске только микросхем памяти, однако множество фирм выпускают микросхемы памяти наряду с другой продукцией. Настоящая статья призвана ознакомить читателя с современной терминологией в области подсистем памяти, основными разновидностями микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.
Основные понятия
Для лучшего понимания состояния рынка современных микросхем памяти следует ознакомиться с основной общепринятой терминологией в этой области:
RAM (Random Access Memory) — оперативная память с произвольным доступом;
ROM (Read Only Memory) — постоянная память;
NVM (Non-VolatileMemory) — обычно термин используется для обозначения семейства ROM, в которое входят ROM, OTP, EPROM, EEPROM, Flash, NVRAM;
Flash (Flash RAM, FRAM) — особый тип памяти, допускающей операции чтения и записи при рабочих напряжениях (обычно 5 В, для более ранних микросхем запись при 12 В), которые сохраняют содержимое при отсутствии питания за счет оригинальной структуры запоминающей ячейки;
NV-RAM (Non-VoltageRAM) — особый вид RAM, которая может сохранять свое содержимое при отсутствии питания либо за счет особенностей изготовления запоминающей ячейки, либо за счет наличия встроенной в микросхему или модуль литиевой батарейки;
OTP (Onceprogrammed memory) — память, однократно программируемая потребителем;
EPROM (Electrically Programmable ROM) — электрически программируемая постоянная память;
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) — электрически стираемая и программируемая постоянная память;
SRAM (Static RAM) — статическая память с произвольным доступом;
Компоненты и технологии, № 4'2002
Таблица 2
Тип Объем Питание, В Интерфейс Примечания
DataFlash Память данных
AT45DB011B 1 М 2,7 Serial 1 SRAM буфер 264 байта
AT45DB021B 2 М 2,7 Serial 2 SRAM буфера 264 байта
AT45DB041B 4 М 2,7 Serial 2 SRAM буфера 264 байта
AT45DB081B 8 М 2,7 Serial 2 SRAM буфера 264 байта
AT45DB161B 16 М 2,7 Serial 2 SRAM буфера 528 байта
AT45DB321B З2 М 2,7 Dual 2 SRAM буфера 528 байта
AT45DB642 64 М 2,7 Dual 2 SRAM буфера 1О56 байта
AT45DB1282 128 М 2,7 Dual
AT45DB2562 256 М 2,7 Dual
AT45DCB002 2 Мбайт 2,7 Serial DataFlash Card
AT45DCB004 4 Мбайт 2,7 Serial DataFlash Card
AT45DCB008 8 Мбайт 2,7 Serial DataFlash Card
EPROM Электрически программируемая память
AT27BV010 1 М 2,7-З,6 Parallel OTP x 16 (два байта)
AT27BV020 2 М 2,7-З,6 Parallel OTP x 8
AT27BV040 4 М 2,7-З,6 Parallel OTP x 8
AT27BV1024 1 М 2,7-З,6 Parallel OTP x 8
AT27BV256 256 К 2,7-З,6 Parallel OTP x 8 (один байт)
AT27BV4096 4 М 2,7-З,6 Parallel OTP x 16
AT27BV512 512 К 2,7-З,6 Parallel OTP x 8
AT27C256R 256 К 5 Parallel OTP x 8
AT27C512R 512 К 5 Parallel OTP x 8
AT27C516 512 К 5 Parallel OTP x 16
AT27LV010A 1 М Parallel OTP x 8
AT27LV020A 2 М Parallel OTP x 8
AT27LV040A 4 М Parallel OTP x 8
AT27LV256A 256 К Parallel OTP x 8
AT27LV512A 512 К Parallel OTP x 8
AT27LV520 512 К Parallel OTP x 8 со встроенным регистром адреса
Small Sectored Flash Flash-память с малыми секторами и чтением / записью при одинаковом напряжении питания
AT29BV010A 1 М 2,7 Parallel Flash x 8
AT29BV020 2 М 2,7 Parallel Flash x 8
AT29BV040A 4 М 2,7 Parallel Flash x 8
AT29C010A 1 М 5 Parallel Flash x 8
AT29C020 2 М 5 Parallel Flash x 8
AT29C040A 4 М 5 Parallel Flash x 8
AT29C1024 1 М 5 Parallel Flash x 8
AT29C256 256 K 5 Parallel Flash x 8
AT29C257 256 K 5 Parallel Flash x 8
AT29C512 512 K 5 Parallel Flash x 8
AT29LV010A 1 М Parallel Flash x 8
AT29LV020 2 М Parallel Flash x 8
AT29LV040A 4 М Parallel Flash x 8
AT29LV1024 1 M Parallel Flash x 8 / x 16
AT29LV256 256 K Parallel Flash x 8
AT29LV512 512 K Parallel Flash x 8
Large Sectored Flash Flash-память с большими секторами и чтением / записью
при одинаковом напряжении питания
AT49BV/LV001(N)(T) 128 K x 8 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49BV/LV002(N)(T) 256 K x 8 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49BV/LV040(N)(T) 4 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49BV/LV4096A 4 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 W
AT49BV/LV8011(T) 8 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 W с секторным доступом
AT49BV/LV8011(T) 8 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 W с секторным доступом
AT49BV008A(T)/8192A(T)/ LV8192A 8 М 2,7 Parallel Flash x 8
AT49BV008A(T)/8192A(T)/ LV8192A 8 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 W
AT49BV160(T)/BV161(T)/ LV161(T) 16 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 секторизованная с верхним загрузочным блоком
AT49BV2048A/LV2048A 2 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 W
AT49BV320(T)/321(T)/ LV320(T)/LV321(T З2 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 секторизованная
AT49BV3214T/BV3218(T) З2 М 2,7 (BV) З (LV) Parallel Flash x 8 секторизованная
AT49BV512 512 K 2,7 Parallel Flash x 8
AT49F001(N)(T) 128 K x 8 5 Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49F002(N)(T)(NT) 256 K x 8 5 Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49F008A(T)/8192A(T) 8 М 5 Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49F008A(T)/8192A(T) 8 М 5 Parallel Flash x 8 / x 16 с побайтной записью
AT49F040 4 М 5 Parallel Flash x 8 с начальным (N) или конечным (T) загрузочным блоком
AT49F1024/1025 64 K x 16 5 Parallel Flash x 16
AT49F2048A 2 М 5 Parallel Flash x 16
AT49F4096A 4 М 5 Parallel Flash x 16
AT49F512 512 K 5 Parallel Flash x 8
AT49F8011(T) 8 М 5 Parallel Flash x16 секторизованная с побайтной записью
AT49LV1024/1025 64 K x 16 З Parallel Flash x 16
Тип Объем Питание, В Интерфейс Примечания
Burst / Page Flash 1 Со страничным (P) доступом и (B) произвольным доступом
AT49SN6416(T)/3208(T) 64 М (B) З2 М (P) 1,8 Parallel
AT49BN6416(T)/3208(T) 64 М (B) З2 М (P) 2,7 Parallel
Firmware Hub Для прошивок Firmware
AT49LW080/040 8/4 М 1 3 | Parallel |
Synchronous Flash Синхронная высокоскоростная память
AT49LD3200(B) 32 М | 3 | Parallel |
Parallel EEPROM EEPROM с параллельным доступом
AT28BV16 16 K 2,7 ЕЕРЮМ
AT28BV256 256 K 2,7 ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28BV64 64 K 2,7 ЕЕРЮМ
AT28BV64B 64 K 2,7 ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28C010 Com/Ind/Mil 1 М 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 128 байт и программной защитой данных
AT28C040 4 М 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 256 байт и программной защитой данных
AT28C16 16 K 5 Parallel ЕЕРЮМ
AT28C16-T 16 K 5 Parallel ЕЕРЮМ
AT28C17 16 K 5 Parallel ЕЕРЮМ с сигналом готовности
AT28C256 256 K 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28C64/X 64 K 5 Parallel ЕЕРЮМ с сигналом готовности
AT28C64B 64 K 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28HC256 256 K 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28HC64B 64 K 5 Parallel ЕЕРЮМ со страницами по 64 байта и программной защитой данных
AT28LV010 1 М З,О ЕЕРЮМ со страницами по 128 байт и программной защитой данных
Serial EEPROM 1 EEPROM с последовательным доступом
AT24C01 2 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ не наращиваемая
AT24C01A/2/4/8/16 1/2/4/8/16K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ
AT24C02A/04A/08A/16A 2/4/8/16 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ
AT24C1024 1 М 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием
AT24C128/256 128/256K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием
AT24C164 16 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием
AT24C21 1 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ
AT24C32/64 З2/64K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием
AT24C32A/64A З2/64K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием, защитой записи и высокой скоростью
AT24C512 512 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием
AT24CS128 128/256K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с наращиванием, защитой записи
AT25010/020/040 1/2/4K 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3
AT25080/160/320/640 8/16/З2/64K 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3
AT25128/256 256 K 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3
AT25F512/1024 1 М 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3
AT25HP256/512 256/512 К 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3, высокоскоростная с только страничной записью
AT25P1024 1 M 1,8-5 SPI БЕЕРЮМ с БР1 режимы 0 и 3
AT34C02 2 K 1,8-5 2 Wire БЕЕРЮМ с защитой записи
AT93C46/56/66 1/2/4K 1,8-5 3 Wire БЕЕРЮМ х 8 / х 16
AT93C46A 1 K 1,8-5 3 Wire БЕЕРЮМ х 16
AT93C46C 1 K 1,8-5 3 Wire БЕЕРЮМ х 8 / х 16 с триггерами Шмитта
Automotive 1 Автомобильные
AT24C01A/02/04/08/16 1/2/4/8/16 K 2,7-5,5 2 Wire SAEEPROM
AT25010/020/040 1/2/4K 2,7-5,5 SPI SAEEPROM с SPI режимы О и З
AT25080/160/320/640 8/16/З2/64K 2,7-5,5 SPI SAEEPROM с SPI режимы О и З
AT25128/256 128/256K 2,7-5,5 SPI SAEEPROM с SPI режимы О и З
AT93C46/56/66 1/2/4K 2,7-5,5 З Wire SAEEPROM
Є~
Таблица 3
Наименование Интерфейс Питание, В Объем памяти Корпус
DS^ Bytewide 5 8 K 28^^.72ОЬ
DS1244 Bytewide З,З / 5 З2 K 28^^.74ОЬ; 34/PwrCap
DS1248 Bytewide З,З / 5 128 K 32/EDIP.740d; 34/PwrCap
DS1251 Bytewide З,З / 5 512 K 32/EDIP.740d; 34/PwrCap
DS1254 Bytewide З,З / 5 2 M 168/BGA-40x40
DS1642 Bytewide 5 2 K 24^^.7ОО
DS^ Bytewide 5 8 K 28/EDIP.740a; 34/PwrCap
DS1644 Bytewide 5 З2 K 28/EDIP.720a; 34/PwrCap
DS1646 Bytewide 5 128 K 32/EDIP.740a; 34/PwrCap
DS1647 Bytewide 5 512 K 32/EDIP.740d; 34/PwrCap
DS1742 Bytewide З,З / 5 2 K 24^^.7ОО
DS^ Bytewide З,З / 5 8 K 28/EDIP.740a; 34/PwrCap
DS1744 Bytewide З,З / 5 З2 K 28/EDIP.740a; 34/PwrCap
DS1746 Bytewide З,З / 5 128 K 32/EDIP.740a; 34/PwrCap
DS1747 Bytewide З,З / 5 512 K 32/EDIP.740d; 34/PwrCap
DS2404 1 Wire / З Wire З / З,З / 5 512 K ^^^.ЗОО; 16^.ЗОО; 16/SSOP
Компоненты и технологии, № 4'2002
Таблица 4
Наименование Тип памяти Организация Интерфейс Питание, В Встроенная батарейка Корпус
Serial SRAM SRAM с последовательным доступом
DS1200 SRAM 1 K x 1 3 Wire 4,5-5,5 No Ю^^.ЗОО 16/SO^
Parallel SRAM SRAM с параллельным доступом
DS1380 SRAM 2 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 No 24/PDIP.600 24/SO^
DS2016-100 SRAM 2 K x 8 Parallel 2,7-5,5 No 24/PDIP.600 24/SO^
DS2016-150 SRAM 2 K x 8 Parallel 2,7-5,5 No 24/PDIP.600 24/SO^
DS2229 SRAM 512Kx 16 Parallel 4,5-5,5 No 8О^Ж
DS2422 SRAM 1 K x 1 1 Wire 2,8-5,5 No 6/TSOC
DS2423 SRAM 4 K x 1 1 Wire 2,8-5,5 No 6/TSOC CSP2423
NV-SRAM SRAM с батарейным питанием (встроенным или внешним)
DS^AB/AD NV-SRAM 2 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes 24/EDIP.720a
DS1225AB/AD NV-SRAM 8 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes 28^^.72ОЬ
DS1230W NV-SRAM З2 K x 8 Parallel З,О-З,6 Yes 28^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS^Y/AB NV-SRAM З2 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes 28^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS1245W NV-SRAM 128 K x 8 Parallel З,О-З,6 Yes З2^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS1245Y/AB NV-SRAM 128 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes З2^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS1249W NV-SRAM 256 K x 8 Parallel З,О-З,6 Yes З2^^.74Оє
DS1249Y/AB NV-SRAM 256 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes З2^^.74Оє
DS^W NV-SRAM 512 K x 8 Parallel З,О-З,6 Yes З2^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS^Y/AB NV-SRAM 512 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes З2^^.74ОЬ 34/PwrCap
DS1258W NV-SRAM 128 Kx 16 Parallel З,О-З,6 Yes 4О^^.74О
DS1258Y/AB NV-SRAM 128 Kx 16 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes 4О^^.74О
DS1265W NV-SRAM 1 M x 8 Parallel З,О-З,6 Yes З6^^.74О
DS1265Y/AB NV-SRAM 1 M x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes З6^^.74О
DS^AB NV-SRAM 2 M x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes З6^^.74О
DS^W NV-SRAM 2 M x 8 Parallel З,О-З,6 Yes З6^^.74О
DS1330W NV-SRAM З2 K x 8 Parallel З,О-З,6 No 34/PwrCap
DS1330Y/AB NV-SRAM З2 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 No 34/PwrCap
DSH45W NV-SRAM 128 K x 8 Parallel З,О-З,6 No 34/PwrCap
DSH45Y/AB NV-SRAM 128 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 No 34/PwrCap
DS^W NV-SRAM 512 K x 8 Parallel З,О-З,6 No 34/PwrCap
DS1350Y/AB NV-SRAM 512 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 No 34/PwrCap
DSU81 NV-SRAM 2 K x 8 Parallel 4,5-5,5 4,75-5,25 Yes 24/PDIP.600 24/SO^
DS2227 NV-SRAM 512 K x 8 128KxЗ2 256 K x 16 Parallel 4,5-5,5 No 72/SIPSTIK
DS3803 NV-SRAM 128 K x 8 З2 K x З2 64 K x 16 Parallel 4,5-5,5 No 72/SIPSTIK
DS9034PC NV-SRAM - - - No PwrCap
Serial E(E)PROM E(E)PROM с последовательным доступом по однопроводной линии
DS2430A EEPROM З2О x 1 1 Wire 2,8-6 No З/ТО92 6/TSOC CSP2430
DS2432 EEPROM 1 K x 1 1 Wire 2,8-5,5 No 6/TSOC CSP2432
DS2433 EEPROM 4 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 8/SO^8 CSP2433 PR35
DS2406 EPROM 1 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92 6/TSOC CSP2406
DS2502 EPROM 1 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92 6/TSOC 8/SO.150 CSP2502
DS2502-E64 EPROM 1 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92 6/TSOC
DS2502-UNW EPROM 1 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92 6/TSOC 8/SO.150
DS2505 EPROM 16 K x 1 1 Wire 2,8-6 No З/ТО92 6/TSOC
DS2505-UNW EPROM 16 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92 6/TSOC
DS2506 EPROM 64 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92-Long 8/SO.150
DS2506-UNW EPROM 64 K x 1 1 Wire 2,8-6 No 3/TO92-Long 8/SO.150
DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память с произвольным доступом;
TK-RAM (Timekeeping RAM) — память с произвольным доступом, в которой часть ячеек заменена на регистры, в которые автоматически выводятся данные от встроенных часов реального времени (RTC), календаря и т. п. Обычно выпускается либо со встроенной литиевой батарейкой, либо со входом для подключения внешней батарейки, либо с конструктивно совмещенным (в корпусе микросхемы) держателем для внешней батарейки;
RTC (Real Time Clock) — таймер реального времени;
Parallel (Access) Memory (RAM, Flash...) — память с параллельным доступом;
Serial (Access) Memory (RAM, Flash...) — память с последовательным доступом.
Кроме приведенных выше общепринятых терминов в специальной литературе и документации фирм-производителей встречается еще множество других, с которыми мы познакомим читателя по мере необходимости.
Названия наиболее известных производителей микросхем памяти, их Internet-адреса и выпускаемые типы микросхем памяти приведены в табл. 1.
Очевидно, что в рамках одной статьи ознакомить читателя со всей продукцией рынка памяти невозможно, да и нет необходимости, так как продукция многих фирм не поставляется в нашу страну, да и в своей стране поставляется только фирмам-партнерам. Поэто-
му мы познакомимся с продукцией только крупнейших или наиболее доступных производителей.
Пожалуй, наибольшую известность и популярность в нашей стране имеет фирма Atmel, являющаяся несомненным мировым лидером по производству различных микросхем с применением Flash-технологий. Микросхемы памяти, выпускаемые этой фирмой, приведены в табл. 2.
Не менее известна на нашем рынке и фирма Dallas Semiconductor, которая совсем недавно стала частью фирмы MAXIM. Фирма Dallas Semiconductor является мировым лидером по производству NV Timekeeping RAM. Это модули, содержащие SRAM, в которой часть ячеек заменена на регистры. В эти регистры автоматически выводятся данные от встроенных часов реального времени (RTC), календаря и т. п. Обычно выпускается либо со встроенной литиевой батарейкой, либо со входом для подключения внешней батарейки, либо с конструктивно совмещенным (в корпусе микросхемы) держателем для внешней батарейки (PwrCAP). Микросхемы TK-SRAM фирмы Dallas приведены в табл. 3.
Кроме этого, фирма Dallas Semiconductor выпускает достаточно большой набор других типов NV-RAM (см. табл. 4).
Большой выбор статической (SRAM), динамической (DRAM) и Flash-памяти предлагает фирма Alliance Semiconductor. Перечень микросхем статической памяти представлен в табл. 5.
SRAM 3,3 V Fast Asynchronous — быстродействующая асинхронная статическая память
Динамическая память, выпускаемая фирмой Alliance Semiconductor, представлена в табл. 6.
Кроме этого, фирмой Alliance Semiconductor выпускается несколько микросхем Flash-памяти (см. табл. 7).
Достаточно широкий набор асинхронной статической памяти SRAM предлагает фирма Brilliance Semiconductor (табл. 8).
В заключение первой части этой обзорной статьи хотелось бы познакомить читателя с оригинальной продукцией фирмы DPAC Technologies, которая изготавливает ряд интересных аксессуаров для памяти (http://www.dense-pac.com).
Для существенной экономии места на печатной плате выпускается специальная колодка для установки нескольких микросхем памяти одна на одну, так называемый LP-Stacks™ (Leaded Plastic Stacks). Это изделие идеально подходит для широкого круга коммерческих и индустриальных применений. Колодки LP-Stacks™ выпускаются для микросхем SDRAM, DRAM, SRAM, EEPROM, Flash, DDR и FCRAM. Существуют LP-Stacks™ для коммерческого и расширенного температурного диапазона.
Другое оригинальное изделие High-Reliability Ceramic Modules — высоконадежные керамические модули. Это изделие не только экономит место на печатной плате (поскольку в него устанавливается несколько
Компоненты и технологии, № 4'2002
Таблица 5
SRAM 3,3 V Fast Asynchronou s — быстродействующая асинхронная статическая память
Объем Организация Тип Скорость (нс) Корпус Статус Примечания
2б6 K 32 K x 8 AS7C3256 12, 15, 20 PDIP(28), SOJ(28), TSOP1(28) Серия
AS7C3256A 10, 12, 15, 20 SOJ(28), TSOP1(28) 3 квартал 2002
б12 K 32 Kx 16 AS7C3513 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44) Серия
AS7C3513A 10, 12, 15, 20 Серия
1 M 128 K x 8 AS7C31024 12, 15, 20 SOJ(32.3 & 32.4), TSOP1(32) Серия 32.3 = 300 mil; 32.4 = 400 mil
AS7C31024A 10, 12, 15, 20 SOJ (32.3 & 32.4), TSOP1(32), sTSOP1(32) Серия
128 K x 8 AS7C31025 12, 15, 20 SOJ (32.3 & 32.4) Серия Center Power Ground
AS7C31025A 10, 12, 15, 20 SOJ (32.3 & 32.4); TSOP (32) Серия
64 Kx 16 AS7C31026 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44), BGA(48) Серия
AS7C31026A 10, 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44), BGA(48) Серия
4 M б12 K x 8 AS7C34096 10, 12, 15, 20 SOJ(36), TSOP2(44), BGA(48) Серия
2б6 Kx 16 AS7C34098 10, 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44), BGA(48) Серия
SRAM 5 V Fast Asynchronous — быстродействующая асинхронная статическая память TSOP2(44), BGA(48)
64 K 8 K x 8 AS7C164 12, 15, 20 PDIP(28),SOJ(28) Серия
AS7C164A 10, 12, 15, 20 SOJ(28) 3 квартал 2002
2б6 K 32 K x 8 AS7C256 12, 15, 20 PDIP(28),SOJ(28), TSOP1(28) Серия
AS7C256A 10, 12, 15, 20 SOJ(28),TSOP1(28) 3 квартал 2002
б12 K 32 Kx 16 AS7C513 12, 15, 20 SOJ(44),TSOP2(44) Серия
AS7C513A 10, 12, 15, 20 Серия
1 M 128 K x 8 AS7C1024 12, 15, 20 SOJ (32.3 &32.4), TSOP1(32) Серия 32.3 = 300 mil; 32.4 = 400 mil
AS7C1024A 10, 12, 15, 20 SOJ (32.3 &32.4), TSOP1(32); sTSOP1(32) Серия
128 K x 8 AS7C1025 12, 15, 20 SOJ (32.3 & 32.4) Серия Center Power Ground
AS7C1025A 10, 12, 15, 20 SOJ (32.3 & 32.4); TSOP (32) Серия
64 Kx 16 AS7C1026 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44) Серия
AS7C1026A 10, 12, 15, 20 Серия
4 M б12 K x 8 AS7C4096 12, 15, 20 SOJ(36), TSOP2(44), BGA (48) Серия
2б6 Kx 16 AS7C4098 12, 15, 20 SOJ(44), TSOP2(44), BGA (48) Серия
SRAM 1,65-3,6 V inteiiiwatt Low Power Asynchronous — быстродействующая
асинхронная статическая память с низким потреблением
Объем Органи- зация Тип Питание, В Скорость (нс) Корпус Статус Примечания
AS6UA5128 2,3-3,6 бб, 70 CSP(48/36) Серия 7 x 11 mm CSP
512 K x 8 AS6UB5128 2,3-3,6 бб, 70 CSP(48/36), TSOP2(32), TSOP1(32), sTSOP1(32) 4 квартал 2002 6 x 8 mm CSP
AS6VA5128 2,7-3,3 бб CSP(48/36) Серия 7 x 11 mm CSP
AS6WA5128 3,0-3,6 бб CSP(48/36) Серия 7 x 11 mm CSP
4 M AS6UA25616 2,3-3,6 бб, 70 CSP(48), TSOP2(44) Серия 7 x 11 mm CSP
AS6UB25616 2,3-3,6 бб, 70 CSP(48), TSOP2(44) 4 квартал 2002 6 x 8 mm CSP
256 Kx 16 AS6VA25616 2,7-3,3 бб CSP(48), TSOP2(44) Серия 7 x 11 mm CSP
AS6WA25616 3,0-3,6 бб CSP(48), TSOP2(44) Серия 7 x 11 mm CSP
AS6UB25617 2,3-3,6 бб, 70 CSP(48), TSOP2(44) 4 квартал 2002 CS2 pin, 6 x 8 mm CSP
1 M x 8 AS6VB1M8 2,7-3,3 70, 85 CSP(48), 2 квартал 2002 7 x 9 mm CSP
8 M AS6YB1M8 1,65-2,2 70, 85 CSP(48) 2 квартал 2002 7 x 9 mm CSP
512Kx 16 AS6VB51216 2,7-3,3 70, 85 CSP(48), 2 квартал 2002 7 x 9 mm CSP
AS6YB51216 1,65-2,2 70, 85 CSP(48) 2 квартал 2002 7 x 9 mm CSP
Low Power Asynchronous Pseudo SRAM for Mobil Specific applications — псевдостатическая память
с низким потреблением для мобильных применений
32 M 2 M x 16 AS3LC2M16 2,7-3,3 бб, 70 BGA(48) 3 квартал 2002 6 х 8 mm; BGA; Deep Power Down Mode
AS5LC2M16 2,7-3,3 бб, 70 BGA(48) 3 квартал 2002 6 х 8 mm; BGA SRAM compatible
Таблица 7
Fiash 3,3 V EEPROM — низковольтовая Fiash-память
Объем Организация Sector Тип Скорость (нс) Корпус Статус Примечания
4 M 512 K x 8 / 256Kx 16 Boot AS29LV400T/B 70, 80, 90, 120 TSOP(48) Серия
8 M 1 M x 8 / 512Kx 16 Boot AS29LV800T/B 70R, 80, 90, 120 TSOP(48) Серия 70R = 70 нс при 3,0-3,6 В
SRAM 3,3 V Synchronous — синхронная статическая память
Объем Органи- зация Тип Рабочая частота, MHz Корпус Статус Примечания
64 K x 32 AS7C3364PFS32A 200, 183, 166, 133, 100 Серия 3,3 / 2,5 B I/O
2 M 64 K x 36 AS7C3364PFS36A TQFP(100)
128Kx 16 AS7C33128PFS16A Серия 3,3 / 2,5 B I/O
128Kx 18 AS7C33128PFS18A
128Kx32 AS7C33128PFS32A 200, 183, 166, 133, 100 Серия 3,3 / 2,5 B I/O
4 M AS7C33128PFD32A TQFP(100)
256Kx 16 AS7C33256PFS16A Серия 3,3 / 2,5 B I/O
AS7C33256PFD16A
128Kx36 AS7C33128PFS36A 200, 183, 166, 133, 100 Серия 3,3 / 2,5 B I/O
4 M+ AS7C33128PFD36A TQFP(100)
256Kx 18 AS7C33256PFS18A Серия 3,3 / 2,5 B I/O
AS7C33256PFD18A
256Kx32 AS7C33256PFS32A 166 Серия 3,3 / 2,5 B I/O 2CEand 3 CE available
8 M AS7C33256PFD32A 150 TQFP(100)
512Kx 16 AS7C33512PFS16A 133 BGA (119) Серия
AS7C33512PFD16A 100
256Kx36 AS7C33256PFS36A 166 Серия 3,3 / 2,5 B I/O 2CEand 3 CE available
8 M+ AS7C33256PFD36A 150 TQFP(100)
512Kx 18 AS7C33512PFS18A 133 BGA (119) Серия
AS7C33512PFD18A 100
512Kx36 AS7C33512PFS36A 2б0 2 квартал 2002
18 M AS7C33512PFD36A 200 TQFP(100)
1 M x 18 AS7C331MPFS18A 166 BGA(119) 2 квартал 2002
AS7C331MPFD18A 100
SRAM 2,5 V Synchronous — синхронная статическая память
512Kx36 AS7C25512PFS36A 2б0 2 квартал 2002
18 M AS7C25512PFD36A 200 TQFP(100)
1 M x 18 AS7C251MPFS18A 166 BGA(119) 2 квартал 2002
AS7C251MPFD18A 100
SRAM 1,8 V Synchronous — синхронная статическая память
512Kx36 AS7C18512PFS36A 2б0 2 квартал 2002
18 M AS7C18512PFD36A 200 TQFP(100)
1 M x 18 AS7C181MPFS18A 166 BGA(119) 2 квартал 2002
AS7C181MPFD18A 100
3,3 V NTD Synchronous SRAM — синхронная статическая память
4 M+ 128Kx36 AS7C33128NTD36A 200, 183, TQFP(100) Серия
256Kx 18 AS7C33256NTD18A 166, 133, 100 Серия
8 M+ 256Kx36 AS7C33256NTD36A 166, 150, TQFP(100) Серия
512Kx 18 AS7C33512NTD18A 133, 100 BGA (119) Серия
18 M 512Kx36 AS7C33512NTD36A 250, 200, TQFP(100) 2 квартал 2002
1 M x 18 AS7C331MNTD18A 166, 100 BGA(119) 2 квартал 2002
18 M 512Kx36 AS7C25512NTD36A 250, 200, TQFP(100) 2 квартал 2002
1 M x 18 AS7C251MNTD18A 166, 100 BGA(119) 2 квартал 2002
1,8 V NTD Synchronous SRAM — синхронная статическая память
18 M 512Kx36 AS7C18512NTD36A 250, 200, TQFP(100) 2 квартал 2002
1 M x 18 AS7C181MNTD18A 166, 100 BGA(119) 2 квартал 2002
Таблица 6
5 V / 3,3 V Fast Page DRAM — быстрая страничная динамическая память
Объем Органи- зация Регене- рация Тип Скорость (нс) Корпус Статус Напряжение, В
4 M 256Kx 16 512 AS4C256K16F0 35, 50, 60 S0J(40), TS0P2(40/44) Серия б
1 M x 16 1 K AS4C1M16F5 50, 60 SOJ(42), TS0P(44/50) Серия б
16 M 4 M x 4 2 K AS4C4M4F1 50, 60 SOJ(24/26) Серия б
4 M x 4 2 K AS4C4M4F1Q 50, 60 SOJ(28) Серия б
4 M x 16 4 K AS4LC4M16F0 50, 60 TS0P2(50) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC4M16F2 50, 60 TS0P2(50) S=3Q'02 3,3
64 M 8 M x 8 4 K AS4LC8M8F0 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC8M8F2 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
16 M x 4 4 K AS4LC16M4F0 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC16M4F2 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
5 V I 3,3 V EDO DRA Л — динамическая память EDO
4 M 256Kx 16 512 AS4C256K16E0 35, 50, 60 S0J(40), TS0P2(40/44) Серия б
256Kx 16 512 AS4LC256K16E0 45, 50, 60 S0J(40), TS0P(40/44) Серия 3,3
1 M x 16 1 K AS4C1M16E5 50, 60 SOJ(42), TS0P(44/50) Серия б
16 M 1 M x 16 1 K AS4LC1M16E5 50, 60 SOJ(42), TS0P(44/50) Серия 3,3
4 M x 4 2 K AS4C4M4E1 50, 60 SOJ(24/26) Серия б
4 M x 4 2 K AS4C4M4E1Q 50, 60 SOJ(28) Серия б
4 M x 16 4 K AS4LC4M16E0 50, 60 TS0P2(50) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC4M16E2 50, 60 TS0P2(50) S=3Q'02 3,3
64 M 8 M x 8 4 K AS4LC8M8E0 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC8M8E2 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
16 M x 4 4 K AS4LC16M4E0 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
8 K AS4LC16M4E2 50, 60 SOJ(32), TSOP2(32) S=3Q'02 3,3
3,3 V Synchronous DRAM — - динамическая синхронная память
1 M x 16 2 K AS4LC1M16S1 6, 7, 8, 10 TS0P2(50) Серия
16 M 4 K AS4LC1M16S0 6, 7, 8, 10 TS0P2(50) Серия
2 M x 8 4 K AS4LC2M8S0 7, 8, 10 TSOP2(44) Sampling
2 K AS4LC2M8S1 7, 8, 10 TSOP2(44) Sampling
4 M x 16 4 K AS4LC4M16S0 7, 8, 10 TSOP2(54) S=3Q'02
64 M 8 M x 8 4 K AS4LC8M8S0 7, 8, 10 TSOP2(54) S=3Q'02
2 M x 32 4 K AS4LC2M32S0 6, 7, 8, 10 TSOP2(86) S=4Q'02
Компоненты и технологии, № 4'2002
Таблица 8
Таблица 9
Объем Конфигу- рация Скорость (нс) Тип Рабочее напряжение Рабочий ток (max), мА Ток покоя (typ.), uA Корпус
256 К 32 K x 8 150 BS62UV256 1,8-3,6 10 0,005 SOP-28, TSOP-28, PDIP-28, SOJ-28, DICE
70 BS62LV256 2,4-б,б 20 0,01
70 BS62LV2563 2,4-3,6 20 0,01
55/70 BS62LV2565 4,б-б,б 3б 0,4
1 М 128 K x 8 150 BS62UV1024 1,8-3,6 10 0,01 SOP-32, TSOP-32, STSOP-32, PDIP-32, SOJ-32, DICE
70 BS62LV1024 2,4-б,б 20 0,02
70 BS62LV1023 2,4-3,6 20 0,02
55/70 BS62LV1025 4,б-б,б 35 0,4
1 М 64 K x 16 150 BS616UV1010 1,8-3,6 10 0,01 TSOP2-44 Mini BGA-48
70 BS616LV1010 2,4-б,б 20 0,02
2 М 256 K x 8 70/100 BS62UV2001 1,8-3,6 15 0,08 TSOP-32 STSOP-32
70/100 BS62LV2000 2,7-б,б 20 0,15
70/100 BS62LV2001 2,4-б,б 20 0,1
70/100 BS62LV2003 2,4-3,6 20 0,1
55/70 BS62LV2005 4,б-б,б 35 0,6
2 М 128 Kx 16 70/100 BS616UV2011 1,8-3,6 15 0,08 TSOP1-48 TSOP2-44 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS616LV2010 2,7-3,6 25 0,15
70/100 BS616LV2011 2,4-б,б 20 0,1
70/100 BS616LV2012 2,7-3,6 30 0,15
70/100 BS616LV2013 2,4-3,6 20 0,1
55/70 BS616LV2015 4,б-б,б 40 0,6
2 М 2б6 K x 8 или 128 Kx 16 70/100 BS616UV2021 1,8-3,6 15 0,08 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS616LV2020 2,7-3,6 30 0,5
70/100 BS616LV2021 2,4-б,б 20 0,1
70/100 BS616LV2023 2,4-3,6 20 0,1
55/70 BS616LV2025 4,б-б,б 40 0,6
4 М 512 K x 8 70/100 BS62UV4000 1,8-3,6 15 0,2 TSOP-32 STSOP-32
70/100 BS62LV4000 2,7-3,6 20 0,5
70/100 BS62LV4001 2,4-б,б 20 0,25 SOP-32 TSOP2-32
55/70 BS62LV4005 4,б-б,б 45 1,5
4 М 256 Kx 16 70/100 BS616UV4010 1,8-3,6 15 0,2 TSOP2-44 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS616LV4010 2,7-3,6 20 0,5
70/100 BS616LV4011 2,4-б,б 20 0,25
70/100 BS616LV4012 2,4-б,б 20 0,2
55/70 BS616LV4015 4,б-б,б 45 1,5
4 М б12 K x 8 или 2б6 K x 16 70/100 BS616UV4020 1,8-3,6 15 0,2 TSOP2-44 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS616LV4020 2,7-3,6 20 0,5
70/100 BS616LV4021 2,4-б,б 20 0,25
70/100 BS616LV4022 2,4-б,б 20 0,2
55/70 BS616LV4025 4,б-б,б 45 1,5
8 М 1 M x 8 70/100 BS62LV8000 2,4-б,б 20 0,5 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS62LV8003 2,4-3,6 20 0,5
70/100 BS62LV8005 4,б-б,б 45 3
8 М 512 Kx 16 70/100 BS616UV8011 1,8-2,3 20 0,6 Mini BGA-48 DICE Mini BGA-48
70/100 BS616UV8010 1,8-3,6 15 0,4
70/100 BS616LV8011 2,7-3,6 40 1
70/100 BS616LV8012 2,4-3,6 20 0,5
55/70 BS616LV8015 4,б-б,б 45 3
8 М 1 M x 8 или б12 K x 16 70/100 BS616UV8021 1,8-2,3 20 0,6 Mini BGA-48 DICE
70/100 BS616UV8020 1,8-3,6 15 0,4
70/100 BS616LV8021 2,7-3,6 20 1
70/100 BS616LV8022 2,4-б,б 20 0,5
55/70 BS616LV8025 4,б-б,б 45 3
16 М 1 M x 16 70/100 BS616UV1610 1,8-2,3 25 1,2 Mini BGA-48 DICE
16 М 2 M x8 или 1 M x 16 70/100 BS616UV1620 1,8-2,3 25 1,2 Mini BGA-48 DICE
микросхем), но и защищает их от тяжелых условий эксплуатации и климатических воздействий.
Для ускорения разработки новых изделий выпускаются специальные отладочные платы. Они позволяют устанавливать кроме микросхем памяти несколько корпусов микросхем DSP, ASIC, PLD, а также пассивных элементов.
Разработанные фирмой DPAC Technologies устройства для установки микросхем памяти в «этажерки» получили название DDR-технологий. Они запатентованы и стали, фактически, промышленным стандартом. Фирма DPAC Technologies продолжает разрабатывать все новые системы для компактной установки различных типов памяти в «этажерки».
Кроме того, фирма выпускает микросхемы памяти и предлагает их в комплекте с вышеуказанными изделиями (см. табл. 9).
(Продолжение следует)
System Stack
Наименование Тип Объем Скорость Т диапазон Питание
1 DPHD15510SM16Q-10 1 DSP 1 4 М 1 10 1 C 1 3,3 1
1 DDR Memory Stack
DPDD128MX4WSAY5 DDR SDRAM 512 М 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD16MX16TSBY5 DDR SDRAM 256 М 7; 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD16MX8RSAY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD16MX8RSBY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD32MX16WSCY5 DDR SDRAM 512 М 7; 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD32MX4RSAY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD64MX4TSAY5 DDR SDRAM 256 М 7,5; 8; 10 C 3,3
1 LP-Stack, SRAM |
DP3S1MX8MY5 SRAM 8 М 70; 85; 100 C; CI 3,3
DP3S2MX8MY5 SRAM 16 М 70; 85; 100 C; CI 3,3
DPS1MX8MY5 SRAM 8 М бб; 70; 85 C; CI б
DPS2MX8MY5 SRAM 16 М бб; 70; 85 C; CI б
DPS32KX32Y5 SRAM 1 М 12; 15; 17 C; I б
DPS512X32MKY5 SRAM 16 М 12; 15; 17 C б
1 LP-Stack, SDRAM |
DPSD128MX4WY5 SDRAM 512 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD128MX8XKY5 SDRAM 1 Г 7,5; PC100 C 3,3
DPSD16MX16TY5 SDRAM 256 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD16MX8RKY5 SDRAM 128 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD16MX8RY5 SDRAM 128 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD32MX16WY5 SDRAM 512 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD32MX4RY5 SDRAM 128 М 15; 12; 10; 8; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD32MX8TKY5 SDRAM 256 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD32MX8TY5 SDRAM 256 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD4MX32RY5 SDRAM 128 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD64MX4RY5 SDRAM 256 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD64MX4TY5 SDRAM 256 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD64MX8WKY5 SDRAM 512 М 15; 12; 10; 8; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD64MX8WY5 SDRAM 512 М 15; 12; 10; 8; 7,5; PC100 C 3,3
DPSD8MX16RSY5 SDRAM 128 М 8; 7 C 3,3
DPSD8MX16RY5 SDRAM 128 М 15; 12; 10; 7,5; PC100 C 3,3
LP-Stack, EDO DRAM 1
DP3ED16MX8RKY5 EDO DRAM 128 М 50; 60 C 3,3
DP3ED16MX8RY5 EDO DRAM 128 М 50; 60 C 3,3
DP3ED32MX4RKY5 EDO DRAM 128 М 50; 60 C 3,3
DP3ED32MX4RY5 EDO DRAM 128 М 50; 60; 70 C 3,3
DP3ED32MX8RY5 EDO DRAM 256 М 50; 60; 70 C 3,3
1 LP-Stack,Fiash |
DP3Z4MX16PMBY5 Flash 64 М 90 3,3
DP3Z4MX16PMTY5 Flash 64 М 90 CI 3,3
LP-Stack, EEPROM
DPE128X32Y5 EEPROM 4 М 150 C б
H i-Rei Ceramic Stack, SRAM
DPS128M8BnY SRAM 1 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128M8CnY SRAM 1 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128X16Bn3 SRAM 2 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128X16Cn3 SRAM 2 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128X24Bn3 SRAM 3 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128X32BV3 SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS128X32CV3 SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS128X8BA3 SRAM 1 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS128X8CA3 SRAM 1 М 20; 25; 35; 45; бб C; I; M; B б
DPS1MK32MKV3 SRAM 32 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS1MX16MKn3 SRAM 16 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS1MX16MKn3 SRAM 16 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS1MX8MKN3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS256X16Bn3 SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS256X16Cn3 SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS256X32BV3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS256X32CV3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS2ME16MKn3 SRAM 32 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS2MK32MKV3 SRAM 64 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS2MX16MKn3 SRAM 32 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512C32MKV3 SRAM 16 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512M8MKnY SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X16Bn3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X16Cn3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X16MKn3 SRAM 8 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X32BV3 SRAM 16 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X32CV3 SRAM 16 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X32MKV3 SRAM 16 М 20; 25; 35; 45 C; I; M; B б
DPS512X8MKN3 SRAM 4 М 20; 25; 30; 35; 45 C; I; M; B б
1 Hi-Rei Ceramic Stack, Fiash
DP5Z1MW32PV3 Flash 32 М 120; 150; 200 C; I; M; B б
DP5Z2MW16Pn3 Flash 32 М 120; 150; 200 C; I; M; B б
DP5Z2MW32PV3 Flash 64 М 120; 150; 200 C; I; M; B б
DP5Z2MX8PAnY Flash 16 М 70; 90; 120; 150 C; I; M; B б
DP5Z4MW16Pn3 Flash 64 М 120; 150; 200 C; I; M; B б
DP5Z4MX16Pn3 Flash 64 М 120; 150; 200 C; I; M; B б
DPZ128X16InY Flash 2 М 120; 150; 170; 200; 250 C; I; M; B б
DPZ128X32IV3 Flash 4 М 120; 150; 170; 200; 250 C; I; M; B б
DPZ256X16InY Flash 4 М 120; 150; 170; 200; 250 C; I; M; B б
DPZ256X32IV3 Flash 8 М 120; 150; 170; 200; 250 C; I; M; B б
DPZ512X16In3 Flash 8 М 120; 150; 170; 200; 250 C; I; M; B б
DPHD15510SM16Q-10 DSP 4 М 10 1 C 3,3
1 DDR Memory Stack
DPDD128MX4WSAY5 DDR SDRAM 512 М 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD16MX16TSBY5 DDR SDRAM 256 М 7; 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD16MX8RSAY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD16MX8RSBY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD32MX16WSCY5 DDR SDRAM 512 М 7; 7,5; 8; 10 C 2,5
DPDD32MX4RSAY5 DDR SDRAM 128 М 7,5; 8; 10 C 3,3
DPDD64MX4TSAY5 DDR SDRAM 256 М 7,5; 8; 10 C 3,3
