Научная статья на тему 'СОСТОЯНИЕ И ВОЗМОЖНОСТИ РАЗВИТИЯ РОССИЙСКОЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ОТРАСЛИ'

СОСТОЯНИЕ И ВОЗМОЖНОСТИ РАЗВИТИЯ РОССИЙСКОЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ОТРАСЛИ Текст научной статьи по специальности «Экономика и бизнес»

CC BY
2399
425
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ / ПРОМЫШЛЕННАЯ ПОЛИТИКА / МИКРОЭЛЕКТРОНИКА / ПРОСТРАНСТВЕННОЕ РАЗВИТИЕ / СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ / ЦИФРОВИЗАЦИЯ / ЦИФРОВАЯ ИНФРАСТРУКТУРА / ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Аннотация научной статьи по экономике и бизнесу, автор научной работы — Сиротин Д. В.

Даётся оценка состояния отечественной микроэлектронной отрасли, уточняются возможности её дальнейшего развития. Сформулирована гипотеза о необходимости прямого государственного участия в развитии микроэлектронных производств страны. Методология исследования опирается на методы сравнительного, экономико-статистического, системного и структурно-логического анализа. Выделена структура производимой микроэлектроники, отражено технико-технологическое состояние микроэлектронных производств в стране. Установлено, что в региональном разрезе основные полупроводниковые производства сосредоточены в Центральном и Приволжском федеральных округах. Выделены нормативно-законодательная и институциональная базы обеспечения развития российской электронной индустрии, а также основные направления промышленной политики. С учётом опыта стран, сумевших создать мощную базу микроэлектронных производств, рассмотрены основные пути реализации возможностей дальнейшего развития отрасли. Установлены и систематизированы взаимосвязи между негативными факторами, влияющими на развитие отечественной микроэлектроники, и основными мерами, направленными на их устранение

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

THE STATE AND CAPABILITIES OF RUSSIA’S FURTHER DEVELOPMENT OF MICROELECTRONICS

The aim of the study is to assess the state of the domestic microelectronics, as well as to clarify the ways of realizing opportunities for its further development. A hypothesis is formulated about the need for direct government participation in the development of the country’s microelectronic industry. The structure of semiconductor manufacturing is highlighted. The technical and technological state of microelectronic industries in the country is reflected. The structure of spatial development of microelectronic production in Russia is shown. Highlights the regulatory and institutional bases for ensuring the development of the Russian electronic industry, as well as the main directions of the industrial policy pursued here. The article examines the experience of countries that have created a powerful base of microelectronic production, on the basis of which the main possible ways of development of the industry are highlighted. A system of basic measures aimed at eliminating negative factors that hinder the development of the domestic microelectronic industry has been formed. The proposed system of measures can be used in the formation and adjustment of draft state programs and strategies for the development of the Russian microelectronics

Текст научной работы на тему «СОСТОЯНИЕ И ВОЗМОЖНОСТИ РАЗВИТИЯ РОССИЙСКОЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ОТРАСЛИ»

ЭКОНОМИКА ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВА И ИННОВАЦИИ

Д. В. Сиротин1

СОСТОЯНИЕ И ВОЗМОЖНОСТИ РАЗВИТИЯ РОССИЙСКОЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ОТРАСЛИ2

Даётся оценка состояния отечественной микроэлектронной отрасли, уточняются возможности её дальнейшего развития. Сформулирована гипотеза о необходимости прямого государственного участия в развитии микроэлектронных производств страны. Методология исследования опирается на методы сравнительного, экономико-статистического, системного и структурно-логического анализа. Выделена структура производимой микроэлектроники, отражено технико-технологическое состояние микроэлектронных производств в стране. Установлено, что в региональном разрезе основные полупроводниковые производства сосредоточены в Центральном и Приволжском федеральных округах. Выделены нормативно-законодательная и институциональная базы обеспечения развития российской электронной индустрии, а также основные направления промышленной политики. С учётом опыта стран, сумевших создать мощную базу микроэлектронных производств, рассмотрены основные пути реализации возможностей дальнейшего развития отрасли. Установлены и систематизированы взаимосвязи между негативными факторами, влияющими на развитие отечественной микроэлектроники, и основными мерами, направленными на их устранение.

Ключевые слова: электронная промышленность, промышленная политика, микроэлектроника, пространственное развитие, стратегия развития электронной промышленности, цифровиза-ция, цифровая инфраструктура, производство полупроводников.

DOI: 10.37930/1990-9780-2021-3-69-105-122 УДК 338.45

Введение

Электронная промышленность ориентируется на выпуск готовых продуктов с высокой добавленной стоимостью. Особую роль играет микроэлектронная отрасль,

1 Дмитрий Владимирович Сиротин, старший научный сотрудник Лаборатории моделирования пространственного развития территорий Института экономики Уральского отделения РАН (620014, РФ, Екатеринбург, ул. Московская, 29), канд. экон. наук, e-mail: [email protected]

2 Статья подготовлена в соответствии с планом НИР для Лаборатории моделирования пространственного развития территорий Института экономики УрО РАН на 2021 г.

доля интеллектуальной составляющей в которой достигает 80 %. Микроэлектроника определяет производительность любого современного оборудования. Потребительские характеристики конечной продукции в автопроме, авиационной и космической промышленности, судостроении, бытовой электронике, специальной промышленной и военной электронике, телекоммуникации, интернете вещей зависят от радиоэлектронных технологий и программного обеспечения в среднем на 25...70 %. Всё это определяет положение микроэлектронной индустрии в ядре 6-го технологического уклада [1] и актуализирует необходимость увеличения темпов её развития в России.

К основным задачам настоящего исследования относятся оценка состояния отечественной микроэлектронной отрасли и уточнение путей реализации возможностей её дальнейшего развития. В этом плане интерес представляет формирование системы мер, направленных на устранение основных негативных факторов, сдерживающих развитие микроэлектроники. Такая система мер должна опираться на базовые положения промышленной политики, реализуемой в государстве на отраслевом уровне. Выдвигается гипотеза, что проведение промышленной политики, учитывающей прямое государственное участие, на современном уровне развития отечественной микроэлектроники обосновано и необходимо.

Степень проработанности проблемы

В условиях дефицита собственных средств компаний микроэлектронной отрасли РФ, высокой конкуренции на внутреннем рынке и ужесточения барьеров, препятствующих выходу на внешние рынки, необходим подход к проведению промышленной политики, учитывающий особенности и приоритеты развития данной отрасли. Степень эффективного участия государства при этом неоднозначна. Парадигма участия государства в регулировании развития экономических систем в развивающихся странах является предметом изучения Э. Рейнерта, К. Переса, Дж. Ходжсона, А. Серра [2]. Результаты исследований зарубежных учёных показывают, что поддержка электронных производств государством должна быть направлена на достижение стратегических целей развития и модернизацию производств; учитывать стимулирование перехода производств с низкой добавленной стоимостью к более высокой [3, 4]. В Норвегии становление электронной отрасли стало возможным благодаря созданной государством благоприятной среде и формированию платформ знаний [5]. Политическое влияние на развитие электронной индустрии Норвегии, а также США, Германии и Австрии направлено на переход от традиционных инновационных систем к инновационным экосистемам и учитывает стимулирование создания исследовательских центров и промышленных консорциумов [6-8].

Реализуемые в России национальные проекты создают опору для развития отдельных направлений электронной индустрии, актуальных сегодня. При этом важной задачей является выделение отраслевых приоритетов и выработка эффективных подходов к их государственной поддержке. Веские доводы в поддержку выделения отраслевых приоритетов и их государственной поддержки в рамках реализуемой промышленной политики приводят А. Гранберг, В. Евтушенко, Ю. Карманов и др. [9].

С другой стороны, задаваемый государством путь может не совпадать с перспективными рыночными трендами и препятствовать закреплению электронной продукции отечественных предприятий на внутреннем и внешнем рынках. С позиции приоритетов государства в качестве первоочередных интерес представляют проекты социального значения, в то время как коммерческая деятельность должна регулироваться рыночными закономерностями и не требует прямого государственного участия,

вмешательство которого в отдельных случаях играет отрицательную роль. Теории, не поддерживающей установление приоритетов развития и поддержку ведущих в стране производств на федеральном уровне, придерживаются Е. Гайдар, С. Шаталин, Г. Явлинский [10].

Темпы и пути развития микроэлектронной индустрии отдельных стран различны. Крупнейшими производителями микроэлектроники на сегодняшний день являются Китай, США, Южная Корея, Япония, Тайвань и Германия (см. рисунок). Мировые объёмы производства микроэлектроники в 2018 г. находились на уровне 3,4 трлн долларов.

50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0

■ Доля в общем объёме мирового производства микроэлектронной продукции, % Н Доля в общем мировом объёме инвестиций в микроэлектронную промышленность, % ¡3 Распределение производственных мощностей в мировой микроэлектронной промышленности, %

Показатели развития мировой микроэлектронной индустрии в 2018 г.

(составлено автором на основе материалов конференции «Электроника в России:

будущее отрасли»)3

Основные мощности производства полупроводников сосредоточены в Южной Корее, на Тайване, в Японии и США. Положение Китая в данном рейтинге невысокое: на него приходится около 9 % мировых производственных мощностей. Тем не менее здесь работает более 30 фабрик по техпроцессу уровня 28 нм, а также 1,5 тысячи дизайн-центров.

Стремительное развитие за последние 15 лет микроэлектронных производств в азиатских странах обусловило потерю лидерства США в этой сфере, что стимулировало Штаты на поиск оптимальных путей для развития отрасли. Национальная стратегия4, нацеленная на возрождение лидерства США в науке и технологиях, опирается на рыночно-ориентированный подход, противоречащий действующим сегодня в стране

3 Пленарная дискуссия. 10 декабря 2019 г. https://events.vedomosti.ru/events/Electronics_2019

4 Национальная стратегия критических и новых технологий. США. Режим доступа: https:// www.whitehouse.gov/wp-content/uploads/2020/10/National-Strategy-for-CET.pdf (дата обращения: 22.10.2020).

Китай США Южная Япония Тайвань Германия Россия Прочие Корея страны

принципам и моделям, ориентированным на поддержку государства. Согласно данной стратегии, основная роль правительства должна заключаться в защите интересов высокотехнологичных отраслей страны от конкуренции.

В Европе и странах Азии (Германия, Италия, Франция, Китай, Южная Корея, Тайвань и др.) государства большое внимание уделяют развитию технологий и производств, соответствующих вектору Индустрии 4.0 [11, 12]. Важную роль в развитии концепции Индустрии 4.0 играют IT-сектор и микроэлектронная индустрия. В связи с этим промышленная политика ориентирована на реализацию программ, учитывающих наращивание научно-технологического, инновационного и производственного потенциалов. Подобного подхода придерживается и правительство России, стремясь при этом усилить прямой контроль в отдельных стратегически важных секторах, в том числе в микроэлектронике и электротехнике.

Состояние и перспективы развития российской микроэлектроники. За последнее десятилетие в микроэлектронной отрасли выполнено множество масштабных проектов, связанных с реструктуризацией и модернизацией производств. Создана сеть дизайн-центров, организована работа по реализации НИОКР-проектов, ориентированных на различные сегменты рынка микроэлектроники, реализовано множество проектов в сфере создания цифрового телевидения, спутниковой навигации и промышленной электроники. За 2011-2018 гг. объём инвестиций в развитие российской микроэлектроники составил 1,22 млрд долларов. Тем не менее доля страны в распределении мировых производственных мощностей в микроэлектронной индустрии остаётся крайне низкой (0,04 % в 2018 г.).

В России функционируют 100.. .120 дизайн-центров, из них 30.. .40 предприятий работают по классической фаблесс-схеме (бесфабричные компании), а 60...90 представляют собой зачатки дизайнерских команд, возрождаемых в рамках крупнейших приборостроительных предприятий радиоэлектронного профиля5. В последние годы по схеме фаблесс-фаундри реализуются отечественные разработки на зарубежных фабриках компаниями ЗАО НТЦ «Модуль» (Москва); АО «ПКК Миландр» (Зеленоград); «Байкал Электроникс» - дочерняя компания ОАО «Т-Платформы» (выпустила три платформы микропроцессора «Baikal»: Baikal-T1, Baikal-M, Baikal-M/S); АО «МЦСТ» (разработка и производство микропроцессоров серии «Эльбрус»); АО «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс»; АО НПЦ «Элвис» и др. Тем не менее дефицит высококвалифицированных специалистов в области схемотехники и системного программирования сохраняется на уровне 25.30 тыс. человек, восполнить его должны высшие учебные заведения инженерного профиля и учебные центры предприятий микроэлектроники.

В производимой в России электронике преобладает продукция военного назначения. В 2018 г. доля гражданской электронной продукции РФ в общем объёме внутреннего рынка составляла 31 %6. Производимая микроэлектроника гражданского назначения включает в себя интегральные микросхемы и основные электронные компоненты. Объёмы производства диодов и транзисторов, по данным Росстата, увеличились в стоимостном выражении с 9 289,2 млн рублей в 2017 г. до 20 858,3 млн рублей в 2019 г; объёмы

5 В странах с развитой электронной промышленностью численность фаблесс-компаний составляет не менее 400.

6 Стратегия развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года (утв. Распоряжением Правительства РФ от 17 января 2020 г. № 20-р). Режим доступа: http://government.ru/docs/38795/ (дата обращения: 04.05.2020).

выпускаемых микросхем за этот период, напротив, сократились на 6,1 %. Основные производственные мощности сосредоточены в Центральном федеральном округе (ЦФО) (Московская, Калужская и Рязанская области). Накоплению производственного потенциала способствуют предприятия других регионов (табл. 1).

Таблица 1

Федеральные округа РФ в структуре основных микроэлектронных производств (составлено автором по данным Росстата7)

Федеральный округ* Диоды и транзисторы, млн р. Схемы интегральные электронные, тыс. шт.

2017 2018 2019 2017 2018 2019

Центральный 2341,7 4420,5 4083 957 445 1027400,8 899260,1

Северо-Западный 304,65 449,58 701,42 3 264 3 539,1 2 590,4

Южный 247 595,1 680,4 79 71 51,8

Северо-Кавказский 206 330,7 342,4 4 7,9 5,65

Приволжский 5666 13253,6 14350,6 450 431,6 591,2

Сибирский 524 717 700 1 015 816,9 677,14

* В Уральском и Дальневосточном округах производства данных видов продукции отсутствуют.

Две трети произведенных в РФ в 2019 г. диодов и транзисторов приходится на Приволжский ФО, в то время как производство интегральных схем на 99,5 % зависит от предприятий ЦФО. Производство прочих полупроводниковых приборов и их частей (светодиодов, фоторезисторов, приборов пьезоэлектрических и др.)8 за 2017-2019 гг. сократилось более чем вдвое (с 64,5 до 29,4 млн штук)9, в том числе из-за трудностей со снабжением предприятий необходимым сырьём.

Минерально-сырьевая база полупроводниковой электроники учитывает обеспечение производств кристаллическим кремнием и соединениями на основе галлия (Ga) и германия (Ge) [13, 14]. Сегодня микроэлектроника России полностью зависит от импорта поликремния [15]. В России 7 месторождений различных типов галлий-содержащих руд [16], общие объёмы производства Ga составляют около 15 тонн в год при потреблении до 10 тонн. Основным сырьём для извлечения германия являются каустобиолиты, добываемые на Сахалине, в Читинской области и Пермском крае [17]. Германиевые лигниты добывают в Красноярском крае. Ростехом создано предприятие с полным циклом переработки Ge в производственных объёмах до 20 тонн в год.

7 Производство основных видов продукции в натуральном выражении с 2017 г. (оперативные данные в соответствии с ОКПД2) / Федеральная служба государственной статистики. Режим доступа: https://fedstat.ru/indicator/57783 (дата обращения: 06.04.2021).

8 Имеется в виду микроэлектронная продукция, соответствующая коду общероссийского классификатора продукции по видам экономической детальности (ОКПД 2) - 26.11.22.

9 Производство основных видов продукции в натуральном выражении (годовые данные с 2017 г.) в соответствии с ОКПД2 / Федеральная служба государственной статистики. Режим доступа: http://gks.ru/free_doc/new_site/business/prom/natura/god17.htm (дата обращения: 07.05.2021).

К одним из важнейших микроэлектронных продуктов относятся интегральные электронные схемы (ИЭС), классификация которых учитывает микропроцессоры, различного назначения детекторы и датчики, микроконтроллеры, преобразователи и усилители сигналов, стабилизаторы и др. Интегральные микросхемы применяются практически во всей электронной технике. В России разработкой новых ИЭС гражданского назначения занимаются научно-исследовательские, проектно-конструкторские и производственные организации. В 2019 г. заявки на регистрацию топологий ИЭС поступили от 38 организаций. Правообладателем 142 из 257 зарегистрированных в 2019 г. топологий интегральных микросхем (55,3 %) является Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ.

Влияние государства на микроэлектронную отрасль усиливается за счёт увеличения доли её участия в акционерных обществах крупнейших отечественных производителей полупроводников. Так, 20 % акций ПАО «Микрон» принадлежит АО «Роснано», главным и единственным акционером которого является государство; держателем 100 % акций АО «Росэлектроника» является Ростех (ему принадлежит большинство наиболее перспективных предприятий электронной индустрии различного профиля). Организация микроэлектронного производства с прямым государственным участием через Государственную корпорацию Внешэкономбанк (ВЭБ.РФ) на базе проекта АО «Ангстрем» закончилась банкротством последнего и его переходом под контроль ВЭБ.РФ.

При увеличении доли государства в электронной индустрии (на что тратятся огромные бюджетные средства) его участие в развитии отрасли в последние годы снижалось. Так, степень износа машин и оборудования организаций электронной промышленности РФ выросла с 52,7 % в 2017 г. до 62 % к 2019 г.10. При этом объём инвестиций в основной капитал на приобретение машин и оборудования сократился с 36 до 29,4 млрд рублей.11 Положительные результаты промышленной политики связаны прежде всего с формированием спроса на отечественные полупроводники за счёт реализации национальных проектов, тем не менее выбранный государством формат участия сопряжён с определёнными внешними рисками.

В последние годы действия правительства США и отдельных стран Евросоюза в отношении ряда китайских компаний (Huawei, SMIC и др.), направленные на их вытеснение со своих рынков, наглядно демонстрируют значительное ужесточение условий кибербезопасности на рынках высокотехнологичной электроники и информационных технологий. В этих условиях выход на внешние рынки российской микроэлектронной продукции, произведённой и разработанной организациями государственного сектора, может быть сильно ограничен. Подобная ситуация в 1Т-отрасли произошла в 2017 г. с «Лабораторией Касперского». Можно полагать, что реализуемая в России промышленная политика останется актуальной, пока не будет установлено доминирование отечественной продукции на внутреннем рынке электроники гражданского назначения. К тому моменту для экспортоориентированных организаций должны быть созданы условия, гарантирующие отсутствие влияния на них государственных структур. Прежде всего это касается востребованной на внешних рынках микроэлектронной продукции передового уровня.

10 Степень износа основных фондов на конец года коммерческих организаций (без субъектов малого предпринимательства) с 2017 г. / Федеральная служба государственной статистики. Режим доступа: https://www.fedstat.ru/indicator/58513 (дата обращения: 10.05.2021).

11 Инвестиции в основной капитал с 2017 г. / Федеральная служба государственной статистики. Режим доступа: https://www.fedstat.ru/indicator/58090 (дата обращения: 10.05.2021).

Исходя из экономической и технико-технологической целесообразности, для каждого сектора потребления микросхем оптимальны свои топологические нормы. Наиболее современные производственные мощности отечественной микроэлектроники базируются на технологиях 65 нм, 90.. .130 нм (Ангстрем, Микрон)12. Создаваемые по такой топологии изделия применяются в потребительской и промышленной технике, автомобильной и силовой электронике. На начало 2019 г. в структуре мировой полупроводниковой электроники доля изделий, изготовленных по нормам более 65 нм, составляла 38 %. В связи с этим полупроводниковая продукция российских компаний останется конкурентоспособной в ближайшей перспективе. По прогнозу IC Insights, к 2023 г. доля изготовленной по этой топологии продукции в мире составит 35 %.

Нормативно-законодательная и институциональная базы развития микроэлектроники РФ. Необходимый для развития российской микроэлектронной отрасли импульс может задать реализация мероприятий в рамках программ и стратегий, направленных на развитие электронной промышленности и создание цифровой инфраструктуры экономики РФ. Нормативно-законодательная база создания цифровой инфраструктуры включает Национальную программу «Цифровая экономика Российской Федерации» и программу «Цифровизация промышленности», в задачи которых входят финансирование проектов внедрения цифровых технологий в производственные процессы и создание экосистемы цифровой экономики РФ в целом. Выделенный в рамках Национальной программы Федеральный проект «Цифровые технологии» включает в себя 11 сквозных цифровых технологий, для каждой из которых в 2019 г. была разработана дорожная карта развития. С 2020 по 2024 г. на развитие этих направлений будет выделено 46,3 млрд рублей в форме грантов и средств прямого государственного финансирования, венчурных фондов, госкорпораций, фондов прямых инвестиций и др.

Распоряжением Правительства РФ в январе 2020 г. была утверждена «Стратегия развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года» (далее - Стратегия). В качестве финансовых мер Стратегией предусмотрены предоставление льготных кредитов и субсидий, использование средств институтов развития, инвестиций государственных корпораций, а также налоговое стимулирование. Утверждённая нормативно-правовая база включает меры протекционизма, стандартизации, локализации и квотирования. Также учитывается создание к 2030 г. автоматизированной системы управления отраслью и сети центров коллективного проектирования. Для выполнения задачи создания высокотехнологичных рабочих мест Стратегией предусмотрена подготовка управленческих и инженерно-технических кадров.

Кризисные явления, связанные с пандемией коронавируса, привели к снижению в 2020 г. темпов развития микроэлектронной индустрии. По данным Росстата, за 20192020 гг. в России производство интегральных микросхем сократилось почти в четыре раза (с 903 до 238 млн штук)13. Из-за проблем с поставками комплектующих временно была приостановлена работа предприятий. В начале 2021 г. в мире возник дефицит полупроводников, ударивший по отраслям - потребителям микроэлектроники. Для

12 Наиболее современные российские процессоры (Эльбрус-8С и Эльбрус-8СВ компании МЦСТ, Baical-T1 компании Baikal Electronics) производятся по техпроцессу 28 нм тайваньской компанией TSMC.

13 Производство основных видов продукции в натуральном выражении с 2017 г. (оперативные данные в соответствии с ОКПД2) / Федеральная служба государственной статистики. Режим доступа: https://fedstat.ru/indicator/57783 (дата обращения: 06.04.2021).

России эта проблема связана прежде всего с закупкой для бюджетных учреждений серверов и систем хранения данных на базе процессоров Эльбрус-8С, производимых за рубежом.

Новые условия вынуждают пересмотреть риски, закладываемые в стоимость инвестиционных проектов, что может привести к приостановке или замедлению реализации масштабных инфраструктурных и производственных проектов. При этом выполнение задач целевого и тем более инновационного сценария Стратегии сомнительно. В качестве основного целесообразно рассматривать консервативный сценарий с ростом экономики на уровне 2,8.3 % в год. Заданные данным сценарием условия учитывают рост выручки и объёмов экспорта предприятий к 2030 г. в 2,3 - 2,4 раза к уровню 2018 г. Доля гражданской электронной продукции, произведённой российскими предприятиями, в общем объёме внутреннего рынка электроники к 2030 г. составит не более 42,7 %. При этом доля выручки от реализации электронной продукции в ВВП страны должна достигнуть 3 % (1,8 % в 2018 г.). Достижение заданных данным сценарием условий не позволит в полной мере обеспечить доминирование отечественных предприятий на внутреннем рынке.

На сегодняшний день микроэлектронная отрасль РФ не является самоокупаемой, а привлечение в неё частного капитала достаточно проблематично. Основными источниками финансирования отрасли являются средства федерального бюджета и бюджетов субъектов РФ; институтов развития, в том числе Фонда перспективных исследований и Фонда развития промышленности (ФРП); в меньшей мере - частные инвестиции. Для привлечения инвестиционных средств активно развивается инструментарий поддержки реализации инвестиционных проектов на базе государственно-частного партнёрства (ГЧП). Стратегией развития электронной промышленности РФ предусмотрено сокращение доли участия государства по мере снижения рисков её реализации, однако, в ближайшей перспективе это маловероятно.

Выполнение сценарных условий, безусловно, положительно повлияет на развитие электронной индустрии, но для кардинального изменения сложившейся ситуации этого недостаточно. Прежде всего, изменений требует институциональная среда [18]. Сложности, связанные с развитием ГЧП, определили создание государственных корпораций (типа Ростеха). Между тем институционное поле должно опираться на инструменты, учитывающие усиление взаимодействия бизнеса и власти. К числу таких институциональных форм можно отнести «Агентство стратегических инициатив» (АСИ), институты развития (Роснано, Российская венчурная компания, Внешэкономбанк) [19], центры компетенций («Консорциум «Вычислительная техника» и др.), особые экономические зоны (ОЭЗ «Технополис «Москва»).

В числе базовых инструментов реализации отечественной промышленной политики утвердился специальный инвестиционный контракт (СПИК), предусматривающий инвестиционное стимулирование производств. Развитию институциональной среды также способствует взаимодействие с федеральными и региональными фондами, влияние которых в последние годы усиливается. К ключевым инструментам промышленной политики, доказавшим свою эффективность, относятся операции займов, предоставляемых Фондом развития промышленности (ФРП). В рамках развития микроэлектронных производств за период 2015-2019 гг. фондом были поддержаны проекты, реализуемые компаниями АО «Байкал Электроникс» (2015 г.), АО «Группа Кремний ЭЛ» (2017 г.) и ООО «МПК «Миландр» (2019 г.), общая сумма займов по которым составила 1,2 млрд рублей.

Подход к решению проблем в отрасли

С учётом особенностей развития в России микроэлектронной отрасли промышленная политика должна строиться на основе формирования условий, стимулирующих спрос на отечественную продукцию на внутреннем рынке. Способствовать этому должна реализация отмеченных стратегий и программ. Кроме того, учитывая сложности в процессе развития в РФ микроэлектронной индустрии и недостаточную отдачу реализуемых мер, при осуществлении промышленной политики можно использовать опыт стран, занимающих лидирующие позиции на рынке полупроводниковых изделий.

Доказавший свою эффективность инструментарий развития китайской электронной индустрии учитывает временное принятие нулевой ставки НДС для предприятий отрасли, рост ввозных пошлин на готовую электронную продукцию до 30 %, разработку и реализацию программ «Национальная инфраструктура развития промышленности интегральных схем», «Сделано в Китае-2025» (MIC-2025) и др. За счёт средств центрального и муниципальных правительств, частных инвестиций количество дизайн-центров в стране увеличилось к 2018 г. до 1300 единиц (рост с 2011 г. в 2,5 раза). За период 2008 - 2018 гг. объём производства в Китае вырос в 5 раз. При этом здесь ежегодно выпускаются около 200 тысяч студентов с профильным образованием - схемотехника.

Южная Корея входит в Т0П-10 стран-лидеров внешней торговли. В стране реализуются программы развития полупроводниковой электроники и информационно-коммуникационных технологий. Принимаемые здесь в рамках развития микроэлектронной индустрии меры включают установление ставки НДС на уровне 10 % и отмену ввозных пошлин на комплектующие. Сегодня Южная Корея занимает первое место в мире по распределению производственных мощностей в мировой микроэлектронной промышленности.

На Тайване модели развития электронной промышленности учитывали обнуление налога на прибыль, частичное субсидирование расходов (50 %) на организацию в стране R&D (НИОКР) центров. Здесь созданы крупнейшие в мире компании типа фа-ундри (TSMC, UMC) с почти 100 %-ной загрузкой мощностей. На Тайване выделяют три основные области финансирования электроники: микроэлектронику, технологии -5G и искусственный интеллект. До 2027 г. на развитие данных направлений правительством страны будет потрачено более 330 млн долларов. При этом остров надеется занять место Китая в рамках совместной с США производственной деятельности в области микроэлектроники.

Большое значение сохранению своего внутреннего рынка придают власти США. В целях повышения на внутреннем рынке доли произведённой в стране продукции приняты законы «Покупай американское» и «Покупай, Америка», содержащие жёсткие протекционистские меры в интересах американского производителя. Вследствие такой политики в 2019 г. в стране были увеличены в 2,5 раза ввозные пошлины на китайскую электронику. В июне 2020 г. в США на рассмотрение был представлен законопроект, направленный на возрождение лидерства страны в производстве полупроводниковой микроэлектроники, в числе выдвинутых мер - выделение 5 млрд долларов на создание Национального института по производству передовых технологий сборки. Такую же сумму в совокупности собираются потратить Министерство энергетики и Национальный научный фонд США на реализацию программ фундаментальных научных исследований в сфере развития полупроводниковых технологий. Законопроект предполагает строительство заводов по контрактному производству полупроводниковой продукции, которые будут управляться частными компаниями совместно с государственным аппаратом [20]. Учитывая приоритеты, выделенные в рамках недавно принятой Националь-

ной стратегии «С&ЕТ», полагаем, что возможности государственного участия в работе заводов будут ограничены функционалом защиты их интересов на рынке.

Решения, принимаемые в приведённых выше государствах, учитывают меры прямого и косвенного стимулирования предприятий электроники, реализацию программ развития микроэлектронных производств и цифровой инфраструктуры. Совокупность реализуемых мер отражает стремление к развитию национальной экосреды, что особенно чётко прослеживается в США и Китае. С учётом индустриального характера российской экономики, в структуре которой возрастает значимость высокотехнологичных отраслей, оптимальным представляется подход, учитывающий формирование внутренней экосреды. Ключевую роль при этом играют участие государственного института и поддержка институтов развития.

Систематизация мер стимулирования развития электронного комплекса РФ. Рост конкурентоспособности предприятий российской микроэлектронной отрасли требует усиления мер поддержки, ориентированных на устранение основных негативных факторов, сдерживающих её развитие. В числе последних - низкий спрос на отечественную микроэлектронику, отсутствие современной технологической базы, высокая доля импорта, нехватка квалифицированного персонала, необходимость восстановления собственной сырьевой базы и др14. С учётом опыта стран с развитой электронной индустрией, имеющегося в рамках отечественной промышленной политики институционного поля и его возможностей сделана попытка сформировать систему основных мер, направленных на устранение перечисленных негативных факторов (табл. 2).

Таблица 2

Основные меры по устранению негативных факторов, сдерживающих развитие отечественной микроэлектронной отрасли*

Негативные факторы Основные меры стимулирования

1. Низкий спрос на отечественную микроэлектронику гражданского назначения 1.1. Стимулирование формирования национальной экосреды, предусматривающее предоставление субсидий и грантов на создание программного обеспечения, адаптированного к работе на базе процессоров российского производства; усиление ограничений на использование в государственных бюджетных учреждениях, муниципальном транспорте импортируемой электроники в законопроектной форме

1.2. Разработка протекционистских мер, установление дифференцированных наценок на импортную микроэлектронику

1.3. Предоставление потребителям льготных кредитов на поставки отечественной компьютерной техники, сложных микроэлектронных устройств (SMART и др.)

14 Консалтинговая компания «J'son & Partners Consulting» в 2019 г. провела большую исследовательскую работу по оценке состояния и развития рынка инфотелекоммуникацион-ного оборудования российского происхождения за последние годы. Результаты работы опубликованы в трёх аналитических отчётах, учитывающих, в том числе, развитие в России производств критически важных микроэлектронных компонентов. Режим доступа: https:// json.tv/ict_telecom_analytics_view/obem-rynka-i-proizvodstvo-kriticheski-vajnyh-elektronnyh-komponentov-ekb-v-rossii-dlya-ikt-oborudovaniya-pri-sozdanii-i-modernizatsii-kii-2016-2018-gg-20200212120913 (дата обращения: 10.06.2020).

Продолжение табл. 2

Негативные факторы

Основные меры стимулирования

1.4. Создание преференций в целях защиты интересов российского производителя (в том числе за счёт формирования гарантированных рынков)

1.5. Квотирование закупок, прежде всего готовых электронных изделий с высокой добавленной стоимостью, а также элементов ЭКБ

1.6. Усиление политики, учитывающей реализацию национальных проектов на базе отечественных ресурсов и разработок_

2. Отсутствие современной технологической базы

2.1. Различные виды субсидирования предприятий электронного комплекса РФ, в том числе в форме частичной или полной компенсации затрат на обновлений_

2.2. Льготное кредитование производителей импортозамещающей электронной продукции

2.3. Заключение специальных инвестиционных контрактов (СПИК) на освоение серийного производства приоритетных видов электронной продукции, отнесённых «Стратегией развития электронной промышленности РФ на период до 2030 года» к перечню ключевых производств

2.4. Предоставление максимальных налоговых вычетов (либо установление минимальной налоговой ставки) организациям электронного комплекса РФ, активно осуществляющим инновационную деятельность

2.5. Разработка специальных инвестиционных программ (софинансирова-ние), направленных на коммерческое освоение российскими организациями технологий производства изделий с топологией до 28 нм, стабильный спрос на которые ожидается в длительной перспективе, и меньших литографических норм (14...12 нм, 7...5 нм)

2.6. Предоставление грантов на проведение фундаментальных научных исследований в сфере развития полупроводниковых и квантовых технологий, искусственного интеллекта, технологий 5в

3. Высокая доля импортных компонентов, техники, узлов и модулей, используемых при сборке готовых микроэлектронных изделий, а также учитываемых при разработке новой электронной аппаратуры

3.1. Повышение таможенных пошлин на ввоз полупроводниковой продукции. Установление оптимального баланса между размерами таких пошлин на комплектующие и готовые изделия

3.2. Создание качественной производственной кооперации на базе долгосрочных контрактов на срок свыше 3 лет, предусматривающей стимулирование локализации ЭКБ и производственных линий по корпусированию микроэлектроники_

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

3.3. Внесение уточнений в ФЗ «О промышленной политике в Российской Федерации», отмечающих роль электронного комплекса в сохранении национальной безопасности государства_

3.4. Заключение СПИК на освоение в РФ серийного производства критически важных электронных компонентов для ИКТ-оборудования, используемого при создании цифровой инфраструктуры_

3.5. Стимулирование освоения в производстве 28 нм и меньших литографических норм (14.12 нм, 7.5 нм), используемых в производстве устройств и компонентов, конструкция которых включает вычислительные элементы и системы памяти

Продолжение табл. 2

Негативные факторы Основные меры стимулирования

3.6. Создание в регионах особых экономических зон (ОЭЗ) технико-внедренческого типа, а также расширение ОЭЗ «Технополис «Москва», разработка дополнительных мер стимулирования её резидентов

4. Зависимость от инже-нерно-техниче ских разработок, схемотехнических решении и технологий зарубежных компаний-партнёров 4.1. Принятие мер, стимулирующих развитие отечественных дизайн-центров (см. пп. 2.2, 2.4), в том числе направленных на освоение технологий уровня 45...28 нм

4.2. Увеличение числа вузов, выпускающих специалистов в области схемотехники, системного программирования, разработки сенсорных систем и квантовых коммуникаций, робототехники и других востребованных в сфере современного электронного производства профилей

4.3. Разработка и внедрение современных систем проектирования (САПР), по функциональным возможностям не уступающих продуктам компаний Cadence, Mentor Graphics, Synopsys

4.4. Отнесение выпускаемого на базе зарубежных разработок оборудования к группе изделий, соответствующих низкому доверительному уровню для использования в критически важной информационной (цифровой) инфраструктуре

4.5. См. п. 3.6

5. Слабое развитие собственной сырьевой базы, ресурсы которой используются в микроэлектронном производстве 5.1. Строительство комплексов по переработке полупроводниковых материалов, прежде всего на основе кремния, галлия и германия

5.2. Создание ОЭЗ промышленно-производственного типа, ориентированных на получение полупроводниковых материалов

5.3. См. пп. 1.6, 2.2, 3.3

6. Трудности, связанные с выходом на рынок новой микроэлектронной продукции 6.1. См. п. 3.2

6.2. Стимулирование развития институтов страхования инвестиционных проектов [21]

6.3. Развитие отечественного системного и прикладного программного обеспечения, используемого в системах хранения данных, серверах, персональной компьютерной технике, что ускорит серийное производство нового оборудования российского производства

6.4. Реализация мероприятий, направленных на привлечение представителей бизнеса к разработке национальной модели стандартизации цифрового производства [22]

6.5. Разработка корпоративных стратегий продвижения новых видов электронной продукции на базе современных бизнес-моделей

7. Нехватка высококвалифицированного персонала 7.1. Усиление связей научно-производственных обучающих центров с проектными организациями и производителями электронных устройств и компонентов

7.2. См. п. 4.2

7.3. Организация курсов по переобучению специалистов в профильных электротехнических вузах

Окончание табл. 2

Негативные факторы Основные меры стимулирования

8. Трудности, связанные с подготовкой микроэлектронной отрасли страны к устойчивому функционированию в условиях конъюнктурной нестабильности 8.1. Перенос выплат организаций электронного комплекса РФ по кредитам госбанкам с текущего года на два-три года вперёд

8.2. Субсидирование государством процентной ставки по ранее привлеченным кредитам производителей электронных устройств и компонентов

8.3. Кредитование операционной и инвестиционной деятельности, например через Внешэкономбанк, на льготных условиях (1.1,5 %) на срок не менее трёх лет для российских организаций, занятых в контрактном производстве микроэлектроники за рубежом

8.4. Введение налоговых каникул или снижение налоговых ставок в 1,5.2 и более раз для отечественных предприятий, занятых в производстве критически важных электронных компонентов и устройств

8.5. Снижение ставок или предоставление отсрочки на уплату налогов и страховых взносов фаблесс-компаниям и дизайн-центрам

8.6. Привлечение займов ФРП и РФРП на проведение капитального ремонта производственных помещений, обновление оборудования и техники на льготных условиях для российских организаций, занятых в производстве дискретных электронных компонентов и микроэлектронных устройств

*Составлено автором.

Анализ полученных результатов. Приведённые в табл. 2 меры направлены на устранение основных проблем, с которыми сталкиваются проектные, научные и производственные организации микроэлектронной отрасли РФ. При этом на момент реализации мер, предполагающих субсидирование электронных предприятий, должны быть созданы условия, позволяющие получить максимальную отдачу от вложений. Прежде всего, такие базовые условия предполагают создание долгосрочного спроса на отечественную микроэлектронику, существенную долю которого можно обеспечить за счёт формирования национальной экосреды. Данная мера предполагает переход на использование в госсекторе, бюджетных организациях, транспортной и общественной информационно-коммуникационной инфраструктуре оборудования на базе отечественной микроэлектроники, технологий, программного обеспечения. Так, в целях создания национальной экосистемы в последнее время активно сотрудничают компании «Байкал Электроникс» и «Базальт СПО». Ускорению создания национальной экосистемы будет способствовать подписанный Президентом РФ в конце июля 2020 г. Федеральный закон № 265-ФЗ15, предусматривающий стимулирование преимущественно разработчиков программного обеспечения. Вступающие в силу в январе 2021 г. стимулы имеют бессрочный характер и учитывают снижение страховых взносов с 14 до 7,6 % и налога на прибыль с 20 до 3 %. Распространение предлагаемых мер на предприятия микроэлектроники должно иметь сильный стимулирующий эффект.

15 Федеральный закон от 31.07.2020 № 265-ФЗ «О внесении изменений в часть вторую Налогового кодекса Российской Федерации». Режим доступа: http://publication.pravo.gov.ru/ Document/View/0001202007310029?index=0&rangeSize=1 (дата обращения: 12.08.2020).

Мировым трендом является выпуск разработанных компаниями отдельных полупроводниковых приборов на базе контрактного производства за рубежом, что характерно не только для фаблесс-компаний, но и для крупнейших производителей микроэлектроники. За неимением современных производственных мощностей построенная по такой схеме бизнес-модель в ближайшей перспективе может выступать в качестве одной из основных, прежде всего для разработчиков микроэлектронных изделий, промышленная реализация которых требует освоения техпроцессов уровня 28 нм и выше. Так, на базе контрактного производства за пределами РФ налажен импорт микропроцессоров российских компаний-разработчиков («Байкал Электроникс», НПЦ «Элвис», «ПКК Миландр», «НТЦ Модуль», «Прогресс»). Создание условий, учитывающих развитие и рост численности дизайн-центров, организацию контрактного производства в странах с развитой микроэлектронной индустрией, формирование национальной эко-среды, будет определять эффективность развития российской микроэлектроники в ближайшие годы.

Выводы

Гипотезу о необходимости прямого участия государства в развитии российской микроэлектронной отрасли на современном этапе в целом можно считать обоснованной. Это подтверждают особенности современного состояния отечественной микроэлектроники, опыт государств, сумевших развить свою электронную индустрию до уровня мировой значимости, а также проработанный механизм нормативного регулирования, предусматривающий реализацию промышленной политики, учитывающей государственную поддержку организаций электронной промышленности. Тем не менее в условиях сложной геополитической ситуации в мире, а также с учётом требований к кибербезопасности сложных электронных устройств отечественная микроэлектронная продукция, выпускаемая государственными организациями, не сможет закрепить свои позиции на наиболее крупных внешних рынках. Решению проблем в микроэлектронной отрасли будет способствовать активное взаимодействие с фондами и развитие институциональной среды, учитывающей формирование эффективной системы отношений между органами власти, бизнеса и общества, с постепенным снижением государственного влияния.

Сущность научной новизны результатов исследования заключается в уточнении методов государственного регулирования для преодоления кризиса и восстановления электронной индустрии РФ. В результате уточнения роли государственного института в развитии системы поддержки микроэлектронной отрасли приращение научных знаний сосредоточено в рамках развития институциональной теории. Предложенная система, учитывающая классификацию доступных мер стимулирования, может быть использована органами законодательной и исполнительной власти при формировании и корректировке проектов государственных программ и стратегий развития российской микроэлектронной отрасли и электронной промышленности в целом.

Список литературы

1. Romanova O. A., Korovin G. B., Kuzmin E. A. Analysis of the Development Prospects for the High-Tech Sector of the Economy in the Context of New Industrialization // Espacios, 2017. vol. 59(38). pp. 25.

2. Перес, К. Технологические революции и роль государства в наступлении «золотого века». Серебряная медаль / К. Перес // Кондратьевские волны. - 2013. - № 2. - С. 141-148.

3. Ernst D. (2016). The Information Technology Agreement, Manufacturing, and Innovation -China's and India's Contrasting Experiences. Megaregionalism 2.0: Trade and innovation within global networks, vol. 67, pp. 361-388. http://dx.doi.org/10.2139/ssrn.2737082

4. Tran Angie N., Norlund I. (2015). Globalization, industrialization, and labor markets in Vietnam. Journal of the Asia Pacific Economy, vol. 20(1), pp. 143-163. DOI: 10.1080/ 13547860.2014.974343

5. Aspelund A., Azari M.J., Aglen A.F., Graff S.G. The birth and development of a born global industry: The case of microelectronics in Norway. Journal of International Entrepreneurship, 2018. vol. 16(1), pp. 82-108, DOI: 10.1007/s10843-017-0206-3

6. Isaksen A., Trippl M. (2017). Exogenously Led and Policy-Supported New Path Development in Peripheral Regions: Analytical and Synthetic Routes. Economic Geography, vol. 93(5), pp. 436457. https://doi.org/10.1080/00130095.2016.1154443

7. Mody CCM. Academic centers and/as industrial consortia in American microelectronics research. Management & Organizational History, 2017. vol. 12(3), pp. 285-303, DOI: 10.1080/17449359.2017.1357795

8. Schroth F., Haussermann J.J. Collaboration Strategies in Innovation Ecosystems: An Empirical Study of the German Microelectronics and Photonics Industries. Technology Innovation Management Review, 2018. vol. 8(11), pp. 4-12, DOI: 10.22215/timreview/1195

9. Низамутдинов, И. К. Сущность понятия «промышленная политика» в российской экономике / И. К. Низамутдинов // Научные труды Центра перспективных экономических исследований. - 2011. - № 4. - С. 102-106.

10. Соколова, Л. Г. Теоретические аспекты формирования промышленной политики России / Л. Г. Соколова, Т. С. Гнильская // Проблемы социально-экономического развития Сибири. -2019.- № 3. - С. 49-56.

11. Gnidchenko А., Mogilat А., Mikheeva О., Salnikov V. (2016). Foreign Technology Transfer: An Assessment of Russia's Economic Dependence on High-Tech Imports. Foresight and STI Governance, vol. 10, no 1, pp. 53-67. DOI: 10.17323/1995-459x.2016.1.53.67

12. Кузнецова, С. Б. Четвертая промышленная революция как результат инновационно-технологического развития производственных систем / С. Б. Кузнецова // Современные научные исследования и инновации. - 2016. - № 3. URL: http://web.snauka.ru/issues/2016/03/65792 (дата обращения: 14.02.2018).

13. Hassan A., Savaria Y. and Sawan M. Electronics and Packaging Intended for Emerging Harsh Environment Applications: A Review. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2018. vol. 26(10), pp. 2085-2098, DOI: 10.1109/TVLSI.2018.2834499

14. Chen XH, Ren FF, Ye JD, Gu SL. Gallium oxide-based solar-blind ultraviolet photodetectors // Semiconductor science and technology, 2020. vol. 35(2). DOI: 10.1088/1361-6641/ab6102

15. Митин, В. В. Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния / В. В. Митин, А. А. Кох // Известия вузов. Материалы электронной техники. -2017. - № 2. - С. 99-106.

16. Ларичкин, Ф. Д. Состояние и перспективы российского и мирового рынка галлия / Ф. Д. Ларичкин, А. Е. Череповицын, В. Д. Новосельцева, Л. И. Гончарова // Известия УГГУ. -2017.- № 4.- С. 108-114.

17. Наумов, А. В. Мировой рынок германия и его перспективы / А. В. Наумов // Известия вузов. Цветная металлургия. - 2007. - № 4. - С. 32-40. DOI: 10.3103/S1067821207040049

18. Orsenigo L. Industrial Policies for Biotechnology: Limits and New Perspectives. Politica economica, Journal of Economic Policy, 2016. vol. 2, pp. 253-296, doi: 10.1429/83966

19. Романова, О. А. Теоретические, институциональные и этические основания реализации современной промышленной политики: Ч. I / О. А. Романова, А. О. Пономарева // Экономика региона. - 2019. - № 1 (15). - С. 13-28. DOI: 10.17059/2019-1-2

20. Боднарь, Д. Конец эпохи мирового глобализма? После пандемии уклад мировой экономики изменится: Ч. 1 / Д. Боднарь // Электронные компоненты. - 2020. - № 7. - С. 12-18.

21. Комков, Н. И. Состояние и перспективы развития отечественных промышленных компаний / Н. И. Комков, А. А. Лазарев, В. С. Романцов, В. В. Сутягин // Проблемы прогнозирования. - 2020. - № 2 (179). - С. 113-127.

22. Туровец, Ю. В. Стандартизация цифрового производства: возможности для России и ЕАЭС / Ю. В. Туровец, К. О. Вишневский // Бизнес-информатика. - 2019. - № 3 (13). -С.78-96.

References

1. Romanova O. A., Korovin G. B., Kuzmin E. A. (2017). Analysis of the Development Prospects for the High-Tech Sector of the Economy in the Context of New Industrialization // Espacios. vol. 59(38). pp. 25.

2. Peres K. (2013). Tehnologicheskie revoljucii i rol' gosudarstva v nastuplenii «zolotogo veka». Serebrjanaja medal' [Technological revolutions and the role of the state in the onset of the "golden age". Silver medal.]. Kondrat'evskie volny - Kondratieff waves, no 2, pp. 141-148. (In Russian).

3. Ernst D. (2016). The Information Technology Agreement, Manufacturing, and Innovation -China's and India's Contrasting Experiences. Megaregionalism 2.0: Trade and innovation within global networks, vol. 67, pp. 361-388. http://dx.doi.org/10.2139/ssrn.2737082

4. Tran Angie N., Norlund I. (2015). Globalization, industrialization, and labor markets in Vietnam. Journal of the Asia Pacific Economy, vol. 20(1), pp. 143-163. DOI: 10.1080/13547860.2014.974343

5. Aspelund A., Azari M.J., Aglen A.F., Graff S.G. (2018). The birth and development of a born global industry: The case of microelectronics in Norway. Journal of International Entrepreneurship. vol. 16(1), pp. 82-108, DOI: 10.1007/s10843-017-0206-3

6. Isaksen A., Trippl M. (2017). Exogenously Led and Policy-Supported New Path Development in Peripheral Regions: Analytical and Synthetic Routes. Economic Geography, vol. 93(5), pp. 436-457. https://doi.org/10.1080/00130095.2016.1154443

7. Mody CCM. (2017). Academic centers and/as industrial consortia in American microelectronics research. Management & Organizational History. vol. 12(3), pp. 285-303, DOI: 10.1080/17449359.2017.1357795

8. Schroth F., Haussermann J.J. (2018). Collaboration Strategies in Innovation Ecosystems: An Empirical Study of the German Microelectronics and Photonics Industries. Technology Innovation Management Review. vol. 8(11), pp. 4-12, DOI: 10.22215/timreview/1195

9. Nizamutdinov I. K. (2011). Sushchnost' ponyatiya «promyshlennaya politika» v rossiiskoi ekonomike [The essence of the concept of "industrial policy" in the Russian economy] Nauchnye trudy Tsentra perspektivnykh ekonomicheskikh issledovanii - Scientific works of the Center for Advanced Economic Research, no 4, pp. 102-106. (In Russian).

10. Sokolova L. G., Gnil'skaja T. S. (2019). Teoreticheskie aspekty formirovanija promyshlennoj politiki Rossii [Theoretical aspects of the formation of industrial policy in Russia]. Problemy

social'no-jekonomicheskogo razvitija Sibiri - Problems of the social and economic development of Siberia, no3. pp. 49-56. (In Russian).

11. Gnidchenko A., Mogilat A., Mikheeva O., Salnikov V. (2016). "Foreign technology transfer: An assessment of Russia's economic dependence on high-tech imports," Foresight STI Governance, vol. 10 (1), pp. 53-67. DOI: 10.17323/1995-459x.2016.1.53.67

12. Kuznetsova S. B. (2016). "The fourth industrial revolution as a result of the innovation and technological development of production systems," Sovrem. Nauchn. Issled. Innovatsii, no. 3 http:// web.snauka.ru/issues/2016/03/65792. (In Russian).

13. Hassan A., Savaria Y. and Sawan M. (2018). Electronics and Packaging Intended for Emerging Harsh Environment Applications: A Review. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 26(10), pp. 2085-2098. DOI: 10.1109/TVLSI.2018.2834499

14. Chen XH, Ren FF, Ye JD, Gu SL. (2020). Gallium oxide-based solar-blind ultraviolet photodetectors // Semiconductor science and technology. vol. 35(2). DOI: 10.1088/1361-6641/ ab6102

15. Mitin V. V., KohA.A. (2017). Razvitie rynka i tekhnologii proizvodstva polikristallicheskogo kremniya [Market development and polycrystalline silicon production technology]. Izvestiya vuzov. Materialy elektronnoj tekhniki - University News. Materials of electronic equipment, no. 2, pp. 99-106. (In Russian).

16. Larichkin F. D., Cherepovicyn A. E., Novoselceva V. D., Goncharova L. I. (2017). Sosto-yanie i perspektivy rossijskogo i mirovogo rynka galliya [State and prospects of the Russian and world gallium market]. Izvestiya UGGU - News of the Ural State Mining University, no. 4, pp. 108-114. (In Russian).

17. Naumov A. V. (2007). Mirovoj rynok germaniya i ego perspektivy [The global market for germanium and its prospects]. Izvestiya vuzov. Cvetnaya metallurgiya - University News. Non-ferrous metallurgy, no. 4, pp. 32-40. DOI: 10.3103/S1067821207040049 (In Russian).

18. Orsenigo L. (2016). Industrial Policies for Biotechnology: Limits and New Perspectives. Politica economica, Journal of Economic Policy. vol. 2, pp. 253-296, doi: 10.1429/83966

19. Romanova O. A., Ponomareva A. O. (2019). Teoreticheskie, institucionalnye i eticheskie osnovaniya realizacii sovremennoy promyshlennoy politiki. Chast I [Theoretical, institutional and ethical foundations for the implementation of modern industrial policy. Part I.]. Ekonomika regiona -Regional Economics, no. 1 (15), pp. 13-28. DOI: 10.17059/2019-1-2 (In Russian).

20. Bodnar D. (2020). Konec epohi mirovogo globalizma? Posle pandemii uklad mirovoy ekonomiki izmenitsya. CHast 1 [End of the era of world globalism? After the pandemic, the world economy will change. Part 1]. Elektronnye komponenty - Electronic components, no 7, pp. 12-18. (In Russian).

21. Komkov N. I., Lazarev A. A., Romancov V. S., Sutyagin V. V. (2020). Sostoyanie i perspektivy razvitiya otechestvennyh promyshlennyh kompanij [Status and development prospects of domestic industrial companies]. Problemy prognozirovaniya - Forecasting problems, no. 2 (179), pp. 113-127. (In Russian).

22. Turovec Yu. V., Vishnevskiy K. O. (2019). Standartizaciya cifrovogo proizvodstva: voz-mozhnosti dlya Rossii i EAES [Digital Manufacturing Standardization: Opportunities for Russia and the Eurasian Economic Union]. Biznes-informatika - Business Informatics, no 3(13), pp. 78-96. (In Russian).

D. V. Sirotin.16 The state and capabilities of Russia's further development of microelectronics.

The aim of the study is to assess the state of the domestic microelectronics, as well as to clarify the ways of realizing opportunities for its further development. A hypothesis is formulated about the need for direct government participation in the development of the country's microelectronic industry. The structure of semiconductor manufacturing is highlighted. The technical and technological state of microelectronic industries in the country is reflected. The structure of spatial development of microelectronic production in Russia is shown. Highlights the regulatory and institutional bases for ensuring the development of the Russian electronic industry, as well as the main directions of the industrial policy pursued here. The article examines the experience of countries that have created a powerful base of microelectronic production, on the basis of which the main possible ways of development of the industry are highlighted. A system of basic measures aimed at eliminating negative factors that hinder the development of the domestic microelectronic industry has been formed. The proposed system of measures can be used in the formation and adjustment of draft state programs and strategies for the development of the Russian microelectronics.

Keywords: electronics industry; industrial policy; microelectronics; spatial development; development strategy for the electronics industry; digitalization; digital infrastructure; semiconductor manufacturing.

16 Dmitry V. Sirotin, Senior Researcher, Institute of Economics of the Ural Branch of RAS (29 Moskovskaya St., Ekaterinburg, 620014, Russia), PhD in economics, e-mail: [email protected]

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.