CC BY
2
УДК 621.382.3
Исломов М.Х. ассистент кафедра «Радиоэлектроника» Джизакский политехнический институт
СЛОЙНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ
Аннотация. В статье описана технология приготовления полупроводниковых слоев и ее применение.
Ключевые слова: p-n проводимость, полупроводник, слои, технология.
Islomov M.Kh. assistant
Department of Radioelectronics Jizzakh Polytechnic Institute
LAYER PRODUCTION TECHNOLOGIES AND ITS APPLICATION
Annotation. The article descirabes the technology of preparation of semiconductor layers and its application.
Keywords: p-n conductivity, semiconductor, layers, technology.
Ряд исследований был посвящен получению тонких слоев полупроводников из различных материалов. Такие слои готовятся с использованием специальных устройств [1,2]. Он состоит из крышки, основания, испарителя, экрана, насоса, в котором создается высокий вакуум (иногда только в особых случаях может быть низкий вакуум). (Фигура 1).
Готовые испарители могут быть использованы для передачи материала в лоток выпариванием или они могут быть изготовлены по определенной технологии [3,4].
Сначала крышка снимается, на основание помещается стеклянная пластина, ивиспарительдобавляется полупроводниковое соединение. Крышка
возвращается на место. Используя насос, воздух внутри колпачка всасывается для создания вакуума, затем полупроводниковое соединение испаряется путем подачи высокого напряжения на испаритель, в результате чего полупроводник испаряется и прилипает к стеклянной пластине [5,6]. Через определенное время воздух выпускается в крышку, крышка снимается с места. Стеклянная пластина также взята с основания, проволока приварена с обеих сторон и подключена к гальванометру. Если на стеклянную пластину поместить свет, гальванометр показывает, что генерируется ток. Рисунок 2.
Таким образом формируются слои p и п типа. Пар полупроводникового соединения сидит на стеклянной пластине, как зуб пилы [7]. Половина зуба пилы имеет форму p, а другая половина имеет ^образную форму.Пары титана быстро реагируют с водяным паром с выделением водорода, который легко извлекается диффузионным насосом. Пары титана также быстро реагируют с кислородом, азотом и водородом.
2 рисунок
Титан может испаряться с использованием танталовых испарителей или вольфрамовых проволочных испарителей [8].
Известно, что остаточный газ в камере оказывает большое влияние на свойства тонкого слоя. Когда материал начинает испаряться, вакуум может уменьшаться, и количество молекул остаточного газа может увеличиваться пропорционально выделению поглощаемого им кислорода. В таких случаях использование титана целесообразно [9].
При подготовке любого полупроводникового слоя необходимо найти четкую оптимальную моду в зависимости от цели, для которой он используется. Для этого важны время, температура, давление, объем, скорость всасывания, скорость испарения, чистота, количество и местоположение испаряемого материала, его чистота (смеси), путь введения, если смесь вводится. В зависимости от цели один или несколько из этих параметров должны быть постоянными. Основными параметрами являются давление, базовая температура и скорость [10].
Во время физической проводимости часто достигается температура 100-200 ° ^ поскольку химически активная среда не используется. В этом процессе пары материала только конденсируются. Когда вакуума достаточно, атомы и молекулы материала достигают дна по прямой линии [11].
Во время приготовления слоев создается высокий вакуум, очень мало молекул остаточного газа поглощается, и процесс осуществляется в замкнутом объеме [12].
При подготовке слоев давление пара материала должно быть на несколько градусов выше, чем давление остаточного газа. В этом случае атомы испаряющегося материала распределяются по прямой линии, так что длина свободного пробега атомов в несколько раз превышает интервал «основание испарителя» [13]. Таким образом, в переходной зоне заряды движутся в двух направлениях. Тысячи p-n переходов или фотоэлементов могут быть собраны параллельно, чтобы сформировать солнечные панели.
Использованные источники:
1. Islomov, M., & Irisboyev, F. (2023). IOT (INTERNET OF THINGS) TECHNOLOGIES OF INTERNET DEVICES. Modern Science and Research, 2(9), 220-223.
2. Ирисбоев, Ф. Б., Эшонкулов, А. А. У., & Исломов, М. Х. У. (2022). ПОКАЗАТЕЛИ МНОГОКАСКАДНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 5-8.
3. Mustofoqulov, J. A., & Bobonov, D. T. L. (2021). "MAPLE" DA SO'NUVCHI ELEKTROMAGNIT TEBRANISHLARNING MATEMATIK TAHLILI. Academic research in educational sciences, 2(10), 374-379.
4. Mustofoqulov, J. A., Hamzaev, A. I., & Suyarova, M. X. (2021). RLC ZANJIRINING MATEMATIK MODELI VA UNI "MULTISIM" DA HISOBLASH. Academic research in educational sciences, 2(11), 1615-1621.
5. Иняминов, Ю. А., Хамзаев, А. И. У., & Абдиев, Х. Э. У. (2021). Передающее устройство асинхронно-циклической системы. Scientific progress, 2(6), 204207.
6. Мулданов, Ф. Р., Умаров, Б. К. У., & Бобонов, Д. Т. (2022). РАЗРАБОТКА КРИТЕРИЙ, АЛГОРИТМА И ЕГО ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЛЯ СИСТЕМЫ ИДЕНТИФИКАЦИИ ЛИЦА ЧЕЛОВЕКА. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 13-16.
7. Мулданов, Ф. Р., & Иняминов, Й. О. (2023). МАТЕМАТИЧЕСКОЕ, АЛГОРИТМИЧЕСКОЕ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СОЗДАНИЯ СИСТЕМЫ РОБОТА-АНАЛИЗАТОРА В ВИДЕОТЕХНОЛОГИЯХ. Экономика и социум, (3-2 (106)), 793-798.
8. Zhabbor, M., Matluba, S., & Farrukh, Y. (2022). STAGES OF DESIGNING A TWO-CASCADE AMPLIFIER CIRCUIT IN THE "MULTISIM" PROGRAMM. Universum: технические науки, (11-8 (104)), 43-47.
9. Каршибоев, Ш., & Муртазин, Э. Р. (2022). ТИПЫ РАДИО АНТЕНН. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 9-12.
10. Саттаров Сергей Абудиевич, & Омонов Сардор Рахмонкул Угли (2022). ИЗМЕРЕНИЯ ШУМОПОДОБНЫХ СИГНАЛОВ С ПОМОЩЬЮ АНАЛИЗАТОРА СПЕКТРА FPC1500. Universum: технические науки, (11-3 (104)), 17-20.
11. Якименко, И. В., Каршибоев, Ш. А., & Муртазин, Э. Р. (2023). Джизакский политехнический институт СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ МАШИННОЕ ОБУЧЕНИЕ ДЛЯ РАДИОЧАСТОТ. Экономика и социум, 1196.
12. Yuldashev, F. (2023). HARORATI MOBIL ELEKTRON QURILMALAR ASOSIDA NAZORAT QILINADIGAN QUYOSh QOZONI. Interpretation and researches, 1(1).
13. Mustofokulov, J., Suyarova, M., Choriev, S., & Ashurova, K. (2023). METHODS FOR DESIGNING ELECTRONIC DEVICE CIRCUITS IN THE» PROTEUS" PROGRAM. Экономика и социум, (4-1 (107)), 189-193.
