СИЛОВЫЕ МОДУЛИ VISHAY И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ Текст научной статьи по специальности «Строительство и архитектура»

Силовые модули Vishay

и их применение

Алексей ПоПов Сергей ПоПов

в 2007 году компания Vishay приобрела у Internatinal Rectifier большую часть ее полупроводникового бизнеса, в том числе производство силовых полупроводниковых приборов и силовых модулей. Сейчас Vishay является одним из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых приборов и пассивных компонентов.

При проектировании входного сетевого выпрямителя мощностью от единиц до нескольких сотен киловатт основными факторами, определяющими выбор силовых компонентов, являются:

• количество фаз питающей сети;

• номинальное сетевое напряжение;

• требуемая мощность нагрузки;

• требуемая стойкость к перегрузкам;

• требования регулирования выходного напряжения и/или тока. Соответственно, можно выбрать между

применением дискретных силовых диодов и тиристоров или силовых модулей в составе одно- (двух-) или же трехфазных неуправляемых, полууправляемых или полностью управляемых выпрямителей, выполняемых в большинстве случаев по мостовой схеме.

Применение силовых модулей обеспечивает следующие преимущества:

• Широкий выбор типоразмеров корпусов.

• Широкий выбор конфигураций (внутренних электрических схем) модулей.

• Наличие диодных, тиристорных и диодно-тиристорных модулей.

• В большинстве линеек доступны модули с допустимым напряжением до 1600 В. (Отдельные серии содержат модули с напряжением до 2000 В и даже до 3000 В.)

• Исключительная стойкость к перегрузкам и перенапряжениям.

• Медное основание модуля электрически изолировано от токоведущих цепей, что позволяет монтировать несколько модулей на общий теплоотвод.

• Высокая электрическая прочность изоляции.

• Весьма малое и стабильное тепловое сопротивление: от силовых чипов до тепло-отводящего основания.

• Соответствие требованиям директивы по охране окружающей среды RoHS и стандартам безопасности UL. Расширенная классификация силовых выпрямительных модулей, предназначенных для работы на сетевой частоте, которые выпускает Vishay, представлена в таблице 1. Эти модули предназначены для построения входных (сетевых) выпрямителей в составе источников бесперебойного питания (ИБП), промышленных сварочных преобразователей, электроприводов, импульсных источников электропитания и других силовых преобразовательных установок.

Параметры серий модулей в корпусе Add-A-Pak приведены в таблице 2, а варианты электрических схем модулей и их условные обозначения — в таблице 3. Модули в корпусе Add-A-Pak выполняются по одной из разновидностей технологии DCB bonded с закреплением чипов на теплопроводящем изолированном основании и с разваркой

проволочных межсоединений. Технология обеспечивает хорошую электрическую прочность, высокую теплопроводность и умеренную себестоимость.

Основной технической проблемой этой технологии является ограниченная стойкость приборов к термоциклированию (вследствие периодического изменения нагрузки или, реже, изменений температуры окружающей среды). Возникающие при этом термомеханические напряжения в зоне жесткого соединения разнородных материалов ведут к усталостному разрушению (постепенной деградации параметров приборов, приводящей в конце концов к катастрофическому отказу). Скорость старения и, соответственно, выдерживаемое количество циклов до отказа определяются главным образом перепадом температуры за цикл. Графики типичной зависимости показаны на рис. 1.

Совершенствование технологии изготовления модулей (в частности, применение материалов с лучшим согласованием термомеханических характеристик) позволяет значительно улучшить их циклостойкость. Новые модули Vishay, относящиеся к седьмому поколению приборов, обеспечивают двукратный выигрыш по этому параметру в сравнении с предыдущими разработка-

Таблица 1. Диапазоны характеристик силовых диодных, тиристорных и диодно-тиристорных модулей Vishay

Тип корпуса Add-A-Pak Int-A-Pak MAP Block Magn-A-Pak Super Magn-A-Pak

Внешний вид * m Ф 0

Диапазон значений номинального тока диодных модулей, А 40-105 160-236 Не выпускаются 250-320 300-600

Диапазон значений номинального тока тиристорных модулей, А 25-105 135-160 До 500 120-320 430-570

Диапазон значений максимально допустимого повторяющегося обратного напряжения, В 400-1600 До 1600 До 1600 До 3000 До 2000

Примечание. Максимально допустимая рабочая температура переходов у силовых диодов — +150 °С, у силовых тиристоров — +125 °С.

Таблица 2. Выпрямительные силовые модули Vishay в корпусе Add-A-Pak для работы на сетевой частоте

Средний выпрямленный ток, А Диодные модули1, 2 Тиристорные и тиристорно-диодные модули1, 2

26 - VSKx26/04-VSKx26/16

45 - VSKx41/04-VSKx41/16

60 VSKx56/04-VSKx56/16 VSKx56/04-VSKx56/16

75-80 VSKx71/04-VSKx71/16 VSKx71/04-VSKx71/16

95-100 VSKx91/04-VSKx91/16 VSKx91/04-VSKx91/16

105 VSKx105 /04-VSKx105/16

Примечания. 1 Символ «х» в обозначении типа модуля кодирует его конфигурацию в соответствии с таблицей 3. 2 Диапазон значений максимально допустимых повторяющихся обратных напряжений модулей — от 400 до 1600 В с шагом 200 В. Класс напряжения модуля показывают две последние цифры в его обозначении.

силовая электроника 1135

Таблица 3. Варианты конфигурации выпрямительных силовых модулей Vishay для работы на сетевой частоте

Таблица 4. Выпрямительные силовые модули Vishay для работы на сетевой частоте в корпусе Ы-А-Рак

Диодный полумост

Два диода с общим катодом

Два диода с общим анодом

Один диод

Тиристорный полумост

Тиристорно-диодный полумост (верхний тиристор)

Тиристорно-диодный полумост (нижний тиристор)

Диод и тиристор с общим анодом

Два тиристора с общим катодом

Два тиристора с общим анодом

l)0-1—0(2)1--1

-J-X-S«1-*!-

(4) G10 I

<5> К1(=>°——►ЬЙгЙ^т—2 (1

(7) К20--1

(6) G20-1

1)3—1^-ос

1)5-0(3

1)5—X^jc

г И-5 ^^^

1-(

I-OK

I-OK

Средний выпрямленный ток, А Диодные модули1, 2 Тиристорные и тиристорно-диодные модули1, 2

136 - VSKx136/04-VSKx136/16

142 - VSKx142/04-VSKx142/16

162 - VSKx162/04-VSKx162/16

166 VSKx166/04-VSKx166/16 -

196 VSKx196/04-VSKx196/16 -

236 VSKx236/04-VSKx236/16 -

Примечания. 1 Символ «х» в обозначении типа модуля кодирует его конфигурацию в соответствии с таблицей 3. 2 Диапазон значений максимально допустимых повторяющихся обратных напряжений модулей — от 400 до 1600 В с шагом 200 В. Класс напряжения модуля показывают две последние цифры в его обозначении.

T

H

L

N

U

V

ми (3-5-е поколения) и на порядок лучше модулей первого поколения. Силовые выпрямительные модули в корпусе Add-A-Pak предназначены для установок мощностью до 25-30 кВт.

Параметры серий модулей в корпусе Int-A-Pak приведены в таблице 4. По большей части они, подобно модулям Add-A-Pak, основаны на технологии DCB bonded. Однако на заказ возможно изготовление модулей в корпусе Int-A-Pak прижимной конструкции с радикальным улучшением показателей циклостойкости.

Выпрямительные модули Int-A-Pak предназначены для работы в составе электрооборудования мощностью 35-70 кВт. Для еще большей мощности — 80-90 кВт — применяются силовые модули в корпусе Magn-A-Pak, которые представлены в таблице 5. Базовой технологией изготовления этих модулей является прижимная, когда кремниевые диски силовых диодов или тиристоров вместе с приваренными к ним молибденовыми термокомпенсаторами прижимаются к основанию, при этом одновременно обеспечиваются низкоомный электрический контакт и хороший теплоотвод. Поскольку такая конструкция значительно дороже, чем DCB bonded, компания Vishay проводит НИОКР по созданию модулей Magn-A-Pak на ток 250 А на ее основе. Соответствующая продукция должна быть выпущена во второй половине 2014 года и предназначена для применений с относительно равномерной нагрузкой и жесткими требованиями по минимизации стоимости.

Еще большую мощность нагрузки (ориентировочно до 150 кВт) обеспечивают выпрямительные модули в корпусе Super Magn-A-Pak. Их номенклатура представлена в таблице 6.

Количество циклов до первого катастрофического отказа

Рис. 1. Совершенствование стойкости силовых модулей Vishay с технологией DCB bonded к многократному термоциклированию

Таблица 5. Выпрямительные силовые модули Vishay для работы на сетевой частоте в корпусе Мадп-А-Рак

Средний выпрямленный ток, А Диодные модули1, 2 Тиристорные и тиристорно-диодные модули1, 2

170 - VSKx170-04-VSKx170-16

230 - VSKx230-04-VSKx230-20

240 VSKx250-04-VSKx250-20 -

250 - VSKx250-04-VSKx250-16

270 VSKx250-04-VSKx250-30 -

320 VSKx320-04-VSKx320-20 VSKT320-12 и VSKT320-16

Примечания. 1 Символ «х» в обозначении типа модуля кодирует его конфигурацию в соответствии с таблицей 3. 2 Диапазон значений максимально допустимых повторяющихся обратных напряжений модулей — от 400 до 1600 В либо до 2000 или 3000 В с шагом 200 В. Класс напряжения модуля показывают две последние цифры в его обозначении.

Таблица 6. Выпрямительные силовые модули Vishay для работы на сетевой частоте в корпусе Super Magn-A-Pak

Средний выпрямленный ток, А Диодные модули1, 2 Тиристорные и тиристорно-диодные модули1, 2

430 - VSKx430-16-VSKx430-20

500 - VSKx500-08-VSKx500-20

570 - VSKT570-16 и VSKT570-18

600 VSKx600-08-VSKx600-20 -

Примечания. 1 Символ «х» в обозначении типа модуля кодирует его конфигурацию в соответствии с таблицей 3. 2 Диапазон значений максимально допустимых повторяющихся обратных напряжений модулей — от 400 до 1600 В или до 2000 В с шагом 200 В. Класс напряжения модуля показывают две последние цифры в его обозначении.

Основным конкурентом силовых выпрямительных модулей Vishay является продукция таких известных производителей, как IXYS, Semikron, Infineon, Powerex (табл. 7). Аналоги модулей в корпусе Add-A-Pak выпускают также несколько компаний из Юго-Восточной Азии. Основные параметры модулей-аналогов близки между собой, но могут быть и важные тонкости. В частности, допустимая величина токовой нагрузки может быть указана для различной температуры основания модулей или подошвы радиаторов.

Для установок мощностью от 3 до 50 кВт сетевой выпрямитель может быть выполнен в виде единого модуля. Vishay выпускает такие модули по разным схемам: одно- и трехфазные, неуправляемые, полууправляемые и полностью управляемые мосты (табл. 8).

Помимо диодных и тиристорных силовых модулей для работы на низкой (сетевой) частоте, Vishay предлагает обширнейший портфель модулей для высокочастотных (импульсных) преобразовательных установок. На рис. 2 показана укрупненная типовая электрическая схема источника питания с активным корректором коэффициента мощности и импульсным преобразователем напряжения. Показательно, что его можно полностью выполнить, используя только си-

Таблица 7. Аналоги выпрямительных силовых модулей Vishay для работы на сетевой частоте

Типоразмер корпуса и конфигурация силовых модулей Максимально допустимый средний прямой ток, А Vishay2-6 IXYS2-6 Semikron2 6 Infineon2 6 Powerex2 6

До 45 - Серии MDD26 и MDD44 Серии SKKD26 и SKKD46 - -

Диодные модули 56 Серия VSKD56/ Серия MDD56 - - -

в корпусе АЬЬ-А-Рак 80 Серия VSKD71/ Серия MDD72 Серия SKKD81 - -

90-100 Серия VSKD91/ Серия MDD95 Серии SKKD100 и SKKD101 - -

До 26 Серия VSKT26/ Серии МСС19 и МСС26 Серии SKKT20 и SKKT27 - -

40 Серия VSKT41/ Серия МСС44 Серия SKKT42 - -

Тиристорные 56 Серия VSKT56/ Серия МСС56 Серия SKKT57 - -

в корпусе АЬЬ-А-Рак 70 Серия VSKT71/ Серия МСС72 Серия SKKT72 - -

95 Серия VSKT91/ Серия МСС95 Серия SKKT92 - -

105 Серия VSKT105/ - Серии SKKT106 и SKKT107 - -

142 - - Серия SKKD162/ - -

Диодные модули 165 Серия VSKD166/ Серия MDD142- Серия SKKD212/ Серия DD160N -

в корпусе Ы-А-Рак 195 Серия VSKD196/ Серия MDD172- - - -

230 Серия VSKD236/ Серия MDD200- - - -

135 Серия VSKT136/ Серия МСС132- Серии SKKT122/и SKKT132/ - -

Тиристорные и диодно-тиристорные модули в корпусе Ы-А-Рак 140 Серия VSKT142/ - - Серия ГГ^ -

160-170 Серия VSKT162/ Серия МСС161- Серия SKKT162/ Серия TT162N -

170-180 - Серия МСС162- Серия SKKT172/ Серия TT180N -

216 - Серия МСС200- - - -

170-180 - - Серия SKKD260/ Серия DD175N -

230 - - - Серия DD231N -

Диодные модули 250-260 Серия VSKD250- Серия MDD220- - Серия DD260N -

в корпусе Мадп-А-Рак 270-280 Серия VSKD270- Серия MDD255- - Серия DD285N -

320 Серия VSKD320- Серия MDD312- - - -

Свыше 350 - - Серия SKKD380/ Серия DD350N -

150 - - - Серия TT150N -

170 Серия VSKT170- Серия МСС170- - Серия TT170N -

215 - - - Серия TT215N Серия ND43_21

Тиристорные 230 Серия VSKT230- Серия МСС225- - - -

и диодно-тиристорные модули в корпусе Мадп-А-Рак 250 Серия VSKT250- Серии МСС220- и МСС255- Серии SKKT250/, SKKT280/ и SKKT273/ 1 Серии TT250N и TT251N Серия ND43_35

280 - - - Серия TT285N -

320 Серия VSKT320- Серия МСС312- Серии SKKT330/ и SKKT323/ 1 Серия TT330N -

Диодные модули в корпусе Super Мадп-А-Рак 430 - - - Серия DD435N -

540 - - - Серия DD540N -

600-700 Серия VSKD600- Серия MDD710- Серия SKKD701/ Серии DD600N и DD700N Серия LD41_60

Тиристорные и диодно-тиристорные модули 400 - - - Серия TT400N —

430-460 Серия VSKT430- - Серия SKKT460/ Серия TT430N Серия LD43_43

в корпусе Super Мадп-А-Рак 500 Серия VSKT500- Серия МСС501- Серия SKKT460/ Серия TT500N Серия LD43_50

550-570 Серия VSKT570- Серия МСС551- Серия SKKT570/ Серия TT570N -

Примечания. 1 Для уменьшения себестоимости силовые модули серий SKKT273/ и SKKT323/ в корпусе Magn-A-Pak выполнены по технологии DCB bonded.

2 В таблице 7 для примера представлена номенклатура силовых модулей с конфигурацией «диодный полумост» и «тиристорный полумост» соответственно. Доступны альтернативные конфигурации силовых модулей согласно таблице 3.

3 Аналоги силовых модулей в корпусе Add-A-Pak выпускаются в корпусах Semipakl (Semikron), X125c (IXYS).

4 Аналоги силовых модулей в корпусе Int-A-Pak выпускаются в корпусах Semipak2 (Semikron), X126a (IXYS), 34-мм PowerBlock (Infineon).

5 Аналоги силовых модулей в корпусе Magn-A-Pak выпускаются в корпусах Semipak3 (Semikron), X131a (IXYS), 50-мм PowerBlock (Infineon), POW-R-BLOK (Powerex).

6 Аналоги силовых модулей в корпусе Super Magn-A-Pak выпускаются в корпусах Semipak5 (Semikron), X136a (IXYS), 60-мм PowerBlock (Infineon), POW-R-BLOK (Powerex).

ловые полупроводниковые приборы в составе модулей в корпусе SOT-227 от Vishay.

В конструктиве SOT-227, вследствие удобства его применения, выпускаются разные компоненты и узлы. Этот корпус является промышленным стандартом для силовых устройств мощностью порядка единиц киловатт, таких как ИБП, сварочные преобразователи, импульсные источники питания широкого применения. Он обеспечивает оптимальный теплоотвод от чипов на радиатор при хорошей электрической изоляции токо-ведущих частей от основания — до 3 кВ. При этом достигается наименьшая паразитная индуктивность монтажа по сравнению с другими изолированными корпусами. SOT-227 удобен для модульного (из «кубиков») кон-

Входной выпрямитель

Преобразователь напряжения

Выходной выпрямитель

ив

Рис. 2. Типовая электрическая схема источника питания с активным корректором коэффициента мощности и импульсным преобразователем напряжения

силовая электроника

1371

G = IGB1 В = IGBT Г-модуль 5-го поколения

XXX = номинаг пьный ток (75 = 75 А)

DA = одиночнь й IGBT пьным диодом й IGBT без диода нижним IGBT верхним IGBT

SA = одиночнь LA = чоппер с NA = чоппер с

YYY = номинальное напряжение /10

Рис. 3. Приборы в корпусе SOT-227, разрабатываемые и выпускаемые Vishay

струирования преобразовательных установок (подобно рис. 2).

Конструктив SOT-227 соответствует требованиям директивы по охране окружающей среды RoHS и стандартам безопасности UL. На рис. 3 представлен портфель приборов в корпусе SOT-227, выпускаемых Vishay, а также тех, что еще находятся в разработке. Совершенствование идет главным образом в направлении улучшения их тепловых характеристик, что, в свою очередь, позволяет увеличить номинальный ток модулей.

Среди силовых чипов, которые могут быть установлены в SOT-227, — PT-IGBT Ultrafast, NPT-IGBT Warp2, Trench-FieldStoP-IGBT, FRЕD Pt, HEXFRED и MOSFET. Широкий выбор вариантов чипов IGBT и MOSFET (номинальное блокируемое напряжение до 1200 В, номинальный ток от 50 до 175 А) позволяет выбрать оптимальный силовой транзисторный ключ (СТК) для разных задач в диапазоне рабочих частот от одного до нескольких сотен килогерц. IGBT могут дополняться антипараллельными диодами со сверхбыстрым и мягким восстановлением обратной блокирующей способности. Доступны также IGBT с нормированной стойкостью к режиму КЗ в цепи нагрузки.

На базе стандартных модулей SOT-227 возможно изготовление приборов с заказными характеристиками, топологией и номенклатурой устанавливаемых чипов. Также в корпусе SOT-227 доступна широкая номенклатура диодов со сверхбыстрым и мягким восстановлением на диапазон номинальных токов от 80 до 280 А и с обратным напряжением до 1200 В. Наличие в портфеле Vishay дополняющих друг друга технологий FRЕD Pt и HEXFRED позволяет пользователю выбрать чипы с оптимальным компромиссом между величинами прямого падения напря-

Таблица 8. Полные выпрямительные мосты Vishay для работы на сетевой частоте

Конфигурация

Максимально Максимально

Наимено- допустимое допустимый обозначение

вание повторяющееся средневыпрям- типа корпуса

обратное напряжение, в ленный ток, А

Однофазный неуправляемый мостовой выпрямитель

Трехфазный неуправляемый мостовой выпрямитель

Однофазный полууправляемый мостовой выпрямитель

Трехфазный полууправляемый мостовой выпрямитель (нижние тиристоры)

Трехфазный полууправляемый мостовой выпрямитель (верхние тиристоры)

Трехфазный полностью управляемый мостовой выпрямитель

36MB...A

26MB...A

GBPC25...A GBPC35...A

PB25...

PB35... PB40...

PB50...

70MT...P

160MT...K

105MT...P

91MT...K

52MT...K

92MT...K

93MT...K

200-1200

1400-1600

10-1600

10-1600

10-1600

25

25 35

35 40

160

PowerBridge

¿4

Ф

♦

Ф

35

25

35

GBPC25

25

GBPC35

35

GBPC

25

35

GBPC

25

35

25

45

25

MT

35

45

75

MTP

100

110

130

MTK

400

200

55

MTP

105

50

90

MTK

110

50

90

MTK

110

50

90

MTK

110

Таблица 9. Портфель силовых модулей IGBT от Vishay в корпусах Int-A-Pak и Dual Int-A-Pak высотой 30 мм

Конфигурация Максимально допустимое блокируемое напряжение IGBT, В

600 1200

Одиночный СТК - 300, 400, 600 А

Чоппер - 50,75,100, 150, 200, 300

Полумост СТК 50- 400 А 50- 400 А

Примечание.

Все IGBT — с антипараллельными диодами.

жения и времени обратного восстановления в соответствии с требованиями конкретной задачи. Кроме того, FRЕD Pt позволяют увеличить максимально допустимую рабочую температуру модуля до +175 °C.

В таблице 9 указан диапазон возможных характеристик силовых модулей IGBT в корпусах Int-A-Pak и Dual Int-A-Pak высотой 30 мм. Vishay выпускает разнообразные модули IGBT и FRЕD для работы в импульсных преобразователях на высокой частоте. На рис. 4 приведены данные, означающие доступные компромиссы характеристик IGBT, которые позволят оптимизировать конкретный проект по соотношению статических и динамических потерь.

В таблице 10 представлены параметры силовых модулей IGBT от Vishay с номинальным блокируемым напряжением 600 В. Также доступны IGBT на 1200 В и разнообразные диодные модули, которые здесь не рассматриваются из-за ограниченного размера публикации.

Заключение

Таблица 10. Силовые модули быстродействующих IGBT от Vishay на напряжение 600 В

Конфигурация силовых модулей Наименование силового модуля Максимально допустимое повторяющееся обратное напряжение, в Максимально допустимый средневыпрям-ленный ток, А Обозначение типа корпуса Примечания

Одиночный IGBT GA200SA60UP 600 100 SOT-227 1

Одиночный IGBT с антипараллельным GA100NA60UP 50 2, 3

GB100DA60UP 600 85 SOT-227 3, 4

диодом GT100DA60U 137 3, 5

Комплементарные GB70NA60UP 600 76 SOT-227 3, 4, 6,8

чопперы GB70LA60UP 3, 4, 7,8

Чоппер с нижним IGBT 50MT060ULSTA 600 50 MTP 1, 7, 9

GT400LD60N 400 Dual Int-A-Pak 3,5,7,10

50MT060WHAPBF 50 MTP 9, 11

70MT060WHAPBF 70 4, 9

Полумост IGBT с антипараллельными GB100TS60NPBF 100

GB150TS60NPBF 600 150 Int-A-Pak 3,9,12

диодами и термореле GB200TS60NPBF 200

GT400TD60N 400 Dual Int-A-Pak 5, 9, 10, 13

GT600TD60U 600

Полный (однофазный) мост IGBT с антипараллельными диодами 25MT060WFAPBF 600 25 MTP 11

Полный (однофазный) мост MOSFET и IGBT с антипараллельными диодами и термистором 70MT060WFH 600 71 MTP 4, 9, 13,14

Косой полумост IGBT с антипараллельными 100MT060WDF 600 83 MTP 3, 4, 9

диодами и термистором 150MT060WDF 124 4, 9, 13

Трехфазный мост IGBT с антипараллельными диодами и термистором GT75XF060N 81 ECONO2

GT100XF060N 600 112 5,9,13

GT200XF060N 232 ECONO3

Примечания.

1 PT-IGBT Ultrafast.

2 PT-IGBT.

3 Новинка.

4 NPT-IGBT Warp2.

5 Trench-FieldStop-IGBT.

6 Чоппер с верхним IGBT. 7 Чоппер с нижним IGBT.

8 Пара комплементарных чопперов для работы в преобразователе по схеме косого полумоста.

9 В силовой модуль встроен термистор.

10 Силовые модули Dual Int-A-Pak доступны как в формате стандартной высоты (30 мм), так и в корпусе уменьшенной высоты — 17 мм (новая разработка). Последний вариант обеспечивает дополнительный выигрыш в отношении уменьшения величины паразитных индуктивностей монтажа.

11 PT-IGBT Warpl. 12 NPT-IGBT Ultrafast.

13 Силовой модуль находится в стадии разработки. Доступны образцы для предварительного ознакомления.

14 Одна из стоек моста выполнена на NPT-IGBT Warp2 с антипараллельными диодами, вторая — на силовых MOSFET (с сопротивлением в проводящем состоянии 19 мОм).

Применение силовых модулей позволяет создавать высоконадежные, компактные и эффективные преобразовательные установки. Vishay предлагает исключительно широкий ассортимент стандартных приборов для работы на низкой (сетевой) частоте и в составе высокочастотных преобразователей.

Стратегическими направлениями развития силовых модулей Vishay являются:

• расширение портфеля в сторону увеличения допустимых токов приборов;

• разработка и освоение производства аналогов популярных моделей стандартных силовых модулей, имеющих большие объемы применения, для соответствия требованиям «второго поставщика»;

• разработка оптимизированных под конкретные требования силовых модулей в среднем диапазоне мощностей для некоторых крупных заказчиков или областей применения.

Использование силовых модулей Vishay позволяет обеспечить быструю и недорогую разработку и освоение производства электрооборудования с высокими техническими характеристиками и стабильным качеством. ■

Силовые транзисторные ключи технологии IGBT

Удельная энергия коммутационных потерь

(WBtn+\«аыкл.)/1к [мкДж/А]

3601

Доступные технологии IGBT для условий жесткой коммутации

30_

PT("S") TFS

NPT("K") NPTfU") PT("W"-Warp) NPT(Warp2)

0...1 кГц 10...40 кГц 10...20 кГц >50 кГц >40 кГц >100 кГц

............

Падение напряжения в состоянии проводимости, В

Рис. 4. Варианты компромиссов между величиной потерь в проводящем состоянии и коммутационных потерь, предоставляемые различными технологиями ЮВ1 от Vishay