CC BY
66Компоненты и технологии, № 2'2003 Компоненты
Продолжение. Начало в № 5'2002
Сегнетоэлектрические
FRAM-приборы производства Ramtron
Ramtron International Corporation — стремительно развивающаяся компания, являющаяся разработчиком технологии FRAM и мировым лидером в сфере разработки и производства электронных компонентов по запатентованной фирмой технологии FRAM.
Сергей Добрусенко, Татьяна Ткачева
serge_dobrusenko@fromru.com
2001
■ л 1Т/1С
& Сегнето-"* конденсатор
к )
2002
Корпорация Ramtron International была основана в 1984 году для разработки сегнетоэлек-трического технологического процесса производства полупроводниковых запоминающих приборов и с 1994 года начала производство первых коммерческих приборов по запатентованной фирмой технологии FRAM. За прошедшие годы фирма освоила небольшой, но обладающий уникальными свойствами ассортимент энергонезависимых приборов FRAM на основе усовершенствованного сег-нетоэлектрического технологического процесса. Совершенствование технологии осуществляется по двум направлениям.
Первое — переход на запоминающий элемент, выполненный на базе однотранзисторной ячейки памяти 1Т/1С (рис. 1). Первое в мире коммерческое изделие, выполненное по технологии 1Т/1С (прибор FM24C256), было представлено на рынок в 2001 году. Ранее при производстве FRAM-приборов использовалась двухтранзисторная ячейка памяти 2Т/2С. Переход на технологическую ячейку с одним транзистором и одним конденсатором позволил существенно сократить площадь кристалла, необходимую для размещения запоминающего элемента.
Второе направление — это научные исследования в области совершенствования самих сегнетоэлект-рических материалов, используемых при производстве FRAM-приборов. Следует обратить внимание на такую технологическую особенность ячейки памяти FRAM, как отсутствие какого-либо повышенного напряжения записи. Запись информации в ячейку производится напряжением, не превышающим напряжение питания самой микросхемы. Это позволяет исключить какие-либо задержки при переключении из режима записи в режим чтения и наоборот. Эксплуатация микросхем, не использующих внутренние повышенные напряжения питания отдельных узлов и каскадов, существенно повышает надежность и эксплуатационные характеристики приборов. Использование напряжения питания микросхем для непосредственной записи информации в ячейку памяти позволяет также полностью использовать такое потенциальное преимущество технологии FRAM, как отсутствие каких-либо задержек при записи информации. В принципе,
быстродействие технологической ячейки памяти FRAM обуславливается только быстродействием внутренних буферных схем FRAM-приборов.
В 2001 году специалисты Ramtron достигли существенных успехов как в совершенствовании самих сегнетоэлектрических материалов, так и в достижении таких их характеристик и параметров, которые позволили фирме перейти к производству различных коммерческих 3-вольтовых FRAM-приборов с одновременным улучшением большинства их характеристик, в том числе продолжительности хранения информации.
По достижении реальных надежностных характеристик по количеству циклов записи-чтения в 1016-1019 циклов для новой низковольтной (3 В) технологической ячейки памяти FRAM Ramtron International начала разработку и производство серии новых, низковольтных приборов с уникальными характеристиками. В настоящее время фирма производит целую серию последовательных (I2C, SPI) и параллельных FRAM-приборов, для которых этот параметр определен как «Unlimited Read/Write Cicles» для работы в индустриальном диапазоне температур в течение 10 лет непрерывной эксплуатации.
Особенности применения FRAM-приборов
Основной особенностью всех FRAM-приборов является их полная программная (на уровне системы команд) и аппаратная совместимость с большинством EEPROM, поставляемых на рынок ведущими изготовителями полупроводниковых приборов энергонезависимой памяти, таких, как Microchip и ST, и соответствие всем отраслевым стандартам на приборы памяти.
Одной из самых важных отличительных особенностей FRAM-приборов, определяемой технологическими особенностями ячейки памяти FRAM является полное отсутствие каких-либо задержек при записи информации и при переключении режимов работы микросхем. При модернизации аппаратуры и при разработке новых устройств с применением FRAM-приборов следует учитывать, что все они вы------www.finestreet.ru-----------------------
Компоненты и технологии, № 2'2003
полняют запись информации со скоростью системной шины и не нуждаются в дополнительных циклах, обычно программно формируемых управляющим микроконтроллером для записи в ЕЕР1ЮМ. В случае с ЕИАМ запись информации возможна в конвейерном режиме с использованием каналов прямого доступа к памяти или с использованием максимальной пропускной способности последовательной шины микроконтроллеров, имеющих аппаратную поддержку передачи данных по шинам 12С и 8Р1. Таким образом, ЕИЛМ-память имеет скорость записи, сопоставимую с ИЛМ, но при этом она полностью энергонезависима и способна гарантированно сохранять информацию в течение 10 лет при непрерывной работе в режиме чтения-записи или при полностью отключенном источнике питающего напряжения. Фактически приборы ЕИЛМ работают как ИЛМ.
Еще одной важной отличительной особенностью ЕИЛМ-приборов, определяемой технологическими особенностями ячейки памяти, являются практически одинаковые токи потребления как в режиме чтения, так и в режиме записи. Так как запись информации в ячейку производится напряжением, не превышающим напряжение питания микросхем, приборы ЕИЛМ в динамическом режиме имеют мощность потребления намного меньше, чем любые ЕЕРИОМ в режиме записи. Эта особенность снижает требования, предъявляемые к источнику питания микросхем, а также приводит к тому, что ЕИЛМ-приборы памяти генерируют намного меньше электромагнитного шума и помех на шинах питания и интерфейсных линиях по сравнению со стандартными для отрасли ЕЕРИОМ.
Запоминающий элемент памяти имеет два устойчивых состояния, что принципиально отличает его от запоминающего элемента ЕЕРИОМ. Его отличительной особенностью является намного большая разница в уровнях логического 0 и 1 и, как следствие, повышенная устойчивость ЕИЛМ к различным электромагнитным помехам, наводкам и излучениям, что в целом ряде прикладных применений оказывается неоспоримым преимуществом технологии. Эта особенность приборов обуславливает их широкое применение в таких приборах, как различные счетчики электроэнергии и портативное промышленное оборудование, предназначенное для работы в сильно зашумленных средах и условиях наличия сильных электромагнитных помех.
Дополнительно, в тех случаях, когда в цепях питания или на интерфейсных линиях присутствует серьезный шум или колебания питающего напряжения, продолжительное время записи ЕЕРИОМ создает так называемое «окно уязвимости», в течение которого записываемые данные могут быть искажены.
В отличие от этого запись информации в ЕИЛМ выполняется очень быстро, от нескольких наносекунд до микросекунды, в зависимости от конкретной модели. Таким образом, запись в ЕИЛМ выполняется достаточно быстро, чтобы избежать проблем с потерей информации от сбоев электропитания или от сильного электромагнитного шума.
FRAM-приборы с быстрым последовательным интерфейсом I2C
nf
FM24CL64 offers Unlimited read & writes
y\
2%.
Описание изделия
ЕМ24С64-Э — 64-килобитное энергонезависимое ОЗУ со стандартным 2-проводным интерфейсом 12С, совместимое на уровне контактов с промышленным стандартом 24С64 ЕЕРИОМ. Чтение и запись выполняются со скоростью шины до 1 МГц. ЕМ24С64-8 работает от 3-вольтового источника питания и потребляет 0,2 мА в режиме чтения или записи при частоте шины 100 кГц. ЕМ24С64-8 гарантирует 10 лет хранения данных и поставляется в 8-выводных корпусах Е1Л1 8О1С для индустриального температурного диапазона от -40 до +85 °С.
Конфигурация выводов
Линейка приборов ЕИЛМ с быстрым последовательным интерфейсом 12С состоит из различных изделий с емкостями от 4 до 256 кбайт (табл. 1). В скором времени планируется запуск в производство новых 3-вольтовых ЕИЛМ с емкостями до 1 Мбайт. Все приборы имеют лучшие по сравнению с ЕЕРИОМ характеристики — и по количеству циклов записи, и по скорости записи. Приборы обладают временем записи байта до 12,5 мкс в зависимости от конкретной модели, характеризуются малым энергопотреблением как в режиме чтения, так и в режиме записи, и выдерживают более 1010 циклов записи. Приборы изготавливаются по 0,5-0,35-микронной технологии. В 2002 году освоено производство приборов ЕМ24СЬ04, ЕМ24СЫ6 и ЕМ24СЬ64 с неограниченным количеством циклов чтения-записи. То есть фактически это полностью энергонезависимая память ИЛМ, не имеющая каких-либо встроенных источников питания. Все приборы имеют одинаковые электрические характеристики и параметры и различаются только объемом.
Рассмотрим ключевые характеристики приборов на примере недавно анонсированного 64-килобитного прибора ЕМ24С64-8, старшего в серии последовательных 3-вольтовых ЕИЛМ с шиной 12С. ЕМ24С64-Э это один из первых в мире коммерческих приборов ЕИЛМ-памяти, имеющий неограниченное количество циклов чтения-записи.
AOOZ A1 0Z
A2 0Z VSS0Z
Pin Names Function
A0-A2 Device Select Address
SDA Serial Data/Address
SCL Serial Clock
WP Write Protect
VSS Ground
VDD Supply Voltage 5V
Особенности прибора
ЕМ24С64-8 выполняет запись информации со скоростью шины 12С. При записи информации в микросхему нет никаких дополнительных задержек. Кроме того, приборы имеют фактически неограниченный ресурс циклов записи — намного больше, чем любые ЕЕРИОМ. Кроме того, ЕИЛМ в режиме записи потребляет намного меньшую мощность, чем ЕЕРИОМ. ЕМ24С64-Э легко каскадируется и совместим со стандартными ЕЕРИОМ по системе команд.
Эти особенности делают прибор ЕМ24С64-8 идеальным для энергонезависимых применений памяти, требующих частой или быстрой записи данных. Примером могут быть различные системы сбора данных, где количество циклов записи может быть критично, а применение ЕЕРИОМ с длительным временем записи может привести к потере данных. Комбинация особенностей ЕИЛМ позволяет
Таблица 1. Линейка FRAM-приборов с быстрым последовательным интерфейсом I2C
Product Density Organized Speed Endurance Write byte VDD Cases Status
FM24CL1024-S 1Mb 131072x8 1 MHz - - 2,7-3,6V - Product Concept
FM24CL256-S 256Kb 32768x8 1 MHz - - 2,7-3,6V SOIC8 Product Concept
FM24C256-SE 256Kb 32768x8 1 MHz 1041 12,5 MS 5,0V SOIC8 Production
FM24CL64-S 64Kb 8192x8 1 MHz Unlimited 12,5 MS 2,7-3,6V SOIC8 Customer Samples
FM24C64-S 64Kb 8192x8 1 MHz 1040 12,5 MS 5,0V SOIC8 Production
FM24C64-P 64Kb 8192x8 1 MHz 1040 12,5 MS 5,0V PDIP8 Production
FM24CL16-S 16Kb 2048x8 1 MHz Unlimited 12,5 MS 2,7-3,6V SOIC8 Production
FM24C16A-S 16Kb 2048x8 1 MHz 1042 12,5 MS 5,0V SOIC8 Customer Samples
FM24C16-S 16Kb 2048x8 400 kHz 1040 20 MS 5,0V SOIC8 Production
FM24C16-P 16Kb 2048x8 400 kHz 1040 20 MS 5,0V PDIP8 Production
FM24CL04-S 4Kb 512x8 1 MHz Unlimited 12,5 MS 2,7-3,6V SOIC8 Customer Samples
FM24C04A-S 4Kb 512x8 1 MHz 1042 12,5 MS 5,0V SOIC8 Production
FM24C04-S 4Kb 512x8 400 kHz 1040 20 MS 5,0V SOIC8 Production
FM24C04-P 4Kb 512x8 400 kHz 1040 20 MS 5,0V PDIP8 Production
Компоненты и технологии, № 2'2003
производить более частую запись данных с меньшим риском потери данных для системы. Полный цикл памяти длится меньше, чем один такт шины. Поэтому любое действие, включая чтение или запись, может начинаться немедленно после операции записи данных или адреса. Подтверждение квитированием, используемое при работе с EEPROM, чтобы определить, закончился ли цикл записи, не нужно, и будет всегда возвращать код готовности.
Фактическая запись в память происходит после передачи восьмого бита данных. Запись выполняется прежде, чем будет послан по шине сигнал подтверждения. Если необходимо прервать запись без изменения содержимого памяти, это может быть сделано с помощью кода Start или Stop до окончания передачи всего байта данных по шине. FM24C64-S не использует буферизацию данных. Данные пишутся непосредственно в FRAM-массив.
Линейка FRAM, приборов с быстрым
последовательным интерфейсом SPI
^ FM25CL64 offers I Unlimited read & writes
конкретной модели, характеризуются малым энергопотреблением как в режиме чтения, так и в режиме записи, и выдерживают более 1010 циклов записи. Приборы изготавливаются по 0,5-микронной технологии. В 2002 году освоено производство приборов FM25CL64 с неограниченным количеством циклов чтения-записи. Фактически — это полностью энергонезависимая память RAM без каких-либо встроенных источников питания. Все приборы имеют одинаковые электрические характеристики и параметры и различаются только емкостью.
Рассмотрим ключевые характеристики приборов на примере низковольтного 64-кило-битного FRAM-прибора FM25CL64-S, старшего в серии последовательных FRAM с шиной SPI. FM25CL64-S — это один из первых в мире коммерческих FRAM, имеющих неограниченное количество циклов чтения-записи.
Описание изделия
FM25CL64-S — 64-килобитное энергонезависимое ОЗУ со стандартным 3-проводным интерфейсом SPI, совместимое с промышленным стандартом 25C64 EEPROM на уровне выводов. Чтение и запись выполняются со скоростью шины до 20 МГц. FM25CL64-S работает от 3-вольтового источника питания и потребляет 5 мА в режиме чтения или записи при частоте шины 20 МГц.
FM25CL64-S гарантирует 10 лет хранения данных и поставляется в 8-выводных корпусах SOIC для индустриального температурного диапазона от -40 до +85 °C. SPI Mode 0&3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1).
Конфигурация выводов
1 v 3-Uolt 64-Kilobit SPI FRAM
csoz
sooz
WPOZ
vssoz
Линейка БИЛМ с быстрым последовательным интерфейсом БРІ сегодня состоит из различных изделий с емкостями от 4 до 64 кбайт (табл. 2). В скором времени планируется запуск в производство новых 3-вольтовых приборов с емкостями до 1 Мбайт. Все приборы имеют лучшие по сравнению с ЕЕРИОМ характеристики — и по количеству циклов записи, и по скорости записи. Приборы обладают временами записи байта до 0,4 мкс в зависимости о от
Таблица 2. Линейка FRAM-приборов с быстрым последовательным интерфейсом SPI
Pin Names Function
/CS Chip Select
/WP Write Protect
/HOLD Hold
SCK Serial Clock
SI Serial Data Input
SO Serial Data Output
VDD Supply Voltage 5V
VSS Ground
Product Density Organized Speed Endurance Write byte VDD Cases Status
FM25CL1024-S 1Mb 131072x8 20 MHz - - 2.7-3.6V - Product Concept
FM25CL256-S 256Kb 32768x8 20 MHz - - 2.7-3.6V - Product Concept
FM25CL64-S 64Kb 8192x8 20 MHz Unlimited 0,4 MS 3.0-3.6V SOIC8 Customer Samples
FM25CL16-S 16Kb 2048x8 20 MHz - - 3.0-3.6V SOIC8 Product Concept
FM25CL04-S 4Kb 512x8 20 MHz - - 3.0-3.6V SOIC8 Product Concept
FM25C160-S 16Kb 2048x8 5 MHz 1040 1,6 ms 5V SOIC8 Production
FM25C160-P 16Kb 2048x8 5 MHz 10л10 1,6 ms 5V PDIP8 Production
FM25640-S 64Kb 8192x8 5 MHz 10л10 1,6 ms 5V SOIC8 Production
FM25640-P 64Kb 8192x8 5 MHz 10л10 1,6 ms 5V PDIP8 Production
FM25160-S 16Kb 2048x8 2.1 MHz 10л10 3,8 mS 5V SOIC8 Production
FM25160-P 16Kb 2048x8 2.1 MHz 10л10 3,8 mS 5V PDIP8 Production
FM25040-S 4Kb 512x8 2.1 MHz 10л10 3,8 mS 5V SOIC8 Production
FM25040-P 4Kb 512x8 2.1 MHz 10л10 3,8 mS 5V PDIP8 Production
Особенности прибора
FM25CL64-S выполняет запись информации со скоростью шины SPI. При записи информации в микросхему нет никаких дополнительных задержек. Следующий цикл шины может начинаться немедленно.
Кроме того, приборы имеют фактически неограниченный ресурс циклов записи — принципиально больше, чем любые EEPROM. Кроме того, в режиме записи FRAM потребляет намного меньшую мощность, чем EEPROM.
Приборы FM25CL64-S позволяют программно устанавливать как частичную, так и полную защиту от записи. Следует учитывать энергонезависимость регистра статуса — если в предыдущей рабочей сессии был сброшен признак WREN, то запись будет блокирована. При начале записи признак WREN должен быть установлен. Флаг WEL указывает состояние счетчика записи. Попытка прямой записи бита WEL не даст никакого эффекта.
Линейка FRAM-приборов с параллельным интерфейсом
FM18L08 offers Unlimited read & writes
Kr ГЄаС
Линейка ЕИЛМ с параллельным интерфейсом сегодня состоит из различных изделий с емкостями от 64 до 256 кбайт (табл. 3). В скором времени планируется запуск в производство новых 3-вольтовых приборов с емкостями до 1 Мбайт. Все приборы имеют лучшие по сравнению с ЕЕРИОМ характеристики — и по количеству циклов записи, и по скорости записи. Время записи байта — до 70 нс в зависимости о от конкретной модели. Приборы характеризуются малым энергопотреблением как в режиме чтения, так и в режиме записи, и выдерживают более 1010 циклов записи. Приборы изготавливаются по 0,5-микронной технологии. В 2002 году освоено производство приборов ЕМ18Ь08 с неограниченным количеством циклов чтения-записи. Фактически — это полностью энергонезависимая память ИЛМ, без встроенных источников питания. Все приборы имеют одинаковые электрические характеристики и параметры и различаются только емкостью.
Рассмотрим ключевые характеристики приборов на примере низковольтного 256-кило-битного прибора ЕМ18Ь08, являющегося старшим в серии параллельных ЕИЛМ. ЕМ18Ь08 —
Компоненты и технологии, № 2'2003
это первый в мире коммерческий РИЛМ-при-бор с неограниченным количеством циклов чтения-записи.
Конфигурация выводов
Таблица 3. Линейка FRAM-приборов с параллельным интерфейсом
A14DZ 1 28 ZD VDD
A12DZ 2 27 ZD WE
A7 DZ 3 26 ZD A13
A6 DZ 4 25 ZD A8
A5 DZ 5 24 ZD A9
A4 DZ 6 23 ZD A11
A3 DZ 7 22 ZD OE
A2 DZ 8 21 ZD A10
A1 DZ 9 20 ZD CE
A0 DZ 10 19 ZD DQ7
DQ0DZ 11 18 ZD DQ6
DQ1DZ 12 17 ZD DQ5
DQ2DZ 13 16 ZD DQ4
VSSDZ 14 15 ZD DQ3
Pin Name Type Pin Description
A0-A14 Input 15 линий адреса
DQ0-7 I/O 8 линий данных
/CE Input Выбор кристалла
/OE Input Разрешение шины
/WE Input Разрешение записи
VDD Supply Напряжение питания
VSS Supply Земля
Product Density Organized Access Endurance Write byte VDD Cases Status
FM20L08 128Kx8 131072x8 - - - 2.7-3.6V - Product Concept
FM18L08-70-S 32Kx8 32768x8 70 ns Unlimited 140 nS 2.7-3.6V SOIC28 Customer Samples
FM18L08-70-P 32Kx8 32768x8 70 ns Unlimited 140 nS 2.7-3.6V PDIP28 Customer Samples
FM1808-70-S 32Kx8 32768x8 70 ns 10Л10 130 nS 5V SOIC28 Production
FM1808-70-P 32Kx8 32768x8 70 ns 10Л10 130 nS 5V PDIP28 Production
FM1808-120-S 32Kx8 32768x8 70 ns 10Л10 180 nS 5V SOIC28 Production
FM1808-120-P 32Kx8 32768x8 70 ns 10Л10 180 nS 5V PDIP28 Production
FM1608-120-S 8Kx8 8192x8 120 ns 10Л10 180 nS 5V SOIC28 Production
FM1608-120-P 8Kx8 8192x8 120 ns 10Л10 180 nS 5V PDIP28 Production
Описание изделия
РМ18Ь08 — 256-килобитное энергонезависимое ОЗУ со стандартной параллельной организацией, совместимое с промышленным стандартом JEDEC 32Кх8 8ИЛМ & ЕЕРИОМ на уровне выводов. Чтение и запись выполняются за 140 нс. РМ18Ь08 работает от 3-вольто-вого источника питания и потребляет 15 мкЛ в пассивном режиме и 15 мЛ режиме чтения или записи. РМ18Ь08 гарантирует 10 лет хранения данных и поставляется в 28-выводных корпусах 8О1С или PDIP для индустриального температурного диапазона от -40 до +85 °С.
Особенности прибора
Прибор РМ18Ь08 разрабатывался в первую очередь для замены ВВвИЛМ, но нашел массу других применений. Типичный модуль 8ИЛМ со встроенной батареей выдерживает до 60 °С и 90% ИЬ, но при этом не учитываются вибрации и атмосферное давление. Однако РИЛМ-приборы проходят НЛвТ-тесты (сильно ускоренный стрессовый тест). Эти тесты проводятся при следующих параметрах: 120 °С при 85% ИЬ, 24,4 р81а и полном напряжении питания VDD.
Приборы FM18L08 обеспечивают работу в индустриальном температурном диапазоне при напряжении питания от 3 до 3,65 В. В то же время приборы допускают эксплуатацию при напряжении питания от 2,7 В, и при этом гарантируются все электрические параметры в диапазоне температур от 0 до +85 °C. Прибор выпускается в корпусе PDIP FM18L08-70-P.
Технологические и конструктивные особенности FRAM-приборов
Вся номенклатура поставляемых в настоящее время фирмой Ramtron International на рынок FRAM-приборов изготавливается по 0,5-0,35-микронным топологическим проектным нормам с ячейкой памяти 1T/1C, за исключением приборов FM24C256, выполненных по новой технологии ячейки памяти IT/IC.
В настоящее время фирмой изготавливаются различные 5- и 3-вольтовые FRAM, имеющие как конструктивные, так и технологические отличия. Все 5-вольтовые FRAM изготавливаются на основе разработанного и запатентованного фирмой Ramtron International сегнетоэлектрического технологического процесса. Все они имеют конструктивное исполнение как в корпусах SOIC, так и в PDIP. В отличие от этого вся 3-вольтовая серия FRAM изготавливается только в корпусах типа SOIC, за исключением прибора FM18L08-10-P (корпус PDIP). Все 3-вольто-вые приборы изготавливаются по усовершенствованному сегнетоэлектрическому технологическому процессу и имеют улучшенные характеристики и параметры долговременного хранения информации по сравнению с 5-вольтовыми приборами. Приборы FM24CL04A и FM24CL16A изготавливаются по 0,35-микронному техпроцессу и выдерживают 1012 циклов чтения-записи.
Специалисты Ramtron постоянно работают над совершенствованием технологии в тесном сотрудничестве с ведущими производителями полупроводниковых приборов, такими, как Infineon, Hitachi, Fujitsu, Toshiba, Samsung, Texas Instruments, NEC и ST Microelectronics, с которыми Ramtron имеет соответствующие соглашения лицензирования и совместные проекты новых плотноупакованных FRAM-приборов. Такое взаимодействие с лидерами мирового рынка оказалось весьма плодотворным, что подтверждается результатами различных тестовых испытаний службой качества фирмы и независимыми экспертами. Результаты некоторых тестов, приводимых в данной статье (табл. 4-6), наглядно демонстрируют потенциальные возможности технологии FRAM и высокие показатели надежности, присущие этим приборам. Приведены результаты лишь некоторых, наиболее интересных на взгляд авторов, тестов, проводимых ежемесячно службами качества Ramtron.
Уже в начале 2002 года запатентованная фирменная сегнетоэлектрическая технология и вся выпускаемая фирмой Ramtron продукция была сертифицирована на соответствие стандартам IS09000. Следует отметить качественные изменения в технической документации на приборы и в технической информации на сайте фирмы (www.ramtron.com), произошедшие в 2002 году. Так, в документации введена табличная информация обо всех внесенных изменениях и их дате за время жизни каждого FRAM-прибора с начала выпуска опытных образцов до настоящего времени, что оказывается весьма важным как для разработчиков, так и для эксплуатационников. Текущая информация по всем FRAM-приборам, отражающая все актуальные изменения в последних версиях, доступна на сайте Ramtron. В разделе Errata Sheets доступны так-
Таблица 4. Process Qualification Results 64K Device
Таблица 5. 3 V 0.5 p Process Qualification
Test Description Applied Stress Device Stress Hrs Sample Size Number of Failures Equivalent Hrs at 55 °C Activation Engery FITS 55 °C
HTOL 125 °C, Dynam. Vcc = 6 V 1000 77 0 7.8 E+04 8.8 Years 0.70 153 a
RETN, 150 C bake Retention SS & OS RETN No elect. bias 1000 376 1 b 3.6 E+05 114 Years 0.87 5
85/85 85°C85% Moisture 1000 46 0
Thermal Shock 200 cycles 0 °C to 100 °C N/A 11 0
RETF 1.0 E+07 1000 46 0
Retention 1.0 E+08 1000 46 0
After 1.0 E+09 1000 46 0
Fatigue Fatigue followed by Retention at 150 °C
Test Description Applied Stress Device Stress Hrs Sample Size Number of Failures Equivalent Hrs at 55 °C Activation Engery FITS 55 °C
HTOL 125 °C, Dynam. Vcc = 3.6 V 1000 308 0 7.8 E+04 8.8 Years 0.7 153 a
Retention SS & OS RETN 150 °C Bake V=0 1000 308 0 3.60 E+05 114 Years 0.87 5
Temperature 85 °C 85% RH 1000 308 0
Thermal Shock 200 cycles 0°C to 100 °C N/A 104
Low Temp Operation -55 °C V=3.6 V CLK=1MHz N/A 104 0
Temp Cycle -65°C~150°C N/A 308 0
HAST 130 °C, 85% RH, 2.33 E5 Pa, V=3.6 96 104 0
e
же спецификации по отклонениям параметров приборов сигнальных производственных партий и опытных образцов. Все приборы доступны в виде свободных образцов, заказ которых также возможен на сайте изготовителя. Таблица 6. Суммарные результаты ежемесячных HAST-тестов при воздействии повышенных температур (200 °C) при полном функциональном контроле работоспособности — QAM 200 °С @ 72 Hrs
Компоненты и технологии, № 2"2003
Device Lot Sample Fail Yield
FM24C64-P 94950C 100 0 100
FM24C64-S 94950A 99 0 98
FM1 808-120-P 0101AP 54 0 100
FM1808-120-S 0101AS 80 0 100
FM1608-120-P 0701AP 80 1 98.7
FM1608-120-S 0701AS 100 0 100
FM1608-120-S 0201AS 100 0 100
FM1608-120-P 0201AP 96 0 100
FM1608-120-P 0701AQ 93 3 93.7
FM1808-120-S 1001AS 54 0 100
FM24C64-S 0102AS1 100 0 100
FM24C64-P 0102AQ 96 0 100
FM1 808-120-P 1001AP 49 0 96
FM1608-120-P 1301AP 98 1 99
FM1608-120-S 1301AQ 97 1 98.9
FM24C64-S 0102AS2 99 0 100
FM24C64-P 1306AP 100 0 100
FM1 808-120-P 1307AP 93 0 97.9
FM1 808-120-P 1407AP 100 0 100
FM1608-120-S 1302AS2 99 2 97.9
FM1808-120-S 1307AS 99 0 98
FM1808-120-S 1407AS 98 0 98
FM1808-120-S 1408AS 100 0 100
FM24C64-S 1306AS 100 0 100
FM1608-120-S 1302AS 95 0 100
FM24C64-P 1409AP 100 0 100
FM24C64-P 1707AT 100 0 100
FM24C64-P 1707AP 100 0 100
FM24C64-S 1410AS 100 0 100
FM24C64-S 1411AS 100 0 100
FM24C64-S 1707AS 100 1 99
FM1808-120-S 2005AS 96 0 96
FM1608-120-P 1706AP 98 1 99
FM1608-120-P 2105AP 100 1 99
FM1808-120-S 1801AS 97 0 97
FM1608-120-S 2105AT 99 0 100
FM1608-120-S 2106AS 97 0 99
FM1608-120-S 1904AS 100 0 100
FM1608-120-S 2105AS 97 0 98
SUM 3663 11 99.70%
Дополнительная информация: www.ramtron. com.
