CC BY
33
УДК 621.316
DOI 10.21685/2307-4205-2018-4-15
А. П. Адамов, А. А. Адамова, Т. А. Цивинская
СЕНСОРЫ ДЛЯ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ ГЕРМЕТИЧНОСТИ КОРПУСА ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА1
A. P. Adamov, A. A. Adamova, T. A. Tsivinskaya
SENSORS FOR CONTROL SYSTEMS OF TIGHTNESS
OF THE CASE OF THE AIRCRAFT
Аннотация. Развитие авиационной техники и особенно ракетокосмической техники (РКТ) все острее ставит вопрос о разработке комплексной системы обеспечения надежности летательных аппаратов, включающей повышение уровня контрольных испытаний на стадии разработки конструкции, сборки, летных испытаний. Обеспечение постоянного мониторинга о состоянии корпуса летательного аппарата, трубопроводов и арматуры трубопроводов во время эксплуатации с использованием технологий МЭМС и адаптации существующих беспроводных сенсорных сетей к требованиям по электромагнитной совместимости для летательных аппаратов. Предвестником опасности может стать увеличение механических напряжений в определенной точке контролируемой поверхности. Наибольшей тензочувствительностью обладают датчики с чувствительными элементами на базе монокристаллического кремния с пьезорези-стивными резисторами. Данные датчики адаптированны для работы в беспроводной сенсорной сети.
Ключевые слова: кремневый датчик, технологии МЭМС, упругие деформации, механические напряжения, летательные аппараты, испытания, контроль.
Abstract. The development of aviation technology and especially RKT (rocket-space technology) increasingly raises the question of developing an integrated system to ensure the reliability of aircraft, including an increase in the level of control tests at the design, assembly, and flight tests stage. Ensuring continuous monitoring of the state of the aircraft body, pipelines and pipeline fittings during operation using MEMS technology and adaptation of existing wireless sensor networks to the requirements for electromagnetic compatibility for aircraft. A harbinger of danger may be an increase in mechanical stresses at a certain point of the test surface. Sensors with sensitive elements based on monocrystalline silicon with piezoresis-tive resistors have the highest strain sensitivity. These sensors are adapted to work in a wireless sensor network.
Key words: silicon sensor, MEMS technology, elastic deformation, mechanical stress, aircraft, testing, control.
Реферат
При разработке конструкций высокой сложности, какими являются летательные аппараты, жизненно необходимо получить данные как методами математического моделирования, конструкторскими расчетами, а также получить их подтвержение экспериментами. Причем условия эксперимента должны быть максимально приближены к реальным. И еще важнее во время испытаний в определенных точках снять максимум информации, причем повторять воздействия многократно, чтобы при анализе данных проследить тенденцию ослабления конструкции и принять превентивные меры по усилению конструкции еще в процессе конструкторско-технологической проработки. В этих условиях возрастают требования к качеству испытательных стендов, имитирующих в наземных условиях факторы, воздействующие на летательные аппараты в условиях эксплуатации. Но не менее важно оснастить стенды контрольными датчиками с высокой чувствительностью к измеряемому параметру, с погрешностью измерения не более 0,05 % и имеющими стабильные показания начального и выходного сигнала после многократных замеров. Кроме того, датчики должны иметь малые размеры, крепиться на поверхности изделия без дренирования. Следует учитывать большие габариты исследуемых объектов. Следовательно, датчиков на поверхности будет расположено много
1 Работа выполнена при частичной финансовой поддержке по Гранту РФФИ №17-07-00689.
и для передачи данных по замерам их необходимо соединить проводами с контрольными приборами и сетью компьютеров для сбора, накопления и обработки полученной информации. И это тоже проблема при подготовке и проведении испытаний.
Данная статья посвящена вопросам разработки высокочувствительных миниатюрных датчиков, изготовленных по технологии МЭМС, адаптированных для работы в составе беспроводной сенсорной сети. Внедрение беспроводной сенсорной сети на испытательных стендах сокращает сроки подготовки испытаний, позволяет установку датчиков в труднодоступных местах, повышает качество передаваемой информации.
В данной статье была рассмотрена конструкция пьезорезистивного датчика давления, в которой совмещены технологии МЭМС и технологии изготовления пленочных датчиков, что позволяет получить высокочувствительный, стабильный датчик на монокристаллическом кремнии, но по габаритам и методу крепежа как пленочные датчики давно и эффективно используются на испытательных стендах. Недостаток пленочных датчиков низкая стабильность показаний.
Предложенная конструкция датчика имеет вариации использования как датчика давления звукового и атмосферного, механических напряжений, температуры. Подобная конструкция датчика не имеет аналогов. Кроме того, данные датчики реально использовать для постоянного мониторинга механических напряжений конструкции летательного аппарата в условиях эксплуатации в составе беспроводной сенсорной сети.
Введение
В современном мире нарастает тенденция роста массы летательных аппаратов и скорости движения. Для обеспечения требуемых условий необходимо увеличивать мощность двигательных установок. С возрастанием мощности двигательных установок и роста скорости увеличивается и уровень знакопеременного звукового давления. Звуковое давление, возникающее в поверхностном воздушном или газовом слое летательного аппарата при колебаниях в широком диапазоне звуковых частот, оказывает силовое воздействие не только на поверхность корпуса, но и на элементы конструкции [1, 2]. Поэтому острее стал вопрос об обеспечении безопасности эксплуатации летательных аппаратов. Но безопасность должна закладываться еще на стадии разработки конструкции. В настоящее время в процесс конструирования внедряются новые методики математического моделирования, 3D-моделирования и др. Тем не менее расчеты должны проверятся методом эксперимента и на базе полученных данных вноситься корректировки в проектную документацию. Подготовка и проведение испытаний на стенде - дело сложное, учитывая, что габариты испытуемых моделей имеют внушительные габариты. Необходимо закрепить в определенных точках поверхности большое количество датчиков и с помощью проводов подключить их к контрольной аппаратуре и вычислительной технике. Низкие чувствительность и временная нестабильность используемых датчиков не могут подчас обеспечить необходимый уровень информации. Да и провода большой длины способны искажать сигнал. Предлагается повысить качество замеров параметров, использовав датчики, в конструкции которых использованы достоинства пьезорезистивных датчиков (высокая чувствительность, стабильность начального и выходного сигналов, совместимость с другими компонентами цифровой и аналоговой схемотехники) [3-5] и пленочных датчиков [6], которые широко применяются на испытательных стендах (малые габаритные размеры). В статье дано описание, как удалось конструктивно устранить недостаток, который не давал возможности использовать пьезоре-зистивный датчик, хрупкость кремниевого кристалла [7]. Внедрение в методики стендовых испытаний пьезорезистивных датчиков позволяет говорить об адаптации беспроводной сенсорной сети для съема, передачи, хранения и анализа большого объема информации [8], что в конечном счете повысит качество испытаний и конструкторских разработок новых образцов летательных аппаратов. К сожалению, далеко не все факторы, воздействующие на корпус во время полета, можно смоделировать и воспроизвести при проведении испытаний. Разработка новой модели пьезорезистивного датчика, обладающего высокой чувствительностью к механическим напряжениям, возникающим при начальной стадии деформации материала корпуса летательного аппарата, позволяет разработать защитную систему корпуса аппарата, работающую на предупреждение повреждений, способных привести к разрушению летательного аппарата и гибели людей. Автономные датчики, имеющие в своей схеме приемопередаточное устройство слабой мощности, можно установить в труднодоступных местах. Затем сенсор-шлюз устанавливает связь [9] с близкорасположенными датчиками, т.е. датчики подчиняются только его командам и передают информацию исключительно через него.
Учитывая жесткие требования к электромагнитной совместимости, наводкам и т.д., датчики и сенсор-шлюз имеют малые мощности и передача сигнала допустима только в момент нарастания величины механических напряжений [8]. Тогда сигнал передается на сенсор-шлюз, а сенсор-шлюз отправляет его на шлюз сервера, где информация делится на два потока: на сигнальную систему и сервер. На мониторе можно определить координаты сигнала, а сигнальная система подаст звуковой или световой сигнал. Можно упростить схему: автономные датчики разместить и в случае увеличения сигнала датчик подаст световой или звуковой сигнал.
В отличие от других видов внешних воздействий звуковое давление имеет особенности: широкий спектр частот, изменяющихся от единиц герц до нескольких килогерц, случайный характер изменения во времени и в пространстве и др. Именно отмеченные особенности приводят к механическому возбуждению деталей и узлов конструкций и аппаратуры. Отличие этих возбуждений от возбуждений, вызванных вибрацией, состоит в распределенном воздействии нагрузок, зависящих не только от уровня звукового давления, но и от площади изделия, в то время как при вибрации воздействие передается главным образом через точки крепления. При одновременном воздействии вибрации и звукового давления могут возникать резонансные явления, усугубляющие разрушительное действие вибрации. Вибрация существенным образом развивает и ускоряет процессы разрушения, характерные для упругой деформации [1, 2].
В области упругих деформаций, когда нагрузки не превышают предел пропорциональности материала, структура материала в меньшей степени влияет на свойства материалов. В области пластических деформаций это влияние более существенно, так как происходит необратимое изменение свойств материала, приводящее к расширению зоны повреждения и разрушению. В материалах конструкции под воздействием неблагоприятных факторов: перепады температур, агрессивная среда, облучение различными видами излучений - механические нагрузки конструкции приводят к образованию сначала микроскопических точечных или линейных дефектов или появлению пор, т.е. образуются локальные очаги деформации структуры с изменением межатомных расстояний и перегруппировки блоков атомов. А там, где деформация, там и механические напряжения.
На рис. 1 графически показана зависимость механических напряжений от величины деформации. По изменению графика можно сказать, что упругие деформации постепенно переходят в пластические при которых радикально изменяются свойства материала и материал уже не в состоянии соответствовать первоначальным требованиям и происходит разрушение. Первоочередная задача систем безопасности - зафиксировать аварийную ситуацию на начальном этапе, когда имеется возможность купировать процесс разрушения на начальной стадии [2]. Рассматривая график на рис. 1, легко заметить, что, во-первых, существует прямая зависимость между разрушающей деформацией и величиной механических напряжений и, во-вторых, прямая возрастания напряжений в области упругих деформаций идет вверх плавно, а область пластических деформаций значительно меньше и резко по прямой переходит в область разрушения. Следовательно, если вовремя, в пределах1/3, прямой упругих деформаций, обнаружить центр образования зоны деформации - можно принять меры по упрочнению конструкции и тем самым избежать катастрофы. Для определения начальной стадии деформации необходимы датчики высокой чувствительности [4].
Отличительные особенности звукового давления
Напряжение
—X
Разрушение
Пластическая деформация
Деформация
Рис. 1. График зависимости напряжений от деформации
Обзор самых распространенных преобразователей механических деформаций
В настоящее время датчики контроля за состоянием летательного аппарата фиксируют локальные разрушения корпуса, узлов, нарушение герметичности, когда уже необходимо принимать экстренные меры по спасению аппарата и людей [1, 2]. Как правило это стационарные датчики давления, температуры, газоанализаторы и датчики для измерения механических деформаций. Датчики для измерения механических деформаций используют в качестве чувствительных элементов тензо-резисторы: потенциометрический преобразователь, фольговый, проволочный и полупроводниковые на основе КНС (структура кремний на сапфире) [3, 10]. Потенциометрические преобразователи не являются высокоточными, но получили широкое распространение, в том числе и в РКТ, так как их выходной сигнал может использоваться без дополнительного усиления. Они имеют ограниченный срок службы и шумовой фон из-за механического перемещения скользящего контакта. Наиболее широко используются фольговые и проволочные тензорезисторы. Для фольговых и проволочных тензорезисторов коэффициент тензочувствительности зависит от материала фольги или проволоки и его величина находится в пределах к = 2^4. Основным преимуществом полупроводниковых тензоре-зисторов является их более высокая (до 100 раз) тензочувствительность. Но одновременно они имеют существенные недостатки, и главные из них - хрупкость и жесткость. Кроме того, датчики на основе КНС не используют полностью преимущества полупроводниковых тензопреобразователей, так как конструкция датчика и технология сборки закладывают нестабильность выходного сигнала [11].
И все же современные технологии микроэлектроники позволяют создавать измерительные сенсоры с высокой чувствительностью к измеряемому параметру. Примером может служит кристалл из монокристаллического кремния для измерения давления. Монокристаллический кремний из-за специфического строения кристаллической решетки обладает уникальной чувствительностью к изменениям механических напряжений. Доктор Чарльз С. Смит в 1954 г., исследуя влияние одноосных деформаций на физические свойства полупроводников, открыл, что изменение электрического сопротивления кристаллов кремния при приложении механической нагрузки к ним может быть в несколько десятков раз большим, чем для металлов [11].
С целью увеличения чувствительности на обратной стороне кристалла вытравлена рабочая мембрана толщиной до 15 мкм (см. рис. 1). Это делается с целью повышения чувствительности: тонкая пленка материала более чувствительна на механическое воздействие и поэтому в первую очередь отреагирует на деформацию растяжения или сжатия.
Рамка кремния по краям кристалла, имеющая толщину в десятки раз большую, чем толщина рабочей мембраны, обеспечивает точность измерения, так как чувствительные пьезорезисторы, представляющие собой примеси п- или р-типа проводимости, внедренные методом диффузии в приповерхностный слой кремния в виде узких полосок, располагаются в местах концентрации локальных деформаций,образовавшихся в зоне перехода толщин кремния. Реакция поверхности кристалла на механическую деформацию мембраны демонстрирует трехмерная модель кристалла, изображенную на рис. 2. На рисунке модели отчетливо заметна узкая полоса равномерного голубого цвета, обозначающая границы зоны повышенной чувствительности [3, 4].
Резисторы объединяются в мостовую схему Уинстона. Два из них располагаются параллельно заделке мембраны в кристаллографическом направлении (010) и испытывают влияние продольного тензоэффекта, два других - перпендикулярно заделке и испытывают поперечный тензоэффект.
Преимущество кристаллов монокристаллического кремния
пьзорезигторы
Рис. 2. Рабочая мембрана и расположение пьезорезисторов
Применение резисторов, полученных методом диффузии в поверхностном слое основного материала, повышает чувствительность схемы из-за создания вокруг места формирования резистора зоны локальных механических напряжений из-за деформации соседних кристаллических решеток [3]. Отсюда следует, что если в материале конструкции зарождается центр упругих деформаций, то от него волнообразно начнут распространяться механические напряжения. Как только они достигнут кристалла, в материале кристалла придут в движение локальные деформации и первоначально отреагирует самая чувствительная зона, в которой расположены пьезорезистивные резисторы. На выходе интегральной схемы появляется электрический сигнал, который обрабатывается схемотехнически в аналоговый или цифровой сигнал.
Совмещение технологий - залог перспективных разработок
Основным недостатком датчика на базе кремниевого кристалла ИПД-2, отмеченным работниками ЦАГИ во время испытания датчика для снятия характеристик с объекта при проведении испытаний на стендах, была хрупкость кристалла [6]. Действительно, изготовить тонкопленочный датчик на базе кремниевого кристалла невозможно по двум принципиальным причинам. Во-первых, кристалл, представляющий собой квадратную рамку размером 4^4 мм и толщиной 450 мкм, в центре которой в напряженном состоянии мембрана размером 2^2 мм и толщиной 15мкм, наклеивался на слой полиимидной пленки толщиной 12 мкм. Датчик подобной конструкции крепится с помощью клея на исследуемую поверхность, и если поверхность имеет изгиб, натяг пленки разрушит мембрану кристалла [4]. Во-вторых, тензочувствительность кремния такова, что датчик реагирует на напряжения деформации пленки, клеев, материала поверхности, на которую приклеен, и из лавины сигналов сигнал с рабочей мембраны не представляется возможным. Чтобы выделить рабочий сигнал, необходимо занизить тензочувствительность, поместив между кристаллом и измеряемой поверхностью слой стекла толщиной не менее двукратной толщины кремния для обеспечения прочности конструкции. Кроме того, стекло благодаря своей структуре играет роль своего рода фильтра механических напряжений. Структура стекла аморфная при наличии деформированной кристаллической решетки с ближним порядком в упаковке частиц. Поэтому напряжения, возникающие в пленке, клеевых соединениях, при сборке датчика будут нивелированы передвижением атомов в пределах деформированной кристаллической решетки стекла. Кристалл герметично соединяется со стеклянной подложкой методом электростатической сварки и имеет вид, показанный на рис. 3 [7].
Рис. 3. Вид распределения значений относительной упругой деформации по поверхности мембраны
Меняя конфигурацию стеклянной подложки (рис. 4, 5) и программирование микроконтроллера обработки выходного сигнала, возможно не только скорректировать характеристики сигнала, но и заставить датчик работать в двух режимах: измерение деформации и давления без дренирования. Что позволяет расширить поле применяемости датчиков: можно контролировать не только поверхность оболочки, но и целостность трубопроводов и элементов арматуры. Актуальность такой колло-кации очевидна, так как при действии потока газа или жидкости происходит деформация [4, 10, 12].
Рис. 4. Базовый чувствительный элемент измерения деформаций и давления
Рис. 5. Базовый чувствительный элемент измерения деформаций, абсолютного давления и разряжения
Далее, используя технологию сборки пленочных датчиков [12], базовый чувствительный элемент помещается между двумя слоями полиимидной пленки. Монтируется с помощью клея на поверхность фольгированной полиимидной пленки, на которой разведена электрическая схема обработки сигнала. В данном случае пленка выполняет роль гибкой печатной платы сборки датчика, обеспечивает крепление датчика на поверхность и коммутацию датчика со вторичными системами контроля. Верхний слой пленки играет роль защитного кожуха. Выходной сигнал в двух исполнениях: аналоговый и цифровой. Датчик может работать в автономном режиме и в случае увеличения сигнала подает световой или звуковой сигнал тревоги или по сети передавая сигнал тревоги на исполнительные или контрольные системы [5, 8, 13]. Датчик устанавливается на контролируемую поверхность при помощи клея типа ГИПК-22-35 [2].
Заключение
Кристалл интегрального преобразования давления (ИПД) вследствие предлагаемых в статье усовершенствований становится пригоден для конструирования модельного ряда бескорпусных датчиков измерения малых величин деформаций [7].
Предлагаемая конструкция чувствительного элемента позволяет совмещать измерения таких величин, как деформация, давление и температура [4].
Конструкция базового чувствительного элемента обеспечивает стабильность измерения рабочего параметра в сочетании конструкции датчика пленочных технологий [4, 12].
Программная настройка датчиков гарантирует взаимозаменяемость датчиков в пределах партии, что облегчает настройку системы контроля с их использованием и не вызывает сбоя работы системы в случае замены датчика, вышедшего из строя на новый [14-16].
Малые размеры и гибкое основание позволяют помещать датчики в труднодоступных местах. Датчики позволяют измерять давление в трубопроводах без дренирования, приклеивая датчики на наружную поверхность трубопроводов.
Библиографический список
1. Клюев, В. В. Испытательная техника : справочник : в 2 кн. Кн. 1. Машиностроение / В. В. Клюев. - М., 1982. - 530 с.
2. Стучебников, В. М. Структуры КНС как материал для тензопреобразователей механических величин /
B. М. Стучебников // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, № 6. - С. 678-696.
3. Казарян, А. А. Пленочные датчики давления / А. А. Казарян. - М. : Бумажная Галерея, 2006. - 320 с.
4. Адамов, А. П. Способ надежного питания элементов сенсорной сети от беспроводного интерфейса / А. П. Адамов, С. Г. Семенцов // Надежность и качество сложных систем. - 2018. - № 1 (21). - С. 79-83.
5. Власов, А. И. Гауссовские процессы в регрессионном анализе состояний беспроводной сенсорной сети с учетом электромагнитных помех / А. И. Власов, М. Н. Юлдашев // Технологии электромагнитной совместимости. - 2017. - № 3 (62). - С. 35-43.
6. Андреев, К. А. Анализ методов электростатической сварки кремния и стекла при производстве высокоточных датчиков / К. А. Андреев, С. А. Милешин, Т. А. Цивинская // Датчики и системы. - 2013. - № 2. -
C. 45-49.
7. Андреев, К. А. Математические модели гибридных чувствительных элементов датчиков давления / К. А. Андреев, Ю. Н. Тиняков, В. А. Шахнов // Датчики и системы. - 2013. - № 9. - C. 2-9.
8. Исследование методов синтеза распределенных сенсорных систем по критерию минимизации сетевой нагрузки / А. А. Адамова, А. Н. Алфимцев, А. И. Власов, С. Г. Семенцов, Т. А. Цивинская, М. Н. Юлда-шев. - М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2017. - 75 с.
9. Адамов, А. П. Методы обеспечения надежности в беспроводных сенсорных сетях по критерию сетевой нагрузки / А. П. Адамов, А. А. Адамова, М. Н. Юлдашев // Труды Международного симпозиума Надежность и качество. - 2016. - Т. 1. - С. 197-199.
10. Бир, Г. Л. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках / Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. - М. : Наука, 1972. - 584 с.
11. Парфенов, Е. М. Методы защиты электронной аппаратуры от механических и акустических воздействий : учеб. пособие по курсу «Теоретические основы конструирования и надежности ЭВА и РЭА» / Е. М. Парфенов, В. П. Усачов, Е. В. Резчикова. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1987. - 45 с.
12. Власов, А. И. Нейросетевая реализация микропроцессорных систем активной акусто-и виброзащиты / А. И. Власов // Нейрокомпьютеры: разработка, применение. - 2000. - № 1. - С. 40-44.
13. Адамов, А. П. Классификация состояний беспроводной сенсорной сети с использованием методов машинного обучения / А. П. Адамов, А. А. Адамова, М. Н. Юлдашев // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2016. - № 2. - С. 248-251.
14. Шахнов, В. А. Электронные системы активного управления волновыми полями: история и тенденции развития / В. А. Шахнов, А. И. Власов, Е. А. Володин, С. Г. Семенцов // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. - 2002. - № 4. - С. 3-23.
15. Семенцов, С. Г. Системный анализ на основе моделирования передаточных функций вторичного канала для систем активного гашения шума авиационной техники / С. Г. Семенцов, А. И. Власов // Авиакосмическое приборостроение. - 2008. - № 10. - С. 43-49.
16. Чеканов, А. Н. Вероятностные расчеты и оптимизация несущих конструкций : учеб. пособие / А. Н. Чеканов. - М. : МАГИСТР, 1997. - 132 с.
References
1. Klyuev V. V. Ispytatel'naya tekhnika: spravochnik: v 2 kn. Kn. 1. Mashinostroenie [Test equipment: reference in 2 books. kN. 1. Engineering]. Moscow, 1982, 530 p.
2. Stuchebnikov V. M. Radiotekhnika i elektronika [Radio engineering and electronics]. 2005, vol. 50, no. 6, pp. 678-696.
3. Kazaryan A. A. Plenochnye datchiki davleniya [Film pressure sensors]. Moscow: Bumazhnaya Galereya, 2006, 320 p.
4. Adamov A. P., Sementsov S. G. Nadezhnost' i kachestvo slozhnykh sistem [Reliability and quality of complex systems]. 2018, no. 1 (21), pp. 79-83.
5. Vlasov A. I., Yuldashev M. N. Tekhnologii elektromagnitnoy sovmestimosti [Electromagnetic compatibility technologies]. 2017, no. 3 (62), pp. 35-43.
6. Andreev K. A., Mileshin S. A., Tsivinskaya T. A. Datchiki i sistemy [Sensors & systems]. 2013, no. 2, pp. 45-49.
7. Andreev K. A., Tinyakov Yu. N., Shakhnov V. A. Datchiki i sistemy [Sensors & systems]. 2013, no. 9, pp. 2-9.
8. Adamova A. A., Alfimtsev A. N., Vlasov A. I., Sementsov S. G., Tsivinskaya T. A., Yuldashev M. N. Issledo-vanie metodov sinteza raspredelennykh sensornykh sistem po kriteriyu minimizatsii setevoy nagruzki [Study of methods of synthesis of distributed sensor systems by the criterion of minimizing the network load]. Moscow: MGTU im. N. E. Baumana, 2017, 75 p.
9. Adamov A. P., Adamova A. A., Yuldashev M. N. Trudy Mezhdunarodnogo simpoziuma Nadezhnost' i kachestvo [Proceedings of The international Symposium Reliability and quality]. 2016, vol. 1, pp. 197-199.
10. Bir G. L., Pikus G. E. Simmetriya i deformatsionnye effekty v poluprovodnikakh [Symmetry and deformation effects in semiconductors]. Moscow: Nauka, 1972, 584 p.
11. Parfenov E. M., Usachov V. P., Rezchikova E. V. Metody zashchity elektronnoy apparatury ot mekhanicheskikh i akusticheskikh vozdeystviy : uchebnoe posobie po kursu Teoreticheskie osnovy konstruirovaniya i nadezhnosti EVA i REA [Methods of protection of electronic equipment from mechanical and acoustic effects: tutorial on the course Theoretical basis of design and reliability of EVA and REA]. Moscow: Izd-vo MGTU im. N. E. Baumana, 1987, 45 p.
12. Vlasov A. I. Neyrokomp'yutery: razrabotka, primenenie [Neurocomputers: development, application]. 2000, no. 1, p. 40-44.
13. Adamov A. P., Adamova A. A., Yuldashev M. N. Problemy razrabotki perspektivnykh mikro- i nano-elektronnykh sistem (MES) [Problems of development of perspective micro-and nanoelectronic systems (MES)]. 2016, no. 2, pp. 248-251.
14. Shakhnov V. A., Vlasov A. I., Volodin E. A., Sementsov S. G. Zarubezhnaya radioelektronika. Uspekhi sov-remennoy radioelektroniki [Foreign electronics. Successes of modern radio electronics]. 2002, no. 4, pp. 3-23.
15. Sementsov S. G., Vlasov A. I. Aviakosmicheskoepriborostroenie [Aerospace instrument-making]. 2008, no. 10, pp. 43-49.
16. Chekanov A. N. Veroyatnostnye raschety i optimizatsiya nesushchikh konstruktsiy: ucheb. posobie [Probabilistic calculations and optimization of load-bearing structures: a textbook]. Moscow: MAGISTR, 1997, 132 p.
Адамов Александр Петрович
доктор технических наук, профессор, заслуженный деятель науки РД, кафедра микроэлектроники, Дагестанский государственный технический университет
(367026, Дагестан, г. Махачкала, ул. И. Шамиля, 70) E-mail: info@iu4.bmstu.ru
Адамова Арина Александровна
кандидат технических наук, доцент,
кафедра проектирования и технологии производства
электронной аппаратуры,
Московский государственный технический
университет им. Н. Э. Баумана
(105005, Россия, г. Москва, ул. 2-я Бауманская 5, стр. 1)
E-mail: arina.adamova@rambler.ru
Цивинская Татьяна Анатольевна
главный технолог,
кафедра проектирования и технологии производства электронной аппаратуры, Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана (105005, Россия, г. Москва, ул. 2-я Бауманская 5, стр. 1) E-mail: info@bmstu.ru
Adamov Aleksandr Petrovich
doctor of technical sciences, professor,
honored worker of science RD,
sub-department of microelectronics,
Dagestan State Technical University
(367026, 70 I. Shamil street, Makhachkala, Dagestan)
Adamova Anna Alexandrovna
candidate of technical sciences, associate professor, sub-department of design and production technology of electronic equipment, Bauman Moscow State Technical University (105005, p. 1, 5 2nd Baumanskaya street, Moscow, Russia)
Tsivinskaya Tatyana Anatolyevna
chief process engineer,
sub-department of design and production technology of electronic equipment, Bauman Moscow State Technical University (105005, p. 1, 5 2nd Baumanskaya street, Moscow, Russia)
УДК 621.316 Адамов, А. П.
Сенсоры для систем контроля герметичности корпуса летательного аппарата / А. П. Адамов, А. А. Адамова, Т. А. Цивинская // Надежность и качество сложных систем. — 2018. — № 4 (24). — С. 134-141. - БО! 10.21685/2307-4205-2018-4-15.
