CC BY
20
ВИАМ/2014-Тр-04-04
УДК 546.28-121:546.05
СИНТЕЗ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ЧЕРЕЗ ГАЗОВУЮ ФАЗУ С ПРИМЕНЕНИЕМ ПЕРХЛОРСИЛАНОВ ДЛЯ ДОПИРОВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
B.Г. Севастьянов доктор химических наук
Е.П. Симоненко кандидат химических наук
Н.П. Симоненко
Н.Т. Кузнецов доктор химических наук
Д.В. Гращенков кандидат технических наук
C. Ст. Солнцев Г.В. Ермакова
Г. М. Прокопченко
Апрель 2014
Всероссийский институт авиационных материалов (ФГУП «ВИАМ» ГНЦ) - крупнейшее российское государственное материаловедческое предприятие, на протяжении 80 лет разрабатывающее и производящее материалы, определяющие облик современной авиационно-космической техники. 1700 сотрудников ВИАМ трудятся в более чем тридцати научноисследовательских лабораториях, отделах, производственных цехах и испытательном центре, а также в четырех филиалах института. ВИАМ выполняет заказы на разработку и поставку металлических и неметаллических материалов, покрытий, технологических процессов и оборудования, методов защиты от коррозии, а также средств контроля исходных продуктов, полуфабрикатов и изделий на их основе. Работы ведутся как по государственным программам РФ, так и по заказам ведущих предприятий авиационно-космического комплекса России и мира.
В 1994 г. ВИАМ присвоен статус Государственного научного центра РФ, многократно затем им подтвержденный.
За разработку и создание материалов для авиационно-космической и других видов специальной техники 233 сотрудникам ВИАМ присуждены звания лауреатов различных государственных премий. Изобретения ВИАМ отмечены наградами на выставках и международных салонах в Женеве и Брюсселе. ВИАМ награжден 4 золотыми, 9 серебряными и 3 бронзовыми медалями, получено 15 дипломов.
Возглавляет институт лауреат государственных премий СССР и РФ, академик РАН, профессор Е.Н. Каблов.
Статья подготовлена для опубликования в журнале «Труды ВИАМ», №4, 2014 г.
УДК 546.28-121:546.05
В.Г. Севастьянов1, Е.П. Симоненко1, Н.П. Симоненко1, Н.Т. Кузнецов1,
Д.В. Гращенков2, С. Ст. Солнцев2, Г.В. Ермакова2, Г.М. Прокопченко2
СИНТЕЗ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ЧЕРЕЗ ГАЗОВУЮ ФАЗУ С ПРИМЕНЕНИЕМ ПЕРХЛОРСИЛАНОВ ДЛЯ ДОПИРОВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО
КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Наноструктурированный кремний, перспективный для допирования высокотемпературных композиционных материалов на основе карбида кремния, синтезирован методом химического осаждения из газовой фазы с применением в качестве прекурсоров различных фракций перхлорсиланов SinCl2n+2. Исследовано влияние химической природы стартовых веществ и технологических параметров (температур парообразования и термодеструкции, продолжительности выдержки) на характеристики продукта.
Ключевые слова: перхлорсилан, химическое осаждение из газовой фазы, CVD,
наноматериалы, SiC, карбид кремния.
V.G. Sevastyanov1, E.P. Simonenko1, N.P. Simonenko1, N.T. Kuznetsov1,
D.V. Grashchenkov2, C.Ct. Solntcev2, G.M. Prokopchenko2, G.V. Ermakova2
THE SYNTHESIS OF NANOSTRUCTURED SILICON THROUGH THE GAS PHASE USING PERCHLORESILANES FOR DOPING SILICON CARBIDE-BASED HIGH-TEMPERATURE COMPOSITE MATERIAL
Nano-structured silicon, which is promising to doping of silicon carbide-based high-temperature composite materials, synthesized by the chemical vapor deposition method, using various fractions of perchlorosilanes SinCl2n+2 as precursors. The effect of chemical nature of the starting materials and process parameters (temperature steam and thermal degradation, exposure time) on the characteristics of the product was studied.
Key words: рerchlorosilane, chemical vapor deposition, CVD, nanomaterial, SiC, silicon carbide.
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН.
[Institute of General and Inorganic Chemistry N.S. Kurnakova RAN] Е-mail: info@igic.ras.ru ^Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов» Государственный научный центр Российской Федерации [Federal state unitary enterprise «All-Russian scientific research institute of aviation materials» State research center of the Russian Federation] E-mail: admin@viam.ru
В настоящее время авиационная промышленность остается одним из наиболее высокотехнологичных секторов экономики, потребляющих наукоемкую продукцию. Преодоление технологического отставания от развитых стран, смещение акцента в применении конструкционных материалов от металлических к неметаллическим, создание новых образцов современной техники, прежде всего авиационной, тесно связано с развитием материаловедения, разработкой новых конструкционных материалов и покрытий, способных применяться в более жестких условиях - при повышенных температурах и механических нагрузках. Получение высокотемпературных керамических материалов - важная задача современного материаловедения. Областью применения этих материалов являются перспективные изделия авиационной и космической техники, а также машиностроение, энергетика, нефтяная и газовая промышленность [1-7].
Исключительно перспективны керамические композиционные материалы. В настоящее время возрастает интерес к новым энергосберегающим способам получения высокотемпературных материалов, таким как золь-гель технология, которая позволяет получить материалы высокой чистоты и регулировать микроструктуру материалов на начальной стадии процесса, а также дает возможность получения порошков сверхвысокой дисперсности [8-13].
Активно проводящиеся исследования специфических свойств наноразмерных частиц показали, что их введение даже в незначительных количествах в состав конструкционных материалов (КМ) позволяет улучшить трещиностойкость, что особенно важно для керамических высокотемпературных материалов, а также повысить с помощью модифицирования основные характеристики. Одним из наиболее перспективных методов заполнения микропор является химическое осаждение высокодисперсных веществ из газовой фазы с привлечением наиболее перспективных прекурсоров, переходящих в газовую фазу без разложения и подвергающихся термической деструкции при умеренных температурах. К преимуществам данного метода следует отнести возможность получения продуктов повышенной химической чистоты, осаждения продуктов на поверхности сложной формы (в том числе в порах КМ), а также перспективы варьирования характеристик синтезируемой высокодисперсной фазы в зависимости от параметров процесса - свойств прекурсоров (летучести, термостабильности), температур в зонах испарения и термодеструкции, продолжительности процесса, аппаратурных особенностей и др. [14-20].
Введение наноразмерного кремния в состав КМ позволяет решить ряд задач -начиная от создания градиента по составу материала на основе карбида кремния и за-
канчивая целенаправленной конверсией избыточного углерода, который при получении композиционных материалов на базе SiC методом реакционного спекания зачастую присутствует в образцах [21].
Ранее показано [22-25], что перхлорсиланы с общей формулой SinCl2n+2 (особенно высшие члены гомологического ряда) обладают всеми признаками перспективных стартовых реагентов - при умеренном понижении давления легко и без разложения переходят в газовую фазу при температурах порядка 100-370°С (в зависимости от соединения и общего давления в системе), в зоне деструкции при более высоких температурах (800-1200°С) подвергаются термическому разложению с образованием исключительно наноразмерного кремния и летучего, легко удаляющегося из зоны реакции, термически стабильного тетрахлорида кремния. По литературным данным известно, что перхлорсиланы SinCl2n+2 (где n=1-4) являются жидкостями, а при n=5-6 - твердыми соединениями в комнатных условиях; гомологи обладают сходными химическими свойствами. Увеличение молекулярной массы приводит к снижению термической стабильности перхлорсиланов - так, плавление кристаллов Si6Cl14 в условиях атмосферного давления приводит к их частичному разложению. Процесс термического разложения октахлортрисилана Si3Cl8, протекающего по реакции (1), смоделирован в изобарном приближении в работе [26], для чего использовались рассчитанные с привлечением структурных данных [27, 28] термодинамические функции для всех возможных компонентов реакции: Si3Cl8, Si(-r) (конденсированная фаза) и SiCl2, SiCl3, SiCl4, Si2Cl6, Si3Cl8, Sin (n=1-6), Cl, Cl2 (газовая фаза) [29]. Авторами показано, что термическое разложение Si3Cl8 является равновесным процессом и в значительной степени протекает при температурах >700°С:
^C^Si^SiCU«. (1)
Таким образом, для применения этого соединения и более длинноцепочечных и термически нестойких гомологов в процессе химического осаждения из газовой фазы можно рекомендовать достаточно мягкие температурные условия в зоне термодеструкции - менее 1000°С.
Целью данной работы являлся синтез наноструктурированных покрытий кремния методом химического осаждения из газовой фазы с привлечением в качестве прекурсоров двух различных фракций перхлорсиланов.
Экспериментальная часть
В качестве летучих прекурсоров применялись две фракции перхлорсиланов (содержание основных компонентов >95%):
- жидкая фракция, состоящая из смеси Si3Cl8 и Si4Cl10;
- твердая фракция, состоящая из смеси Si5Cl12 и Si6Cl14.
Оба реагента проявляли чрезвычайную чувствительность к влаге, поэтому все операции, связанные с загрузкой в реакционную систему стартовых веществ, выполнялись в инертной атмосфере (в потоке аргона).
Рентгенофазовый анализ (РФА) проводился на рентгеновском дифрактометре D/MAX-2500V/PC с вращающимся анодом ultraX 18 фирмы Rigaku.
Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) выполнена на трехлучевой рабочей станции NVision 40 фирмы Carl Zeiss; элементный состав микрообластей определялся с помощью приставки для энергодисперсионного анализа EDX Oxford Instrumets.
Синтез наноструктурированного кремния осуществлялся в виде тонких покрытий на сапфировых подложках с применением методик химического осаждения из газовой фазы (CVD) при пониженном давлении, поскольку для длинноцепочечных перхлорси-ланов при парообразовании в условиях атмосферного давления характерно протекание побочных реакций частичного разложения. Величина остаточного давления в реакционном сосуде составляла 13+5 кПа.
Нанесение покрытий проводилось в вертикальном цилиндрическом реакторе с запаянной нижней частью. В нижнюю часть реактора, заполненного аргоном (зона парообразования), помещался прекурсор; далее эта зона нагревалась в песчаной бане до температур от 25 до 3000С (для исследования влияния на процесс синтеза высокодисперсного кремния давления пара перхлорсиланов). Над зоной парообразования устанавливался графитовый держатель образцов, который при использовании индукционного нагрева выполнял также функцию нагревателя в процессе термодеструкции паров прекурсора, сорбирующегося на поверхности подложки. Температура в зоне термодеструкции варьировалась от 950 до 10200С. Продолжительность пребывания образцов в зоне термического разложения изменялась от 15 до 30 мин.
Предварительно выполнены эксперименты по исследованию термического поведения прекурсоров при различной температуре в зоне парообразования. Установлено, что при остаточном давлении ~13 кПа для жидкофазного прекурсора при температуре 1751850С в зоне парообразования наблюдается появление на стенках реакционного сосуда
конденсата, а при температуре 195-200°С происходит бурное кипение с выбросами. В ходе экспериментов видимого разложения стартового вещества не происходит.
Термическое поведение твердофазного прекурсора существенно отличается -плавление системы не наблюдается вплоть до температуры 380-400°С; при температуре ~195-200°С наблюдается начало сублимации, при температуре >300°С налет кристаллического сублимата появляется в предполагаемой зоне термодеструкции; до температуры 370-380°С термического разложения прекурсора в газовой фазе или в зоне нагрева не происходит.
При нанесении наноструктурированных слоев кремния с применением жидкофазного стартового вещества показано, что даже при самых мягких условиях процесса испарения (уже при комнатной температуре) происходит образование кремниевых покрытий: образуются «цвета побежалости», поверхность подложек приобретает серый цвет (рис. 1). Нагрев прекурсора до температуры кипения резко увеличивает давление его пара в системе, что ускоряет рост покрытия, однако повышается вероятность выброса стартовой смеси из зоны парообразования в зону деструкции.
Рентгенофазовый анализ поверхности модельных подложек с нанесенным покрытием подтверждает, что в использованных условиях происходит нанесение слоев высокодисперсного кристаллического кремния (рис. 2). Размер кристаллитов, оцененный по уравнению Дебая-Шерера, составил 12 нм. Примеси фазы диоксида кремния или образования аморфного гало не наблюдалось. Проявление на рентгенограмме рефлексов оксида алюминия от подложки подтверждает тот факт, что толщина нанесенного слоя не более одного-двух микрометров.
Рисунок 1. Внешний вид поверхности образцов после нанесения тонких пленок кремния при температуре в зоне разложения 950°С, в зоне испарения 25°С в течение 15 мин
Сканирующая электронная микроскопия позволила выявить особенности структу-рообразования покрытий при различных условиях СУО-процесса. Видно (рис. 3), что
при наиболее мягких условиях парообразования (при низком давлении пара прекурсора -температура 25°С) первоначально образуется сплошное покрытие кремния, состоящее из сферических частиц диаметром от 100 до ~500 нм, на поверхности которых наблюдаются более мелкие частицы вытянутой формы диаметром 10-50 нм.
2500
2000'
600-
й 200-
400-
Бі
Бі
ввел
20
30
40
50
¿X
60
Бі
70
29, град
0
Рисунок 2. Рентгенограмма поверхности образца после нанесения тонкого кремниевого покрытия с применением жидкофазного прекурсора (условия процесса: температура в зоне парообразования 200°С, в зоне термодеструкции 950°С, продолжительность выдержки 15 мин)
Рисунок 3. Микроструктура поверхности (по данным СЭМ) наноструктурированных слоев кремния на сапфировой подложке (условия процесса: жидкофазный прекурсор, температура в зоне парообразования 25°С, в зоне деструкции 950°С, продолжительность выдержки 15 мин)
При росте давления пара прекурсора в системе (например, при увеличении температуры в зоне испарения - рис. 4) или при увеличении продолжительности процесса наблюдается формирование волокнистых образований с диаметром ~10 нм и длиной - до нескольких микрометров (отношение длины волокна к диаметру составляет >100). Анализ микрофотографий, выполненных с применением режима фазового контраста, подтверждает, что состав волокон соответствует составу первоначального, непосредственно прилегающего к подложке слоя частиц кремния.
Рисунок 4. Микроструктура поверхности (по данным СЭМ) наноструктурированных слоев кремния на сапфировой подложке (а) и в режиме фазового контраста (б); условия процесса: жидкофазный прекурсор, температура в зоне парообразования 140-145°С, в зоне деструкции
950°С, продолжительность выдержки 15 мин
С применением твердой фракции перхлорсиланов методом СУО также получены покрытия кремния на модельных сапфировых подложках при варьировании условий процесса (температур в зоне парообразования и термического разложения прекурсора). Установлено, что, как и в случае с жидкой фракцией перхлорсиланов, первоначально образуется слой кремния, состоящий из плотно прилегающих друг к другу сферических частиц, на поверхности которых растут волокнистые частицы кремния диаметром ~30-60 нм. При большом содержании волокнистых частиц кремния они образуют рыхлые клубки, которые структурируются в пористый каркас (рис. 5). Видно, что поверхность модельной подложки полностью покрыта волокнистым кремнием (диаметр волокон -до 80 нм), образующим клубки. Скопление агрегатов формирует пористый каркас на поверхности образца.
Рисунок 5. Микроструктура поверхности (по данным СЭМ) наноструктурированных слоев кремния на сапфировой подложке (а, б) и в режиме фазового контраста (в); условия процесса: твердый прекурсор, температура в зоне парообразования 290-300°С, в зоне деструкции 950°С,
продолжительность выдержки 15 мин
Для покрытия, нанесенного при более высокой температуре в зоне парообразования (370°С), не наблюдается образование объемных клубков нановолокон кремния. На микрофотографии (рис. 6) можно видеть, что волокнистые образования сформированы на покрытии, состоящем из сферических кремниевых частиц диаметром также 50-100 нм, которое, видимо, непосредственно прилегает к подложке. Меньшее количество вторичного волокнистого кремния, который образуется при более высокой температуре парообразования прекурсора и фиксированной температуре его термического разложения в зоне разложения, может объясняться частичной деструкцией стартовых реагентов в процессе перехода в газовую фазу.
Как известно, обычно механизм формирования конденсированной фазы при химическом осаждении из газовой фазы предполагает следующие стадии:
- адсорбцию свободных молекул на поверхности подложки;
- формирование зародыша, который по достижении необходимых размеров становится центром кристаллизации;
- рост центров кристаллизации за счет адсорбции молекул прекурсоров на выступах и дефектах кристалла.
2 мкм 2 мкм
Рисунок 6. Микроструктура поверхности (по данным СЭМ) наноструктурированных слоев кремния на сапфировой подложке (а, б) и в режиме фазового контраста (в); условия процесса: твердый прекурсор, температура в зоне парообразования 370°С, в зоне деструкции 950°С, продолжительность выдержки 15 мин
Основными факторами, влияющими на кристаллическую упорядоченность и морфологию осаждаемых частиц, являются температура подложки и концентрация конденсированных на ней структурных единиц, которая во многом определяется концентрацией прекурсора в газовой фазе и возрастает с увеличением температуры.
Выполненные исследования показали, что при использовании жидкой фракции перхлорсиланов в качестве прекурсора кремния низкая температура парообразования (~25°С) приводит к формированию плотных кремниевых слоев, состоящих из частиц, форма которых близка к сферической. На поверхности этих частиц наблюдаются более мелкие частицы - вытянутой формы и диаметром 10-50 нм. При повышении температуры испарения прекурсоров до 140-145°С морфология высокодисперсного кремния на поверхности модельных подложек резко изменяется: на плотном покрытии кремния, непосредственно прилегающем к подложке, формируются волокнистые образования толщиной ~10 нм и длиной несколько микрометров. Поскольку твердофазный прекурсор имеет более высокие температуры фазовых переходов, эксперименты с его участием проводились при повышенных температурах в зоне парообразования:
- при 290-300°С - до плавления Si5Cl12 и SieCli4, в результате чего соединения сублимировали;
- при 370°С, что превышает интервал температур плавления соединений.
Показано, что в первом случае образуются клубки волокнистого кремния с диаметром волокон ~30-60 нм, которые полностью покрывают первоначально образовавшийся плотный кремниевый слой. При повышении температуры в зоне испарения (во втором случае) наблюдается образование существенно меньшего количества волокнистого кремния, что может быть связано с уменьшением содержания прекурсора в газовой фазе в результате его частичного термического разложения при испарении.
ЛИТЕРАТУРА
1. Каблов Е.Н. Стратегические направления развития материалов и технологий их переработки на период до 2030 года //Авиационные материалы и технологии.
2012. №S. С. 7-17.
2. Каблов Е.Н. Чтобы сократить технологическое отставание //Инженерная газета. 2010. №12-13.
3. Гращенков Д.В., Чурсова Л.В. Стратегия развития композиционных и функциональных материалов //Авиационные материалы и технологии. 2012. №S. С. 231242.
4. Уварова Н.Е., Гращенков Д.В., Исаева Н.В., Орлова Л.А., Саркисов П.Д. Высокотемпературные радиопрозрачные материалы: сегодня и завтра //Авиационные материалы и технологии. 2010. №1. С. 16-21.
5. Саркисов П.Д., Гращенков Д.В., Орлова Л.А., Уварова Н.Е., Попович Н.В. Современные достижения в области создания высокотемпературных радиопрозрачных материалов //Техника и технология силикатов. 2009. Т. 16. №1. С. 2-10.
6. Каблов Е.Н., Гращенков Д.В., Исаева Н.В., Солнцев С.С. Перспективные высокотемпературные керамические композиционные материалы //Российский химический журнал. 2010. Т. LIV. №1. С. 20-24.
7. Каблов Е.Н., Гращенков Д.В., Уварова Н.Е. Исследования методом инфракрасной спектроскопии структурных изменений гелей в процессе термической обработки при получении высокотемпературных стеклокерамических материалов по золь-гель технологии //Авиационные материалы и технологии. 2011. №2. С. 22-25.
8. Каблов Е.Н. Материалы на все времена //Наука и жизнь. 2010. №10. С. 1-15.
9. Христов Ц.И. Золь-гель технология силикатных материалов. М.: РХТУ. 1995. 232 с.
10. Frety N., Taylor A., Lewis M.H. Microstructure and Cristallization Behavior of Sol-Gel Derived SrO05-BaO05-Al2O3-2SiO2 Glass-Ceramic //J. of non-cristalline solids. 1996. V. 195. №1-2. Р. 28-37.
11. Schmidt H., Jonschker G., Goedicke S., Mennig M. The sol-gel process as a basic technology for nanoparticle-dispersed inorganic-organic composites //J. of Sol-Gel Sci. and Techn. 2000. V. 19. Р. 39-51.
12. Максимов А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Шилова О.А. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. СПб.: ЛЭТИ. 2008. 254 с.
13. Гращенков Д.В., Щеголева Н.Е., Симоненко Е.П., Ермакова Г.В. Высокотемпературный керамический композиционный материал, устойчивый при длительной эксплуатации до 2000°С с многоуровневой комплексной системой защиты //Все материалы. Энциклопедический справочник. 2011. №8. С. 25-28.
14. Kuznetsov N.T., Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P. Finely Dispersed Refractory Compounds for High-Temperature Ceramic Matrix Composite Applications //Russian Journal of General Chemistry. 2010. V. 55. №3. Р. 658-665.
15. Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P., Simonenko N.P., Kuznetsov N.T. Synthesis of Ultrafine Refractory Oxides Zirconia-Hafnia-Yttria by Sol-Gel Technology //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2012. V. 57. №3. Р. 307-312.
16. Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P., Ezhov Yu.S., Simonenko N.P., Kuznetsov N.T. Low-Temperature Synthesis of Nanodispersed Titanium, Zirconium and Hafnium Carbides //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2011. V. 56. №5. Р. 661-672.
17. Симоненко Е.П., Симоненко Н.П., Севастьянов В.Г., Гращенков Д.В., Кузнецов
Н.Т., Каблов Е.Н. Функционально градиентный композиционный материал SiC/(ZrO2-HfO2-Y2O3), полученный с применением золь-гель метода //Композиты и наноструктуры. 2011. №4. С. 52-64.
18. Simonenko E.P., Simonenko N.P., Derbenev A.V., Nikolaev V.A., Grashchenkov D.V., Sevast’yanov V.G., Kablov E.N., Kuznetsov N.T. Synthesis of Nanocrystalline Silicon Carbide using the Sol-Gel Technique //Russian Journal of Inorganic Chemistry.
2013. V. 58. №10. Р. 1143-1151.
19. Уварова Н.Е., Орлова Л.А., Лебедева Ю.Е., Гращенков Д.В. Применение метода электронного парамагнитного резонанса для изучения структурных изменений в процессе гелеобразования при получении керамики и стеклокерамики золь-гель методом //Авиационные материалы и технологии. 2011. №3. С. 26-30.
20. Лебедева Ю.Е., Попович Н.В., Орлова Л.А. Защитные высокотемпературные покрытия для композиционных материалов на основе SiC //Труды ВИАМ. 2013. №2. Ст. 06 (viam-works.ru).
21. Sevast’yanov V.G., Nosatenko P.Ya., Gorskii V.V., Ezhov Yu.S., Sevast’yanov D.V., Simonenko E.P., Kuznetsov N.T. Experimental and Theoretical Determination of the Saturation Vapor Pressure of Silicon in a Wide Range of Temperatures //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2010. V. 55. №13. Р. 2073-2088.
22. Севастьянов В.Г., Ежов Ю.С., Павелко Р.Г., Кузнецов Н.Т. Перхлорсиланы и перхлоркарбосиланы как стартовые реагенты для низкотемпературного газофазного синтеза карбида кремния //Неорганические материалы. 2007. №4. С. 432-436.
23. Способ получения высокодисперсного карбида кремния: пат. 2339574 Рос. Федерация; опубл. 27.11.2008 Бюл. №33. С. 5.
24. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Silicon. Springer Berlin. 1984. V. A1. Р. 38-69.
25. Кочубей Н.Ф., Гаврилов А.П., Карамзин М.С., Моин Ф.Б., Паздерский Ю.А. Кинетика термического разложения октахлортрисилана. Рукопись депонирована в ВИНИТИ за №1265-78 деп. от 12.04.1978.
26. Ежов Ю.С., Симоненко Е.П., Севастьянов В.Г. Термодинамические свойства и термическое разложение октахлортрисилана Si3Cl8 //Журнал физической химии. 2009. №2. С. 1-4.
27. Ежов Ю.С., Комаров С.А., Симоненко Е.П., Севастьянов В.Г. Особенности строения молекулы октахлортрисилана Si3Cl8 //Журнал структурной химии. 2008. №4.
С. 633-639.
28. Almenningen A., Fjeldberg T. The molecular structure of gaseous octachlorotrisilane, Si3Cl8, as determined by electron diffraction //Journal of Molecular Structure. 1981. V. 77. №3-4. P. 315-318.
29. Gurvich L.V., Iorish V.S. et. al. Ivtantermo. A thermodynamic Database and Software System for the Personal Computer. User’s Guide. CRC Press. Inc. Boca Raton. 1993. Р. 145-180.
REFERENCES LIST
1. Kablov E.N. Strategicheskie napravlenija razvitija materialov i tehnologij ih pererabotki na period do 2030 goda [Strategic directions of development of materials and technolo-
gies to process them for the period up to 2030] //Aviacionnye materialy i tehnologii.
2012. №S. S. 7-17.
2. Kablov E.N. Chtoby sokratit' tehnologicheskoe otstavanie [To reduce the technological lag] //Inzhenernaja gazeta. 2010. №12-13.
3. Grashhenkov D.V., Chursova L.V. Strategija razvitija kompozicionnyh i funkcional'nyh materialov [Development Strategy composite and functional materials] //Aviacionnye materialy i tehnologii. 2012. №S. S. 231-242.
4. Uvarova N.E., Grashhenkov D.V., Isaeva N.V., Orlova L.A., Sarkisov P.D. Vysokotem-peraturnye radioprozrachnye materialy: segodnja i zavtra [High-temperature materials radioparent: today and tomorrow] //Aviacionnye materialy i tehnologii. 2010. №1. S. 16-21.
5. Sarkisov P.D., Grashhenkov D.V., Orlova L.A., Uvarova N.E., Popovich N.V. Sov-remennye dostizhenija v oblasti sozdanija vysokotemperaturnyh radioprozrachnyh materialov [Recent advances in the field of high-temperature materials radiotransparent] //Tehnika i tehnologija silikatov. 2009. T. 16. №1. S. 2-10.
6. Kablov E.N., Grashhenkov D.V., Isaeva N.V., Solncev S.S. Perspektivnye vysokotem-peraturnye keramicheskie kompozicionnye materialy [Promising high-temperature ceramic composites] //Rossijskij himicheskij zhurnal. 2010. T. LIV. №1. S. 20-24.
7. Kablov E.N., Grashhenkov D.V., Uvarova N.E. Issledovanija metodom infrakrasnoj spektroskopii strukturnyh izmenenij gelej v processe termicheskoj obrabotki pri polu-chenii vysokotemperaturnyh steklokeramicheskih materialov po zol'-gel' tehnologii [Research by infrared spectroscopy structural changes gels during heat treatment in the preparation of high-ceramic materials by sol-gel technology] //Aviacionnye materialy i tehnologii. 2011. №2. S. 22-25.
8. Kablov E.N. Materialy na vse vremena [Materials at all times] //Nauka i zhizn'. 2010. №10. S. 1-15.
9. Hristov C.I. Zol'-gel' tehnologija silikatnyh materialov [The sol-gel technology silicate materials]. M.: RHTU. 1995. 232 s.
10. Frety N., Taylor A., Lewis M.H. Microstructure and Cristallization Behavior of Sol-Gel Derived Sr00,5-Ba00,5-Al203-2Si02 Glass-Ceramic //J. of non-cristalline solids. 1996. V. 195. №1-2. P. 28-37.
11. Schmidt H., Jonschker G., Goedicke S., Mennig M. The sol-gel process as a basic technology for nanoparticle-dispersed inorganic-organic composites //J. of Sol-Gel Sci. and Techn. 2000. V. 19. P. 39-51.
12. Maksimov A.I., Moshnikov V.A., Tairov Ju.M., Shilova O.A. Osnovy zol'-gel' tehnologii nanokompozitov [Fundamentals of sol-gel technology nanocomposites]. SPb.: LJeTI. 200S. 254 s.
13. Grashhenkov D.V., Shhegoleva N.E., Simonenko E.P., Ermakova G.V. Vysokotem-peratur-nyj keramicheskij kompozicionnyj material, ustojchivyj pri dlitel'noj jeksplu-atacii do 2000OC s mnogourovnevoj kompleksnoj sistemoj zashhity [The high temperature ceramic composite, stable at long-term operation up to 2000oC with a multilevel integrated protection system] //Vse materialy. Jenciklopedicheskij spravochnik. 2011. №8. S. 25-2S.
14. Kuznetsov N.T., Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P. Finely Dispersed Refractory Com-pounds for High-Temperature Ceramic Matrix Composite Applications //Russian Journal of General Chemistry. 2010. V. 55. №3. P. б58-бб5.
15. Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P., Simonenko N.P., Kuznetsov N.T. Synthesis of Ul-trafine Refractory Oxides Zirconia-Hafnia-Yttria by Sol-Gel Technology //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2012. V. 57. №3. P. 307-312.
16. Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P., Ezhov Yu.S., Simonenko N.P., Kuznetsov N.T. Low-Temperature Synthesis of Nanodispersed Titanium, Zirconium and Hafnium Carbides //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2011. V. 5б. №5. P. бб1-б72.
17. Simonenko E.P., Simonenko N.P., Sevast'janov V.G., Grashhenkov D.V., Kuznecov N.T., Kablov E.N. Funkcional'no gradientnyj kompozicionnyj material SiC/(ZrO2-HfÜ2-Y2O3), poluchennyj s primeneniem zol'-gel' metoda [Functionally gradient composite material SiC/(ZrO2-HfÜ2-Y2O3), prepared using a sol-gel method] //Kompozity i nanostruktury. 2011. №4. S. 52-б4.
18. Simonenko E.P., Simonenko N.P., Derbenev A.V., Nikolaev V.A., Grashchenkov
D.V., Sevast’yanov V.G., Kablov E.N., Kuznetsov N.T. Synthesis of Nanocrystalline Silicon Carbide using the Sol-Gel Technique //Russian Journal of Inorganic Chemistry.
2013. V. 58. №10. P. 1143-1151.
19. Uvarova N.E., Orlova L.A., Lebedeva Ju.E., Grashhenkov D.V. Primenenie metoda jelektronnogo paramagnitnogo rezonansa dlja izuchenija strukturnyh izmenenij v processe geleobrazovanija pri poluchenii keramiki i steklokeramiki zol'-gel' metodom [Application of the method of electron paramagnetic resonance to study structural changes in the gel in the preparation of ceramics and glass-ceramics by sol-gel method] //Aviacionnye materialy i tehnologii. 2011. №3. S. 2б-30.
20. Lebedeva Ju.E., Popovich N.V., Orlova L.A. Zashhitnye vysokotemperaturnye pokryti-ja dlja kompozicionnyh materialov na osnove SiC [Protective coatings for high-temperature composite materials based on SiC] //Trudy VIAM. 2013. №2. St. 0б (viam-works.ru).
21. Sevast’yanov V.G., Nosatenko P.Ya., Gorskii V.V., Ezhov Yu.S., Sevast’yanov D.V., Simonenko E.P., Kuznetsov N.T. Experimental and Theoretical Determination of the Saturation Vapor Pressure of Silicon in a Wide Range of Temperatures //Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2010. V. 55. №13. P. 2073-20SS.
22. Sevast'janov V.G., Ezhov Ju.S., Pavelko R.G., Kuznecov N.T. Perhlorsilany i perhlorkarbosilany kak startovye reagenty dlja nizkotemperaturnogo gazofaznogo sinte-za karbida kremnija [Perchlorosilanes and perchlorocarbosilanes as starting reagents for the low-temperature chemical vapor deposition of silicon carbide]//Neorganicheskie materialy. 2007. №4. S. 432-43б.
23. Sposob poluchenija vysokodispersnogo karbida kremnija [A method for producing finely divided silicon carbide]: pat. 2339574 Ros. Federacija; opubl. 27.11.200S Bjul. №33. S. 5.
24. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Silicon. Springer Berlin. 19S4. V. A1. P. 3S-69.
25. Kochubej N.F., Gavrilov A.P., Karamzin M.S., Moin F.B., Pazderskij Ju.A. Kinetika termicheskogo razlozhenija oktahlortrisilana [Kinetics of thermal decomposition octa-chlorotrisilanes]. Rukopis' deponirovana v VINITI za №1265-7S dep. ot 12.04.197S.
26. Ezhov Ju.S., Simonenko E.P., Sevast'janov V.G. Termodinamicheskie svojstva i termicheskoe razlozhenie oktahlortrisilana Si3ClS [Thermodynamic properties and thermal decomposition octachlorotrisilane Si3ClS] //Zhurnal fizicheskoj himii. 2009. №2. S. 1-4.
27. Ezhov Ju.S., Komarov S.A., Simonenko E.P., Sevast'janov V.G. Osobennosti stroenija molekuly oktahlortrisilana Si3ClS [Features of the structure of the molecule octachlorotrisilane Si3ClS] //Zhurnal strukturnoj himii. 200S. №4. S. б33-б39.
2S. Almenningen A., Fjeldberg T. The molecular structure of gaseous octachlorotrisilane, Si3ClS, as determined by electron diffraction //Journal of Molecular Structure. 19S1. V. 77. №3-4. P. 315-31S.
29. Gurvich L.V., Iorish V.S. et. al. Ivtantermo. A thermodynamic Database and Software System for the Personal Computer. User’s Guide. CRC Press. Inc. Boca Raton. 1993. P. 145-1S0.
