CC BY
43Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
Sanyo Semiconductor
на российском рынке
Мы видим бытовые приборы с торговой маркой Бапуо на витринах магазинов, на рекламных плакатах. Но теперь комплектующие, из которых сделаны эти прекрасные автомобильные магнитолы, телефоны, видеокамеры, телевизоры, видеомагнитофоны, вполне доступны и на российском рынке.
Наталья Митрофанова
mitrofanova@yeint.ru
ЮЕ-Интярняйтнп
A MEMBER OF YE-GROUP
Санкт-Петербург, Торжковская ул., д. 5 Офис 426 Тел./факс:
(812) 324-4053,
324-4068, 324-4008, 324-4051
ye@yeint.spb.ru, www.yeint.ru Москва,
ул. Обручева, д. 29, стр.1 Офис 122
Тел. (095) 335-5511, 334-3316, 334-3143
Фирма Sanyo Semiconductor — часть корпорации Sanyo Electric — была основана в 1958 году в Токио с целью производства и продажи полупроводниковых электронных компонентов. Сейчас она имеет 11 заводов, 6 технологических центров и 13 отделений, осуществляющих продажи по всему миру, в Корее, Китае, Европе, США и ЮгоВосточной Азии. В начале своей деятельности Sanyo Semiconductor концентрировала свои усилия в области производства комплектующих для аудио- и видеотехники. Сегодня фирма позиционирует себя как ключевого игрока на рынках телекоммуникаций, автомобилестроения и мультимедийных систем. Сфера производства бытовой электроники очень чувствительна к стремительному развитию новых технологических разработок. Sanyo Semiconductor производит широкий спектр постоянно обновляющихся высокотехнологичных электронных компонентов мирового уровня качества.
Цель этой статьи — кратко познакомить читателей с тем, что Sanyo Semiconductor предлагает российским производителям электроники.
Таблица 1. Высоковольтные полевые транзисторы
Абсолютные максимальные величины Ta = 25°C Электрическиехарактеристики Ta = 25°C
VDSS, В VDSS, В ID, А IDP, А PD, Вт Tc = 25°C V(off) GS(V) Rds(on)Vgs=10 В ^hm)typ/max CissTyp (PF)
2SK1413 TO-3PML 1500 ±20 2 4 60 1.5~3.5 8/11 550
2SK1412LS T0220FI (LS) 0.1 0.2 20 140/200 40
Дискретные элементы
Компания начала свою деятельность в 1958 году с производства транзисторов. С тех пор был разработан огромный спектр дискретных полупроводниковых приборов.
Биполярные транзисторы
• Высоковольтные схемы Дарлингтона.
• Биполярные транзисторы общего применения.
• Высокочастотные биполярные транзисторы.
• Быстродействующий биполярный транзистор + диод Шоттки.
• Транзистор + два диода Шоттки с общим катодом.
• Два быстродействующих биполярных транзистора в одном корпусе.
• Высоковольтные биполярные транзисторы.
• Малошумящие биполярные транзисторы.
• Биполярные транзисторы с малым напряжением насыщения.
• Биполярные ключи.
• Биполярные ключи со встроенным резистором.
Полевые транзисторы
• Защищенные ключи.
• Высокочастотные полевые транзисторы.
• Высокочастотный полевой транзистор + диод Шоттки.
• Два высокочастотных ^канальных полевых транзистора в одном корпусе.
• Полевые транзисторы с управляющим p-n-пере-ходом.
• Ультравысокочастотные полевые ключи.
• Мощные полевые транзисторы ^ канал + P канал).
• Мощные полевые транзисторы ^ канал).
• Мощные полевые транзисторы ^ канал). Высокочастотные транзисторы
• GaAs приборы 12 ГГц.
• Ультравысокочастотные транзисторы. Специализированные транзисторы
• Транзисторы для динамической фокусировки.
• Транзисторы для видеовыхода в мониторах со сверхвысоким разрешением.
• Выходные транзисторы для узлов горизонтального отклонения в цветных и монохромных мониторах со сверхвысоким разрешением и скоростью развертки.
Диоды
• Ограничительные диоды.
• Высоковольтные диоды.
• Диоды Шоттки с низким прямым напряжением.
• Варакторы.
• PIN-диоды.
е
Компоненты и технологии, № 3'2002
Рис. 2. TFT дисплей 5.B" TM05BWA-22L01
Рис. 3. TFT дисплей 15" TM150XG-71N0B
Наиболее интересными и конкурентоспособными в этом разделе являются высоковольтные полевые транзисторы серии UH (Ultra High-Voltage) (см. табл. 1). Они имеют напряжение сток-исток 1500 В, что позволяет использовать их при производстве компьютерных мониторов, проекторов, импульсных источников питания, инверторов. Транзисторы содержат ограничительный диод с прямым падением напряжения 1 В. Задержка включения, например, 2SK1413 (N-канал) составляет всего 14 нс, при времени нарастания фронта 16 нс. Время его выключения составляет 160 нс, время спада фронта сигнала — 40 нс. Такие характеристики реально позволяют этим транзисторам занять лидирующее положение на рынке приборов этого класса.
Лазерные диоды
Sanyo Semiconductor предлагает ряд лазерных диодов, работающих как в видимом, так и в инфракрасном диапазоне спектра (рис. 1).
В видимом диапазоне выпускаются приборы с длиной волны от 635 до 675 нм с выход-
ной мощностью от 3 до 80 мВт для применения в электрических инструментах, в лазерных указках, в сканерах бар-кодов, уровнемерах, дальномерах, охранных системах, медицинских приборах.
В инфракрасном диапазоне спектра предлагаются диоды с длиной волны от 785 до 830 нм и с выходной мощностью от 10 до 150 мВт (табл. 3). Основными областями применения для этих приборов являются оптоволоконные системы, оптические системы связи.
ТРТ-дисплеи
Завод Тойои 8апуо предлагает Л-81 ТБТ-дисплеи с диагональю от 3,5 до 29 дюймов, в основном ориентируясь на крупное производство. Эти дисплеи были специально разработаны для применения в PDA, ноутбуках, мониторах, телевизионных системах, в автомобильных устройствах навигации (Табл. 4). Дисплей 3.8» TM38QV-6702A, работающий на отражение, обладает очень низким энергопотреблением, что дает возможность использовать его в системах с питанием от ак-
кумулятора. 5.8" TM058WA-22L01 и 7.0" TM070WA-22L01 предназначаются для нужд автомобилестроения, например, для систем глобального позиционирования. Они обладают очень высокой яркостью изображения и работают в широком диапазоне температур: от -30 °С до +85 °С. Они также могут применяться в системах охраны повышенного качества и комфортности (рис. 2). Специально для систем цифрового телевидения предназначен дисплей 15" ТМ150ХС-7Ш08 с разрешением 1024x768 точек и с очень высокой яркостью изображения 450 нит (рис. 3). В этом году уже становятся доступными дисплеи от 19 до 29" с яркостью до 450 нит.
Хотелось бы отдельно отметить возможность применения дисплеев 8апуо в медицинской промышленности для прикроватных мониторов и портативных диагностических систем, где существуют повышенные требования к параметрам изображения. Кроме того, такие дисплеи в совокупности с сенсорными панелями (например, Би^и) могут применяться в торговых терминалах для ресторанов, систем быстрого питания, гостиничного бизнеса.
Таблица 2. Лазерные диоды для видимой области спектра
Абсолютные величины Electro-Optical Characteristics
Рабочая Пороговый Рабочий Длина Ток Расхождение луча
Тип Мощность температура ток ток волны монитор Паралл Перпенд Тип корпуса Выводы
Po Topr Po lth lop Xp lm // +
мВ °C мВ мА мА нМ мА ° °
DL-303B-013 5мВ при 40°C 7 -10 to +40 5 30 45 635 0,20 B,0 30 C I
DL-303B-023 3мВ при 40°C 3 -10 to +40 3 20 25 0,15 B,0 30 C I
DL-303B-033,034,233 5мВ при 50°C 5 -10 to +50 5 30 40 0,20 B,0 30 C I, lll
DL-314B-013 5мВ при 40°C 7 -10 to +40 5 30 45 0,20 B,0 30 A I
DL-314B-023 3мВ при 40°C 3 -10 to +40 3 20 25 0,15 B,0 30 A I
DL-314B-033,034,234 5мВ при 50°C 5 -10 to +50 5 40 55 0,20 B,0 30 A I, lll
DL-403B-021 10мВ при 40°C 10 -10 to +40 10 35 55 0,15 B,0 30 C I
DL-403B-031 10мВпри50°C 10 -10 to +50 10 35 55 0,15 B,0 30 C I
DL-403B-026 20мВ при 40°C 25 -10 to +40 20 40 70 0,20 7,0 2B C I
DL-414B-021 10мВ при 40°C 12 -10 to +40 10 35 55 0,15 B,0 30 A I
DL-3147-011,021 5мВ при 40°C 5 -10 to +40 5 30 45 650 0,40 7,5 30 A I
DL-3147-031 5мВ при 50°C 7 -10 to +50 5 25 35 0,20 B,0 30 A I
DL-3147-065,165,265 5мВ при 70°C 7 -10 to +70 5 25 35 0,20 B,0 30 A I, II, lll
DL-3147-1B5,2B5 5мВ при B0°C 7 -10 to +B0 5 25 35 0,20 B,0 30 A II, lll
DL-3247-165 5мВ при 70°C 7 -10 to +70 5 25 35 0,20 B,0 30 D II
DL-4147-061,161 10мВ при 70°C 12 -10 to +70 10 30 50 0,30 B,0 2B A I, II
DL-5147-041 30мВ при 60°C 30 -10 to +60 30 45 B0 655 0,03 7,0 23 A I
DL-3039-011 5мВ при 60°C 5 -10 to +60 5 30 45 670 1,20 B,0 33 C I
DL-3149-057 5мВ при 60°C 7 -10 to +60 5 25 40 1,50 B,0 30 A I
DL-4039-011 10мВпри50°C 10 -10 to +50 10 40 60 675 0,15 B,0 30 A I
Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
6.5 mm 0 stem
0iJ5±O.15
JP§
indow diam
I
£
9.0 mm 0 stem (Infrared)
9.0 mm 0 stem (Red)
^02.0
D-shaped (Red)
Рис. 4. Типы корпусов и соединение выводов
1р|
II ІНІІШІШ
Рис. 5. Гибридный аудио-усилитель STK402
Гибридные аудиоусилители
Компоненты для аудиоприменений стоят в особом ряду продукции Sanyo Semiconductor. По объемам продаж они занимают лидирующее место, составляя около 22 % всех продаж компании.
Sanyo Semiconductor представляет на российский рынок свои гибридные модули аудиоусилителей серии STK402 (табл. 5), которые имеют размер всего 46,6x25,5x8,5 мм (рис. 5). Их основное достоинство заключается в применении запатентованной Sanyo технологии изолированной металлической подложки IMST (Insulated Metal Substrate Technology), впервые примененной в 1970 году в первых моделях мощных аудиоусилителей. С тех пор продано уже более 550 миллионов этих приборов благодаря их исключительной надежности и простоте применения в разработках. Обладая превосходной теплоотдачей, приборы на основе IMST дают возможность в 4 раза повысить плотность тока, при котором происходит плавление проводника, по сравнению с обычной печатной платой.
Драйверы двигателей
Sanyo Semiconductor предлагает драйверы двигателей как виде монолитных интегральных микросхем, так и в виде гибридных модулей.
Монолитные микросхемы исполнены по биполярной технологии, которая позволяет
Таблица 3. Лазерные диоды для инфракрасной области спектра
Абсолютные величины Электро-оптические характеристики
Рабочая Пороговый Рабочий Длина Ток Расхождение луча
Тип Черты температура ток ток волны монитор Паралл Перпендикул Тип корпуса Выводы
Po Topr Po lth lop Xp lm // +
мВ °C мВ мА мА nm мА ° °
DL-3144-005 Low droop B -10 to +60 5 25 50 7B5 3,50 9,0 25 A I
DL-3144-007 Low droop 5 -10 to +60 3 25 35 0,B0 9,0 25 A I
DL-4034-154 10mW at 60°C 15 -10 to +60 10 30 60 0,40 9,0 2B B II
DL-4140-001 20mW at 60°C 25 -10 to +60 20 30 60 0,75 B,0 25 A I
DL-7140-201 85mW (Pulse) B0 -10 to +60 70 30 100 0,25 B,0 17 A lll
DL-7140-201H 120mW (Pulse) B0 -10 to +60 70 30 100 - B,5 17 A IV
DL-7240-201 85mW (Pulse) B0 -10 to +60 70 30 100 - B,5 17 D IV
DL-3150-103,105 Frame Laser 5 -10 to +70 3 35 45 790 0,20 10,5 35 F/E II
DL-3150-106,107 Frame Laser 5 -10 to +60 3 35 45 0,20 10,5 35 E/F II
DL-LS3004 Frame Laser, 5мВ 7 -10 to +70 5 20 30 0,30 10,5 35 G II
DL-LS3005 Frame Laser, 5мВ 7 -10 to +70 5 20 30 0,30 10,5 35 F II
DL-LS3006 Frame Laser, Low current 5 -10 to +60 3 20 25 0,20 11,0 35 G II
DL-LS3007 Frame Laser, Low current 5 -10 to +60 3 20 25 0,20 11,0 35 F II
DL-7032-001 100мВ при 50°C 100 -10 to +50 100 50 150 B30 0,20 7,0 17 B I
DL-B032-001 150мВ при 50°C 150 -10 to +50 150 50 200 0,30 7,0 17 B I
е
Компоненты и технологии, № 3'2002
Таблица 4. TFT-дисплеи Tottori Sanyo
Размер Модель Разрешение Интерфейс Яркость Размеры Температ.
Малое потребление, отражающий
rai rtr о p ,B 3, TM3BQV-67A02A 320x240 6BITx3 Digital RGB chipset solution 2B 96,Bx73,0x5,1 0...50
Широкий температурный диапазон, высокая яркость
5, B w d а> TM05BWA-22L01A 400x234 NTSC/PAL Specific Analog RGB for TFT 400 145xB9x11,5 -30...B5
7,0wide TM070WA-22L04 4B0x234 NTSC/PAL Specific Analog RGB for TFT 400 167x102x11 -30...B5
Высокая яркость
5,Bwide TM05BWA-22L03 400x234 NTSC Standard Analog RGB 360 146x90x16,7 0...65
7,0wide TM070WA-22L03 4B0x234 NTSC Standard Analog RGB 360 167x102x17 0...65
Малое потребление, лёгкие
10,0 TM100SV-02L01 B00x600 SVGA 6BITX3/TTL 170 236x16Bx6,1 0...50
10,0 TM100SV-02L02 B00x600 SVGA 6BITX3/LVDS 170 236x16Bx6,1 0...50
Малое потребление, узкая рамка, легкие
12,1 TM121SV-02L01 B00x600 SVGA 6BITX3/TTL 150 275x199x5,4 0...50
12,1 TM121SV-02L07 B00x600 SVGA 6BITX3/LVDS 150 275x199x6,5 0...50
12,1 TM121XG-02L01 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 275x199x5,3 0...50
12,1 TM121XG-02L02D 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 261x199x5,2 0...50
12,1 TM121XG-02L10 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 261x199x5,0 0...50
13,3 TM133XG-02L06 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 2B4x214,5x5,6 0...50
13,3 TM133XG-02L07 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 2B4x214,5x5,2 0...50
13,3 TM133XG-02L0B 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 2B4x216,5x5,7 0...50
14,1 TM141XG-02L05 1024x76BXGA 6BITX3/LVDS 150 29B,5x227x5,7 0...50
Высокая яркость, долгое время жизни подсветки
12,1 TM121SV-02L11 B00x600 SVGA 6BITX3/TTL 340 2B0x21Bx11.5 0...50
15,0 TM150XG-26L06 1024x76BXGA 6BITX3 x2 /TTL 350 331,4x254,75x12,5 0...50
Большой размер, широкий угол обзора,высокая яркость
15,0 TM150XG-71N0B 1024x76BXGA Pseudo 8BIT/TTL 450 347,3x261,35x29 0...50
Таблица S. Характеристики гибридных аудио-усилителей STK402
EIAJ/бО м 1 КГц, 10 % 1 канал 2 канала 3 канала 4 канала S каналов
Шаг, Вт 2,54 мм 2,00 мм 2,54 мм 2,00 мм 2,00 мм 2,54 мм 2,00 мм 2,00мм
20 402-020 442-020* 402-220 443-020* 403-230* 402-B20* 402-920
30 402-030 442-030 403-030* 402-230 443-030* 403-240 402-B30* 402-930*
40 402-040 403-040* 402-240 403-250* 402-B40* 402-940
45 404-050 402-050 442-050 403-050 402-250 443-050 403-270* 402-B50* 402-950
60 404-070 402-070 442-070 403-070 402-270 443-070
B0 404-090 402-090 442-090 443-090
100 404-100 402-100 442-100
110
120 404-120 402-120 442-120
150 404-130 442-130
1B0 404-140*
* — разработка — ISB технология
достигать высокой эффективности работы двигателя за счет очень низкого напряжения насыщения транзисторов, сокращая до минимума потери на схеме управления. Например, в драйвере двигателя LB1930M, рекомендованном компанией Seiko Instruments для управления шаговым двигателем термопринтера LTPV445, напряжение насыщения составляет всего 0,25 В при токе 0,2 А. Эти приборы имеют от 1 до 4 каналов управления (рис. 6) и предназначаются для управления самыми разными двигателями. Одним из самых интересных применений может служить применение драйверов Sanyo для управления шаговыми двигателями (табл. 6), например при производстве устройств управления термопринтерами, основной деталью которых являются шаговые двигатели. Эти надежные драйверы пригодятся при производстве кассовых аппаратов, медицинских диагностических приборов, банковского оборудования, в автомобильной промышленности. Драйверы для двигателей постоянного тока представлены в табл. 7.
Гибридные модули драйверов двигателей (рис. 7) производятся на основе технологии IMST, что обеспечивает превосходный отвод тепла и резко улучшает температурные характеристики приборов. В их состав включен резистор-детектор тока, что позволяет использовать универсальную схему для управления двигателями разной мощности. Sanyo предлагает гибридные модули для микрошаговых, 2-3 фазных шаговых и для двигателей постоянного тока (табл. 8).
Память
Sanyo Semiconductor производит статическую память 64 и 256 Кбит, 1 Мбит, динамическую память и флэш-память.
Статическая память поставляется в корпусах TSOP, SOP, в расширенном диапазоне рабочих температур, временем доступа от 70 до 100 мкс (табл. 9). Ток потребления в спящем режиме составляет всего 1 мкА. Напряжение питания варьируется от 2,7 до 5,5 В.
Флэш-память представлена рядом с емкостью от 1 до 32 Мбит с различной организацией (табл. 10). В микросхемах с емкостью от 8 до 32 Мбит можно считывать информацию одновременно с циклом записи данных.
Таблица 6. Драйверы шаговых двигателей
Напряжение питания Функции и особенности
Тип Канал Корпус Управление Vdd, В Мотор Vm, В lomax, A мощность Pdmax, Вт Торможение Огр. диод Примеч-е
LB1B46M 2 MFP10S 2,5-7,5 0,B 0,B • 2-фазные
LB1940T 2 TSSOP20 1,9-6,5 1,6-7,5 0,4 0,B • Низковольтные
LB1B36M 2 MFP14S 2,5-9,0 1,B-9,0 1 0,B • • 1-2фазные
LB1937T 4 TSSOP24 2,5-9,5 0,4 0,B • •
LVB012T 2 TSSOP24 2,7-5,5 1,0-6,5 1,4 0,B • • Вход ШИМ
LB194BM 2 MFP10S 3,0-16 0,B 0,B • 1-2фазные
LB11945H 2 HSOP2BH до 5,5 B-2B 0,5 1,9 •
LB1945D 2 DIP2BH до 5,5 B-2B 0,B 3 •
Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
Таблица 7. Гибридные модули драйверов двигателей
Напряжение питания Функции и особенности
Тип Канал Корпус Управл-е Vdd, В Мотор Vm, В Выходной ток Іотах, А мощность Pdmax, Вт Торможение Огр. диод Примечание
1.В1938Т 1 МБОР8 2,2-10,0 0,8 0,4 • •
І.В1930М 1 МРР10Б 2,2-11,0 1 0,8 • •
1У80Ш 1 $Б0Р20 4,5-5,5 2,0-6,5 3 0,8 • • Вход ШИМ
ЬБ1934Т 1,5 Т$Б0Р20 1,4-7,0 1,0-7,0 2 0,8 • •
ЬУ8632У 1,5 $Б0Р20 1,5-7,5 1,2-7,5 3 0,8 • • Низковольтный
ЬБ1 836М 2 МРР14Б 2,5-9,0 1,8-9,0 1 0,8 • •
ІУ8012Т 2 Т$Б0Р24 2,7-5,5 1,0-6,5 1,4 0,8 • • Вход ШИМ
ЬБ1948М 2 МРР10Б 3,0-16 0,8 0,8 • •
ЬБ11650 1 3!Р14И2 3,0-5,25 8-28 2 • •
ЬБ11651 1 3!Р14И2 3,0-5,25 8-28 3 • •
ЬБ1947 1 SIP13ИJ до 7 до 50 2 1,6 • •
Таблица 8. Гибридные модули драйверов двигателей
Тип двигателя Тип Ток, А
Встроенный STK672-210 1,5
Полный/ распределитель STK672-220 3,0
Драйвер 2-фазный полушаг STK672-330 1,8
шагового двигателя двигатель STK672-340 2,2
Микрошаг STK672-070 1,5
Внешний STK672-080 3,0
3-фазный Полный/ полушаг распределитель STK673-120 2,4
двигатель Микрошаг STK673-010 2,4
Однофазный 4 вывода управления STK681-050 STK681-070 5.0 7.0
Драйвер двигателя 3 вывода управления (STK6875) ^ТС6877) 5.0 7.0
постоянного тока 2 вывода управления STK681-110 STK681-210 2,0 3,0
3-фазный (STK6105) (STK6105) 3.0 5.0
Таблица 9. Флэш-память
Емкость Организация Тип Время доступа/ корпус / напряжение питания, В
4М 256^ 16 ЬЕ28РУ4101 40,50,70 / TS0P48 РЮА52 / 3,3
8М 4М+4М 4М (256Ы6)х2 LE28DW8102 80,90 / ТБ0Р48 / 3,0
1Е28йи8102* 100,120 / TS0P48 / 2,5*
6М+2М 6М (384^ 16) + 2М (128Ы6) LE28DW8163 80,90 / ТБ0Р48 / 3,0
LE28DU8163* 100,120 / TS0P48 / 2,5*
16М 8M+8M+64K 8М (5Шх16)х2 + 64K (4Kх 16) Е2Р1ЮМ LE28БW168 80,90 / ТБ0Р48 / 3,0
ІЕ28Би168* 100,120 / TS0P48 / 2,5*
4М+12М 4М (256Kх 16) + 12М (768<х16) LE28DW1621 80,90 / TS0P48 РБЭА63 / 3,0
LE28DU1621* 100,120 / ТБ0Р48 РБЭА63 / 2,5*
32М* 16М+16М 16М (1Мх16) + 16М (1Мх16) LEDW3212A* 80,90 / TS0P48 РБЭА73 / 3,0*
LE28DU3212A* 100,120 / ТБ0Р48 РБЭА73 / 2,5*
64М** 16М 4 Банка 16М (1Мх16)х4 LE28DW6412** 80 / TS0P48 РБЭА73 / 3,0**
LE28DU6412** 90 / TS0P48 РБЭА73 / 2,5**
Полный Постоянное Постоянный
привод напряжение ток
1 канал
ІІ.В1938Т І І.В1930М | ІЇВЇ830МІ 1.В1834У |
800 мА | 1А | 500 мА | 800 мА |
1.В8632У | ЗА
ІІУвОЇТТІ
ЗАмаксІ
1.5 канал
ІІ.В1934Т | 2А
І.В1846М | 800 мА
2 канала
|1У8012У | ЬВІ837М | 1В1940Т |
^Aмак^J ^0^^J ^0^^J
1.В1936У 600 мА
І.В1937Т 400 мА
Ві-РСМСЯ PWM вход
ЬВІ939Т 500 мА
Рис. 6. Драйверы низковольтных двигателей
Таблица 10. Статическая память. КМОП 64 Кбит
Тип Корпус Тип Выводы Конфигурация Примечания
Ю3564БМ S0P 28 64K (8Kх8), 0E', CE1' CE2 Усс=2,7-5,5 В, T=-40-+85°C, 0/100нс, 1мкА
Ю3564БТ TS0P 28 64K (8Kх8), 0E', CE1' CE2 Усс=2,7-5,5 В, T=-40-+85°C, 70/100нс, 1мкА
LC3564CM S0P 28 64K (8Kх8), 0E', CE1' CE2 Усс=2,7-5,5 В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 1мкА
Ю3564СТ TS0P 28 64K (8Kх8), 0E', CE1' CE2 Усс=2,7-5,5 В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 1мкА
Таблица 11. Статическая память. КМОП 256 Кбит
Тип Корпус Тип Выводы Конфигурация Примечания
LC35256DM S0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=4,5-5,5В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 5мкА
LC35256ВT TS0P 28 256K (8^8), 0E', CE' Усс=4,5-5,5В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 5мкА
LC35256FM S0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=2,7-5,5В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 5мкА
LC35256FT TS0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=2,7-5,5В, T=-40-+85°C, 55/70нс, 5мкА
LC35У256EM S0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=3,0-3,6В, Т=-10-+70oC, 70нс, 4мкА
LC35У256ET TS0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=3,0-3,6В, Т=-10-+70oC, 100нс, 4мкА
LC35W256EM S0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=2,7-3,6В, Т=-10-+70oC, 100нс, 4мкА
LC35W256ET TS0P 28 256K (8Kх8), 0E', CE' Усс=2,7-3,6В, Т=-10-+70oC, 100нс, 4мкА
Таблица 12. Статическая память. КМОП 1 Мбит
Тип Корпус Тип Выводы Конфигурация Примечания
LC351016AT TS0P 44 1М (64^ 16) Усс=4,5-5,5В, T=-40-+85°C, 55/70нс
LC35W1000БTS TS0P 32 1М (128Kх8), 0E', CE', CE2 Усс=2,7-3,6В, Т=-10-+70 0C, 70/100нс, 1мкА
